高频功率放大器.docx

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高频功率放大器

第二章高频功率放大器

第一节概述

在调频广播发射机中，高频功率放大器主要是用来放大由调频激励器送出的射频已调波信号。

小功率的已调波信号经过一系列的放大和功率合成后。

以达到额定的高频功率后，经由馈线送到天线上发射出去。

目前所使用的调频广播发射机的高频功率放大器，在大功率的金属氧化物半导体场效应管没有面世以前，多采用电子管作为高频功放的电子器件，就是所谓的电子管广播发射机。

而晶体管用于高频功放的功率放大器件只是在近年来才广泛使用，到目前为止，场效应管已替代晶体管作为全固态调频广播发射机的功率放大器件。

高频功率放大器主要由场效应管功放模块、分配器和合成器、低通滤波器和监测单元所组成。

而场效应管功放模块由输入匹配回路、功放管和输出匹配回路组成，其输入、输出匹配回路大多采用半集总半分布式回路，随着科技的不断发展，大功率的场效应晶体管的不断更新换代，为我们研制生产大功率等级的全固态调频广播发射机提供了便利的条件。

作为功率器件的晶体管与电子管相比，它具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长等优点，因此它一出现就显示了很强的生命力，在短时间内获得了迅速的发展。

因此应用大功率场效应管的全固态调频广播发射机已逐渐地取代了电子管功放的调频广播发射机，为广播通讯的发展揭开了新的篇章。

全固态调频广播发射机的大功率MOSFET管，目前使用较多的是飞利浦公司生产的BLF177、BLF278和摩托罗拉公司生产的MRF151G等。

BLF177的最大输出功率为150W，而BLF278和MRF151G的最大输出功率为300W，随着功率合成技术的不断发展，更高功率等级的调频广播发射机已成现实。

但无论是使用电子管还是晶体管的高频功率放大器，其主要性能指标都是指的功率增益、效率、带宽和谐波抑制度。

由于这几项指标不容易兼顾，所以在设计高频功率放大器时，根据工作的类型不同等特点，重点的保证其中一些指标，同时兼顾另外一些指标，如调频激励器的功率放大器是以输出功率和带宽为主要指标，而发射机的末级功率放大器则以效率、功率增益和谐波抑制度为主要指标。

我们已经知道，放大器可以按照电流通角的不同，分为甲、乙、丙类工作状态，甲类放大器的电流通角为360°，适用于小信号低功率放大。

乙类放大器的电流通角约等于180°，丙类放大器的电流通角则小于180°，乙类和丙类都适用于大功率工作，但丙类工作状态的输出功率和效率是三种工作状态中最高的，所以高频功率放大器大多工作于丙类，但丙类放大器的电流波形失真太大，只能用于采用调谐回路作为负载的谐振功率放大，而调谐回路具有滤波能力，回路的电流与电压仍然极近于正弦波，失真很小。

例如1kW调频广播发射机的末级功放中的300W功放模块，就是采用双推挽功率金属氧化物半导体场效应管BLF278作为功放管。

当它工作于丙类时，其输出功率为300W，功率增益为18dB，效率达到75％以上，4路300W功放模块经功率合成后输出大于1kW。

由于调频广播的工作频段为87～108MHz，高频功率放大器的二、三次谐波均落入电视广播的Ⅲ频段，为了不造成对电视接收的干扰，在涉及功率放大器时除提高谐波的抑制度外，还在其功放的输出端加有抑制谐波用的高性能低通滤波器，以满足整机对谐波的要求。

第二节高频功率放大器

一、大功率场效应晶体管

大功率场效应晶体管是近年发展起来的新型半导体功率器件，这类功率管大多采用金属－氧化物－半导体场效应晶体管（简称MOSFET）作为功率器件，目前这类功率器件还在不断的向前发展，最新面世的横向扩散金属－氧化物－半导体场效应晶体管（简称LDMOSFET），它在输出功率、效率及高驻波比工作上比MOSFET优势更加明显，是以后功率器件发展的趋势所在。

作为功率器件的场效应晶体管与双极性晶体管相比，具有以下优点：

（1）当栅源电压固定时，MOSFET的漏极电流温度系数是负的（由于沟道中载流子迁移率随温度升高而下降），也就是说当其他条件不变的情况下，该管子的输出功率随温度的升高而下降，使MOSFET从原理上消除了热不稳定性二次击穿的问题，另一方面使MOSFET可以采用多级并联的结构以获得很大的功率输出。

