内存颗粒和模组编号知识.docx
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内存颗粒和模组编号知识
存颗粒和模组编号知识
老头儿的存颗粒和模组编号知识60问
(xalq329.blog..,谦2009-04-24发表)
在存的颗粒和模组的编号中浓缩着存的主要技术信息,但是,除了JEDEC对模组的标注方法有一个原则规定外,颗粒和模组的编号规则都是由各个生产厂自行设定的,编号方法很不一致。
因此,网上有关编号的问题的讨论也很多,我认为,有许多理解是不准确的。
为此,我花了一些时间到境外生产厂的英文官方去寻求答案。
力求收集得全面一些。
还真的有不少斩获。
现将它们整理出来,供网友们参考。
当然,所涉及的存种类主要是个人电脑用户接触到的UDIMM(Unbufferednon-ECCDIMM也称UBDIMM)存和SO-DIMM(SmallOutlineDIMM)存。
服务器存和其他专用存都没有涉及。
为了便于读者朋友查询,我编了一个存颗粒编号速查表和存模组编号速查表(见问题3问题4)。
当您要查询一个未知存编号的含义时,可以首先跟这个速查表比对,了解了生产这种存的厂商后,再根据本目录查询具体含义。
一.关于存的编号
1.目前的主要存厂商有哪些?
2.存是怎样编号的?
3.请给出常用存颗粒编号速查表!
4.请给出常用存模组编号速查表!
二.关于存的编号方法
5.颗粒编号中的术语有哪些?
说明其含义。
6.当表示颗粒结构时用“128M×8”是什么意思?
7.怎样根据颗粒编号求出BANK深度?
8.怎样根据颗粒编号求出颗粒深度?
9.如何根据颗粒的编号计算模组容量?
10.怎样从存编号中知道存的速度?
11.存模组编号的术语有那些?
说明其含义。
12.当表示模组结构时用256M×64是什么意思?
13.什么是RANK?
14.如何根据模组的编号计算模组的容量?
15.如何根据模组和颗粒的编号推算模组的颗粒数?
16.JEDEC对存编号容是如何规定的?
17.请解释JEDEC标准中有关存名词及其含义
18.如何根据模组的编号计算模组的RANK数?
19.模组的RANK数跟模组的面数有什么关系?
20.存标签上的2R×8就表明存是双面8个颗粒吗?
21.存标签上的WarrantyVoid是什么意思?
22.存标签上的UNB和SOD是什么意思?
23.在存标签上写的RoHS是什么意思?
24.有害物质是指哪些?
25.存标签上的“0820”是什么意思?
26.存标签上的P/N和S/N是什么意思?
27.我的存是2GB的,为什么颗粒编号说是1GB的?
三.几个主要存厂商编号方法介绍
28.三星存的颗粒是怎样编号的?
29.三星存的模组是怎样编号的?
30.海力士存以“HY5”为前缀的颗粒是怎样编号的?
31.海力士存以“H5”为前缀的颗粒是怎样编号的?
32.海力士SDRAM存模组是怎样编号的?
33.海力士DDR存模组是怎样编号的?
34.海力士DDR2存模组是怎样编号的?
35.海力士DDR3存模组是怎样编号的?
36.现代的乐金存是怎样编号的?
37.美光存的颗粒是怎样编号的?
38.美光存的模组是怎样编号的?
39.日立、日电和东芝旧存颗粒是怎样编号的?
40.尔必达存的颗粒是怎样编号的?
41.尔必达存的模组是怎样编号的?
42.英飞凌和奇梦达存的颗粒是怎样编号的?
43.英飞凌和奇梦达存的模组是怎样编号的?
44.南亚存的颗粒是怎样编号的?
45.南亚存的模组是怎样编号的?
46.易胜的颗粒是怎样编号的?
47.易胜的模组是怎样编号的?
48.力晶的存是怎样编号的?
49.茂矽和茂德的颗粒是如何编号的?
50.茂矽和茂德的模组是如何编号的?
51.金士顿Avardram存是如何编号的?
52.金士顿HyperX存是如何编号的?
53.世迈存的模组是如何编号的?
54.海盗船存是怎样编号的?
55.瑞士军刀存模组是怎样编号的?
56.胜创的存是怎样编号的?
57.威刚存模组是怎样编号的?
58.宇瞻存模组是怎样编号的?
59.金邦存模组是怎样编号的?
60.超胜存是怎样编号的?
一.关于存的编号
1.目前的主要存厂商有哪些?
答:
存生产厂商很多,颗粒的生产厂商主要是韩国的三星、海力士;日本的尔必达;美国的美光;德国的奇梦达和我国的南亚、力晶和茂德等。
据报导,2006年,以上几个厂商生产的存颗粒占世界总产量的98%以上。
因此,弄清楚这几个大厂颗粒编号规则就是十分重要的。
模组生产厂商,则要分散得多,著名的有金士顿、世迈、金邦、威刚、胜创、瑞士军刀等。
这些厂商大都是用以上颗粒厂生产的颗粒组装模组的,模组的编号基本上都符合JEDEC的规定,因此,认识这些模组生产厂的产品的主要参数和性能没有什么困难。
但是,因为这些厂大都有自己的模组编号方法,因此,我也尽可能地对模组编号进行了收集整理。
现将几个主要生产厂商的官方介绍如下:
Samsung(三星,也用SEC的标志,韩国):
.samsung./global/Semiconductor/Products/dram。
Hynix(海力士,原HyunDai现代,后来又合并了乐金LGS,韩国):
ttp:
//.Hynix./products/puting/。
Micron(美光,又称镁光、麦康,迈克龙,美国):
ttp:
//.micron./products/modules/或/SDRAM
Elpida(尔必达,是NEC和日立合组的专业DRAM生产厂,日本):
.elpida./en/products/
Qimonda(奇曼达,是从英飞凌和西门子分离出来的,德国):
.qimonda./puting-dram
Powerchip(力晶PSC,):
.SPC.
