专升本《电力电子学》考试答案.docx
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专升本《电力电子学》考试答案
[试题分类]:
专升本《电力电子学》_08024250
[题型]:
单选
[分数]:
2
1.采用（），既可以减小开关损耗，又可以提高装置的效率
A.谐振零开关技术
B.强宽脉冲驱动
C.双窄脉冲驱动
D.缓冲器
答案:
A
2.高频PWM整流能减少输入电流谐波，显著提高交流侧（）
A.功率因数
B.畸变因数
C.基波因数
D.位移因数
答案:
A
3.在电力电子变换器的控制中，经常采用（）技术
A.脉冲相移键控PSK
B.脉冲宽度调制PWM
C.脉冲频率调制PFM
D.脉冲幅值调制PAM
答案:
B
4.在高频开关变换器中，半导体开关器件的主要损耗是（）
A.静态损耗
B.开通损耗
C.关断损耗
D.开关损耗
E.断态损耗
F.通态损耗
答案:
D
5.半控器件有（）
A.电力场效应晶体管P-MOSFET
B.电力三极管BJT
C.绝缘门极双极型晶体管IGBT
D.电力二极管D
E.晶闸管SCR
F.门极可关断晶闸管GTO
答案:
E
6.电压源型桥式变换器的桥臂上、下管驱动信号之间必须设置死区时间的原因是（）
A.提高直流电压利用率
B.避免桥臂直通故障（ShootThrough）
C.可以低压穿越（LowVoltageRideThrough）
D.开关器件存在反向恢复时间
答案:
B
7.电力电子装置中的散热器主要解决（）的散热问题
A.电抗器、变压器
B.电容器
C.电阻器
D.开关管
答案:
D
8.三相全控桥式整流电路，直流侧为纯电阻负载，控制角α的有效移相范围是（）
A.0°～120°
B.0°～90°
C.0°～180°
D.0°～150°
答案:
A
9.晶闸管投切电容器TSC可以实现（）无功的（）补偿，不会产生电流谐波
A.滞后；断续
B.滞后；连续
C.超前；连续
D.超前；断续
答案:
A
10.晶闸管控制电抗器TCR可以实现（）无功的（）补偿，同时产生电流谐波
A.容性；断续
B.容性；连续
C.感性；连续
D.感性；断续
答案:
B
11.状态空间平均法是指在一个开关周期中，用变量的平均值替代其（）
A.有效值
B.估计值
C.瞬时值
D.积分值
答案:
C
12.单相交流电压控制器，阻感性负载，负载阻抗角为Φ，仅当α在（）之间连续变化，才能够连续调节输出功率
A.0～Φ
B.不确定，与导电角有关
C.Φ～π
D.0～π
答案:
C
13.理想的零开关，应该是通过（），使开关器件在（）下关断，在（）下开通
A.缓冲电路；零电流；零电压
B.谐振电路；零电压；零电流
C.缓冲电路；零电压；零电流
D.谐振电路；零电流；零电压
答案:
D
14.单相全桥电压源型逆变器的最大输出电压基波有效值为（）
A.0.9VD
B.0.45VD
C.1.27VD
D.VD
答案:
A
15.不控整流器采用APFC技术后，交流输入侧的功率因数可提高到接近于（）
A.0.866
B.0.707
C.1
D.0.5
答案:
C
16.BOOST型DC/DC变换器不可以（）工作
A.满载
B.过载
C.半载
D.空载
答案:
D
17.额定电流为200A的电力二极管，允许长时间通过电流的有效值为（）
A.200A
B.314A
C.282A
D.300A
答案:
B
18.开关电源的效率（）串联调压的线性稳压器
A.等于
B.不低于
C.不确定，与占空比有关
D.不高于
答案:
B
19.单相交流电压控制器，输出电压的有效值（）输入电压有效值
A.不大于
