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电子行业术语

1. 电容器/capacitor

   电容器是由两个金属电极，中间夹一层电介质组成。

在两个电极之间加上电压时，电极上就贮存电荷。

因此，电容器事实上确实是贮存电能的元件。

电容器具有阻止直流电通过，而许诺交流电通过的特点。

是电子设备中不可缺少的重要元件之一。

   电容器依照电容量是不是能够调整，可分为三大类：

（1）固定电容器——电容量不能改变；

（2）可变电容器——电容量能够在必然范围内进行调整；

   （3）微调电容器——又称半可变电容器或补偿电容器，电容量能够调整，但在每次调整好以后，就固定在必然的数值。

   依照电容器利用在直流电场和交流电场的不同，又可分为直流电容器和交流电容器两种。

    事实上，电容器的电性能、结构和用途在专门大程度上取决于所用的电介质，因此电容器常按电介质分类。

电容器按所用电介质可概分为以下几类。

（1）固体有机介质电容器——如纸介质电容器、有机薄膜介质电容器、纸膜复合介质电容器等。

（2）固体无机介质电容器——如云母电容器、陶瓷电容器、玻璃电容器、玻璃釉电容器等。

   （3）电解电容器——如铝电解电容器、钽电解电容器、铌电解电容器等。

   （4）气体介质电容器——如空气电容器、充气电容器、真空电容器等。

   （5）液体介质电容器——介质采纳矿物油或合成液体。

这种电容器应用不多。

   2. 电解电容器/electrolyticcapacitor

   电解电容器以各类阀金属为正极，以其表面上形成的一层氧化膜为介质，介质与正极是不可分离的整体。

负极是非固体电解质或固体电解质。

   电解电容器的比体积电容量专门大，体积小，重量轻，电容量大；但工作电压低，频率特性较差，损耗角正切较大，温度特性也较差。

   3.有机介质电容器/organicdielectriccapacitor

   用电容器纸或合成有机薄膜为介质材料制成的电容器称有机介质电容器。

这种电容器多是卷绕式结构，其电极有金属箔电极和金属化电极两种。

   有机介质电容器的要紧特点是：

由于膜的厚度能够做得很薄，易于卷绕，因此这种电容器的电容量和工作电压范围很宽。

有机介质材料大多是合成的高分子聚合物，原料丰硕，品种繁多，有利于有机介质电容器的进展。

   4. 薄膜电容器/thinfilmcapacitor

   按必然方式在基片上交替淀积电极薄膜和介质薄膜而制成的层状电容器称为薄膜电容器。

电极膜和介质膜是用真空蒸发或溅射等方式制作的，厚度一样在一微米以下。

电极薄膜经常使用铝、金、钽等金属制作；介质薄膜经常使用一氧化硅、二氧化硅、五氧化二钽、三氧化二钇、五氧化二钽-二氧化硅和有机材料制作。

薄膜电容器是薄膜集成电路的重要元件之一。

   5. 电容器的损耗/capacitorloss

   电容器在利用进程中消耗的电能称为电容器的损耗。

电容器的能量损耗是由介质损耗和金属部份的损耗所组成的。

其中介质损耗与电容器的介质特性、利用频率、温度等有关。

而金属部份的损耗那么与电容器中采纳的引出线，极板等所用的材料和芯子结构等因素有关。

   电容器中能量损耗是以哪一部份为主，这要依照具体电容器及其利用条件而定。

   6. 电感器/inductor

   凡能产生电感作用的器件统称电感器。

一样的电感器由线圈组成，因此又称电感线圈。

为了增加电感量和Q值并缩小体积，通常在线圈中都有软磁性材料的磁芯。

   7. 电感因数/inductionfactor

   线圈的自感量L与线圈匝数N的平方之比，即称为电感因数。

它与磁芯的形状、尺寸、磁导率、线圈绕法和线圈与磁芯的相对位置等有关。

   8. 阻流圈（扼流圈）/choke；reactor 

   是具有必然电感量的线圈。

它的大体用途是阻止高频率的电流通过。

用在电源滑腻滤波器中的叫滤波阻流圈；用在音频电路中的叫音频阻流圈，用在高频电路中的叫高频阻流圈。

