电源电路设计分析实例.docx
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电源电路设计分析实例
电源电路设计分析实例(经典分析)
众所皆知,电源电路设计,乃是在整体电路设计中最基础的必备功夫,因此,在接下来的文章中,将会针对实体电源电路设计的案例做基本的探讨。
电源device电路
※输出电压可变的基准电源电路
(特征:
使用专用IC基准电源电路)
图1是分流基准(shuntregulator)IC构成的基准电源电路,本电路可以利用外置电阻Vr1与R3的设定,使输出电压在+2.5V-5V范围内变化,输出电压Vout可利用下式求得:
----------------------
(1)
Vref:
内部的基准电压。
图中的TL431是TI的编号,NEC的编号是μPC1093,新日本无线电的编号是NJM2380,日立的编号是HA17431,东芝的编号是TA76431。
※输出电压可变的高精度基准电源电路
(特征:
高精度、电压可变)
类似REF-02C属于高精度、输出电压不可变的基准电源IC,因此设计上必需追加图2的OP增幅IC,利用该IC的gain使输出电压变成可变,它的电压变化范围为+5-+10V。
※利用单电源制作正负电压同时站立的电源电路
(特征:
正负电压同时站立)
虽然电池device的电源单元,通常是由电池构成单电源电路,不过某些情况要求电源电路具备负电源电压。
图3的电源电路可输出由单电源送出的稳定化正、负电源,一般这类型的电源电路是以正电压当作基准再产生负电压,因此负电压的站立较缓慢,不过图3的电源电路正、负电压却可以同时站立,图4中的TPS60403IC可使输入的电压极性反转。
※40V最大输出电压的SerialRegulator
(特征:
可以输出三端子RegulatorIC无法提供的高电压)
虽然三端子RegulatorIC的输出电压大约是24V,不过若超过该电压时电路设计上必需与IC以disklead等组件整合。
图5的SerialRegulator最大可以输出+40V的电压,图中D2Zener二极管的输出电压被设定成一半左右,再用R7VR1R8将输出电压分压,使该电压能与VZ2的电压一致藉此才能决定定数。
必需注意的是R7R8若太大的话,会引发输出电压噪声上升与波动等问题;反R7R8之若太小的话,会有发热耗损电力之虞,因此一般以R7R82-5K比较合适。
※输出电压为40-80的SerialRegulator
(特征:
利用disklead组件输出高电压)
图6是可以输出电压为40-80的SerialRegulator,由于本电路的输出电压非常高,因此无法使用OP增幅IC。
图中的VCEO是利用120V的2SC2240-GR构成误差增幅器。
此外本电路还追加TR5与Cascode增幅器,藉此改善误差增幅器的频率特性。
2SK373-Y是VDS="100V的FET",它可以构成高耐压的定电流电源。
除了FET之外还可以使用最大使用电压为100V,定格电力为300MW,石冢电子的定电流二极管E-202。
※输出电压为150V的高电压SerialRegulator
(特征:
设有输出短路保护电路)
如图7所示本SerialRegulator的base的共通增幅电路与OP增幅器输出端连接,因此可以输出高电压。
如果输出发生短路的话,TR3的保护电路就会动作,TR3将流入120MA限制在范围内,此时输入电压会施加至TR2的drain与source之间,所以会有20W左右的损失。
※输出电压为400V的高电压SerialRegulator
(特征:
设有输出短路保护电路)
如图8所示误差增幅器的基准电位与输出电位连接,形成浮动增幅型SerialRegulator。
虽然电源变压器(transistor)必需使用误差增幅器专用的绕线,不过误差增幅器是由OP增幅器构成,因此非常适用于高电压Regulator。
此外为避免输出短路时的大电力损失,因此保护电路具备倒V型特性。
※TO-220封装的非绝缘型StepDownConverter
(特征:
无封装面积变大之虞,可将线性电源变成switching电源)
三端子Regulator的损失若超过3W时,冷却片的面积会变得非常大,因此必需改用非线性而且效率极高较不易发热的switchingtypeDC-DCConverter,不过实际上由于DC-DCConverter使用的组件数量非常多,因此有可能造成封装面积过大等问题。
如图9所示若使用与三端子Regulator同级的T0-220封装控制IC,就能获得输入电压为8-24V,输出5V,电流为3.5A的StepDownConverter。
这种Converter最大特征是结构简单动作稳定,而且使用组件的数量非常少,因此不需刻意变更印刷电路板的pattern,或是担心封装面积变大等困扰,虽然价格稍为偏高不过SerialRegulator几乎网罗所有的规格。
本电路是由外置的二极管(diode)、电容、线圈,以及设定电压的电阻所构成,只有电容比较特殊必需使用switching电源专用低阻抗(impedance)type。
