低频电子线路复习题一.docx
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低频电子线路复习题一
低频电子线路复习题一
1.1在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是[B]
A.NPN型硅管
B.PNP型硅管
C.NPN型锗管图1.12V6V
D.PNP型锗管1.3V
1.2某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[B]
A.
饱和
B.放大
C.
截止图1.2
D.已损坏
1.3在如图1.3所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[A]
A.I=2mAB.I<2mA
C.I>2mAD.不能确定
图1.3
1.4在如图1-7所示电路中电源V=5V不变。
当温度为20OC时测得二极管的电压UD=0.7V。
当温度上生到为40OC时,则UD的大小将是[C]
A.仍等于0.7VB.大于0.7V
C.小于0.7VD.不能确定
图1.4
1.5在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[C]
A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷
1.6对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是[A]
A.ICBOB.ICESC.ICERD.ICEO
1.7二极管的主要特性是[C]
A.放大特性B.恒温特性
C.单向导电特性D.恒流特性
1.8温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[A]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
1.9下列选项中，不属三极管的参数是[B]
A.电流放大系数βB.最大整流电流IF
C.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCM
1.10温度升高时，三极管的β值将[A]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
1.11在N型半导体中，多数载流子是[A]
A.电子B.空穴C.离子D.杂质
1.12下面哪一种情况二极管的单向导电性好[A]
A.正向电阻小反向电阻大B.正向电阻大反向电阻小
C.正向电阻反向电阻都小D.正向电阻反向电阻都大
1.13在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和电流为0.1mA,反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[C]
A.0.1mAB.2.5mA
C.5mAD.15mA
图1.13
1.14在P型半导体中，多数载流子是[B]
A.电子B.空穴C.离子D.杂质
1.15下列对场效应管的描述中，不正确的是[C]
A场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；
B场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；
C场效应管工作时多子、少子均参与导电；
D场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
1.16在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的[A]
A.可变电阻区B.截止区C.饱和区D.击穿区
1.17表征场效应管放大作用的重要参数是[B]
A.电流放大系数βB.跨导gm=ΔID/ΔUGS
C.开启电压UTD.直流输入电阻RGS
1.18下列选项中，不属场效应管直流参数的是[A]
A.饱和漏极电流IDSSB.低频跨导gm
C.开启电压UTD.夹断电压UP
1.19双极型晶体三极管工作时参与导电的是[C]
A多子B少子C多子和少子D多子或少子
1.20双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[B]
A发射结正偏，集电结正偏B发射结正偏，集电结反偏
C发射结反偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏
1.21选择括号中的答案填空（只填答案a、b、c、……）。
1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于c，而少数载流子的浓度则与a有很大关系，（a.温度，b.掺杂工艺，c.杂质浓度，d.晶体缺陷）
2、当PN结外加正向电压时，扩散电流a漂移电流，耗尽层d。
当PN结外加反向电压时，扩散电流b漂移电流，耗尽层e。
（a.大于，b.小于，c.等于，d.变窄，e.变宽f.不变）
3、温度升高时，晶体管的电流放大系数βa，反向饱和电流ICBOa，正向结电压UBEa。
（a.变大，d.变小，c.不变）
4、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将a，输出特性曲线将a，而且输出特性曲线之间的间隔将g。
（a.上移，b.下移，c.左移，d.右移，e.增大，f.减小，g.不变）
1.22用大于号（>）、小于号（<）或等号（=）填空：
1、在本征半导体中，电子浓度=空穴浓度；
2、在P型半导体中，电子浓度<空穴浓度；
3、在N型半导体中，电子浓度>空穴浓度。
1.23判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。
1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
（×）
2、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。
（×）
3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（×）