B.不确定，与控制角和负载阻抗角有关
C.不小于
D.等于
答案:
A
20.开关电路组合型电力电子变换电源，组合级数越多，系统效率（）
A.越高
B.不变
C.不确定，与控制性能有关
D.越低
答案:
D
[试题分类]:
专升本《电力电子学》_08024250
[题型]:
单选
[分数]:
2
1.在高频开关变换器中，半导体开关器件的主要损耗是（）
A.断态损耗
B.静态损耗
C.通态损耗
D.开关损耗
答案:
D
2.IGBT、MOSFET是（）控制型元件，BJT、GTO是（）控制型元件。
A.电压；电流
B.电压；电压
C.电流；电流
D.电流；电压
答案:
A
3.TCSC可以视为（）和（）支路的并联组合
A.固定电容器；TCR
B.TSC；TCR
C.固定电容器；固定电抗器
D.TSC；固定电抗器
答案:
A
4.在电力电子变换器的控制中，经常采用（）技术
A.脉冲宽度调制PWM
B.脉冲频率调制PFM
C.脉冲相移键控PSK
D.脉冲幅值调制PAM
答案:
A
5.单相交流电压控制器，阻感性负载，负载阻抗角为Φ，仅当α在（）之间连续变化，才能够连续调节输出功率
A.不确定，与导电角有关
B.0～π
C.0～Φ
D.Φ～π
答案:
D
6.理想的零开关，应该是通过（），使开关器件在（）下关断，在（）下开通
A.缓冲电路；零电压；零电流
B.缓冲电路；零电流；零电压
C.谐振电路；零电压；零电流
D.谐振电路；零电流；零电压
答案:
D
7.冲量等效原理是指惯性系统对波形不同但（）相等的窄脉冲激励的响应等效
A.瞬时值
B.积分值
C.有效值
D.峰峰值
答案:
B
8.对于LC型二阶LPF，幅值频率特性的高频段斜率是（）
A.＋20dB/decade
B.－40dB/decade
C.－20dB/decade
D.＋40dB/decade
答案:
B
9.相控有源逆变电路有可能产生换相失败故障的根本原因是（）
A.电路存在换相电阻
B.电路存在换相压降
C.直流侧存在电源
D.交流侧存在电感
答案:
D
10.三相桥式相控整流电路，直流侧为纯电阻负载，控制角α的有效移相范围是（）
A.0°～180°
B.0°～120°
C.0°～150°
D.0°～90°
答案:
B
11.不控整流器采用APFC技术后，交流输入侧的功率因数可提高到接近于（）
A.0.5
B.0.707
C.0.866
D.1
答案:
D
12.BOOST型DC/DC变换器在开环运行时不可以（）工作
A.满载
B.过载
C.空载
D.半载
答案:
C
13.APFC技术不仅可以减少交流输入（）谐波，还可以显著提高交流输入端的（）
A.电压；功率因数
B.电压；畸变因数
C.电流；畸变因数
D.电流；功率因数
答案:
D
14.单极倍频SPWM的载波频率是10kHz，调制波频率是50Hz，输出电压的基波频率是（）
A.20kHz
B.50Hz
C.10kHz
D.100Hz
答案:
B
15.与过载保护相比，电力电子装置短路保护的阈值（）、响应时间（）
A.低；短
B.低；长
C.高；短
D.高；长
答案:
C
16.半控器件有（）
A.晶闸管SCR
B.电力场效应晶体管P-MOSFET
C.电力二极管D
D.绝缘门极双极型晶体管IGBT
答案:
A
17.散热器主要用来解决电力电子装置中（）的功耗发热问题
A.电抗器、变压器
B.电容器
C.电阻器
D.开关管
答案:
D
18.电压源型桥式变换器的桥臂上、下管驱动信号之间必须设置死区时间的原因是（）
A.避免桥臂直通故障
B.开关器件存在反向恢复时间
C.调控交流侧电压大小
D.提高直流电压利用率