   阻流圈的结构形式及利用的材料随其用途，亦即随其工作频率而不同。

   电源供给系统顶用的阻流圈的工作频率一样不高于电源频率的6倍，常利用硅钢片做成的铁芯。

   音频电路顶用的阻流圈的频率为20～20000赫。

其铁芯材料种类较多，硅钢片、铁氧体、坡莫合金等均被普遍采纳。

音频扼流圈要求散布电容小。

   高频电路顶用的阻流圈（或叫高频电感线圈），大部份采纳空气芯，也有采纳磁导率较稳固的铁粉芯的。

   各类阻流圈在结构上及电绝缘方面的要求与同频率的变压器相似。

   9. 微调电感器/trimminginductor

   它的电感量调剂范围较小，在利用中事实上为一固定电感器，微调的目的在于知足器件和整机调试时的需要和补偿电感器生产中的不一致性。

   微调电感器按磁芯结构的不同有多种型式，如螺纹磁芯微调电感器、罐形磁芯微调电感器和中频变压器等。

   螺纹磁芯微调电感器，是靠用螺钉、起子将螺纹磁芯旋入旋出以改变螺纹磁芯与线圈的相对位置来调剂电感量的。

   罐形磁芯微调电感器，靠调剂杆上下移动以改变有效空气隙来改变电感量，调剂范围可达40%。

它要紧用作载波机的滤波线圈。

   中频变压器，是靠磁帽上下移动以改变有效空气隙来调剂电感量的。

   10. 电阻器/resistor

   具有必然阻值、必然几何形状、必然技术性能的，在电路中专起电阻作用的元件，称为电阻器。

通常简称电阻。

电阻器的结构多数由电阻体、基体（骨架）、引出端等组成（如薄膜电阻器、线绕电阻器）；也有由电阻体、引出端等组成（如实芯电阻器）。

它能够制成棒形、管形、片形等各类形状。

它的要紧用途是：

稳固和调剂电路中的电流和电压，作为分流器和分压器，和作为消耗电能的负载电阻器。

   11. 薄膜电阻器/thinfilmresistor

   用真空蒸发或溅射等方式在基片上形成电阻薄膜，在两头接触区上蒸发铬－金等薄膜导体而组成的元件叫薄膜电阻器。

薄膜电阻所用材料种类繁多，但大体要求是一样的，即：

电性能好，电阻温度系数低，稳固性好，噪声系数低，电阻范围宽，工艺性好，制造工艺简单，淀积进程中材料不分解，不易与加热器起反映。

   经常使用的薄膜电阻器是金属及其氧化物薄膜电阻器、合金膜电阻器、金属-陶瓷薄膜电阻器。

   12. 通用电阻器/generalpurposeresistor

   通用电阻器是指一样用途的电阻器。

线绕电阻器和非线绕电阻器都可作为通用电阻器利用。

这种电阻器的应用范围很广，取值范围一样为欧～10兆欧；功率～2瓦．少数为5瓦和10瓦，在线绕电阻器中功率还能够更高一些；工作电压一样不超过1千伏；其精度有±5%、±10%和±20%三级。

   13. 光敏电阻器/photoresistor

   光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种元件。

它是一种电阻值随着入射光强弱而改变的半导体电阻器。

一样说来，入射光增强，电导增大，电阻减少。

   通常，光敏电阻体都制成薄片结构，以便吸收更多的光能。

当它受到光线的照射时，半导体内部就激发出电子-空穴对，参与导电，使电路中的电流增大。

   依照光敏电阻器的光敏层所用的材料能够分为多晶光敏电阻器和单晶光敏电阻器。

   所谓光，一般是指频谱从无线电波到Ｘ射线的电磁波。

   依照光敏电阻的光谱特性，可分为三种光敏电阻器。

（1）紫外光敏电阻器：

它因对紫外光较为灵敏而得名。

其中包括硫化镉、硒化镉光敏电阻器等。

可用于探测紫外线。

（2）可见光敏电阻器：

其中包括硒、硫化镉、硒化镉、硫硒化镉和碲化镉、砷化镓，硅、锗、硫化锌光敏电阻器等。

它要紧用于各类光电自动操纵系统，如光电自动开关门户，航标灯、路灯和其他照明系统的自动点灭，自动给水和自动停水装置，机械上的自动爱惜装置和“位置检测器”，极薄零件的厚度检测器，照相机自动曝光装置，电视机亮度自动调整电路，电子运算机的输入设备，光电计数器，光电斩波器，烟雾报警器，光电跟踪系统等方面。