PQ1CG系列的产品几乎函盖拥所有电压、电流规格,从2.5V低输出电压到5A以下机型一应具全而且都已经商品化。
表1是TO-220封装非绝缘型StepDownConverterIC的规格一览,表中的PQ1CG3032FZ第五根脚兼具softstart与ON/OFF功能,因此使用上非常方便。
:
VODJ输出电压调整端子;feedback:
输出归返(return)端子VC;:
位相补偿用端子
ON/OFF:
standby端子;:
输入端子VIN;:
输出端子VOUT;NS:
国家半导体。
表1T0-220封装的DC-DCConverter控制IC的规格
※寻址StepDownConverter
(特征:
IC容易取得价格低廉)
图10使用历史相当长久的StepDownConverter控制IC,它的输入电压为8-16V,输出电压为5V600MA。
本Converter最大特点是价格低廉容易取得。
图中的MC34063(OnSemiconductorCo)动作频率被设为45KHZ,因此线圈与电容器的外形可能会变大,不过只要印刷pattern设计得宜的话,上述问题对动作上尚不致构成困扰。
必须注意的是类似新日本无线的NJM2360与NJM2374A,虽然是特性相同的IC,不过结构上却不相同,只有国家半导体的LM2574N-ADJ与Sunken的SAI01是寻址StepDownConverter用IC。
※OnBoard电源用StepDownConverter
(特征:
封装面积小,操作简易的DC-DCConverter)
图11是利用寻址控制IC构成封装面积很小的StepDownConverter,它的输入电压为6-16V,输出电压为5V450MA。
图中的MAX738IC为8pin的DIP封装,输入端的积层陶瓷电容C2必需贴近IC的lead
否则无法顺利动作。
本IC的动作频率为160-170KHZ左右,因此周边的被动组件可以使用leadtype。
电容的等价串联阻抗必需使用低于0.5欧的type;线圈的inductance为100UH或是33UH。
※效率95%的超小型StepDownConverter
(特征:
由5*5MM的控制IC构成)
如图12所示超小型StepDownConverter,是由外型尺寸为5*5MM 的IC与数个外置组件构成,本电路内建两个powerMOSFET属于同步整流type,它可以利用FBSEL端子的设定,使输出电压VOUT作1.51.82.5V三种切换。
※可输出5-10V低噪讯DC-DCConverter
(特征:
适用于电池device等模拟电路电源)
电池device的单电源,经常被要求必需能够提供OP增幅器的数个模拟电路正、电源,由于电流值相当低因此使用的组件数量相对很少。
图13是输入电压为5V,输出电压为10V的DC-DCConverter,图中的MAX865是8pin的μMAX封装内建CMOSchargepump的控制IC,它只要四个外置电容就可以1.5-6V输入电源,制作两倍的正负电压,由于本电路未使用线圈,所以峰值电位(spike)的噪讯(noise)非常低。
chargepump的电容C1C2必需使用低等价串联阻抗,耐压超过16V以上的电容组件,因为加大容量时可以降低波动(ripple)电压提高效率。
根据规格书(datasheet)的记载MAX865内部的输出阻抗,分别是正电压端为90欧,负输出为160欧(输入为5V时)。
若流入5MA的负载电流时,正电压端会产生0.45V的电压下降,负电压端则产生0.8V的电压下降,要求无电压变动的电路可以采用MAX865并联连接,或是改用MAX743type。
此外V-电路的负载电流较大时,基于保护电路等考虑,可以将shotkeybarrier二极管连接于V-端子与GND端子(第4pin)之间。
※可输出+5-- --5V的DC-DCConverter
(特征:
可辅助正电源系统得负电源需求)
小型量测设备经常会有负电源需求,如果不需大电流容量时,可以使用chargepump的极性反转Converter。
图14的DC-DCConverter可以使5V的极性反转,同时输入–5V50MA的电力,图中的MAX860是8pin表面封装type控制IC;表2是表面封装type控制IC的规格一览。
上述Converter的动作频率可设定成6K50K130K三种形式,无小型化要求时可将VC端子与输出端连接设定成130K ,同时使用低容量的小型电容。
图14的设定值为50KHZ,输入电压范围为1.5-5V ,输出阻抗为12,最大负载电流为50。
如果希望利用负载降低电压时,可将MAX860并联连接。
表2极性反转型StepDownConverter控制IC的规格
※可使电池电压上升的StepUpConverter
(特征:
电池能量100%发挥)
使用二次电池驱动的可携式电子产品,要求即使电池电压下降亦能长时间动作,因此出现可将5V的电池电压StepUp,输出200MA的Converter(图15)。
如表3所示具备上述功能的IC种类非常多,由于这类IC大多具有shutdown端子(pin),因此可用logiclevel控制输出的ON/OFF。