答案:
A
19.三相全桥电压源型逆变器的最大输出线电压基波有效值为（）
A.0.78VD
B.0.866VD
C.VD
D.0.612VD
E.1.1VD
答案:
A
20.（）直流变换器需要设置磁复位电路
A.BOOST
B.单端正激
C.BUCK
D.单端反激
答案:
B
21.采用晶闸管和二极管构成的半控整流电路，（）工作在有源逆变状态
A.某些条件下不可以
B.条件具备时可以
C.无条件可以
D.完全不可以
答案:
D
22.P-MOSFET易于（）使用，因为其导通电阻具有（）温度系数特性
A.串联；正
B.并联；负
C.并联；正
D.串联；负
答案:
C
23.三相桥式相控整流电路，其输出直流电压在一个交流电源周期内的脉波数目为（）
A.12
B.3
C.9
D.6
答案:
D
24.采用（）技术，可以真正减小而不是转移开关损耗，提高系统效率
A.软开关
B.硬开关
C.快开关
D.慢开关
答案:
A
25.晶闸管三相全控整流电路的平均直流输出电压（）交流输入线电压的峰值
A.等于
B.不确定，与具体控制角有关
C.不小于
D.不大于
答案:
D
26.在DCM模式下，BOOST型变换器的输入电流是（）的
A.交流
B.断续
C.连续
D.不变
答案:
B
27.高频PWM整流能减少输入电流谐波，显著提高交流侧（）
A.功率因数
B.畸变因数
C.基波因数
D.位移因数
答案:
A
28.单相交流电压控制器，阻感性负载，负载阻抗角为Φ，当α在（）时，输出最大功率
A.Φ～π
B.0～Φ
C.不确定，与导电角有关
D.0～π
答案:
B
29.根据热欧姆定律，不同介质之间的温差是耗散功率与（）的乘积
A.电阻
B.热阻
C.水阻
D.风阻
答案:
B
30.STATCOM直流侧为电容器，可以实现（）无功的（）补偿
A.容性和感性；连续
B.容性；断续
C.容性和感性；断续
D.容性；连续
答案:
A
31.HVDC采用（），交流侧谐波丰富，功率因数低
A.全控器件
B.轻型器件
C.不控器件
D.半控器件
答案:
D
32.缓冲电路可以改变开关轨迹，减少开关功耗，（）改善安全工作区
A.未必能够
B.未必不能够
C.一定能够
D.一定不能够
答案:
C
33.额定电流为200A的电力二极管，允许长时间通过电流的有效值为（）
A.200A
B.282A
C.314A
D.300A
答案:
C
34.电力半导体器件的过载能力，比相同容量的接触器、断路器等机械式开关要（）
A.强
B.相当
C.弱
D.不确定
答案:
C
35.单相全桥电压源型逆变器的最大输出电压基波有效值为（）
A.VD
B.0.9VD
C.1.27VD
D.0.45VD
答案:
B
36.电流源型逆变器直流侧的主要元器件是（）
A.蓄电池
B.电阻器
C.电抗器
D.电容器
答案:
C
37.既可以减小开关损耗，又可以显著提高装置效率的技术措施是（）
A.缓冲器
B.软开关
C.强宽脉冲驱动
D.双窄脉冲驱动
答案:
B
38.不能衡量逆变器输出波形的性能指标是（）
A.畸变系数
B.总谐波畸变率
C.谐波系数
D.最高次谐波
答案:
D
39.在相控整流和相控交流调压电路中，晶闸管是依靠（）进行换流
A.外加强迫关断电路
B.交流电源电压周期性反向
C.负载反电势
D.负载谐振电路
答案:
B
40.晶闸管投切电容器TSC可以实现（）的无功补偿，不会产生电流谐波
A.滞后、无级
B.超前、无级
C.滞后、分级
D.超前、分级
答案:
C
[试题分类]:
专升本《电力电子学》_08024250
[题型]:
多选
[分数]:
2
1.衡量整流器的基本性能指标有（）