4、PN结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
（×）
5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（√）
6、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。
（×）
7、PN结方程可以描述PN结在的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
（×）
8、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（×）
9、通常的JFET管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。
（√）
10、有人测得某晶体管的UBE=0.7V，IB=20μA，因此推算出rbe=UBE/IB=0.7V/20μA=35kΩ。
（×）
11、有人测得晶体管在UBE=0.6V，IB=5μA，因此认为在此工作点上的rbe大约为26mV/IB=5.2kΩ。
（×）
12、有人测得当UBE=0.6V，IB=10μA。
考虑到当UBE=0V时IB=0因此推算得到
（×）
1.24选择正确的答案填空：
1、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN型还是PNP型）与三个电极时以测出b最为方便。
a.中极间电阻b.各极对地电位c.各极电流
2、一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。
若UD增大到0.66V（即增加10%），则电流IDa。
a.约为11mA（也增加10%）；b.约为20mA（增大1倍）；
c.约为100mA（增大到原先的10倍）；d.仍为10mA（基本不变）。
3、设电路中保持V=5V不变，当温度为20℃时测得二极管的电压UD=0.7V。
当温度上升到40℃时，则UD的大小将是。
a.I=2mAb.I<2mAc.I>2mA
1.25填空：
1、半导体中载流子的基本运动形式有：
漂移和扩散。
2、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的
外加正向电压和反映反向的特性的外加反向电压。
3、在常温下，硅二极管的开启电压约V，导通后在较大电流下的正向压降约0.7V；锗二极管的开启电压约V，导通后在较大电流下的正向压降约
0.3V。
4、场效应管从结构上分成金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）和（结型场效应管）JFET两大类型。
它们的导电过程仅仅取决于一种（电子或空穴导电）载流子。
5、场效应管属于电压控制型器件。
6、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参于导电。
7、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
场效应管从结构上分成和
两大类型，它们的导电过程仅仅取决于载流子的流动。
8、场效应管属于控制型器件，而晶体管若用简化的h参数等效电路来分析则可以认为是控制型器件。
9、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。
2.1在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[C]
A.共射放大电路B.共基放大电路
C.共集放大电路D.不能确定
2.2在基本共射放大电路中，负载电阻RL减小时，输出电阻RO将[C]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
2.3在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[B]
A.共射放大电路B.共基放大电路
C.共集放大电路D.不能确定
2.4在电路中我们可以利用[B]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A共射电路B共基电路C共集电路D共射-共基电路
2.5在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[C]
A.共射放大电路B.共基放大电路
C.共集放大电路D.不能确定
2.6在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[A]
A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真
2.7以下电路中，可用作电压跟随器的是[]
A．差分放大电路B．共基电路
C．共射电路D．共集电路
2.8晶体三极管的关系式iE=f（uEB）|uCB代表三极管的
A.共射极输入特性B.共射极输出特性
C.共基极输入特性D.共基极输出特性
2.9对于图2.9所示的复合管，穿透电流为（设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流）
A.ICEO=ICEO2ICEO
B.ICEO=ICEO1+ICEO2
C.ICEO=（1+2）ICEO1+ICEO2
D.ICEO=ICEO1图2.9[]
2.10在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[]
B.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真
2.11对于基本共射放大电路，Rb减小时，输入电阻Ri将[]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
2.12在基本共射放大电路中，信号源内阻RS减小时，输入电阻Ri将[]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
2.13在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是[]
A.共射放大电路B.共基放大电路
