1、硅集成电路工艺基础要点整理硅工艺简易笔记第二章 氧化 SiO2作用:a.杂质扩散掩蔽膜和离子注入屏蔽膜b.器件表面保护或钝化膜c. MOS电容的介质材料d. MOSFET的绝缘栅材料e. 电路隔离介质或绝缘介质2.1 SiO2的结构与性质 Si-O4四面体中氧原子: 桥键氧为两个Si原子共用,是多数; 非桥键氧只与一个Si原子联结,是少数; 无定形SiO2网络强度:与桥键氧数目成正比,与非桥键氧数目成反比。2.2.1 杂质在SiO2中的存在形式1.网络形成者:即替位式杂质,取代Si,如B、P、Sb等。其特 点是离子半径与Si接近。 族杂质元素:价电子为3,只与3个O形成共价键,剩余1 个O 变
2、成非桥键氧,导致网络强度降低。 族杂质元素:价电子为5,与4个O形成共价键,多余1个 价电子与附近的非桥键氧形成桥键氧,网络强度增加。 2.网络改变者:即间隙式杂质,如Na、K、Pb、Ca、 Ba、Al等。 其特点是离子半径较大,多以氧化物形式掺入;结果使非桥键氧增加,网络强度减少。2.2.2 杂质在SiO2中的扩散系数 扩散系数:DSiO2=D0exp(-E/kT) D0-表观扩散系数(E/kT 0时的扩散系数) E-杂质在SiO2中的扩散激活能 B、P、As的DSiO2比DSi小,Ga、Al的DSiO2比DSi大得多,Na的DSiO2 和DSi都大。2.3.1 硅的热氧化 定义:在高温下,
3、硅片(膜)与氧气或水汽等氧化剂化学反应生成SiO2。1.干氧氧化:高温下,氧气与硅片反应生成SiO2 特点速度慢; 氧化层致密,掩蔽能力强; 均匀性和重复性好; 表面与光刻胶的粘附性好,不易浮胶。2.水汽氧化:高温下,硅片与高纯水蒸汽反应生成SiO2 特点:氧化速度快; 氧化层疏松质量差; 表面是极性的硅烷醇-易吸水、易浮胶。3.湿氧氧化氧气中携带一定量的水汽 特点:氧化速率介于干氧与水汽之间; 氧化层质量介于干氧与水汽之间;4.掺氯氧化在干氧中掺少量的Cl2、HCl、C2HCl3 (TCE)、 C2H3Cl3 (TCA) 掺氯的作用:吸收、提取大多数有害的重金属杂质及 Na+,减弱Na+正电
4、荷效应。 注意安全:TCE可致癌;TCA高温下可形成光气 (COCl2),俗称芥子气,是高毒物质, 而且TCA会对臭氧造成破坏。2.3.2 热氧化生长动力学,时间常数,反映了初始氧化层对后继热氧化的影响(初始氧化层修正系数)。2.4.1 决定氧化速率常数的因素1.氧化剂分压Bpg , B/Apg ; (线性关系) 2.氧化温度 与抛物型速率常数B的关系: B=2DOX C*/N1 Dox =D0 exp(-E/kT) B与氧化温度是指数关系 无论干氧、湿氧,氧化 温度与B/A是指数关系2.4.2 影响氧化速率的其它因素1.硅表面晶向 DOX与Si片晶向无关,ks与Si表面的原子密度 (键密度)
5、成正比; 抛物型速率常数B=2DOX C*/N1,与Si晶向无关; 线性速率常数B/A ksC*/N1,与Si晶向有关: 因此(111)面的B/A比 (100)面大。 2.杂质硼:在SiO2中是慢扩散,且分凝系数m1 氧化再分布后:少量的P分凝到SiO2中,使氧化剂在SiO2中的扩散能力增加不多,因而抛物型速率常数B变化不大;大部分P集中在Si表面,使线性速率常数B/A明显增大。水汽 干氧中,极少量的水汽就会影响氧化速率; 水汽会增加陷阱密度。钠 钠以Na2O的形式进入SiO2中,使非桥键氧增加,氧化剂的扩散能力增加,但SiO2强度下降了。氯 氯的作用:固定重金属、Na+等杂质;增加Si中的少
