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春季学期模拟电子技术第二次作业

2011年春季学期模拟电子技术第二次作业

一、单项选择题(本大题共10分,共10小题,每小题1分)

1.当P沟道增强型场效应管工作在恒流区时,漏极电位()源极电位。

A.大于B.小于C.等于

2.场效应管是利用外加电压产生的()来控制漏极电流的大小的。

A.电流B.电场C.电压

3.

A.

B.

C.

4.在某放大电路中,测得三极管处于放大状态时三个电极的电位分别为0V,10V,9.3V,则这只三极管是()。

A.NPN型硅管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管

5.PN结加正向电压时,空间电荷区将()。

A.

变窄

B.基本不变C.变宽

6.

A.能稳定静态工作点B.不能稳定静态工作点C.不仅能稳定静态工作点且效果比接有射极电阻时更好。

7.当耗尽型场效应管工作于放大区时,场效应管ID的数学表达式为()。

A.

B.

C.

8.

A.放大区、B.饱和区C.截止区

9.共模抑制比越大,集成运放()。

A.放大倍数越稳定B.增益越大C.抑制温度漂移和共模信号能力越强D.输入信号中的差模成份越大

10.对信号源内阻大于2MΩ、频率低于1kHz的信号源进行有源滤波处理,应选择何种类型的集成运放?

A.通用型运放B.高输入阻抗型运放C.高精度型运放D.高压型运放E.使输出电压为零的输入补偿电压

二、填空题(本大题共15分,共15小题,每小题1分)

1.场效应管可以组成3种基本放大电路:

______、______和______。

2.结型场效应管是耗尽型场效应管,有______和______2种沟道。

3.N沟道JFET的输出特性和转移特性与______MOS场效应管相似。

结型场效应管的输出特性也有三个工作区域:

______、______和______。

4.在放大电路中,______的通路称为直流通路。

在直流通路中,电容等效为______,电感等效为______。

5.集成制造在一块微小的半导体基片上、完成特定功能的电子电路称为______,混合集成电路是将单片集成电路和______作在衬底或印制电路板上的小型化电子电路。

6.热击穿______PN结,电击穿______损坏PN结。

7.PN结的势垒电容与PN结的______有关,PN结的扩散电容与PN结通过的______有关。

8.晶体管集电极电流变化量ΔIC与______之比为共基极交流放大系数α;集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB之比为______。

9.场效应管的自给偏压式偏置电路适用于______场效应管,不适用于______场效应管。

10.二极管的阳极与PN结的______相连,阴极与______相连。

11.差动放大电路有4种输入输出方式:

______,______,______和______。

12.在栅源电压等于零时,增强型场效应管无______,______场效应管有导电沟道。

MOS场效应管的______电流近似等于零。

13.在分析放大电路的频率响应时,一般将信号的频率范围分为高频、中频和低频三个频段。

在中频段,极间电容视为______,耦合电容(或旁路电容)视为______;在高频段,耦合电容(或旁路电容)同样视为短路,主要考虑______的影响;在低频段,极间电容视为开路,主要考虑______的影响。

14.______为了保证器件安全工作或保证器件特性,运放工作时不能超过绝对最大额定值。

绝对最大额定值包括:

______、______、______、______。

15.晶体管的集电极电流与发射结电压是______函数,导致差分放大电路的输出电压与输入电压是______函数。

三、判断改错题(本大题共20分,共10小题,每小题2分)

1.PN结的反向势垒电容损耗较大。

2.试判断下图所示电路能否正常放大?

为什么?

3.面接触型二极管允许通过的电流大。

但是,结电容大、工作频率低。

4.当PN结的端电压不变时,PN结的电容不起作用。

5.NPN晶体管包含2个PN结。

所以,2个二极管适当连接可以形成NPN晶体管。

6.普通二极管只能工作在反向特性区和正向特性区。

7.如果PN结的P区电位高于N区电位,则PN结作用反向电压。

8.电路和场效应管的输出特性如图2所示。

分析当vI=4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。

9.在图1所示的由NPN型管组成的共射电路中,由于电路参数不同,在信号源电压为正弦波时,测得输出波形如图2(a)、(b)、(c)所示,试说明电路分别产生了什么失真,如何消除?