C.共集放大电路D.不能确定
2.14在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是[]
A.共射放大电路B.共基放大电路
C.共集放大电路D.不能确定
2.15某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。
2.16双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结、集电结。
2.17对于基本共射放大电路，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况（a.增大，b.减小，c.不变），选择正确的答案填入空格。
1、Rb减小时，输入电阻Ri。
2、Rb增大时，输出电阻Ro。
3、信号源内阻Rs增大时，输入电阻Ri。
4、信号源内阻Rs减小时，电压放大倍数
。
5、负载电阻RL增大时，电压放大倍数
。
6、负载电阻RL减小时，输出电阻Ro。
2.18选择正确的答案填空。
1、复合管的额定功耗是。
（a.各晶体管额定功耗之和；b.前面管子的额定功耗；c.后面管子的额定功耗；d.各晶体管额定功耗的平均值）
2、复合管的反向击穿电压等于。
（a.各晶体管反向击穿电压之和；b.前面管子的反向击穿电压；c.后面管子的反向击穿电压；d.各晶体管反向击穿电压值中的较小者）
3、复合管的集电极最大允许电流等于。
（a.各晶体管集电极最大允许电流之和；b.前面管子的集电极最大允许电流；c.后面管子的集电极最大允许电流；d.各晶体管集电极最大允许电流值中的较小者）
4、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下测得A的输出电压小。
这说明A的。
a.输入电阻大b.输入电阻小
c.输出电阻大d.输出电阻小
2.19在实验桌上放有下列仪器：
A、WQ-2-A型直流稳压电源：
输出电压在0~30V范围内可调；
B、FG-163型函数发生器：
可产生正弦波、三角波、方波等信号，频率范围为0.0001Hz~20MHz，输出电阻约为50Ω；
C、DA-16型晶体管毫伏表：
频率范围为20Hz~1MHz，输入电阻在频率为1kHz时大于1MQ，输入电容为50~70pF；
D、DT-830型数字万用表：
交、直流挡的输入电阻均为10MΩ
，交流电压挡的频率范围45~500Hz，输入电容为100pF；
E、CS-1830型示波器：
频率范围为0~30MHz，输入电阻为1MΩ
，输入电容为23pF。
问测量放大电路的下列性能指标需用哪些仪器设备？
（只需写出上述仪器设备的标号，如A、B等）
1、静态工作点：
2、电压放大倍数：
3、输入电阻：
4、输出电阻：
5、上限截止频率（预计约1MHz）：
2.20为了测量交流放大电路的电压放大倍数，需要在放大电路的输入端加进10mV的正弦信号。
问下列几种获取信号的方法是否正确？
为什么？
1、调整信号发生器的电压幅度，利用信号发生器上的表头指示和衰减倍数产生10mV的正弦电压，然后将它加到放大电路的输入端。
2、调整信号发生器的电压幅度，利用晶体管毫伏表测量其输出端电压，从而得到10mV信号。
然后将它接到放大电路的输入端。
3、先将尚无输出电压的信号发生器连接到放大电路的输入端，然后由小到大地调节信号源的电压幅度，用晶体管毫伏表测量其大小，使之达到10mV。
2.21某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系，在线性放大条件下对同一个电路测了四级数据。
试找出其中错误的一组。
a.Ic=0.5mA，Ui=10mV，Uo=0.37V
b.Ic=1.0mA，Ui=10mV，Uo=0.62V
c.Ic=1.5mA，Ui=10mV，Uo=0.96V
d.Ic=2mA，Ui=10mV，Uo=0.45V
2.22判断下列说法是否正确，对的画√，错的画×。
1、晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。
（）
2、在基本共射放大电路中，若晶体管的β增大一倍，则电压放大倍数也相应地增大一倍。
（）
3、共集放大电路的电压放大倍数总是小于1，故不能用来实现功率放大。
（）
4、只有当两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管）时才能组成复合管。
（）
5、复合管的类型（NPN或PNP）与组成它的最前面的管子类型相同。
（）
6、只要把两个晶体管的复合管，一定可以提高管子的输入电阻。
（）
7、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。
（）
8、复合管的空透电流等于组成它的各晶体管的空透电流之和。
（）
9、两个同类晶体管（例如都是NPN管）复合，由于两管的UBE叠加，受温度的影响增大，所以它产生的漂移电压比单管大。
（）
10、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以两个场效应管不能组成复合管。
（）
11、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以场效应管与双极型晶体管也不能级成复合管。
（）
4．1输入失调电压UIO是[]
A.两个输入端电压之差B.两个输入端电压之和
C．输入端都为零时的输出电压D.输出端为零时输入端的等效补偿电压。
4．2为了减小温漂，通用型集成运放的输入级多采用[]
A.共射电路B.共集电路C.差动放大电路D.OCL电路
4．3集成运算放大器在电路结构上放大级之间通常采用[]
A．阻容耦合B.变压器耦合C.直接耦合D.光电耦合
4．4集成运算放大器输入级通常采用[]
A．共射放大电路B.OCL互补对称电路
C.差分放大电路D.偏置电路
4．5理想运放的开环差模增益AOd为[]
A.0B.1C.105D.∞
4．6集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大电路，因此低频性能，最常见的问题是。
4．7理想运放工作在线性区存在虚短和虚断的概念，虚短指，虚断是指。
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