（2）在短沟道MOSFET中，载流子以饱和漂移速度通过全部沟道长度时，MOSFET的跨导是不随栅源电压变化的恒定值，可以获得线性功率放大。

（3）MOSFET输入阻抗高，是电压控制器件。

这使输入电路的功耗大大减小，有助于控制并实现最大输出功率。

（4）MOSFET是功率开关器件，具有较快的开关速度。

（5）目前，MOSFET功率器件的结温较高，总耗散功率大，漏源工作电压可高达100V以上，这对于大功率状态工作的管子尤为有利。

金属氧化物半导体场效应管按工作方式分有增强型和耗尽型两类，而每类又分为N沟道和P沟道，N沟道的场效应管的衬底为P型材料，增强型的MOSFET的栅偏压为正，耗尽型的栅偏压为负。

在全固态的调频广播发射机中，其高频功率放大器的功放管多采用的是N沟道增强型的V－MOSFET（具有V形槽的MOSFET）。

其最大特点是利用严格控制扩散结深的方法来控制沟道长度，以提高它的高频特性。

由于V－MOSFET的沟道短，栅漏间的电容较小，其工作频率可达到20GHz。

最近几年又新推出的适合数字功率发射的LD-MOSFET技术的场效应管（横向扩散金属氧化物场效应管），输出功率更大，对负载的适配能力更强。

也是今后发展的主流趋势，目前已有产品面世。

（一）MOSFET的基本工作原理

N沟道增强型MOSFET在工作时，其栅源电压VGS和漏源电压VDS均为正向电压，如图2-1所示。

图2-1N沟道增强型MOSFET工作原理

当栅源电压VGS＝0时（或<0时），虽然漏源电压VDS为正，但因两个N型区之间有P型衬底相隔，电流不能流通，故漏极电流ID＝0，MOSFET处于截止状态。

当栅源电压VGS＞0时，相当于VGS加在了以SiO2为介质，以栅极和P型衬底为两级板的电容器，在介质中产生一个由栅极指向P型衬底的电场。

该电场排斥衬底中的空穴而吸引电子，在VGS较小时被吸引到衬底表面的电子数很少，并被衬底表面的大量空穴复合掉，在表面层形成截流子的耗尽层，无法形成导电沟道。

但当VGS增加到一定程度，比如VGS≥Vt时，被吸引到表面层上的电子数增多，形成很薄的N型沟道，通常称为“反型层”，而“反型层”实际构成了漏、源极间的导电沟道。

这时栅源电压Vt为MOSFET的开启电压，加上VDS后就会产生漏极电流ID，且VGS越大，ID也就越大，实现了VGS对ID的控制作用。

（二）MOSFET的特性曲线

N沟道增强型MOSFET通常采用共源连接方式，其源极与衬底连接并接地，电路如图2-2（a）所示。

与之相对应的输出特性曲线如图2-2（b）所示。

输出特性曲线上所划分的3个工作区，分别是：

①可调电阻区；②饱和区；③雪崩区。

在源极与衬底相连时各工作区的特点如下：

可调电阻区：

漏电流ID随VDS的变化近似于线性变化，所以又称为线性区。

饱和区：

漏电流ID几乎不随VDS变化，但当VGS增大时，由于沟道电阻减小，其饱和电流值也相应增加，所以饱和区为MOSFET的线性放大区。

雪崩区：

又称击穿区。

当VDS大于某一电压时，漏极与衬底的PN结发生反向击穿，ID就急剧增加，特性曲线进入雪崩区。

这时的漏极电流无须经过沟道区，而直接由漏极进入衬底，这个电压称为击穿电压，它随着VGS的变化而变，所以在设计和调整放大器时，应避免工作在击穿区。

图2-2N沟道增强型MOSFET电路与特性曲线

（三）V－MOSFET的结构及特点：

1、结构

图2-3为其结构示意图。

将高掺杂的N型硅（N＋）衬底作为漏极D，在其外延上生长一层低掺杂的N型硅（N－），通过扩散在外层上制作一层低掺杂的P型硅（P－），然后再沿垂直方向穿过N＋区和P－区蚀刻出一个V型槽，最后在整个表面上生长出氧化层（SiO2），并在V型槽部分覆盖一层金属作为栅极G，从N＋区和P型衬底（P－）上引出源极S，则构成一个V－MOSFET。

