半导体芯片制造工半导体芯片制造高级工考试题模拟考试练习doc.docx

1、半导体芯片制造工半导体芯片制造高级工考试题模拟考试练习doc姓名：_ 班级：_ 学号：_-密-封 -线- 半导体芯片制造工：半导体芯片制造高级工考试题模拟考试练习考试时间：120分钟 考试总分：100分题号一二三四五总分分数遵守考场纪律，维护知识尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。1、问答题简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求？本题答案：1、能很好的阻挡材料扩散；2、高电导率，低本题解析：1、能很好的阻挡材料扩散；2、高电导率，低欧姆接触电阻；3、在半导体和金属之间有很好的附着能力；4、抗电迁能力强；5、在很薄和高温下具有很好的稳定性；6、抗侵蚀和抗氧化性好。7、具有高的导电率和纯度。8

2、、与下层存底（通常是二氧化硅或氮化硅）具有良好的粘附性。9、与半导体材料连接时接触电阻低。10、能够淀积出均匀而且没有空洞的薄膜，易于填充通孔。11、易于光刻和刻蚀，容易制备出精细图形。12、很好的耐腐蚀性。13、在处理和应用过程中具有长期的稳定性。2、问答题什么叫晶体缺陷？本题答案：晶体机构中质点排列的某种不规则性或不完善性。又称晶格缺本题解析：晶体机构中质点排列的某种不规则性或不完善性。又称晶格缺陷。3、单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由（ ）来实现。A.掩膜版B.扩散C.光刻本题答案：C本题解析：暂无解析4、问答题洁净区工作人员应注意些什么？本题答案：保持部件与工具洁净，保持个人清洁卫

3、生.不能把洁净服提来本题解析：保持部件与工具洁净，保持个人清洁卫生.不能把洁净服提来提去，人员不能触摸或翻动洁净服.禁止吃喝，禁止用手表，首饰，指甲油，吸烟，化妆，工作只能在洁净面上进行。5、单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（ ）分布。A.高斯B.余误差C.指数本题答案：B本题解析：暂无解析6、单项选择题平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、焊轮压力和焊轮椎顶角。焊轮压力影响盖板和焊环之间高阻点的（ ）。压力太大，电阻值下降，对形成焊点不利，焊轮压力太小，则造成接触不良，不但形不成良好点。A.电流值B.电阻值C.电压值本题答案：B本题解析：暂无解析7、单项选择题变容二极管的电容

4、量随（ ）变化。A.正偏电流B.反偏电压C.结温本题答案：B本题解析：暂无解析8、填空题禁带宽度的大小决定着（ ）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和辐射等的干扰而产生变化。本题答案：电子从价带跳到导带本题解析：电子从价带跳到导带9、填空题铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（ ），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。本题答案：氧化物本题解析：氧化物10、单项选择题外壳设计包括（ ）设计、热性能设计和结构设计三部分，而可靠性设计也包

5、含在这三部分中间。A.电性能B.电阻C.电感本题答案：A本题解析：暂无解析11、填空题气中的一个小尘埃将影响整个芯片的（ ）性、（ ）率，并影响其电学性能和（ ）性，所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。本题答案：完整；成品；可靠性本题解析：完整；成品；可靠性12、填空题延生长方法比较多，其中主要的有（ ）外延、（ ）外延、金属有机化学气相外延、（ ）外延、原子束外延、固相外延等。本题答案：化学气相；液相；分子束本题解析：化学气相；液相；分子束13、填空题热分解化学气相淀积二氧化硅是利用（ ）化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。本题答案：含有硅的化合物本题解析：含有硅的化合物1

6、4、填空题金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般（ ）同类电极系统的楔刀焊接。本题答案：大于本题解析：大于15、填空题厚膜混合集成电路的基片种类很多，目前常用的有：氧化铝陶瓷，（ ），氮化铝（A1N）陶瓷。本题答案：氧化铍陶瓷本题解析：氧化铍陶瓷16、问答题粘封工艺中，常用的材料有哪几类？本题答案：常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类本题解析：常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。17、单项选择题厚膜元件烧结时，浆料中的固体颗粒由接触到结合、自由表面的收缩、空隙的排除、晶体缺陷的消除等都会使系统的自由能（ ），从而使系统转变为热力学中更稳定的状态。A.降低B

7、.升高C.保持不变本题答案：A本题解析：暂无解析18、填空题半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为（ ）半导体、（ ）半导体、固溶半导体三大类。本题答案：元素；化合物本题解析：元素；化合物19、填空题半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（ ）（ ）（ ）隔离等三种基本方法.本题答案：Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合本题解析：Pn结介质；Pn结隔离；Pn结介质混合20、问答题引线焊接有哪些质量要求？本题答案：可靠性好，易保持一定形状，化学稳定性好。尽量少形成金属本题解析：可靠性好，易保持一定形状，化学稳定性好。尽量少形成金属间化合物，键

8、合引线和焊盘金属间形成低电阻欧姆接触。平整度倾斜度，平行度焊接时间焊接界面的清润。21、填空题如果热压楔形键合小于引线直径15倍或大于30倍，其长度小于15倍或大 于60倍，判引线键合（ ）。本题答案：不合格本题解析：不合格22、单项选择题金属封装主要用于混合集成电路封装，外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。底盘、管帽和引线的材料常常是（ ）。A.合金A-42B.4J29可伐C.4J34可伐本题答案：B本题解析：暂无解析23、单项选择题双极晶体管的1c7r噪声与（ ）有关。A.基区宽度B.外延层厚度C.表面界面状态本题答案：C本题解析：暂无解析24、单项选择题在低温玻璃密封工艺中，

