模拟电子技术知识点总结.docx

1、模拟电子技术知识点总结模拟电子技术知识点总结篇一：模拟电子技术基础知识汇总模拟电子技术第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。*n型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性*载流子的浓度-

2、多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.Pn结*Pn结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。*Pn结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。8.Pn结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性-正向导通，反向截止。*二极管伏安特性-同结。*正向导通压降-硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。*死区电压-硅管0.5V，锗管0.1V。3.分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳）图解分析法该式与伏安

3、特性曲线的交点叫静态工作点Q。2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳?微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-正常工作时处在Pn结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1.类型-分为nPn和PnP两种。2.特点-基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态2.三极管内各极电流的分配*共发射极电流放大系数(表明三极管

4、是电流控制器件式子3.共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。称为穿透电流。*输出特性曲线(饱和管压降，用UcES表示放大区-发射结正偏，集电结反偏。截止区-发射结反偏，集电结反偏。4.温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高icBo、icEo、ic以及均增加。三.低频小信号等效模型（简化）hie-输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe表示；hfe-输出端交流短路时的正向电流传输比，常用表示；四.基本放大电路组成及其原则1.VT、Vcc、Rb、Rc、c1、c2的作用。2.组成原则-能放大、不失真、能传输。五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析*概念-直流电流通的回路。*画法

5、-电容视为开路。*作用-确定静态工作点*直流负载线-由Vcc=icRc+UcE确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1）改变Rb：Q点将沿直流负载线上下移动。2）改变Rc：Q点在iBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3）改变Vcc：直流负载线平移，Q点发生移动。2.交流通路与动态分析*概念-交流电流流通的回路*画法-电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用-分析信号被放大的过程。*交流负载线-连接Q点和Vcc点Vcc=UcEQ+icQRL的直线。3.静态工作点与非线性失真（1）截止失真*产生原因-Q点设置过低*失真现象-nPn管削顶，PnP管削底。*消除方法-减小Rb，提高Q。（2）饱和失

6、真*产生原因-Q点设置过高*失真现象-nPn管削底，PnP管削顶。*消除方法-增大Rb、减小Rc、增大Vcc。4.放大器的动态范围（1）Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。（2）范围*当（UcEQUcES）（VccUcEQ）时，受截止失真限制，UoPP=2UomaX=2icQRL。*当（UcEQUcES）（VccUcEQ）时，受饱和失真限制，UoPP=2UomaX=2（UcEQUcES）。*当（UcEQUcES）（VccUcEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。六.放大电路的等效电路法1.静态分析（1）静态工作点的近似估算（2）Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区，应满足RBR

7、c。2.放大电路的动态分析*放大倍数*输入电阻*输出电阻七.分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1静态分析篇二：模拟电子技术总结复习资料半导体二极管及其应用电路一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。*n型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多

8、子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性*载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。7.Pn结*Pn结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。*Pn结的导通电压-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。8.Pn结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性-正向导通，反向截止。*二极管伏安特性-同结。*正向导通压降-硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。*死区电压-硅管0.5V，锗管0.1V。3.分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作

9、点Q。2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳?微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-正常工作时处在Pn结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1.类型-分为nPn和PnP两种。2.特点-基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态2.三极管内各极电流的分配*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流

10、。3.共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。*输出特性曲线(饱和管压降，用UcES表示放大区-发射结正偏，集电结反偏。截止区-发射结反偏，集电结反偏。饱和区-发射结和集电结均正偏。4.温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高icBo、icEo、ic以及均增加。三.低频小信号等效模型（简化）rbe-输出端交流短路时的输入电阻，-输出端交流短路时的正向电流传输比，常用表示；四.基本放大电路组成及其原则1.VT、Vcc、Rb、Rc、c1、c2的作用。2.组成原则-能放大、不失真、能传输。五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析*概念-直流电流通的回路。*画法-电容视为开路。*作用