6、子寿命;减少SiO2中的缺陷;降低界面态和固定电荷密度;减少堆积层错。2.5 热氧化的杂质再分布 分凝系数m=杂质在Si中的平衡浓度/杂质在SiO2中的平衡浓度对同一杂质、同一温度条件,在平衡状态下,m是一 个常数。由m可判断在界面处杂质分布的情况。 四种分凝现象:根据m1和快、慢扩散 m1、 SiO2中慢扩散:B m1、 SiO2中慢扩散:P m1、 SiO2中快扩散:Ga 影响Si表面杂质浓度的因素: 分凝系数m DSiO2/DSi 氧化速率/杂质扩散速率1. P的再分布(m=10) CS/CB:水汽干氧 原因:氧化速率越快,加入 分凝的杂质越多;CS/CB随温度升高而下降。2. B的再分
7、布(m=0.3) CS/CB:水汽900)快速氧化3.化学改善氧化层工艺:引入Cl、F、N2、NH3、N2O4. CVD和叠层氧化硅第三章 扩 散 掺杂:将所需的杂质,以一定的方式掺入到半导体基 片规定的区域内,并达到规定的数量和符合要 求的分布。 扩散:将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中,从而达 到将杂质扩散到硅片内的目的。间隙式扩散-杂质在晶格间的间隙中运动(扩散)势垒间隙位置的势能相对极小,相邻两间隙之间 是势能极大位置,必须越过一个势垒Wi。替位式扩散 定义杂质原子从一个晶格点替位位置运动到另一个替位位置。势垒-与间隙式相反,势能极小在晶格位置,间隙处 是势能极大位置,必须越过一个势垒W
8、S。3.2 扩散系数与扩散方程0 振动频率 D0表观扩散系数,即1/kT 0时的扩散系数 E激活能;间隙扩散: E = Wi, 替位扩散: E = Ws+ Wv3.3.1 恒定表面源扩散 定义: 在扩散过程中,Si片表面的杂质浓度始终 不变(等于杂质在Si中的溶解度)。 例如:预淀积工艺、箱法扩散工艺3.3.2 有限表面源扩散3.3.3 两步扩散工艺 第一步:在较低温度(800900)下,短时间得 浅结恒定源扩散,即预淀积(预扩散); 第二步:将预淀积的晶片在较高温度下(1000 1200)进行深结扩散,最终达到所要求 的表面浓度及结深,即再分布(主扩散)。3.4 影响杂质分布的其他因素3.4
9、.2 扩散系数与杂质浓度的关系3.4.3 氧化增强扩散(OED) 实验结果:P、B、As等在氧化气氛中的扩散增强。3.4.4 发射区推进(陷落)效应 实验现象:NPN 管的工艺中,发射区下方的内基区B的扩散深度大于发射区(P扩散形成)外的基区扩散深度。3.4.5 二维扩散(横向扩散) 实际扩散:杂质在垂直Si表面扩散的同时,也进行平行Si表面的横向扩散。扩散层的方块电阻 Rs(R)第四章 离子注入 离子注入:将带电的、且具有能量的粒子入射到衬 底中的过程。特点:注入温度低:对Si,室温;对GaAs, ks时, Cs Cg , 反应控制;b. hg ks,G=(CTksY)/N1 ,反应控制;h
10、g ks, 反应控制过程,故 G与T呈指数关系; 高温下,hg ks, 质量输运控制过程, hg对T不敏感,故 G趋于平稳。6.2.4 CVD技术1. APCVD(常压 CVD ) 定义:气相淀积在1个大气压下进行; 淀积机理:气相质量输运控制过程。 优点:淀积速率高(100nm/min);操作简便; 缺点:均匀性差;台阶覆盖差; 易发生气相反应,产生微粒污染。 可淀积的薄膜:Si外延薄膜;SiO2、poly-Si、Si3N4薄 膜。2. LPCVD(低压 CVD ) 定义:在27270Pa压力下进行化学气相淀积。 淀积机理:表面反应控制过程。 优点:均匀性好(35,APCVD: 10); 台
