电力电子实验四BJT单相并联逆变电路.docx
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电力电子实验四BJT单相并联逆变电路
BJT单相并联逆变电路
一、实训目的
1、熟悉由功率双极晶体管（BJT）组成的单相并联逆变电路的工作原理。
2、了解功率双极晶体管的驱动和保护。
3、掌握无源逆变电路的调试及负载电压、电流参数和波形的测量。
二、实训电路
1、实训电路如图下画所示
2、实训电路工作原理
实训电路由脉冲发生电路（控制电路）和逆变电路（主电路）两部分构成。
（1）由555定时器构成的电路是一个多谐振荡器，由〈电子技术〉可知，调节电位器RP，即可调节输出量的频率。
同样由〈电子技术〉可知，此电路改变频率时，占空比也会变（且占空比q＞50％）。
（2）图中的JK触发器为整形电路，驱动管V3和V4，在V3和V4中，只能有一个处于导通状态。
（阻止逆变失败）。
（3）由功率晶体管V1、V2和变压器T构成单相（无源）逆变电路。
与V1、V2并联的阻容及
快速恢复二极管为耗能式关断缓冲（吸收）电路，以缓解晶体管突然关断时承受的冲击。
电路中的R9为保护电阻，以防逆变失败时，形成过大的电流（电路正常后，将R9短接）
损坏功率晶体管V1、V2。
三、实训设备
1、亚龙YL-209型实训装置单元（5）
2、双踪示波器
3、万用表
四、实训内容与步骤
1、控制电路接上+15V和+5V电源，用示波器观测控制电路各点（3、4、5、6、7点）电压
的数值与波形。
观察：
①调节RP，频率是否连续可调，读出此时频率为多少？
频率改变时，脉宽有无
变化？
②4、5点频率是否3点的一半，4、5两点波形是否正好相反。
③6、7点波形与幅值与4、5点是否相同。
2、将主电路中的+12V电源（因电流较大，建议采用直流可调电源），电压表，电流表和负
载（白炽灯）全部接上，并将主电路与控制电路接通。
3、用示波器测量负载上的电压波形，观察逆变电路工作是否正常。
观察：
①11、12点（或10、12点）间的电压波形。
②电压表和电流表读数。
③负载（白炽灯）上的电压波形。
若正常，则将R9短接。
1、调节RP，记录下RP为零（f＝f0）和
电流I的数值与波形。
RP为最大（
f＝fm）时负载电压
U0和逆变电路输入
观测量
U0（V）
I（Α）
U0波形
I波形
频率（
HZ）
f0
fm
五、实训注意事项
1、用双踪示波器测量各点波形并进行比较时，其探头的公共端均接电路零点（G）端。
2、限流电阻R9，待电路正常后才可去掉（短接）。
六、实训报告
1、记录下某一频率下的
U3、U4、U6、U12和
U0,
并进行比较（以
U3为参考波形）（波形竖排）。
2、记录
f0、fm时的
U0和
I
的数值与波形，并比较
U0和
I
的波形是否相同？
为什么？
应知内容：
一、集成
555定时器
集成时基电路555是一种应用广泛的器件，其内部既有运算放大器这样的模拟电子电
路，又有触发器这样的逻辑电路，是模拟电子技术与数字电子技术的结合体。
集成时基电路555的结构简单，使用方便灵活，只要外部配接少数几个阻容元件，便可
组成数字电路的三种最基本的电路:
双稳态电路（施密特触发器）、单稳态电路、无稳态电
路（多谐振荡器）。
1、电路结构
2、功能分析（555时基电路功能表）
3、时基电路555的典型应用
（一）用555构成多谐振荡器电路的振荡周期：
T≈0.7（R1+2R2）C
555构成的多谐振荡器通常作为脉冲信号发生器，在时序电路中的时钟脉冲信号就可以
由多谐振荡器产生。
多谐振荡器还可构成定时、声响等其他电路。
（二）用555组成单稳态触发器输出脉冲宽度：
TW≈1.1RC
单稳态触发器可以构成定时电路，与继电器或驱动放大电路配合，可实现自动控制、定
