1、模拟电子技术知识点总结模拟电子技术知识点总结篇一:模拟电子技术基础知识汇总模拟电子技术第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。*n型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6.杂质半导体的特性*载流子的浓度-
2、多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。*体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.Pn结*Pn结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V,锗材料约为0.20.3V。*Pn结的单向导电性-正偏导通,反偏截止。8.Pn结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性-正向导通,反向截止。*二极管伏安特性-同结。*正向导通压降-硅管0.60.7V,锗管0.20.3V。*死区电压-硅管0.5V,锗管0.1V。3.分析方法-将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳)图解分析法该式与伏安
3、特性曲线的交点叫静态工作点Q。2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段-将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳?微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-正常工作时处在Pn结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1.类型-分为nPn和PnP两种。2.特点-基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态2.三极管内各极电流的分配*共发射极电流放大系数(表明三极管
4、是电流控制器件式子3.共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。称为穿透电流。*输出特性曲线(饱和管压降,用UcES表示放大区-发射结正偏,集电结反偏。截止区-发射结反偏,集电结反偏。4.温度影响温度升高,输入特性曲线向左移动。温度升高icBo、icEo、ic以及均增加。三.低频小信号等效模型(简化)hie-输出端交流短路时的输入电阻,常用rbe表示;hfe-输出端交流短路时的正向电流传输比,常用表示;四.基本放大电路组成及其原则1.VT、Vcc、Rb、Rc、c1、c2的作用。2.组成原则-能放大、不失真、能传输。五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析*概念-直流电流通的回路。*画法
5、-电容视为开路。*作用-确定静态工作点*直流负载线-由Vcc=icRc+UcE确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1)改变Rb:Q点将沿直流负载线上下移动。2)改变Rc:Q点在iBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3)改变Vcc:直流负载线平移,Q点发生移动。2.交流通路与动态分析*概念-交流电流流通的回路*画法-电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用-分析信号被放大的过程。*交流负载线-连接Q点和Vcc点Vcc=UcEQ+icQRL的直线。3.静态工作点与非线性失真(1)截止失真*产生原因-Q点设置过低*失真现象-nPn管削顶,PnP管削底。*消除方法-减小Rb,提高Q。(2)饱和失
6、真*产生原因-Q点设置过高*失真现象-nPn管削底,PnP管削顶。*消除方法-增大Rb、减小Rc、增大Vcc。4.放大器的动态范围(1)Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。(2)范围*当(UcEQUcES)(VccUcEQ)时,受截止失真限制,UoPP=2UomaX=2icQRL。*当(UcEQUcES)(VccUcEQ)时,受饱和失真限制,UoPP=2UomaX=2(UcEQUcES)。*当(UcEQUcES)(VccUcEQ),放大器将有最大的不失真输出电压。六.放大电路的等效电路法1.静态分析(1)静态工作点的近似估算(2)Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区,应满足RBR
7、c。2.放大电路的动态分析*放大倍数*输入电阻*输出电阻七.分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1静态分析篇二:模拟电子技术总结复习资料半导体二极管及其应用电路一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。*n型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多
8、子是电子,少子是空穴)。6.杂质半导体的特性*载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。*体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。7.Pn结*Pn结的单向导电性-正偏导通,反偏截止。*Pn结的导通电压-硅材料约为0.60.8V,锗材料约为0.20.3V。8.Pn结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性-正向导通,反向截止。*二极管伏安特性-同结。*正向导通压降-硅管0.60.7V,锗管0.20.3V。*死区电压-硅管0.5V,锗管0.1V。3.分析方法-将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作
9、点Q。2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段-将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳?微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-正常工作时处在Pn结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1.类型-分为nPn和PnP两种。2.特点-基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态2.三极管内各极电流的分配*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流
