半导体激光器.docx

半导体激光器.docx

《半导体激光器.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体激光器.docx（8页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。

半导体激光器

半导体激光器

半导体激光器

半导体激光器

半导体激光器是用半导体材料作为工作物质的一类激光器，由于物质结构上的差异，产生激光的具体过程比较特别。

常用材料有砷化镓（Gs）、硫化镉（CdS）、磷化铟（InP）、硫化锌（ZnS）等。

激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。

半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。

同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。

半导体激光器的分类

（1）异质结构激光器

（2）条形结构激光器（3）IGs/Gs激光器（4）InGsP/InP激光器（5）可见光激光器（6）远红外激光器（7）动态单模激光器（8）分布反馈激光器（9）量子阱激光器（10）表面发射激光器（11）微腔激光器

半导体激光器

半导体激光（Semiconductorlser）在1962年被成功激发，在1970年实现室温下连续输出。

后来经过改良，开发出双异质接合型激光及条纹型构造的激光二极管（Lserdiode）等，广泛使用于光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激光指示器（激光笔），是目前生产量最大的激光器。

激光二极体的优点是效率高、体积小、重量轻且价格低。

尤其是多重量子井型的效率有20~40%，P-N型也达到数%~25%，总而言之能量效率高是其最大特色。

另外，它的连续输出波长涵盖了红外线到可见光范围，而光脉冲输出达50W（带宽100ns）等级的产品也已商业化，作为激光雷达或激发光源可说是非常容易使用的激光的例子。

仪器简介

Q-Line纤绿半导体激光器

半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件.其工作原理是，通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用.半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注入式，光泵式和高能电子束激励式.电注入式半导体激光器，一般是由GS（砷化镓）,InS（砷化铟），Insb（锑化铟）等材料制成的半导风光结型二极管，沿正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射.光泵式半导体激光器，一般用N型或P型半导体单晶（如GS,Ins,InSb等）做工作物质，以其他激光器发出的激光作光泵激励.高能电子束激励式半导体激光器，一般也是用N型或者P型半导体单晶（如PbS,CdS,ZhO等）做工作物质，通过由外部注入高能电子束进行激励.在半导体激光器件中，目前性能较好，应用较广的是具有双异质结构的电注入式Gs二极管激光器.

工作原理及特点

半导体激光器工作原理是激励方式，利用半导体物质（即利用电子）在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡、反馈、产生光的辐射放大，输出激光。

半导体激光器优点是体积小，重量轻，运转可靠，耗电少，效率高等。

封装技术

技术介绍

半导体激光器封装技术大都是在分立器件封装技术基础上进展与演变而来的，但却有很大的特别性。

一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。

而半导体激光器封装则是完成输出电信号，保护管芯正常工作，输出：

可见光的功能，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于半导体激光器。

发光部分

半导体激光器的核心发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯，当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。

但pn结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射有相同的几率，因此，并不是管芯产生的所有光都可以释放出来，这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高半导体激光器的内、外部量子效率。

常规Φ5mm型半导体激光器封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点与金丝，键合

为内引线与一条管脚相连，负极通过反射杯和引线架的另一管脚相连，然后其顶部用环氧树脂包封。

反射杯的作用是收集管芯侧面、界面发出的光，向期望的方向角内发射。

顶部包封的环氧树脂做成一定形状，有这样几种作用：

保护管芯等不受外界侵蚀；采纳不同的形状和材料性质（掺或不掺散色剂），起透镜或漫射透镜功能，操纵光的发散角；管芯折射率与空气折射率相关太大，致使管芯内部的全反射临界角很小，其有源层产生的光只有小部分被取出，大部分易在管芯内部经多次反射而被汲取，易发生全反射导致过多光损失，选用相应折射率的环氧树脂作过渡，提高管芯的光出射效率。

用作构成管壳的环氧树脂须具有耐湿性，绝缘性，机械强度，对管芯发出光的折射率和透射率高。

选择不同折射率的封装材料，封装几何形状对光子逸出效率的影响是不同的，发光强度的角分布也与管芯结构、光输出方式、封装透镜所用材质和形状有关。

若采纳尖形树脂透镜，可使光集中到半导体激光器的轴线方向，相应的视角较小；如果顶部的树脂透镜为圆形或平面型，其相应视角将增大。

驱动电流

一般情况下，半导体激光器的发光波长随温度变化为0．2-0．3nm/℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。

另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，半导体激光器的发光强度会相应地减少1%左右，封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要，以往多采纳减少其驱动电流的办法，降低结温，多数半导体激光器的驱动电流限制在20m左右。

但是，半导体激光器的光输出会随电流的增大而增加，目前，很多功率型半导体激光器的驱动电流可以达到70m、100m甚至1级，需要改进封装结构，全新的半导体激光器封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。

例如，采纳大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。

此外，在应用设计中，PCB线路板等的热设计、导热性能也十分重要。

进入21世纪后，半导体激光器的高效化、超高亮度化、全色化不断进展创新，红、橙半导体激光器光效已达到100Im/W，绿半导体激光器为501m/W，单只半导体激光器的光通量也达到数十Im。

半导体激光器芯片和封装不再沿龚传统的设计理念与制造生产模式，在增加芯片的光输出方面，研发不仅仅限于改变材料内杂质数量，晶格缺陷和位错来提高内部效率，同时，如何改善管芯及封装内部结构，增强半导体激光器内部产生光子出射的几率，提高光效，解决散热，取光和热沉优化设计，改进光学性能，加速表面贴装化SMD进程更是产业界研发的主流方向。