时开关的功能。
单稳态触发器还可以用于波形的整形及信号的分频。
（三）用555构成施密特触发器
用555构成施密特触发器常用于波形变换（如将模拟信号波形转换成矩形波）、波形整
形（如利用其回差特性将受到干扰的数字信号整形成规则的矩形波以消除干扰）与幅度鉴别
（施密特触发器的翻转取决于输入信号是否高于V+或低于V-，利用此特性可以从一串脉冲中
检出符合幅度要求的脉冲）。
回差电压：
UT
二、JK触发器
UT
UT
1U
CC
3
JK触发器是JK主从触发器的简称，它是在基本RS触发器的
基础上经同步RS触发器、主从RS触发器演变而来的。
主从JK触
发器的逻辑功能较强，并且J与K间不存在约束条件，因此用途更
加广泛。
1、JK触发器的逻辑符合与集成JK触发器管脚排列
由上图可知，J端和K端是信号输入端，是发生触发的前提，Q
和Q为输出端，连接CP的引脚有个三角形与O，表示该触发器是一种下降边沿触发有效的边沿触发器。
通常把Q=0、Q=1的状态定为触发器的“0”状态；而把Q=1、Q=0定为触发器的“1”
状态。
74LS112触发器为双JK触发器，T078C为单JK集成触发器，可以看到
1CP、2CP或C1、C2端为时钟输入端（下降沿有效）
1J、2J、1K、2K或J1、J2、J3、K1、K2、K3端为数据输入端,其中J＝J1×J2×J3（J与J1、J2、J3是逻辑与的关系），K＝K1×K2×K3（K与K1、K2、K3也是逻辑与的关系）；
1Q、2Q、1Q、2Q或Q、Q端为输出端；
1RD、2RD端为直接复位端或置“0”端（低电平有效）
1SD、2SD端为直接置位端或置“1”端（低电平有效）。
2、JK触发器的功能表
n+1
3、JK触发器Q的卡诺图、特性方程、状态转换图与波形图
JK触发器Qn+1的卡诺图如下：
由此可得JK触发器的特性方程为：
Qn1
JQn
KQn
JK触发器的状态转换图如图
3所示。
J=1
图2
JK触发器Qn+1的卡诺图
图3JK
K=×
触发器的状态转换图
Qn+1
Qn
4所示。
JK触发K器的波形图如图
J
00
01
11
10
J=0
J=×
0
0
图4
0
1
0
1
JK触发器的波形图
0
K=×
K=0
三、大功率晶体1管
GTR1
0
1
1
1、基本结构
J=×
K=1
通常把集电极最大允许耗散功率在1W以上，或最大集电极电流在1A以上的三极管称为
大功率晶体管，其结构和工作原理都和小功率晶体管非常相似。
由三层半导体、两个PN结
组成，有PNP和NPN两种结构，其电流由两种载流子（电子和空穴）的运动形成，所以称为
双极型晶体管。
下图1（a）是NPN型功率晶体管的内部结构，电气图形符号如图（b）所示。
大多数GTR
是用三重扩散法制成的，或者是在集电极高掺杂的N+硅衬底上用外延生长法生长一层N漂
移层，然后在上面扩散P基区，接着扩散掺杂的N+发射区。
图1GTR的结构、电气图形符号和内部载流子流动
（a）GTR的结构（b）电气图形符号（c）内部载流子的流动
大功率晶体管通常采用共发射极接法，图1（c）给出了共发射极接法时的功率晶体管内
部主要载流子流动示意图。
一些常见大功率晶体三
极管的外形如图2所示。
从
图可见，大功率晶体三极管
的外形除体积比较大外，其
外壳上都有安装孔或安装螺
钉，便于将三极管安装在外
加的散热器上。
因为对大功率三极管来讲，单靠外壳散热是远远不够的。
例如，50W的硅低
频大功率晶体三极管，如果不加散热器工作，其最大允许耗散功率仅为2～3W。
2、工作原理
在电力电子技术中，GTR主要工作在开关状态。
晶体管通常连接称共发射极电路，NPN
型GTR通常工作在正偏（Ib>0）时大电流导通；反偏（Ib<0）时处于截止高电压状态。