11、-确定静态工作点*直流负载线-由Vcc=icRc+UcE确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1）改变Rb：Q点将沿直流负载线上下移动。2）改变Rc：Q点在iBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3）改变Vcc：直流负载线平移，Q点发生移动。2.交流通路与动态分析*概念-交流电流流通的回路*画法-电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用-分析信号被放大的过程。*交流负载线-连接Q点和Vcc?点Vcc?=UcEQ+icQRL?的直线。3.静态工作点与非线性失真（1）截止失真*产生原因-Q点设置过低*失真现象-nPn管削顶，PnP管削底。*消除方法-减小Rb，提高Q。（2）饱和失真*产生原因-Q

12、点设置过高*失真现象-nPn管削底，PnP管削顶。*消除方法-增大Rb、减小Rc、增大Vcc。4.放大器的动态范围（1）Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。（2）范围*当（UcEQUcES）（VccUcEQ）时，受截止失真限制，UoPP=2UomaX=2icQRL。*当（UcEQUcES）（VccUcEQ）时，受饱和失真限制，UoPP=2UomaX=2（UcEQUcES）。*当（UcEQUcES）（VccUcEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。六.放大电路的等效电路法1.静态分析（1）静态工作点的近似估算（2）Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区，应满足RBRc。2.放大电路

13、的动态分析*放大倍数*输入电阻*输出电阻篇三：模电总结复习-模拟电子技术基础模电复习资料第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。*n型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性*载流子的浓度

14、-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.Pn结*Pn结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。*Pn结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。8.Pn结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性-正向导通，反向截止。*二极管伏安特性-同结。*正向导通压降-硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。*死区电压-硅管0.5V，锗管0.1V。3.分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳该式与伏安特性曲线的

15、交点叫静态工作点Q。2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段-将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳?微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-正常工作时处在Pn结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1.类型-分为nPn和PnP两种。2.特点-基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态2.三极管内各极电流的分配*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制

16、器件式子3.共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。称为穿透电流。*输出特性曲线(饱和管压降，用UcES表示放大区-发射结正偏，集电结反偏。截止区-发射结反偏，集电结反偏。4.温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高icBo、icEo、ic以及均增加。三.低频小信号等效模型（简化）hie-输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe表示；hfe-(:模拟电子技术知识点总结)输出端交流短路时的正向电流传输比，常用表示；四.基本放大电路组成及其原则1.VT、Vcc、Rb、Rc、c1、c2的作用。2.组成原则-能放大、不失真、能传输。五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析*概念-直流电

17、流通的回路。*画法-电容视为开路。*作用-确定静态工作点*直流负载线-由Vcc=icRc+UcE确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响1）改变Rb：Q点将沿直流负载线上下移动。2）改变Rc：Q点在iBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3）改变Vcc：直流负载线平移，Q点发生移动。2.交流通路与动态分析*概念-交流电流流通的回路*画法-电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用-分析信号被放大的过程。*交流负载线-连接Q点和Vcc点Vcc=UcEQ+icQRL的直线。3.静态工作点与非线性失真（1）截止失真*产生原因-Q点设置过低*失真现象-nPn管削顶，PnP管削底。*消除方法-减小Rb，提

18、高Q。（2）饱和失真*产生原因-Q点设置过高*失真现象-nPn管削底，PnP管削顶。*消除方法-增大Rb、减小Rc、增大Vcc。4.放大器的动态范围（1）Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。（2）范围*当（UcEQUcES）（VccUcEQ）时，受截止失真限制，UoPP=2UomaX=2icQRL。*当（UcEQUcES）（VccUcEQ）时，受饱和失真限制，UoPP=2UomaX=2（UcEQUcES）。*当（UcEQUcES）（VccUcEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。六.放大电路的等效电路法1.静态分析（1）静态工作点的近似估算（2）Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区，应满足RBRc。2.放大电路的动态分析*放大倍数*输入电阻*输出电阻七.分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1静态分析