此外即使shutdown输出与输入也不会连通线圈,使得输入电压(电池电压)直接被输出。
要求大电流的场合(case)建议改用流入线圈的峰值电流极小,而且又是固定频率的PWMtypeMAX1700IC。
表3StepUpConverter控制IC的规格
※高电压StepDownConverter
(特征:
无变压器可使100-400V直流电压转换成15V)
如图16所示本StepDownConverter可将100V以上高电压转换成15V,由于本电路未使用变压器就可以获得低电压,因此使用上非常方便。
设计规格如下所示:
>DC输入:
100-400V。
>DC输出:
15V200MA 。
由于控制端子的电压高达5.7V,所以输出电压无法低于5.7V,输出电压VOUT可以从ZenerVZV二极管的电压求得:
VOUT="VZ"+5.7
图中的MIP0222SY与powerMOSFET同样是三端子控制IC,内建有switching电源必需具备的所有功能,因此只需利用该IC就可以用简易的电路,形成高电压用StepDownConverter,值得一提的是与同等级的产品有PowerIntegration公司开发的TOP222Y;以外的同等级组件基本上可以从其它公司的产品型录中寻得。
为了抑制线圈L1波动(ripple)电流,因此线圈必需大于必需1MH,在L1流动的最大电流值则是根据IC1的最大电流规格设定成500MA。
当IC1为ON时输入电压会流入D1D2,因此必需选用耐压超过400V的组件,此处考虑延迟(delaying)时间所以选用耐压600V的type,若是要抑制switching损失的话,就必需使用高速、高效率、低损失的的二极管。
如上所述由于输入电压非常高,所以波动电流也很高,此处为降低输出波动电压,所以输出电容必需尽量挑选低等价串联阻抗的type。
※MemoryBackup电源电路
(特征:
即使系统电源OFF时,电源持续提供电力至内存)
如果PC使用简易系统的话,一旦电源OFF时的内存电力也会一并被切断,造成储存于内存(Memory)内部的数据面临全毁的厄运。
图17是电源OFF时仍旧可以维持SRAM电力的电路,当电源ON时镍氢二次电池进行充电动作,电源OFF时二次电池便自动释放电力。
由于SRAM动作时的电源电压超过4.5V以上无法将TR1变更成二极管,所以利用VDROP很小的PNP晶体管(transistor)构成switch。
当电源OFF时SRAM的CE2会变成Llevel成为待机状态。
※WorldWide输入,三频输出简易型Switching电源
(特征:
利用内建PowerMOSFET的单芯片控制IC获Switching电源)
图18是数字、模拟混载系统用输入WorldWide/三频输出,绝缘型Switching电源电路,它适用于10-45W的device。
本电源电路主要规格如下:
>AC输入:
85-264V
>DC输出1:
15V1.5A
>DC输出2:
-15V200MA
>DC输出3:
5V3A
图18WorldWide输入的Switching电源
(输入85246V:
DC输出115V1.5A:
,DC输出2:
-15V200MA,DC输出3:
5V3A)
图中的MIP0224SY控制IC内建有switching电源必需具备的所有功能,此外本IC采用与PowerMOSFET相同的三端子(pin)封装,动作上则属于一般电压模式(mode)flybackconverter,因此内建于输出段的PowerMOSFETdrain耐压高达700V。
使用MIP0224SY时只需注意耐压问题,就可以轻易获得制作上非常繁琐的绝缘型Switching电路。
变压器的设计是最棘手的一环,建议读者利用PowerIntegration公司的网页,下载设计用Excelsheet就可以轻易设计变压器。
必需注意的是绝缘距离,尤其是适用的安全规范会随着用途有很大的差异,图18的电路是根据IEC60905规范设计。
此外与市面上有许多与IC1同等级的控制IC,例如PowerIntegration公司的TOP224Y就是典型代表,若使用TOP224Y的话就可以制作180W的flybackconverter。
※输出5V1.5A的StepDownConverter
(特征:
利用免费webtool轻松设计周边组件)
图19是利用monolithicswitchingregulatorICLM2576T-5.0,制作可输出5V1.5A的StepDownConverter,该Converter非常适用于利用24V电源驱动5VCPU主板等领域。
有关L1、C2的最适值以及D1的峰值电流,建议读者利用NationalSemiconductor公司的网页,下载「WEBENCHdesignprogram」的免费tool就可以轻易计算。
该网页除了组件定数之外同时还会教导有关IC与二极管的具体名称,以及温度与动作的仿真分析与pattern的设计。
必须注意的是L1若不选择特洛伊酒桶型core无间隙type,或是类似potcore兼具磁气shield功能的组件时,强大的磁气噪讯(noise)可能会四处扩散;此外图中的C2主要工作是频繁的充放电,因此必须使用低ESR、抗ripple的电容。