决定波长的因素

半导体光电器件的工作波长是和制作器件所用的半导体材料的种类相关的。

半导体材料中存在着导带和价带，导带上面可以让电子自由运动，而价带下面可以让空穴自由运动，导带和价带之间隔着一条禁带，当电子汲取了光的能量从价带跳跃到导带中去时，就把光的能量变成了电，而带有电能的电子从导带跳回价带，又可以把电的能量变成光，这时材料禁带的宽度就决定了光电器件的工作波长。

材料科学的进展使我们能采纳能带工程对半导体材料的能带进行各种精巧的裁剪，使之能满足我们的各种需要并为我们做更多的事情，也能使半导体光电器件的工作波长突破材料禁带宽度的限制扩展到更宽的范围。

以上资料由草丛飞提供。

腔长与损耗的关系

激光器的腔体可以有谐振腔和外腔之分。

在谐振腔里，激光器的损耗有很多种类，比如

偏折损耗，法布里珀罗谐振腔就有较大偏折损耗，而共焦腔的偏折损耗较小，适合于小功率连续输出激光，还比如反转粒子的无辐射跃迁损耗（这类损耗可以归为白噪声）等等之类的，都是腔长长损耗大。

激光器阈值电流不过就是能让激光器起振的电流，谐振腔长短的不同可以使得阈值电流有所不同，半导体激光器中，像边发射激光器腔长较长，阈值电流相对较大，而垂直腔面发射激光器腔长极短，阈值电流就非常低了。

这些都不是一两句话可以说的清楚的，它们各自的速率方程也都不同，不是一两个式子能解释的。

另外谐振腔长度不同也可以达到选模的作用，即输出激光的频率不同。

进展概况

简介

半导体激光器又称激光二极管（LD）。

进入八十年代，人们汲取了半导体物理进展的最新成果，采纳了量子阱（QW）和应变量子阱（SL-QW）等新颖性结构，引进了折射率调制Brgg发射器以及增强调制Brgg发射器最新技术，同时还进展了MBE、MOCVD及CBE等晶体生长技术新工艺，使得新的外延生长工艺能够精确地操纵晶体生长，达到原子层厚度的精度，生长出优质量子阱以及应变量子阱材料。

于是，制作出的LD，其阈值电流显著下降，转换效率大幅度提高，输出功率成倍增长，使用寿命也明显加长。

小功率LD

用于信息技术领域的小功率LD进展极快。

例如用于光纤通信及光交换系统的分布反馈（DFB）和动态单模LD、窄线宽可调谐DFB-LD、用于光盘等信息处理技术领域的可见光波长（如波长为670nm、650nm、630nm的红光到蓝绿光）LD、量子阱面发射激光器以及超短脉冲LD等都得到实质性进展。

这些器件的进展特征是：

单频窄线宽、高速率、可调谐以及短波长化和光电单片集成化等。

B高功率LD

1983年，波长800nm的单个LD输出功率已超过100mW，到了1989年，0.1mm条宽的LD则达到3.7W的连续输出，而1cm线阵LD已达到76W输出，转换效率达39%。

1992年，美国人又把指标提高到一个新水平：

1cm线阵LD连续波输出功率达121W，转换效率为45%。

现在，输出功率为120W、1500W、3kW等诸多高功率LD均已面世。

高效率、高功率LD及其列阵的迅速进展也为全固化激光器，亦即半导体激光泵浦（LDP）的固体激光器的迅猛进展提供了强有力的条件。

近年来，为适应EDF和EDFL等需要，波长980nm的大功率LD也有很大进展。

最近配合光纤Brgg光栅作选频滤波，大幅度改善其输出稳定性，泵浦效率也得到有效提高。

特点及应用范围

半导体二极管激光器是有用中最重要的一类激光器。

它体积小、寿命长，并可采纳简单的注入电流的方式来泵浦其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成。

并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。

由于这些优点，半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面以及获得了广泛的应用。

进展过程

综述

半导体物理学的迅速进展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器，60年代早期，很多小组竞相进行这方面的研究。

在理论分析方面，以莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉·XX索夫的工作最为杰出。

早期研究

在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）报告了砷化镓材料的光发射现象，这引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hll）的极大兴趣，在会后回家的火车上他写下了有关数据。

回到家后，哈尔马上制定了研制半导体激光器的计划，并与其他研究人员一道，经数周奋斗，他们的计划获得成功。

像晶体二极管一样，半导体激光器也以材料的p-n结特性为基础，且外观亦与前者类似，因此，半导体激光器常被称为二极管激光器或激光二极管。

制造器件

早期的激光二极管有很多实际限制，例如，只能在77K低温下以微秒脉冲工作，过了8年多时间，才由贝尔实验室和列XX格勒（现在的圣彼得堡）约飞（Ioffe）物理研究所制造出能在室温下工作的连续器件。

而足够可靠的半导体激光器则直到70年代中期才出现。

半导体激光器体积非常小，最小的只有米粒那样大。

工作波长依赖于激光材料，一般为0.6～1.55微米，由于多种应用的需要，更短波长的器件在进展中。

据报导，以Ⅱ～Ⅳ价元素的化合物，如ZnSe为工作物质的激光器，低温下已得到0.46微米的输出，