   （3）红外光敏电阻：

要紧有硫化铅、碲化铅、硒化铅、锑化铟、碲镉汞、碲锡铅、锗掺汞、锗掺金等光敏电阻器。

它普遍地用于导弹制导、卫星姿态监视、天文探测、非接触测量、气体分析、无损探伤、人体病变探测、红外光谱、红外通信等国防、科学研究和工农业生产中。

   另外，硫化镉光敏电阻器还对X射线、γ射线、α射线和β射线都很灵敏，可用来做α射线和γ射线的剂量计，和α射线和β射线的晶体计数管，来探测和量度各类射线的强度。

   14. 阻值许诺误差/resistancetolerancce

   指电阻器或电位器的实际阻值关于标称阻值的许诺最大误差范围，它标示产品精度。

例如通用电阻器规定有三级精度，其中I级阻值许诺误差是±5%，II级是±10%，III级是±20%。

   15. 集成电路（IC）/integratedcircuit

   利用半导体工艺或薄、厚膜工艺（或这些工艺的结合）将电路的有源元件、无源元件及其互连布线一路制作在半导体或绝缘基片上，结构上形成紧密联系的整体电路，称为集成电路。

   与散装电路相较，集成电路大大减小了体积、重量、引出线和焊点数量，提高了电路性能和靠得住性，同时降低了本钱，便于批量生产。

从分立元件到集成电路，是半导体电子技术进展的一个飞跃。

   整机集成化是微小型化进展方向，集成电路在民用电子设备、工业电子学、军事电子设备等方面具有普遍而重要的用途。

   大规模集成电路和微波集成电路是集成电路技术的重要进展方向。

   16. 集成度/integratedlevel

   在单块晶片（单片）上或单个封装中组成的集成电路所包括的最大元件数（包括有源及无源元件数），称为集成度。

   单片上的集成电路所包括的最大元件数，称为单片集成度；当 陶瓷基片上或单个封装中由多个芯片组成集成电路时，其所包括的总元件数称为混合集成度。

   集成度衡量集成电路规模的大小，一样芯片面积下的集成度那么表征集成密度的大小。

   17.薄膜混合集成电路/thinfilmhybridIC

   薄膜混合集成电路一样称为薄膜集成电路。

这种电路采纳薄膜工艺制作薄膜电阻器、电容器、电感器、互连线、焊接端，另把分立的或片状的有源器件外贴到薄膜无源电路基片上。

为了提高电路功能，降低本钱和使电路设计灵活，除外贴有源器件外，还可之外贴无源元件（电阻器、电容器和调谐元件）和单片集成电路。

   薄膜混合集成电路的精度高，性能好，抗辐射，与硅的相容性好，因此适用于高精度、高稳固、高靠得住、低噪声和高频的线性集成电路和数字集成电路。

   18. 大规模混合集成电路/largescalehybridIC

   用多层布线和细线工艺制造厚、薄膜集成电路的无源元件和导体，然后与中规模或大规模半导体集成电路芯片组装起来，就组成大规模混合集成电路。

它可大大提高厚、薄膜电路的集成度，扩展电路功能，缩小电路体积，提高电路靠得住性，并使设计更为灵活，因此是厚、薄膜集成电路的要紧进展方向之一。

   大规模混合集成电路既适合于数字电路，也适合于线性电路，用途较普遍。

   19. 全薄膜化集成电路/all-thin-filmIC 

   组成一个完整电路所需的晶体管、二极管、电阻、电容、电感和互连导体等，全数用薄膜工艺在绝缘基片上制成膜厚在1微米以下的薄膜，这种电路称为全薄膜化集成电路。

   这种集成电路耐辐射性好，靠得住性高。

   20. 半导体/semiconductor

   物质依照导电能力的大小能够分为导体、半导体和绝缘体。

   具有良好导电能力的物质叫做导体，金属确实是导体的例子，它的电阻率在10-1～10-6欧姆·厘米的范围内。

导电能力很差或不能导电的物质叫做绝缘体，其电阻率一样大于1015欧姆·厘米。

导电能力介于导体和绝缘体之间的物质叫做半导体。

   半导体的要紧特点不仅在于其电阻率在数值上与导体和绝缘体的不同，而且在于它的导电性具有两个显著的特点：

（1）电阻率的转变受杂质含量的阻碍极大。

例如，硅中只含有亿分之一的硼，电阻率就会下降到原先的千分之一。

若是所含杂质的类型不同，导电类型也不同。

由此可见，半导体的导电性与所含的微量杂质有着超级紧密的关系。

（2）电阻率受外界条件（如热、光等）的阻碍专门大。

温度升高或受光照射时都可使电阻率迅速下降。

一些特殊的半导体在电场或磁场的作用下，电阻率也会发生改变。

   半导体材料的种类很多，按其化学成份能够分为元素半导体和化合物半导体；按其是不是含有杂质，能够分为本征半导体和杂质半导体；按其导电类型，能够分为N型半导体和P型半导体。