※输入WorldWide,输出100W的改良型电路
(特征:
AC输入电流的高频波电流低于规范值)
图20是WorldWide输入的改良型电路,该电路主要功能是将输出的绝缘型Converter整流电路,置换并符合高频波规范值。
本电路的设计规格如下:
>AC输入:
85-264V
>DC输出:
390V300MA
本电路属于电流间断型,因此非常适合应用于200W以下低输出电源等领域。
由于电感(inductance)LB的电流间断流动,因此转流二极管的逆回复损失的影响很小,其结果连带造成switching损失与辐射噪讯也随着降低。
此外最大电流是输入电流峰值的二倍以上,所以成为选择LB与PowerMOSFETTR1时的主要考虑因素。
LB在B-H curve呈巨大的minorloop,因此必需使用低铁损的ferritecore,此外core要求很大间隙(gap),从该部位散发的磁束动乱,会造成卷线涡卷电流损失变大,所以必需使用编织线(litzwire)加以隔绝。
本电路的动作为电流模式(mode),所以内建有过电流保护单元,问题是过电压保护,尤其是与第一pin连接的输出电压分压电阻,一旦open或是短路的话,输出会立刻变成高电压,而电容则遭到破坏,因此过电压保护单元使用TA76431SIC。
虽然同等级的FA5500/FA5501(富士电机)具备完整的过电压保护对策,不过由于检测level太高,反而造成必需使用耐压超过450V的平整电容的后果。
事实上并无与上涨IC1功能完全的同等级产品,而功能性的代替品同时也是业界标准品,分别有MC33261、FAN7527B、L6561、NJM2375等等可供选择。
※锂离子二次电池的充电电路
(特征:
以USB界面为电源)
如果USB接口具备5V500MA的话,就能当作便利的电源使用,反之若超过500mA时,USB内部的breaker就会开始动作。
图21是利用TI的bq24010IC,串联构成锂离子二次电池的充电电路,该电路是以USB接口当作电源,因此系统一旦起动后电池的电压若低于4V时,就会开始自动充电。
最大充电电流I可以利用REST设定,为符合USB的规格,因此RSET被设定成1.68K, I则被设定成498MA。
最大充电保留温度与最低充电保留温度,则分别利用电阻RT1与RT2设定成60度与0度。
图22是上述充电电路与USB接口连接时,锂离子二次电池实际充电的特性。
※两镍氢电池串联的充电电路
(特征:
以USB界面为电源)
图23是以USB为电源的两cell镍氢电池串联的充电电路,充电时电压若低于2.5V时,会被视为满溢充电进而停止充电。
Timer会以最大充电时间160分动作,当电池达60度时就会停止充电。
快速充电结束后会以C/32进行160分的补充电,接着再以C/64无期限持续进行pulsetrickle充电。
充电器利用-△V或是△T/△t 检测出满溢充电时,每单位电池cell的充电电压会变成1.6V左右,由于主电源为5V因此本电路若三电池cell串联充电的话,就会显得相当吃力。
图24是本电路的实测充电特性,由图可知两cell镍氢电池串联时的最大充电电压会上升至3V,由于单cell电池为1.5V所以三cell电池串联时的最大充电电高达4.5V。
必须注意的是系统内若设有上述电路的话,会因系统的驱动电流与布线阻抗产生噪讯,进而造成错误检测成满充电信号,为防止这类现象发生,因此必需将signalground(S.GND)与powerground(G.GND)分开布线。
※小容量简易绝缘电源电路
(特征:
利用TimerIC555驱动绝缘变压器)
图25是可应用于感测(sensor)的小容量绝缘电源电路。
驱动TR1的ON/OFF时间可用R1R2电阻调整,当R1=R2时,理论上IC会输出50%的dutycycle矩形波,然而实际上有 TR1OFF时的延迟,因此必需作微调。
若从脉冲变压器的ET积求取TR1的最大ON时间,就可以决定switching频率与必要的ON/OFF时间。
ON的时间是由C1与C3决定。
输出电压「H」时的充电时间t1(s),与「L」时的放电时间t2(s)可利用下式求得:
※FlashMemory写入用电源
(特征:
OFF时电源line被groundshort)
图26是可以输出FlashMemory改写内容时,必要的12V直流电压的电源电路。
写入控制信号为「H」时,输出VOUT变成0V,写入控制信号为「L」时,输出VOUT变成11.8V,未写入期间为提高噪讯耐性,所以将电源线与ground短路(short),VOUT的升降则是利用控制输入端子控制。
如果控制输入端子变成5V的话,线性regulatorM5237L的电压监控(monitor)输入(第三pin)电压会超过1.5V以上,M5237L为阻止电流的吸入会将TR1关闭(OFF),TR2呈ON状使VOUT与ground短路。
如果控制输入端子为0V时,上述第三pin的电位会变成1.26V并将电流吸入,当TR1开启(ON),TR2关闭(OFF)时,就变成12V。