图2-3V-MOSFET结构示意图

2、特点

V－MOSFET从其结构上看，它的栅极是一个V型槽，生成2个沟道，可提供较大的电流密度，并且漏极的散热面积大，在采取有效的散热情况下，适合于大功率工作的状态。

其特点如下：

（1）输入、输出阻抗高，容易实现宽带匹配。

（2）功率增益高，输出功率大，且驱动较小，容易实现功率控制。

（3）漏源击穿电压高，对安全可靠工作有利。

（4）正向跨导较大，且跨导的线性好。

（5）通频带宽，高频特性好。

（6）具有负温度参数，温度稳定性好。

（7）低的导通电阻Ron，既能提高最大输出功率，又能保持较低的耗散功率。

（8）输入、输出间的反馈电容小，线路便于设计和调整。

目前V－MOSFET已在高频功率放大、音频功放、开关电源及高速开关、直流转换等方面得到广泛的应用。

（四）BLF177和BLF278技术参数

1、BLF177外形及参数

图2-4BLF177外形图和电路符号

图2-4所示是BLF177的外形和电路符号，其中1是漏极，3是栅极，2和4是源极，属N沟道增强型V－MOSFET功率管，有以下特点：

（1）功率增益高。

（2）互调失真低。

（3）功率输出便于调整。

（4）温度稳定性好。

（5）抗负载失配能力强。

其他的主要参数包括：

漏源击穿电压VDSS（最小110V），栅源门限电压VGSth（2～4.5V），导通时的漏源间直流电阻RDSon（0.2Ω），正向跨导gfs和极间电容等，对设计高频功率放大器时是极为重要的参数，这里不再详细说明。

表2-1BLF177的RF性能数据

表2-2BLF177的极限参数

2、BLF278外形及参数

图2-5BLF278外形图和电路符号

图2-5所示是BLF278的外形和电路符号，其中1、2为漏极D1、D2，3、4为栅极G1、G2，5为源极S。

这是一个双推挽N沟道增强型的V－MOSFET功放管。

把特性完全相同的两个管芯封装在同一个底座上，专门用作推挽功率放大，提高输出功率，两个管子的源极是通过底座连接在一起的。

广泛地应用于VHF频段的全固态广播电视发射设备中。

其特点如下：

（1）它为电压控制器件，功率增益高。

（2）具有负的温度系数，温度稳定性好。

（3）栅－漏极的反馈电容小，设计和调整方便。

（4）输入、输出阻抗高，容易实现宽带匹配。

（5）效率高达80％。

（6）镀金层的电极，保证安全可靠。

表2-3BLF278的RF性能数据（推挽共源连接，25℃条件下）

表2-4BLF278的极限参数

表2-5BLF278的特性参数

（五）大功率MOSFET的使用

上述所介绍的两种MOSFET器件的特点都是热稳定性好，抗负载失配能力强，为电压控制器件，以栅极电压VGS控制漏极电流，正向跨导大，控制能力较强。

由于输入阻抗高，栅极的电流很小，所以要求激励功率小，功率增益高，但也由于输入阻抗很高，使得栅极感应的电荷不易泄放，由此而产生较高的感应电压，造成栅极的绝缘层容易被击穿而损坏，所以在使用和保存上述器件时应特别注意。

1、存放和使用

由于MOSFET器件的栅极极易受静电而损坏，是属于静电敏感器件。

所以应存放在防静电的包装盒内，或在各极短路的情况下保存。

在取用和安装过程中，需要采取防静电措施。

操作时操作人员必须带上手套和静电泄放手腕，没有条件的情况下，可先用手摸一下地线的方式，把人体上积聚的静电放掉，以免静电损坏功放管。

尤其在冬天干燥的季节，由于衣着物因摩擦而极易感应静电，应特别注意。

如没有防静电包装，也可把各极短路后保存。

安装新管子或是更换时，应先把器件安装在散热器上，将源极与地良好接触，这时用防静电烙铁或者拔掉电烙铁的电源插头来焊接，每次焊接的时间最好不超过5秒，以保证安装的新管子不被损坏。

