MOSFET单相全桥无源逆变电路.docx

1、MOSFET单相全桥无源逆变电路 电力电子技术课程设计说明书 MOSFET单相桥式无源逆变电路设计（纯电阻负载） 院 、 部： 电气与信息工程学院 学生姓名： 指导教师： 王翠 职称 副教授 专 业： 自动化 班 级： 自本1004班 完成时间： 2013-5-24 摘 要本次基于MOSFET的单相桥式无源逆变电路的课程设计，主要涉及MOSFET的工作原理、全桥的工作特性和无源逆变的性能。本次所设计的单相全桥逆变电路采用MOSFET作为开关器件，将直流电压Ud 逆变为频率为1KHZ的方波电压，并将它加到纯电阻负载两端。本次课程设计的原理图仿真是基于MATLZB的SIMULINK，由于MATLA

2、B软件中电源等器件均为理想器件，使得仿真电路相对较为简便，不影响结果输出。设计主要是对电阻负载输出电流、电压与器件MOSFET输出电压的波形仿真。 关键词：单相；全桥；无源；逆变；MOSFET;1 MOSFET的介绍及工作原理 MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor 场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的 MOS 型（Metal Oxide Semicon

3、ductor FET）,简称功率 MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般 称作静电感应晶体管（Static Induction TransistorSIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极 电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于 GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过 10kW 的电力电子装置。功率 MOSFET 的种类：按导电沟道可分为 P 沟道和 N 沟道。按栅极电压幅值可分为耗尽型和增强型，当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道的称为耗尽型；对于 N （P）沟道器件， 栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道的

4、称为增强型；功率 MOSFET主要是N沟道增强型。本次设计采用N沟道增强型。2 电压型无源逆变电路的特点及主要类型2.1 电压型与电流型的区别根据直流侧电源性质的不同可分为两种：直流侧是电压源的称为电压型逆变电路；直流侧是电流源的则称为电流型逆变电路。电压型逆变电路有以下特点：直流侧为电压源，或并联有大电容，相当于电压源。直流侧电压基本无脉动，直流回路呈现低阻抗。由于直流电压源的钳位作用，交流侧输出电压波形为矩形波，并且与负载阻抗角无关。而交流侧输出电流波形和相位因为负载阻抗的情况不同而不同。当交流侧为阻感负载时需要提供无功功率，直流侧电容起缓冲无功能量的作用。为了给交流侧想直流侧反馈的无功能

5、量提供通道，逆变桥各臂都并联了反馈二极管。又称为续流二极管。2.2 逆变电路的分类 把直流电变成交流电称为逆变。逆变电路分为三相和单相两大类。其中，单相逆变电路主要采用桥式接法。主要有：单相半桥和单相全桥逆变电路。而三相电压型逆变电路则是由三个单相逆变电路组成。2.3 有源与无源的区别如果将逆变电路的交流侧接到交流电网上，把直流电逆变成同频率的交流电反送到电网去，称为有源逆变。无源逆变是指逆变器的交流侧不与电网连接，而是直接接到负载，即将直流电逆变为某一频率或可变频率的交流电供给负载。它在交流电机变频调速、感应加热、不停电电源等方面应用十分广泛，是构成电力电子技术的重要内容。3 电压型无源逆变

6、电路原理分析单相逆变电路主要采用桥式接法。它的电路结构主要由四个桥臂组成，其中每个桥臂都有一个全控器件MOSFET和一个反向并接的续流二极管，在直流侧并联有大电容而负载接在桥臂之间。其中桥臂1,4为一对，桥臂2，3为一对。可以看成由两个半桥电路组合而成。其基本电路连接图如下所示：图1 电压型全桥无源逆变电路的电路图由于采用功率场效应晶体管（MOSFET）来设计,如图1的单相桥式电压型无源逆变电路，此课程设计为电阻负载，故应将IGBT用MOSFET代替，RLC负载中电感、电容的值设为零。此电路由两对桥臂组成，V1和V4与V2和V3两对桥臂各导通180度。再加上采用了移相调压法，所以VT3的基极信

7、号落后于VT1的90度，VT4的基极信号落后于VT2的90度。因为是电阻负载，故晶体管均没有续流作用。输出电压和电流的波形相同，均为90度正值、90度零、90度负值、90度零 这样一直循环下去。4 主电路设计及参数选择4.1 主电路仿真图在本次设计中，主要采用单相全桥式无源逆变电路(电阻负载)作为设计的主电路。由于软件上的电源等器件都是理想器件，故可将直流侧并联的大电容直接去掉。由以上工作原理概论的分析可得其主电路仿真图如下所示：图2 MOSFET单相全桥无源逆变电路（电阻负载）电路4.2 参数计算电阻负载，直流侧输入电压=100V, 脉宽为=90的方波，输出功率为300W，电容和电感都设置为

8、理想零状态。频率为1000Hz由频率为1000Hz即可得出周期为T=0.001s，由于V3的基波信号比V1的落后了90度（即相当1/4个周期）。通过换算得：t3=0.001/4=0.00025s， 而t1=0s。同 理 得：t2=0.001/2=0.0005S, 而t4=0.00075S。由理论情况有效值：Uo=Ud/2=50V。又因为P=300W 所以有电阻：R=Uo*Uo/P=8.333则输出电流有效值：Io=P/Uo=6A则可得电流幅值为Imax=12A，Imin=-12A电压幅值为Umax=100V,Umin=-100V晶闸管额定值计算，电流有效值：Ivt=Imax/4=3A。额定电流