9、常用的运载剂由2（质量比）的硝化纤维素溶解于98（质量比）的醋酸异戊酯或松油醇中制得，再将20的运载剂与（ ）的玻璃料均匀混合，配成印刷浆料。A.8090B.1020C.40-50本题答案：A本题解析：暂无解析25、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，（ ）做绝缘和密封。A.塑料B.玻璃C.金属本题答案：B本题解析：暂无解析26、填空题二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（ ）、（ ）淀积、PECVD淀积。本题答案：氧化；气相本题解析：氧化；气相27、单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。半导体器件的粘封工艺一般选用（ ）

10、。A.热塑性树脂B.热固性或橡胶型胶粘剂本题答案：B本题解析：暂无解析28、填空题最常用的金属膜制备方法有（ ）加热蒸发、（ ）蒸发、（ ）。本题答案：电阻；电子束；溅射本题解析：电阻；电子束；溅射29、单项选择题非接触式厚膜电路丝网印刷时，丝网与基片之间有一定的距离，称为间隙，通常为（ ）。A.小于0.1mmB.0.52.0mmC.大于2.0mm本题答案：B本题解析：暂无解析30、单项选择题超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接，焊接处依靠（ ）封接，因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。A.管帽变形B.镀金层的变形C.底座变形本题答案：B本题解析：暂

11、无解析31、填空题钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（ ）、（ ）等。本题答案：导电胶粘接；银浆烧结本题解析：导电胶粘接；银浆烧结32、填空题芯片焊接质量通常进行镜检和（ ）两项试验。本题答案：剪切强度本题解析：剪切强度33、单项选择题pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（ ）的重要标志。A.扩散层质量B.设计C.光刻本题答案：A本题解析：暂无解析34、单项选择题双极晶体管的高频参数是（ ）。A.hFEVcesB.BVceC.ftfm本题答案：C本题解析：暂无解析35、问答题单晶片切割的 质量要求有哪些？本题答案：晶向偏离度总厚度误差，平衡度，翘曲度等本题解析

12、：晶向偏离度总厚度误差，平衡度，翘曲度等36、填空题硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用（ ）系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。本题答案：硫酸本题解析：硫酸37、单项选择题半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是：良好的热性能。外 壳应有小的（ ），使芯片的热量有效地散逸出去，保证器件在正常结温下工作。A.热阻B.阻抗C.结构参数本题答案：A本题解析：暂无解析38、填空题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（ ）；反应室漏气；外延层的晶体（ ）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。本题答案：不够；质量差本题解析：不够；质量差39、单项选择题塑封中注塑成型工艺主

13、要工艺参数有（ ）、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间。A.准备工具B.准备模塑料C.模塑料预热本题答案：C本题解析：暂无解析40、问答题简述你所在工艺的工艺质量要求？你如何检查你的工艺质量？本题答案：外延要求：1.集电极击穿电压要求2.集电本题解析：外延要求：1.集电极击穿电压要求2.集电极串联电阻要小.3.高频大功率小型化.刻蚀要求：1.图形转换的保真度高2.选择比高.3.刻蚀速率高.4.刻蚀剖面. 5.刻蚀偏差. 6.刻蚀因子大.7.均匀性.41、问答题有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？本题答案：常压化学气相淀积（APCVD.，低压化学气本题解析：常压化学气相淀积（AP

14、CVD.，低压化学气相淀积（LPCVD.，等离子体辅助CVD。42、填空题杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（ ）扩散和（ ）扩散两种。本题答案：替位；间隙本题解析：替位；间隙43、单项选择题反应离子腐蚀是（ ）。A.化学刻蚀机理B.物理刻蚀机理C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合本题答案：C本题解析：暂无解析44、填空题外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构设计三部分，而（ ）设计也包含在这三部分中间。本题答案：可靠性本题解析：可靠性45、单项选择题在突缘电阻焊工艺中，要获得良好的焊接质量，必须确定的基本规范包括（ ）A.焊接电流、焊接电压和电极压力B.焊接电流、焊接时

15、间和电极压力C.焊接电流、焊接电压和焊接时间本题答案：B本题解析：暂无解析46、填空题离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（ ）和（ ）。本题答案：平均投影射程；平均投影标准差本题解析：平均投影射程；平均投影标准差47、判断题没有经济收入或交纳党费有困难的党员，由本人提出申请，经党支部委员会同意，可以少交或免交。本题答案：对本题解析：暂无解析48、单项选择题溅射法是由（ ）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。A.电子B.中性粒子C.带能离子本题答案：C本题解析：暂无解析49、问答题简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？本题答案：1.光刻是通过一系列生产步骤将晶

16、圆表面薄膜的特定部分除本题解析：1.光刻是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去并得到所需图形的工艺。2.光刻的重要性是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的，它是晶圆加工过程的中心，为后面的刻蚀和离子注入做准备。决定了芯片的性能，成品率，可靠性。50、单项选择题禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（ ）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。A.越不容易受B.越容易受C.基本不受本题答案：A本题解析：暂无解析51、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内（ ）控制。本题答案：湿度本题解析：湿度