10.判断图3所示各电路中是否引入了反馈,是直流反馈还是交流反馈,是正反馈还是负反馈。

设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

 

四、作图题(本大题共5分,共2小题,每小题2.5分)

1.

2.

五、计算题(本大题共30分,共6小题,每小题5分)

1.

2.图1的电路(双输入双输出接入RL时)参数均不变,若用直流电压表测得输出电压(含直流量和交变量)为6V,试问输入电压vid约为多少?

3.

4.电路如图2所示,设二极管是理想的,求传输特性(输出电压与输入电压的关系)。

5.

6.

六、简答题(本大题共10分,共10小题,每小题1分)

1.什么是共源放大电路?

有何特点?

2.简述晶体管放大电路直流偏置的作用。

3.什么是穿透电流?

4.如何保证二极管安全运行?

5.共集-共基放大电路有何特点?

6.什么是OCL功率放大器?

7.什么是共基极放大电路?

有何特点?

8.

9.

10.在什么情况下,晶体管的低频小信号模型与高频小信号模型等效。

七、问答题(本大题共5分,共2小题,每小题2.5分)

1.

2.现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V。

试问:

(1)若将它们串联连接,则可得到几种稳压值?

各为多少?

(2)若将它们并联连接,则又可得到几种稳压值?

各为多少?

八、分析题(本大题共5分,共1小题,每小题5分)

答案:

一、单项选择题(10分,共10题,每小题1分)

1.B2.B3.A4.A5.A6.B7.C8.A9.C10.B

二、填空题(15分,共15题,每小题1分)

1.

参考答案:

共源放大电路;共漏放大电路;共栅放大电路

解题方案:

评分标准:

2.

参考答案:

P;N

解题方案:

评分标准:

3.

参考答案:

N沟道耗尽型;可变电阻区;恒流区;截止区

解题方案:

评分标准:

4.

参考答案:

直流电流;开路;短路

解题方案:

评分标准:

5.

参考答案:

单片集成电路;无源元件制

解题方案:

评分标准:

6.

参考答案:

损坏;不

解题方案:

评分标准:

7.

参考答案:

端电压;电流

解题方案:

评分标准:

8.

参考答案:

射极电流变化量ΔIE;共射极交流放大系数β

解题方案:

评分标准:

9.

参考答案:

耗尽型;增强型

解题方案:

评分标准:

10.

参考答案:

P区;N区

解题方案:

评分标准:

11.

参考答案:

双端输入双端输出;双端输入单端输出;单端输入双端输出;单端输入单端输出

解题方案:

评分标准:

12.

参考答案:

导电沟道;耗尽型;栅极

解题方案:

评分标准:

13.

参考答案:

开路;短路;耦合电容;旁路电容

解题方案:

评分标准:

14.

参考答案:

最大电源电压;最大共模输入电压;最大功率损耗;最大差模输入电压

解题方案:

评分标准:

15.

参考答案:

指数;双曲正切函数

解题方案:

评分标准:

三、判断改错题(20分,共10题,每小题2分)

1.

参考答案:

错误,由于PN结的反向电流小,PN结的反向势垒电容损耗较小。

解题方案:

评分标准:

2.

参考答案:

错误,图(a):

不能放大,N沟道结型场效应管的PN结正偏。

图(b):

不能放大,N沟道增强型场效应管工作在截止区。

解题方案:

评分标准:

3.

参考答案:

解题方案:

评分标准:

4.

参考答案:

解题方案:

评分标准:

5.