另外，还有磁性半导体、压电半导体、铁电半导体、有机半导体、玻璃半导体、气敏半导体等。

   目前普遍应用的半导体材料有锗、硅、硒、砷化镓、磷化镓、锑化铟等．其中以锗、硅材料的生产技术较成熟，用的也较多。

    用半导体材料制成的部件、集成电路等是电子工业的重要基础产品，在电子技术的方方面面已大量利用。

半导体材料、器件、集成电路的生产和科研已成为电子工业的重要组成部份。

在新产品研制及新技术进展方面，比较重要的领域有：

（1）集成电路 

   它是半导体技术进展中最活跃的一个领域，已进展到大规模集成的时期。

在几平方毫米的硅片上能制作几万只晶体管，可在一片硅片上制成一台微信息处置器，或完成其它较复杂的电路功能。

集成电路的进展方向是实现更高的集成度和微功耗，并使信息处置速度达到微微秒级。

（2）微波器件 

   半导体微波器件包括接收、操纵和发射器件等。

毫米波段以下的接收器件已普遍利用。

在厘米波段，发射器件的功率已达到数瓦，人们正在通过研制新器件、进展新技术来取得更大的输出功率。

   （3）光电子器件 

   半导体发光、摄象器件和激光器件的进展使光电子器件成为一个重要的领域。

它们的应用范围主若是：

光通信、数码显示、图象接收、光集成等。

   21. 半导体材料/semiconductormaterial

   半导体材料是一类具有半导体性能，用来制作半导体器件的电子材料。

经常使用的重要半导体的导电机理是通过电子和空穴这两种载流子来实现的，因此相应的有N型和P型之分。

半导体材料通常具有必然的禁带宽度，其电特性易受外界条件（如光照、温度等）的阻碍。

不同导电类型的材料是通过掺入特定杂质来制备的。

杂质（专门是重金属快扩散杂质和深能级杂质）对材料性能的阻碍尤大。

因此，半导体材料应具有很高的纯度，这就不仅要求用来生产半导体材料的原材料应具有相当高的纯度，而且还要求超净的生产环境，以期将生产进程的杂质污染减至最小。

半导体材料大部份都是晶体，半导体器件关于材料的晶体完整性有较高的要求。

另外，关于材料的各类电学参数的均匀性也有严格的要求。

   半导体材料的品种繁多。

有元素半导体、化合物半导体、多元系固溶体、氧化物半导体、玻璃半导体及有机半导体等。

如按特性来分，尚有磁性、压敏、气敏等半导体材料。

   22. 半导体二极管/semiconductordiode

   半导体二极管是具有明显单向导电特性或非线性伏安特性的半导体两极器件。

   半导体二极管有结型二极管及金属-半导体接触二极管。

后者包括点接触二极管及肖特基势垒二极管。

   体效应（或耿效应）器件也属于半导体二极管，称为体效应二极管或耿二极管。

   依照材料来分，半导体二极管有：

锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管等；依照结构来分，有：

点接触二极管、PN结二极管、PIN二极管、异质结二极管等；依照工作原理来分，有：

隧道二极管、变容二极管、雪崩二极管等；依照用途来分，有：

检波二极管、混频二极管、参放二极管、开关二极管、稳压二极管、整流二极管等。

   23. 发光二极管（LED）/lightemittingdiode

   在半导体二极管中通入正向电流时，从N区注入到P区的电子和由P区注入到N区的空穴，在PN结周围数微米内别离与P区的空穴和N区的电子复合，产生自发辐射的荧光。