A.输出电压脉动次数
B.输出电压脉动系数
C.输出电压纹波系数
D.输出电压变化区间
E.输入功率因数
F.输入电流总畸变率
答案:
B,C,E,F
2.在DCM模式下，DC/DC变换器的变压比不仅与占空比有关，还与（）有关
A.电容
B.负载电压
C.电感
D.负载电流
E.负载电阻
F.开关频率
答案:
B,C,D,E,F
3.衡量逆变器输出波形性能指标有（）
A.谐波系数
B.总谐波畸变率
C.畸变系数
D.特征谐波
E.最高次谐波
F.最低次谐波
答案:
A,B,C,F
4.提高变换器的开关频率至20kHz以上，可以（）
A.减小磁性元器件尺寸
B.减小控制延时
C.减小音频噪声
D.提高响应速度
E.增加变换器控制难度
F.减小变换器体积重量
答案:
A,B,C,D,F
5.全控型器件有（）
A.门极可关断晶闸管GTO
B.晶闸管SCR
C.绝缘门极双极型晶体管IGBT
D.电力二极管D
E.电力场效应晶体管P-MOSFET
F.电力三极管BJT
答案:
A,C,E,F
[试题分类]:
专升本《电力电子学》_08024250
[题型]:
多选
[分数]:
2
1.在DCM模式下，DC/DC变换器的变压比不仅与占空比有关，还与（）有关
A.开关频率
B.电感
C.电容
D.负载电阻
E.负载电流
F.负载电压
答案:
A,B,D,E,F
2.SPWM技术的主要优势是（）
A.消除高次谐波
B.提高直流电压利用率
C.消除低次谐波
D.提高开关频率
E.消除指定谐波
F.消除直流分量
答案:
C,D
3.相控整流电路能够实现有源逆变的条件必须是（）
A.交流侧存在交流电源
B.直流电源极性合适，处于放电状态
C.触发控制角小于π/2
D.直流侧存在直流电源
E.交流侧存在电路电感
F.触发控制角大于π/2
答案:
A,B,D,F
4.可以实现升压-降压功能的DC/DC变换器有（）
A.BOOST变换器
B.BUCK-BOOST变换器
C.CUK变换器
D.BUCK变换器
E.单端反激变换器
F.单端正激变换器
答案:
B,C,E
5.在高压、大功率应用场合，可以采用（）以提高装置容量
A.级联型多电平技术
B.多相多重多脉波技术
C.开关器件直接串并联技术
D.二极管钳位型多电平技术
E.飞跨电容型多电平技术
F.模块化多电平技术
答案:
A,B,C,D,E,F
6.电流控制型器件有（）
A.电力二极管D
B.电力场效应晶体管P-MOSFET
C.绝缘门极双极型晶体管IGBT
D.门极可关断晶闸管GTO
E.电力三极管BJT
F.晶闸管SCR
答案:
D,E,F
7.全控型器件有（）
A.电力三极管BJT
B.电力场效应晶体管P-MOSFET
C.电力二极管D
D.晶闸管SCR
E.绝缘门极双极型晶体管IGBT
F.门极可关断晶闸管GTO
答案:
A,B,E,F
8.提高变换器的开关频率至20kHz以上，可以（）
A.增加变换器控制难度
B.减小控制延时
C.减小音频噪声
D.减小磁性元器件尺寸
E.减小变换器体积重量
F.提高响应速度
答案:
B,C,D,E,F
9.衡量整流器的基本性能指标有（）
A.输出电压脉动次数
B.输入功率因数
C.输出电压变化区间
D.输出电压脉动系数
E.输出电压纹波系数
F.输入电流总畸变率
答案:
B,D,E,F
10.衡量逆变器输出波形性能指标有（）
A.特征谐波
B.总谐波畸变率
C.谐波系数
D.最高次谐波
E.最低次谐波
F.畸变系数
答案:
B,C,E,F
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