10、。3.共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。*输出特性曲线(饱和管压降,用UcES表示放大区-发射结正偏,集电结反偏。截止区-发射结反偏,集电结反偏。饱和区-发射结和集电结均正偏。4.温度影响温度升高,输入特性曲线向左移动。温度升高icBo、icEo、ic以及均增加。三.低频小信号等效模型(简化)rbe-输出端交流短路时的输入电阻,-输出端交流短路时的正向电流传输比,常用表示;四.基本放大电路组成及其原则1.VT、Vcc、Rb、Rc、c1、c2的作用。2.组成原则-能放大、不失真、能传输。五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析*概念-直流电流通的回路。*画法-电容视为开路。*作用
11、-确定静态工作点*直流负载线-由Vcc=icRc+UcE确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1)改变Rb:Q点将沿直流负载线上下移动。2)改变Rc:Q点在iBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3)改变Vcc:直流负载线平移,Q点发生移动。2.交流通路与动态分析*概念-交流电流流通的回路*画法-电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用-分析信号被放大的过程。*交流负载线-连接Q点和Vcc?点Vcc?=UcEQ+icQRL?的直线。3.静态工作点与非线性失真(1)截止失真*产生原因-Q点设置过低*失真现象-nPn管削顶,PnP管削底。*消除方法-减小Rb,提高Q。(2)饱和失真*产生原因-Q
12、点设置过高*失真现象-nPn管削底,PnP管削顶。*消除方法-增大Rb、减小Rc、增大Vcc。4.放大器的动态范围(1)Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。(2)范围*当(UcEQUcES)(VccUcEQ)时,受截止失真限制,UoPP=2UomaX=2icQRL。*当(UcEQUcES)(VccUcEQ)时,受饱和失真限制,UoPP=2UomaX=2(UcEQUcES)。*当(UcEQUcES)(VccUcEQ),放大器将有最大的不失真输出电压。六.放大电路的等效电路法1.静态分析(1)静态工作点的近似估算(2)Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区,应满足RBRc。2.放大电路
13、的动态分析*放大倍数*输入电阻*输出电阻篇三:模电总结复习-模拟电子技术基础模电复习资料第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。*n型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。6.杂质半导体的特性*载流子的浓度
14、-多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。*体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.Pn结*Pn结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V,锗材料约为0.20.3V。*Pn结的单向导电性-正偏导通,反偏截止。8.Pn结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性-正向导通,反向截止。*二极管伏安特性-同结。*正向导通压降-硅管0.60.7V,锗管0.20.3V。*死区电压-硅管0.5V,锗管0.1V。3.分析方法-将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳该式与伏安特性曲线的
15、交点叫静态工作点Q。2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段-将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳?微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-正常工作时处在Pn结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1.类型-分为nPn和PnP两种。2.特点-基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态2.三极管内各极电流的分配*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制
16、器件式子3.共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。称为穿透电流。*输出特性曲线(饱和管压降,用UcES表示放大区-发射结正偏,集电结反偏。截止区-发射结反偏,集电结反偏。4.温度影响温度升高,输入特性曲线向左移动。温度升高icBo、icEo、ic以及均增加。三.低频小信号等效模型(简化)hie-输出端交流短路时的输入电阻,常用rbe表示;hfe-(:模拟电子技术知识点总结)输出端交流短路时的正向电流传输比,常用表示;四.基本放大电路组成及其原则1.VT、Vcc、Rb、Rc、c1、c2的作用。2.组成原则-能放大、不失真、能传输。五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析*概念-直流电
17、流通的回路。*画法-电容视为开路。*作用-确定静态工作点*直流负载线-由Vcc=icRc+UcE确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1)改变Rb:Q点将沿直流负载线上下移动。2)改变Rc:Q点在iBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3)改变Vcc:直流负载线平移,Q点发生移动。2.交流通路与动态分析*概念-交流电流流通的回路*画法-电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用-分析信号被放大的过程。*交流负载线-连接Q点和Vcc点Vcc=UcEQ+icQRL的直线。3.静态工作点与非线性失真(1)截止失真*产生原因-Q点设置过低*失真现象-nPn管削顶,PnP管削底。*消除方法-减小Rb,提
18、高Q。(2)饱和失真*产生原因-Q点设置过高*失真现象-nPn管削底,PnP管削顶。*消除方法-增大Rb、减小Rc、增大Vcc。4.放大器的动态范围(1)Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。(2)范围*当(UcEQUcES)(VccUcEQ)时,受截止失真限制,UoPP=2UomaX=2icQRL。*当(UcEQUcES)(VccUcEQ)时,受饱和失真限制,UoPP=2UomaX=2(UcEQUcES)。*当(UcEQUcES)(VccUcEQ),放大器将有最大的不失真输出电压。六.放大电路的等效电路法1.静态分析(1)静态工作点的近似估算(2)Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区,应满足RBRc。2.放大电路的动态分析*放大倍数*输入电阻*输出电阻七.分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1静态分析
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