因此，给GTR的基极施加幅度足够大的脉冲驱动信号，它将工作于导通和截止的开关工作状态。
1）静态特性
共发射极接法时，
GTR的典型输出特性如图，可分为
3个工作区：
截止区：
在截止区内，Ib≤0，Ube≤0，Ubc＜0，Ic
区
放大区
集电极只有漏电流流过。
和
饱
ib3
放大区：
Ib＞0，Ube＞0，Ubc＜0，Ic=βIb。
Ics
ib2
Ib
，Ube＞0，Ubc＞0。
Ics是集
ib1
饱和区：
ib1电极饱和电流，其值由外电路决定。
两个
PN结都
截止区
O
Uce
为正向偏置是饱和的特征。
饱和时集电极、发射
图1-16
极间的管压降Uces很小，相当于开关接通，这时尽管电流很大，但损耗并不大。
GTR刚进入
饱和时为临界饱和，如
Ib继续增加，则为过饱和。
用作开关时，应工作在深度饱和状态，
这有利于降低Uces和减小导通时的损耗。
2）动态特性
动态特性描述GTR开关过程的瞬态性能，又称开关特性。
下图表明了GTR开关特性的基
极、集电极电流波形。
整个工作过程分为开通过程、导通状态、关断过程、阻断状态4个不同的阶段。
图中开
通时间ton对应着GTR由截止到饱和的开通过程，关断时间toff对应着GTR饱和到截止的关断
过程。
GTR的开通过程是从t0时刻起注入基极驱动电流，这时并不能立刻产生集电极电流，
过一小段时间后，集电极电流开始上升，逐渐增至饱和电流值
I
cs
。
把i
c
达到10%I
的时刻
cs
定为t1
，达到90%Ics的时刻定为t2
，则把t0到t1这段时间称为延迟时间，以
td表示，把
t1到t2
这段时间称为上升时间，以
tr表示。
要关断GTR，通常给基极加一个负的电流脉冲。
但集电极电流并不能立即减小，而要经
过一段时间才能开始减小，再
ib
Ib1
逐渐降为零。
把ib降为稳态值
90%Ib1
Ib1的90%的时刻定为t3，ic下
降到90%Ics的时刻定为t4
，
10%Ib1
下降到
cs
的时刻定为t5，
0
t
10%I
Ib2
则把t3
到t4
这段时间称为储
ton
toff
存时间，以ts表示，把t4
到
ic
tdtr
ts
tf
t5
这段时间称为下降时间，
以
Ics
90%Ics
tf
表示。
延迟时间td和上升时间tr
10%Ics
之和是GTR从关断到导通所需
0
t0
t1
t2
t3
t4
t5
t
要的时间，称为开通时间，以
ton表示，则ton=t
d+t
r
图1-17
储存时间ts和下降时间tf之和是GTR从导通到关断所需要的时间，称为关断时间，以
toff表示，则toff=ts+tf
GTR在关断时漏电流很小，导通时饱和压降很小。
因此，GTR在导通和关断状态下损耗
都很小，但在关断和导通的转换过程中，电流和电压都较大，随意开关过程中损耗也较大。
当开关频率较高时，开关损耗是总损耗的主要部分。
因此，缩短开通和关断时间对降低损耗，
提高效率和运行可靠性很有意义。
3、GTR的参数
主要有GTR的极限参数，即最高工作电压、最大工作电流、最大耗散功率和最高工作结
温等。
①最高工作电压
GTR上所施加的电压超过规定值时，就会发生击穿。
击穿电压不仅和晶体管本身特性有
关，还与外电路接法有关。
BUcbo：
发射极开路时，集电极和基极间的反向击穿电压。
BUceo：
基极开路时，集电极和发射极之间的击穿电压。
BUcer：
实际电路中，GTR的发射极和基极之间常接有电阻R，这时用BUcer表示集电极和
发射极之间的击穿电压。
BUces：
当R为0，即发射极和基极短路，用BUces表示其击穿电压。
BUcex：
发射结反向偏置时，集电极和发射极之间的击穿电压。
其中
BUcbo>BUcex>BUces>BUcer>BUceo，实际使用时，为确保安全，最高工作电压要比
BUceo低