11、阶覆盖好;效率高、成本低。 缺点:淀积速率低;温度高。 可淀积的薄膜: poly-Si、 Si3N4 、 SiO2、PSG、 BPSG、W等。3. PECVD(等离子体增强CVD) 定义: RF激活气体分子(等离子体),使其在低温 (室温)下发生化学反应,淀积成膜。 淀积机理:表面反应控制过程。 优点:温度低(200350);更高的淀积速率;附着 性好;台阶覆盖好;电学特性好; 缺点:产量低; 淀积薄膜:金属化后的钝化膜( Si3N4 );多层布 线的介质膜( Si3N4 、SiO2)。6.3.2 CVD多晶硅 工艺:LPCVD热分解(通常主要采用);气体源:气态SiH4;总反应式: SiH4
12、(吸附) = Si(固体)+2H2(g) 特点: 与Si及SiO2的接触性能更好; 台阶覆盖性好。 缺点: SiH4易气相分解。 用途:欧姆接触、栅极、互连线等材料。6.4.1 CVD SiO2的方法1. 低温CVD 气态硅烷源 硅烷和氧气: APCVD、LPCVD、PECVD 硅烷和N2O(NO) :PECVD 优点:温度低;反应机理简单。 缺点:台阶覆盖差。 液态TEOS源:PECVD 淀积机理: Si(OC2H5)4+O2 250-425 SiO2+H2O+CXHY 优点:安全、方便;厚度均匀;台阶覆盖好。 缺点:SiO2膜质量较热生长法差; SiO2膜含C、有机原子团。2. 中温LPC
13、VD SiO2 温度:680-730 化学反应:Si(OC2H5)4 SiO2+2H2O+4C2H4 优点:较好的保形覆盖; 缺点:只能在Al层淀积之前进行。6.5 CVD Si3N4 Si3N4薄膜的用途: 最终钝化膜和机械保护层; 掩蔽膜:用于选择性氧化; DRAM电容的绝缘材料; MOSFETs中的侧墙; 浅沟隔离的CMP停止层。第七章 外延 定义:在单晶衬底上,按衬底晶向生长一层新的单 晶薄膜的工艺技术。 应用 双极器件与电路: 轻掺杂的外延层较高的击穿电压; 重掺杂的衬底降低集电区的串联电阻。 CMOS电路: 避免了闩锁效应:降低漏电流。 外延的分类 按工艺分类: 气相外延(VPE)
14、:硅的主要外延工艺; 液相外延(LPE):-化合物的外延; 固相外延(SPE):离子注入退火过程; 分子束外延(MBE,Molecular Beam Epitaxy)7.1.2 外延生长模型 生长步骤 传输:反应物从气相经边界层转移到Si表面; 吸附:反应物吸附在Si表面; 化学反应:在Si表面进行化学反应,得到Si及副产物; 脱吸:副产物脱离吸附; 逸出:脱吸的副产物从表面转移到气相,逸出反应室; 加接:生成的Si原子加接到晶格点阵上,延续衬底晶向; 生长特征:横向二维的层层生长。(注意与CVD区分)7.1.3 化学反应H2还原SiCl4体系 生长总反应:SiCl4 + 2H2 Si(s)+
15、4HCl(g)7.1.4 生长速率与温度的关系B区为高温区,外延生长为质量运输(扩散控制),外延一般选用此区,优点:1.对于温度的控制精度要求不是太高 2.高温区外延时,硅原子具有很强的迁移能力,易生成单晶A区为低温区,外延生长为反应控制7.1.5 生长速率与反应剂浓度的关系BA注意:氯硅烷氢还原法外延层生长速度主要受两个因素控制,一是释放硅原子速度,二是释放的硅原子在衬底生成单晶外延层的速度。A点之前,释放速度生长速度,B点以后多的氯硅烷开始产生腐蚀效应。7.1.6 生长速率v与气体流速U的关系 SiCl4外延温度:1200,输运控制; 故,v随U的增大而增加。7.2 外延层的杂质分布7.2
16、.2 扩散效应 扩散效应:衬底杂质与外延层杂质相互扩散,导致界 面处杂质再分布;7.2.3 自掺杂效应(非故意掺杂) 定义:衬底杂质及其他来源杂质非人为地掺入外延层。7.3 低压外延(5-20kPa) 低压作用:减小自掺杂效应; 优点: 杂质分布陡峭; 厚度及电阻率的均匀性改善; 外延温度随压力的降低而下降; 减少了埋层图形的畸变和漂移;7.4 选择性外延 SEG :在特定区域有选择地生长外延层; 原理:Si在SiO2或Si3N4上很难核化成膜; 选择性:特定区域;硅源。 硅源的选择性顺序:SiCl4SiHCl3SiH2Cl2SiH4;7.6 SOS及SOI技术SOI技术的特点与优势 1速度高