这种光又称为注入电荧光，这种二极管称为发光二极管或半导体荧光二极管（或电荧光二极管）。

   并非所有的半导体二极管都能成为发光二极管，发光二极管要求较高的发光效率，因此一样采纳直接跃迁型半导体材料来制备。

但某些间接跃迁的材料（如GaP等）可通过掺入适当杂质形成等电子复合中心等方法来提多发光效率。

   除二极管的直接发光外，还可在GaAs二极管上涂以磷光体材料，将红外光转变成可见光发射出来。

   发光二极管的特点是：

（1）在低电压、小电流下工作，损耗功率小，而且体积小，可直接与固体电路连接起来利用；

（2）抗冲击和抗震性能好，靠得住性高，寿命长；（3）通过调制二极管电流来调制光输出，调制方便；（4）光输出响应时刻快（l～10兆赫）。

   由于发光二极管具有以上优势，它要紧可用于以下方面：

（1）固体光源：

用作光通信、周密测距和其它物理检测的光源，还能够作为小型固体激光器的光泵；

（2）固体灯：

用作电子运算机、航空和各类仪器的指示灯；

   （3）固体显示：

将二极管管芯作成文字或数码形状，用于小型运算机及各类测试仪器的文字或数字显示。

   24. 液晶/liquldcrystal 

   液晶确实是液态晶体。

   一样以为物质只有固体、液体和气体三种状态。

这种观点并非完全正确，专门是对某些有机物来讲，由固体变成液体并非是简单的转变，而要通过一个相的转变进程。

例如，一有机物在16℃时熔化，76℃时变成完全澄清的液体，而在16～76℃之间那么呈现浑浊的液态。

现在，一方面具有液体的流动性，同时又具有晶体的性质，即晶体所具有的光学特性（布拉格反射、衍射、旋光性和折射率、导热率、弹性系数等的各向异性）和晶体电学特性（介电或磁各向异性、导电各向异性、压电效应等），因此它是介于固体和液体之间的一种中间状态，故称液晶，或称介晶相。

   液晶一样由棒状柱形对称的分子组成，具有强的电偶极矩和容易极化的化学团。

各分子沿一个方向择优排列，呈现为各向异性的液体。

   液晶的许多物理性质，对外界的刺激是灵敏的。

电场、磁场、热能和声能都能用来引发光学效应。

事实上，直到此刻，一切有关显示的研究都集中于电光效应上。

液晶本身并非发光而是产生光散射、光学密度的调制或色彩的转变。

液晶显示器件的明显特点是工作电压低，功耗很低，大小和形状有伸缩性和不受外界光的干扰。

   25. 载流子/carrier 

   导体或半导体的导电作用是通过带电粒子的运动（形成电流）来实现的，这种电流的载体称为载流子。

   导体中的载流子是自由电子，半导体中的载流子那么是带负电的电子和带正电的空穴。

   26. 开关/switch

   它是电子设备顶用以通、断开和转换电路的机电元件。

   电子设备用的传统的机电开关一样由动触点、定触点、传动定位机构（如旋转式开关的跳步机构）和装置部件等组成。

   对开关的要紧性能要求是：

接触良好、换位清楚、转换力矩适当、定位准确靠得住、绝缘良好、利用寿命长。

对某些应用处合还要求具有特殊环境适应能力。

   开关的分类，按驱动方式可分为手控和检测两个大类；按应用区分，那么有波段开关、电源开关、操纵开关、转换开关、断路开关、行程开关、终点开关、门开关等等；按有无触点区分，那么有机电开关与固体开关之分。