得多。
②集电极最大允许电流IcM
GTR流过的电流过大，会使GTR参数劣化，性能将变得不稳定，尤其是发射极的集边效
应可能导致
GTR损坏。
因此，必须规定集电极最大允许电流值。
通常规定共发射极电流放大
系数下降到规定值的
1/2
～1/3
时，所对应的电流
Ic为集电极最大允许电流，
以IcM表示。
实
际使用时还要留有较大的安全余量，一般只能用到
IcM值的一半或稍多些。
③集电极最大耗散功率
PcM
集电极最大耗散功率是在最高工作温度下允许的耗散功率，用
PcM表示。
它是
GTR容量
的重要标志。
晶体管功耗的大小主要由集电极工作电压和工作电流的乘积来决定，
它将转化
为热能使晶体管升温，晶体管会因温度过高而损坏。
实际使用时，集电极允许耗散功率和散
热条件与工作环境温度有关。
所以在使用中应特别注意值IC不能过大，散热条件要好。
④最高工作结温TJM
GTR正常工作允许的最高结温，以TJM表示。
GTR结温过高时，会导致热击穿而烧坏。
（3）GTR的二次击穿和安全工作区
1）击穿问题
一次击穿：
集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速
增大，出现雪崩击穿。
只要Ic不超过限度，GTR一般不
会损坏，工作特性也不变。
二次击穿：
是由于集电极电压升高到一定值（未
达到极限值）时，发生雪崩效应造成的Ic增大到某个临
界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降（负阻效
应）。
常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显
衰变。
由于管子结面的缺陷、结构参数的不均匀，使局部
电流密度剧增，形成恶性循环，使管子永久损坏。
实践表明，GTR即使工作在最大耗散功率范围内，仍
有可能突然损坏，其原因一般是由二次击穿引起的，二次
击穿是影响GTR安全可靠工作的一各重要因素。
二次击穿的持续时间在纳秒到微秒之间完成，由于管子的材料、工艺等因素的分散性，
二次击穿难以计算和预测。
防止二次击穿的办法是：
①应使实际使用的工作电压比反向击穿
电压低得多。
②必须有电压电流缓冲保护措施。
2）安全工作区
以直流极限参数IcM、PcM、UceM构成的工作区为一次击穿工作区，按基极偏置分类可分为
正偏安全工作区FBSOA和反偏安全工作区RBSOA。
正偏安全工作区又叫开通安全工作区，它是
基极正向偏置条件下由GTR的最大允许集电极电
流ICM、最大允许集电极电压BUCEO、最大允许集电
极功耗PCM以及二次击穿功率PSB四条限制线所围
成的区域。
反偏安全工作区又称GTR的关断安全工作区。
它
表示在反向偏置状态下GTR关断过程中电压UCE、电流
IC限制界线所围成的区域。
如下图所示。
以USB（二次击穿电压）与ISB（二次
击穿电流）组成的PSB（二次击穿功率）
如图中虚线所示，它是一个不等功率
曲线。
以3DD8E晶体管测试数据为例，
其PcM=100W，BUceo≥200V，但由于受到击穿的限制，当Uce=100V时，PSB为60W，
Uce=200V时PSB仅为28W！
所以，为了
防止二次击穿，要选用足够大功率的
管子，实际使用的最高电压通常比管
子的极限电压低很多。
安全工作区是在一定的温度条件下得出的，例如环境温度25℃或壳温75℃等，使用时
若超过上述指定温度值，允许功耗和二次击穿耐量都必须降额。
4、GTR的驱动与保护
ib
1）GTR对基极驱动电路的要求
Ot
①提供合适的正反向基流以保证GTR可靠导通与关断（期望的基极驱动电流波形如图所
示）。
在使GTR导通时，基极正向驱动电流应有足够陡的前沿，并有一定幅度的强制电流，