17、 :在相同的特征尺寸下,工作速度可提高 30-40; 2功耗低: 在相同的工作速度下,功耗可降低 50 - 60; 3特别适合于小尺寸器件; 4特别适合于低压、低功耗电路; 5集成密度高 : 封装密度提高约40; 6低成本: 最少少用三块掩模版,减少13%-20% (30)的工序; 7耐高温环境: 工作温度300-500; 8抗辐照特性好: 是体硅器件的50-100倍。7.7 分子束外延(MBE) 原理:在超高真空下,利用薄膜组分元素受热蒸发所 形成的原子或分子束,直接射到衬底表面,形 成外延层。 应用:元素半导体Si、Ge 化合物半导体-GaAs、GaN、SiGe MBE的特点: 温度低;
18、生长速度低; 化学组成及掺杂浓度精确可控; 厚度可精确控制到原子级;第八章 光刻与刻蚀工艺 光刻:通过光化学反应,将光刻版(mask)上的图形 转移到光刻胶上。 刻蚀:通过腐蚀,将光刻胶上图形完整地转移到Si片上 光刻三要素: 光刻机 光刻版(掩膜版) 光刻胶8.1 光刻工艺流程 主要步骤: 涂胶、前烘、曝光、显影、 坚膜、刻蚀、去胶。 两种基本工艺类型:负性光刻和正性光刻。8.1.1 涂胶1.涂胶前的Si片处理(以在SiO2表面光刻为例) SiO2:亲水性;光刻胶:疏水性;脱水烘焙:去除水分HMDS:增强附着力2.涂胶对涂胶的要求:粘附良好,均匀,薄厚适当 胶膜太薄针孔多,抗蚀性差; 胶膜太
19、厚分辨率低(分辨率是膜厚的58倍)8.1.2 前烘作用:促进胶膜内溶剂充分挥发,使胶膜干燥; 增加胶膜与SiO2 (Al膜等)的粘附性及耐磨性。影响因素:温度,时间。8.1.3 曝光: 光学曝光、X射线曝光、电子束曝光光学曝光紫外,深紫外)光源: 高压汞灯:产生紫外(UV)光, 光谱范围为350 450nm。 准分子激光器:产生深紫外(DUV)光, 光谱范围为180nm330nm。)曝光方式 a.接触式:硅片与光刻版紧密接触。 b.接近式:硅片与光刻版保持5-50m间距。 c.投影式电子束曝光: 几十100; 优点: 分辨率高; 不需光刻版(直写式); 缺点:产量低;邻近效应由于背散射使大面积
20、的光刻胶层发生程度不同的曝光,导致大面积的图形模糊,造成曝光图形出现畸变。 减小邻近效应的方法:减小入射电子束的能量,或采用低原子序 数的衬底与光刻胶。X射线曝光 2 40 ,软X射线;X射线曝光的特点:分辨率高,产量大。缺点:存在图形的畸变(半影畸变和几何畸变)。8.1.4 显影作用:将未感光的负胶或感光的正胶溶解去除,显现 出所需的图形。 显影液:专用影响显影效果的主要因素: )胶膜的厚度; )前烘的温度与时间; )曝光时间; )显影液的浓度; )显影液的温度; 显影时间适当 t太短:可能留下光刻胶薄层阻挡腐蚀SiO2(金属) 氧化层“小岛”。 t太长:光刻胶软化、膨胀、钻溶、浮胶 图形边缘破坏。8.1.5 坚膜作用:使软化、膨胀的胶膜与硅片粘附更牢; 增加胶膜的抗蚀能力。方法)恒温烘箱:180200,30min;)红外灯:照射10min,距离6cm。温度与时间)坚膜不足:腐蚀时易浮胶,易侧蚀;)坚膜过度:胶膜热膨胀翘曲、剥落 腐蚀时易浮胶或钻蚀。 若T300:光刻胶分解,失去抗蚀能力。8.1.6 腐蚀(刻蚀)对腐蚀液(气体)的要求: 既能腐蚀掉裸露的SiO2(金属),又不损伤光刻胶。腐蚀的方法)湿法腐蚀:腐蚀剂是化学溶液。 特点:各向同性腐蚀。)干法腐蚀:腐蚀剂是活性气体,如等离子体。 特点:分辨率高;各向异性强。8.1.7
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