还有一点应注意，BLF177和BLF278管子内部都含有氧化铍陶瓷，由于这种材料的散热效果特别好而被采用，但氧化铍本身是一种剧毒物质，要求使用者应特别注意，切勿用手直接触摸，更换下的坏管子也不可随意丢弃，应妥善的保管和处理，以防发生人身意外。

2、MOSFET的简单测量法

BLF177和BLF278的栅源门限电压在2～4.5V之间，而栅源的极限电压为±20V，漏源之间在导通状态下的直流电阻RDS＝0.2～0.3Ω，接近于0Ω。

利用这一特点，在测量管子时选用MF500型万用表，它的×10K电阻档内部接有9V电池，正端为红表笔与电池的负极连接，负端为黑表笔接电池的正极，测量时应先检查表笔是否在正确位置。

下面介绍测量方法：

（1）正向导通测量：

BLF177和BLF278的管脚位置见图2-4和图2-5，首先将红表笔接在源极s上，黑表笔接栅极g上，此时栅源间的电阻很大，表头指示不动，栅、源间的输入电容被正向充电，栅极为正电压，漏－源应该导通，这时红表笔不动，将黑表笔接在漏极d上，表头指示为0Ω，说明漏－源导通。

（2）反向夹断测量：

将黑表笔接源极s上，红表笔接栅极g上，由于电阻很大表头指示不动，栅、源间输入电容被反向充电，栅极为负电压，漏－源被截止。

这时将红表笔接源极s上，将黑表笔接漏极d上，表头指示不动电阻很大，说明管子被夹断。

通过上述的测量，我们可以判断功放管是否良好，在调试和维护功放时，如果要测量管子，也可以不必焊下来，只将焊接在周围影响测量的元器件挑开后即可进行。

二、30W功率放大器

30W功率放大器作为1.2kW功率放大器的前级推动，激励器输出的射频功率信号先经30W前级放大后，去推动末级的4×300W功率放大器。

电路原理如图2-6所示，分别由输入匹配回路、输出匹配回路、功放管、栅极偏置电路和电源部分组成。

30W前级功放的输入端串有一个20W、50Ω/4dB衰减器，一是防止过大激励的输入，二是阻止由于阻抗失配而反射的功率串入激励器。

为防止放大器产生震荡加入反馈电路。

输入匹配电路是将输入端的50Ω阻抗，通过一个LC匹配电路——采用切比雪夫微带变阻滤波器与BLF177的栅极输入阻抗相匹配，C3微薄膜介质可调电容器，通过调整C3可改变其谐振点，使输入匹配为最佳点。

它的输出匹配电路采用与输入匹配同样的阻抗变换电路，使输出端的50Ω负载阻抗与BLF177的漏极阻抗相匹配。

C15是将电源电压与输出端隔离并参与阻抗匹配，在输入、输出电路中使用切比雪夫滤波器型的阻抗匹配网络，即完成阻抗匹配，还可有效地除去谐波分量，其原理和计算可参阅有关资料。

输入和输出匹配电路中的所有电感均为微带线的形式，在原理图上没有标出位号，以粗黑线的形式表示。

电容器采用高品质的多层陶瓷片状电容，以消除引线电感对电路的不稳定因素。

栅极偏置电路除提供BLF177的门限电压外，还具有载波关断功能。

由于所用的BLF177功放管是N沟道增强型的，其栅极的栅偏压为正电压，由稳压二极管D4（4.7V）提供一个稳定的电平，调整电位器RP2来完成栅偏压的设置。

载波关断功能：

当功率放大器在没有正常工作之前，也就是功放管V1在没有加上漏极电源时，这时的V1应处于关断状态。

当功放电源正常时，来自控制板的－12V电压送到XS3-5上，使晶体管V3的基极偏置电压为负，V3被截止，这时场效应管V1的栅偏压为正常设置，V1为导通状态。

当功放电源不正常时，控制板送到XS3-5上的电平为0V，通过R24和R26的分压使V3处于导通状态，这时XS3-1上的－12V电压通过V3后与原来的正常偏压一起加在V1的栅极上，使栅极偏压为约－9V的电压，V1被反向关断，30W功放输出为0。

图2-630W功率放大器电原理图

三、300W功率放大器

300W功率放大器（简称300W功放模块）采用的是大功率场效应管BLF278，该功放管是在同一芯片工作的特性完全相同的两个管子，专门用作推挽功率放大。

其特点已在上节中详细介绍过。

由于BLF278的输入、输出阻抗很高，容易实现宽带匹配，因此功放电路简单，工作稳定可靠，不需调整即可覆盖整个FM广播频段，这一点是电子管功放的发射机所无法相比的。