以加速开通过程，减小开通损耗。
在GTR导通期间，在任何负载下，基极电流都应使GTR
处在临界饱和状态，这样既可降低导通饱和压降，又可缩短关断时间。
在使GTR关断时，应
向基极提供足够大的反向基极电流，以加快关断速度，减小关段损耗。
②由于GTR主电路电压较高，控制电路电压较低，所以应实现主电路与控制电路间的电
隔离。
③应有较强的抗干扰能力，并有一定的保护功能。
2）双电源分立元件基极驱动电路
下图是一个简单实用的GTR驱动电路。
该电路采用正、负双电源供电。
当输入信号为高
电平时，三极管V1、V2和V3导通，而V4截止，这时V5就导通。
二极管VD3可以保证GTR
导通时工作在临界饱和状态。
流过二极管VD3的电流随GTR的临界饱和程度而改变，自动调
节基极电流。
当输入低电平时，V1、V2、V3截止，而V4导通，这就给GTR的基极一个负电
流，使GTR截止。
在V4导通期间，GTR的基极-发射极一直处于负偏置状态，这就避免了反
向电流的通过，从而防止同一桥臂另一个GTR导通产生过电流。
3）集成化驱动
集成化驱动电路克服了一般电路元件
多、电路复杂、稳定性差和使用不便的缺点，
还增加了保护功能。
如法国THOMSON公司为
GTR专门设计的基极驱动芯片UAA4002。
采用
此芯片可以简化基极驱动电路，提高基极驱
动电路的集成度、可靠性、快速性。
它把对
GTR的完整保护和最优驱动结合起来，使GTR
运行于自身可保护的准饱和最佳状态。
4）GTR的保护电路
为了使GTR在厂家规定的安全工作区内可靠的工作，必须对其采用必要的保护措施。
而
对GTR的保护相对来说比较复杂，因为它的开关频率较高，采用快熔保护是无效的。
一般采用缓冲电路。
主要有RC缓冲电路、充放电型R-C-VD缓冲电路和阻止放电型R-C-VD缓冲电路三种形式，如图所示。
（a）RC缓冲电路（b）充放电型R-C-VD缓冲电路（c）阻止放电型R-C-VD缓冲电路
①RC缓冲电路简单，对关断时集电极—发射极间电压上升有抑制作用。
这种电路只适用于小容量的GTR（电流10A以下）。
②充放电型R-C-VD缓冲电路增加了缓冲二极管VD2，可以用于大容量的GTR。
但它的损耗（在缓冲电路的电阻上产生的）较大，不适合用于高频开关电路。
③阻止放电型R-C-VD缓冲电路，较常用于大容量GTR和高频开关电路的缓冲器。
其最
大优点是缓冲产生的损耗小。
为了使GTR正常可靠地工作，除采用缓冲电路之外，还应设计最佳驱动电路，并使GTR
工作于准饱和状态。
另外，采用电流检测环节，在故障时封锁GTR的控制脉冲，使其及时关
断，保证GTR电控装置安全可靠地工作；在GTR电控系统中设置过压、欠压和过热保护单元，
以保证安全可靠地工作。
四、逆变器
1、逆变的基本概念
将直流电变换成交流电的电路称为逆变电路，根据交流电的用途可以分为有源逆变和无源逆变。
有源逆变是把交流电回馈电网，无源逆变是把交流电供给不同频率需要的负载。
2、逆变器的类型
（1）依据直流电源的类型
（2）依据输出电压性质不同
（3）按逆变电路结构不同
（4）依据开关四件及其关断（换流）方式不同
负载谐振换流：
由负载谐振电路产生一个电压，在换流时关断已经导通的晶闸管，一般有串联和并联谐振逆变电路，或两者共同组成的串、并联谐振逆变电路。
强迫换流：
附加换流电路，在换流时产生一个反向电压关断晶闸管。
器件换流：
利用全控型器件的自关断能力进行换流。
下面是几种典型的拓扑结构。
实际应用中多采用单相全桥和三相桥结构。
3、电压型单相全桥逆变电路工作过程：
T1、T4和T2、T3交替导通，但
T1（T4）
与T2（T3）驱动信号互补，否则会出现桥
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