参考答案:

错误。

NPN晶体管包含2个PN结是相互影响的,导致基极电流控制集电极电流。

2个二极管的PN结是相互独立的,不能形成晶体管。

解题方案:

评分标准:

6.

参考答案:

解题方案:

评分标准:

7.

参考答案:

解题方案:

如果PN结的P区电位高于N区电位,则PN结作用正向电压。

评分标准:

8.

参考答案:

 

解题方案:

评分标准:

9.

参考答案:

正确,利用图解法分析放大电路:

(a)饱和失真,(b)截止失真,(c)饱和失真和截止失真(输入信号过大)

解题方案:

评分标准:

10.

参考答案:

正确,图3(a):

Rf对晶体管T引入交直流、电压、并联、负反馈。

图3(b):

R4、R5对晶体管T1和T2放大器引入交直流、电压、并联、负反馈。

图3(c):

R4、R7对晶体管T1和T2放大器引入交直流、电压、串联、负反馈。

图3(d):

C2、R3、R7对晶体管T1、T2和T3放大器引入直流、电压、并联、负反馈。

R2、R4、R9对晶体管T1、T2和T3放大器引入电流、串联、负反馈。

解题方案:

评分标准:

四、作图题(5分,共2题,每小题2.5分)

1.

参考答案:

解题方案:

利用二极管的理想模型求解。

评分标准:

2.

参考答案:

解题方案:

评分标准:

五、计算题(30分,共6题,每小题5分)

1.

参考答案:

解题方案:

评分标准:

2.

参考答案:

解题方案:

评分标准:

3.

参考答案:

解题方案:

评分标准:

4.

参考答案:

解题方案:

判断二极管是否导通。

评分标准:

5.

参考答案:

解题方案:

评分标准:

6.

参考答案:

解题方案:

评分标准:

六、简答题(10分,共10题,每小题1分)

1.

参考答案:

场效应管的源极同时在输入回路和输出回路中的放大电路既是共源放大电路。

特点是输出电压与输入电压相位相反,输入电阻和输出电阻较大,增益与低频跨导成正比,频率特性较差。

解题方案:

评分标准:

2.

参考答案:

解题方案:

评分标准:

3.

参考答案:

穿透电流是基极开路时穿过2个PN结的集电极电流。

解题方案:

评分标准:

4.

参考答案:

为了安全运行,二极管的实际工作电压应小于最高反向工作电压VR,实际的正向平均电流应小于最大平均整流电流IF。

解题方案:

评分标准:

5.

参考答案:

输入电阻和电压增益都较大,输入输出电压相位相同,频率特性好。

解题方案:

评分标准:

6.

参考答案:

负载与功率放大电路是直接耦合,输出端无电容,故称为OCL(OutputCapacitor-Less)功率放大电路,简称OCL电路。

解题方案:

评分标准:

7.

参考答案:

晶体管的基极同时位于输入回路和输出回路中的放大电路就是共基极放大电路。

共基极放大电路的输出电压与输入电压相位相同,放大能力与共射极放大电路相当。

输入电阻较小,输出电阻较大,频率特性好。

解题方案:

评分标准:

8.

参考答案:

解题方案:

评分标准:

9.

参考答案:

≈14W,交越失真T2管截止T3管导通,可能因功耗过大烧坏

解题方案:

评分标准:

10.

参考答案:

当信号频率小于晶体管的截止频率时,晶体管的低频小信号模型与高频小信号模型等效。

解题方案:

评分标准:

七、问答题(5分,共2题,每小题2.5分)

1.

参考答案:

解题方案:

判断稳压二极管是否反向击穿稳压。

评分标准:

2.

参考答案:

(1)顺向串联:

1.4V,14V;反向串联:

6.7V,8.7V。

(2)顺向并联:

0.7V,6V;反向并联:

0.7V。

解题方案:

评分标准:

八、分析题(5分,共1题,每小题5分)

0.

参考答案:

解题方案:

评分标准:

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