300W功放模块的电路包括：

输入匹配电路、功放管、输出匹配电路和栅极偏置电路。

电路原理图如图2-7所示。

它的栅极偏置电路较30W功放的偏置电路简单，由监测单元提供的偏置电压经4.7V的稳压管VD1和VD2后，同时供给V1（BLF278）的两个栅极，两个栅极的偏压大小由监测单元的偏置电路自动设置并且保持一致。

在V1的两个漏－栅之间所加的并联反馈电路：

R4、R5、R6、R7，用于改善放大器的频率特性，且用来拟制寄生振荡。

图2-7300W功率放大器电原理图

300W功放模块所采用的是推挽放大，它的输入、输出匹配电路与30W功放的电路有所不同，方框图如图2-8所示。

首先要将不平衡输入端口变为反相的两个平衡端口。

图2-8300W功放模块方框图

（一）对称同轴不平衡－平衡阻抗变换器

图2-9简单同轴不平衡－平衡阻抗变换器

图2-9为简单同轴不平衡－平衡阻抗变换器。

同轴线的外导体②端接地，③端不接地，故①－②端口为不平衡输入端口，③－④端口为等幅反相输出端口。

其等幅反相原理是电荷守恒原理，即同轴传输线的任一截面处，内外导体的电流大小相等而相位相反。

从③端看，它与射频地之间还存在一段寄生线L2（漏损线），L2和L1等长，其电抗为jX2。

如果不考虑漏损线L2的影响，该阻抗变换器的带宽理论上是无限的。

然而在宽带工作时，漏损线L2的影响不能忽略，若取L1＜λg/4，则

。

式中ω是角频率，Vφ是漏损线的相速，L2＝L1则jX2呈现感抗。

随着频率降低，jX2也随之下降，使③端口对射频地的隔离下降，该端口的阻抗变换失衡。

为了补偿漏损线对不平衡－平衡阻抗变换器的影响，在④端口与射频地之间加上与L1等长的同轴线L3，这样平衡端口③－④与输入端口射频地②之间形成的终端短路线L2和L3是对称的。

如图2-10所示。

L2和L3的电抗效应和阻抗变换器的性能相关，L2和L3对称（L2＝L3，Z2＝Z3），则结构形式本身从理论上就确保了这种不平衡－平衡阻抗变换器的完美平衡。

由于③、④端口对射频地的隔离相平衡，且L2和L3的特性阻抗较高，近倍频程量级工作带宽是可以保证的。

图2-10对称同轴不平衡－平衡阻抗变换器

输出端的平衡－不平衡阻抗变换器是输入端不平衡－平衡阻抗变换器的倒置，将平衡的50Ω输出变为不平衡的50Ω输出。

300W功放模块的平衡－不平衡阻抗变换电路，除W1采用同轴线外，其余均采用了微带线来替代同轴线。

（二）输入、输出匹配电路

经不平衡－平衡阻抗变换后，平衡的50Ω输入阻抗对每个单管来说是25Ω。

如果采用1:

4变压器进行阻抗变换对每个单管来说是12.5Ω。

再通过切比雪夫微带变阻匹配滤波器与BLF278的栅源极阻抗匹配，调整输入端的C1可变电容，使输入匹配为最佳状态。

输出匹配回路也采用同样的电路，使漏－源极输出阻抗与平衡的50Ω相匹配。

输入、输出匹配均为宽带设计，而输出匹配电路在设计时以提高输出功率和效率为主。

由于功放管的输入、输出阻抗均为复数，阻抗匹配的目的是指在变换负载阻抗时，使虚数部分与信号源阻抗的虚数部分相抵消的同时，得到所需要的实数值，而在理论上又没有损耗的电路。