   目前在各类手控开关中采纳固体开关技术的有键盘开关、微动开关和指轮开关等。

而在键盘开关中已采纳的固体技术有电容耦合、霍尔效应半导体、磁敏变阻器、铁氧体磁芯等型式。

   为适应电子系统的微型化，各类手控开关在本身减小尺寸的同时，还显现了“面向系统”的设计，即在开关外壳里提供安装底盘以收容部份微型元部件。

这种开关事实上本身确实是一个完整的电路封装件，如此既节省了空间，又简化了随后的装配。

   27. 旋转式波段开关/rotarybandswitch

   旋转式波段开关要紧用于电子设备中换接高频低电流负荷（一样在安以下）的电路。

   旋转式波段开关的接触方式大多采纳切入式触点。

其定触片和动触片别离装在每层开关片的绝缘基片上，动触片绝缘基片装在转触轴上，定触片绝缘基片装在框架上，通经常使用旋钮来转动转轴，使动触片依次与定触片接通或断开，以进行电路换接。

   旋转式波段开关可组装成不同的层数，并常按位数和刀数（即动触片数）组成不同规格，以知足不同数量电路的换接需要。

   旋转式波段开关的结构类型很多，跳步机构有片簧式、拉簧式、滚珠式和滚轮式等；开关片有放开式、封锁式等；安装方式还有半密封式结构；绝缘基片有纸胶板、塑料、陶瓷等几种；接触形式还有滑动式（压接式）结构。

   28. 滑动开关/slideswitch

   滑动开关又称拨动开关。

它要紧供要求占空小、操作轻快的小型电子仪器设备及收音机中换接电路和波段之用。

   滑动开关的定触片安装在绝缘座上，动触片安装在钮柄上。

经常使用的双珠压簧式跳步机构的滑动开关，当手指推动钮柄时，钢珠在压簧的作用下，从一个定位槽进入另一个定位槽中，如此便使安装在钮柄上的动触片从一个定触片换接到另一个定触片上。

   滑运开关的跳步机构有心形式、双珠压簧式、单珠压簧式。

接触形式有切入式、滑动式、对接式。

   滑动开关的刀数有二刀、三刀、四刀和六刀等，其位数一样有二位和三位等。

由于刀数、位数较少，因此只适用于简单电路中。

   29. 琴键开关/piano-keyswitch

   琴键开关又叫键式开关（keyswitch）

   键式开关是由假设干档单键开关组成的开关组，形同琴键，故称键式开关。

   键式开关每档由按钮部份（按键）、传动机构和接触部份组成，并通过安装键架、和联动机构组成键式开关。

键式开关一样是多档单排的，也可做成单档的、或多档双排、多档多排等。

   键式开关各档的按钮能够有各类颜色的，形状能够做成方形、矩形、圆形等。

按钮部份也有带照明指示及显示符号、文字的。

一样要求外形美观。

   接触部份一样采纳滑动式触点组，也有簧片式等其它形式，滑动触点组每档有二、4、六、8等不同刀数的转换触点组，供转换低电流电路用。

有的键式开关带有电源开关档，专供电源通断用。

   键式开关常见的有直键开关和琴键开关。

直键开关按键的动作方向与传动方向不一致，一样差90°。

   键式开关依照锁定与复位的不同，有无锁、自锁自复位、互锁互复位、自锁共复位、互锁共复位等五种，还有带限位机构的开关。

   30. 继电器/relay

   继电器是一种自动断续的操纵器件。

当其输入参量（如电、磁、光、热、声等）达到某必然值时，便能使输出参量发生跳跃式的转变，从而实现操纵、爱惜、调剂和传递信息等目的。

   继电器是自动操纵系统、遥控遥测系统和通信系统的重要元件之一。

它的品种繁多，应用很广。

最近几年来，随着科学技术的进展，继电器在靠得住性、体积和耐恶劣环境等方面的性能也有了专门大提高，不仅原有的继电器在结构和性能上有了重大改良，而且，还显现了能知足特殊要求的固体继电器、混合式继电器和其它的新原理继电器。

   继电器是能够从多种角度来分类的。

例如，可按作用原理、结构形式、特点区分，和外型尺寸和封装形式等方面分类。

   31. 霍尔效应继电器/halleffectrelay 

   系指应用霍尔电势发送器组成的继电器。

它是一个具有气隙及线圈的电磁铁，在气隙中置有霍尔效应半导体