9、In额定值：In=（1.5-2）*3=（4.5-6）A。最大反向电压Uvt=100V则额定电压Un=（23）*100V=（200-300）V4.3 参数设置根据以上计算的各参数即可正确设置主电路图如下，进而仿真出波形图。图3 VT1的触发电平参数设置图4 VT2的触发电平参数设置图5 VT3的触发电平参数设置图6 VT4的触发电平参数设置图7 电阻负载参数设置5 仿真电路结果与分析5.1 触发电平的波形图从上到下依次为VT1,VT2，VT3，VT4的触发电压，幅值为5V。图8 触发电平的波形图5.2 电阻负载输出波形图从上到下依次输出电流（最大值为12A）与输出电压（最大值为100V）波形。图

10、9 电阻负载输出波形图由图9所示波形可得：一个周期内的两个半个周期的输出电压值大小相等，幅值的正负相反，则输出平均电压为0。同理输出平均电流也为0。5.3 器件MOSFET的输出波形图从上到下依次为VT1,VT2,VT3,VT4的输出电流和电压波形。图10 VT1电流波形（最大值12A,最小值0A），VT1电压波形（最大值100V,最小值0V）图11 VT2电流波形（最大值12A,最小值0A），VT2电压波形（最大值100V,最小值0V）图12 VT3电流波形（最大值12A,最小值0A），VT3电压波形（最大值100V,最小值0V）图13 VT4电流波形（最大值12A,最小值0A），VT4电压

11、波形（最大值100V,最小值0V）5.4 仿真波形分析在接电阻负载时，采用移相的方式来调节逆变电路的输出电压。移相调压实际上就是调节输出电压脉冲的宽度。通过对图8触发脉冲的控制得到如图9和5.3MOSFET的输出波形图，图9波形为输出电流电压的波形，由于没有电感负载，在波形图中可看出，一个周期内的两个半个周期的输出电压值大小相等，幅值的正负相反，则输出平均电压为0。VT1电压波形和VT2的互补，VT3电压波形和VT4的互补，但VT3的基极信号不是比VT1落后180，而是只落后。即VT3、VT4的栅极信号不是分别和VT2、VT1的栅极信号同相位，而是前移了90。输出的电压就不再是正负各为180的

12、的脉冲，而是正负各为90的脉冲。由于没有电感负载，故电流情形与电压相同。6 总结MOSFET单相桥式无源逆变电路共有4个桥臂，可以看成两个半桥电路组合而成，采用移相调压方式后，输出交流电压有效值即可通过改变直流电压Ud来实现，也可通过改变来调节输出电压的脉冲宽度来改变其有效值。由于MATLAB软件中电源等器件均为理想器件，故可将电容直接去掉。又由于在纯电阻负载中，VD1VD4不再导通，不起续流作用，古可将起续流作用的4个二极管也去掉，对结果没有影响。相比于半桥逆变电路而言，全桥逆变电路克服了半桥逆变电路输出交流电压幅值仅为1/2Ud的缺点，且不需要有两个电容串联，就不需要控制电容电压的均衡，因

13、此可用于相对较大功率的逆变电源。参考文献 1王兆安 刘进军.电力电子技术. 北京：机械工业出版社.第五版，2009.51001032黄忠霖 黄京.电力电子技术MATLAB实践. 北京：国防工业出版社.2009.1. 2462483洪乃刚. 电力电子、电机控制系统的建模和仿真. 北京：机械工业出版社.2010.1. 1001074 赵同贺等.新型开关电源典型电路设计与应用.北京：机械工业出版社，2010 5 林飞，杜欣.电力电子应用技术的MATLAB 仿真.北京：中国电力出版社，2009致谢 这次电力电子技术设计，让我们有机会将课堂上所学的理论知识 运用到实际中。并通过对知识的综合运用，进行必要

14、的分析、比较。从而进一步验证了所学的理论知识。同时，这次课程设计，还让我知道了最重要的是心态，在刚开始会觉得困难，但是只要充满信心，就肯定会完成的。 通过电力电子技术课程设计，我加深了对课本专业知识的理解，平常都是理 论知识的学习，在此次课程设计过程中，我更进一步地熟悉了单相桥式无源电路 的原理和触发电路的设计。当然，在这个过程中我也遇到了困难，查阅资料，相互通过讨论。我准确地找出了我们的错误并纠正了错误，这更是我们的收获，不但使我们进一步提高了我们的实践能力，也让我们在以后的工作学习有了更大的信心。通过这次课程设计使我懂得了只有理论知识是远远不够的，只有把所学的理论知识与实践相结合，从实践中得出结论，从而提高了自己的实际动手能力和独立思考的能力。在设计中遇到了不少困难，但也让我学到了一些课本上没有的知识，进一步的提高了我的能力。让我收获最大的是我发现了自己对以前的知识理解的不够深刻，掌握得不够牢固，通过这次，我把以前所学的知识重新温故，巩固了所学知识，让我受益菲浅。在此，也要感谢王老师这学期的悉心教导，同时对那些给予我帮助的同学表示真心感谢。以后我会再接再厉，学得更认真，做得更好。