应满足以下条件：

1应无损耗地通过所需要的信号；

2应对杂散信号有足够的抑制；

3在所需要的工作频段内，应使信号源与负载匹配。

所以输入、输出匹配电路通常要通过LC匹配网络来实现。

LC匹配网络可以由分立元器件组成，也可由分布参数的元件来完成，须根据放大电路的具体情况而定。

低频小功率场合可用分立元器件完成，高频大功率场合则基本采用分布参数的元件来完成。

以上匹配电路中的电感均采用微带线（原理图中的粗黑线表示），而电容采用无感的多层陶瓷片状电容器。

这是因为在高频功率放大电路中，元器件的引线寄生电感会造成振荡，使电路工作不稳定。

由于300W功率放大器采用调谐回路作为负载的谐振功率放大器，调谐回路具有滤波能力，其输出的电压与电流近似于正弦波，失真很小。

300W功率放大器的功放管漏极电压48V，栅偏压为2V左右，放大器工作于丙类状态，功率增益达18dB，效率优于75％。

在FM频段内不需调整即能满足输出功率的要求。

四、1.2kW功率放大器

1.2kW功率放大器作为1kW调频广播发射机的末级功率放大器，在87～108MHz频率范围内输出功率不小于1kW，采用强制风冷散热，整个电路安装在一个19吋宽、5U高的标准机盒内。

其中包括如下部件：

△30W前级功放

△4个300W功放模块

△功率分配器（4分配）

△功率合成器（4合成）

△带有定向耦合器的谐波滤波器

△控制单元

图2-11所示是1.2kW功率放大器的电路原理图。

激励器输出的射频信号（RF）经一段同轴电缆送入30W前级功放，放大后的RF输出功率经由微带线4路功率分配器，分为4路幅度相同，相位相同的信号给4个300W功放模块。

工作于宽带和丙类状态下的4个300W功放，在FM频段内改变频率时不需要进行调整就可满足输出的需求，在额定输出功率不小于1kW时，每个功放至少提供260W的输出。

4路300W功放输出的4个幅度相同、相位相同的信号，经微带4路功率合成器合成，合成后的信号再经过一个低通滤波器和定向耦合器后输出至终端负载。

低通滤波器具有很好的阻带特性，使1.2kW功率放大器输出端的谐波抑制完全符合技术要求。

定向耦合器耦合输出3路信号：

一路供射频检测（指标测试用），另两路为入射、反射检测去控制单元。

功放中还设有温度检测功能，75℃常开型的温度继电器安装在功率合成的平衡电阻附近。

当其中某个300W功放模块故障时，合成器的平衡电阻将吸收两路信号不平衡的功率损耗，而产生热能向周围扩散。

图2-111.2KW功率放大器电原理图

在30W前级功放中设有AGC控制电路，当功放过温或输出驻波较大（VSWR＞1.5）时，控制单元的AGC电路送来一个控制电平，使30W输出功率减小，从而使总输出功率减小，防止功率放大器的损坏。

1.2kW功率放大器的技术参数：

频率范围：

87～108MHz

输入功率：

1.5～2W

输出功率：

≥1kW

负载阻抗：

50Ω

电源电压：

48Vdc

控制电压：

±12V，＋5Vdc

（一）功率分配器与合成器

在全固态的发射机中为了获得更高的输出功率，必须通过多个功率放大器单元的并联工作来实现。

为了支持多个功率放大器单元的正常工作，需要对输入功率进行分配和对输出功率进行合成，而分配器和合成器在电路形成上是相同的，是一种倒置关系。

在目前，发射机所采用的功率分配和合成的方式较多，包括有：

（1）900移相3dB功率合成器；

（2）1800反相3dB功率合成器；（3）同相二等分功率合成器（也称威尔金逊合成）；（4）多路功率直接合成法（也称吉赛尔合成）。

其中以微带线制成的微带功率分配器与合成器，其制作简单容易，且不存在无用输出端即吸收负载端，应用方便，适用于中、小功率的分配与合成。

我们先分析一下N路平衡型功率分配（合成）器的工作原理。

图2-12所示为N路功率分配器。

图1-12N路功率分配器

输入端与N个特性阻抗为ZC的阻抗变换节相连，然后再与N个负载相连，同时在各输出端之间为避免相互干扰而接入N个平衡隔离电阻Ri。

设输入端的信号源内阻为RS，负载电阻为RL。

那么各路的阻抗变换节的特性阻抗为：

式（2-1）

其中N为功率分配器的路数。

由于电路结构的对称性，将使输入功率被分成大小相等的N路输出，当输出各路均接匹配负载RL时，只需各路信号所经过的电长度相同（都是

），各输出端将处于同电位，因而输出端口和公共结