Mosel(茂矽及茂德,):
mosel..tw和.promos..tw
KingMax(胜创,):
c:
\iknow\docshare\data\cur_work\.kingmax..\products.kingmax../products
Nanya(南亚,):
.nanya..tw
Elixir(南亚易胜,):
c:
\.Elixir..tw
Kingston(金士顿,):
.kingston.
SMART(世迈,美国):
.smartm./product
Adata(威刚,):
.adata..tw
Apacer(宇瞻,):
.apacer..tw
Corsair(海盗船,美国).corsairmemory./products/
Leadmax(超胜,某某).leadmax..hk
Geil(金邦,中国).geil.
2.存是怎样编号的?
答:
存的主要参数都可以从编号上得到答案。
厂家对存编号的方法有两类,第一类是对颗粒的编号;第二类是对存模组的编号。
在一个存模组上,这两类编号是同时存在的,而且是密切相关的。
另外,JEDEC(电子元件工业联合会,JointElectronDeviceEngineeringCouncil)也规定了一个编号方法,在近年出厂的存标签上也都有这个编号。
其实,这是对模组的简单明了的编号。
以上几种编号的样式见下图。
颗粒的编号都是刻嵌在存颗粒上面的,例如,上图中三星存颗粒上的编号是“K4T1G084QD-ZCF7”(未全部显示出来)。
模组的编号是用纸贴在存颗粒上的,如上图的“M378T5663DZ3-CF7”就是;JEDEC的编号则是写在模组标签的上方,如图中的“2GB2R×8PC2-6400U-666-12-E3”就是。
搞清这些编号的含义是十分重要的,因为在这些编号中包含了存的结构和使用信息。
3.请给出各种存颗粒编号速查表!
答:
因为各种存的编号方法很不统一,样式也太多,为了使读者查阅方便,我把主要存厂商的存编号各择其一两个样子,以便迅速查出该存是哪个厂商生产的。
欲知详细,还要查阅后面的分厂介绍。
4.请给出存模组编号速查表!
答:
下表中的编号只是举例,供检索生产厂用。
欲查清您手头的存编号的含义,还需参看下面的有关问答题。
c:
\iknow\docshare\data\cur_work\\photo\RRTF63iK0GLNVjFMv4zrNQ==\881861102035762108.jpg
c:
\iknow\docshare\data\cur_work\\photo\hcxXWa0_vQa3wTLpCZ9qmQ==\881861102035762113.jpg
二.关于存的编号方法
5.颗粒编号中的术语有哪些?
说明其含义。
答:
存颗粒编号所表达的容较多,但是,主要是关于存结构的容。
在进行寻址时就要先确定是哪个L-Bank,然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。
对存的访问,一次只能是一个L-Bank工作,而每次与北桥交换的数据就是L-Bank存储阵列中一个“存储单元”的容量。
在某些厂商的表述中,将L-Bank中的存储单元称为Word(此处代表位的集合而不是字节的集合)。
作为一般用户,不可能把存结构的物理作用了解得很透彻。
为了使“菜鸟”网友大概了解一下存结构的名称及其含义,首先让我用一个比喻作介绍:
假如,有32方格纸,每方格纸上有1200个小方格。
把这32完全相同的方格纸分成四摞放到一桌子上,因此,每摞就有8方格纸了。
好了,我们就可以用这些条件来说明什么是单元、什么是位宽、什么是L-BANK了。
见下表:
放到桌子上的方格纸
存颗粒的组织结构
在存中的名称
条
件
和
名
称
对比
一桌子
一颗芯片或一个颗粒
颗粒或芯片(Chip或Die)
一方格纸
一个(逻辑)BANK,一般简称BANK
BANK或L-BANK(Internalbank)
每方格纸中的小方格
一个BANK中的存储单元(每个cell存储1bit,0或1)
单元(cell)
一方格纸的小方格数
一个BANK包含的单元格(cell)数
BANK深度(BANKdepth)
各摞方格纸表面的那一层的小方格总数
BANK数与BANK深度的乘积,没有单位,只是cell个数
颗粒深度(Chipdepth)或颗粒长度(Chiplength)
一摞纸包含的数(层数)
BANK的位宽,也是颗粒的位宽,以b为单位
颗粒位宽(bitorganization)
一桌子上全部方格纸包含的小方格数
颗粒深度W与颗粒位宽M的乘积,如64M×8
其乘积就是颗粒密度(ChipDensity),单位是Mb或Gb
全部方格纸的小方格数除以8后的数
颗粒密度除以8b/B后,以MB或GB为单位
颗粒的容量(Density或Chipcapacity)
说明:
1.一个逻辑Bank的颗粒深度已知的有1M、2M、4M、8M、16M和32M等。
目前的DDR2存,大都是8M、16M和32M的;
2.一个颗粒的位宽有过4bit、8bit、16bit和32bit的。
目前,存的位宽大都是8b和16b的;
3.一个颗粒中的BANK数有4、8和16个的,DDR存的位宽多是4BANK的;目前DDR2和DDR3存大都是采用8个Bank的;
4.BANK的深度与BANK的乘积称为颗粒深度(Chip depth),也称颗粒长度或地址空间。
5.颗粒密度有64Mb、128Mb、256Mb、512Mb、1Gb和2Gb多种。
DDR存的颗粒密度最大为512Mb;目前DDR3存的颗粒密度可以达到4Gb。
6.颗粒密度除以8b/B才是以字节表示的每个颗粒的容量(Capacity)。
6.当表示颗粒结构时用“128M×8”是什么意思?
答:
在电脑业界,经常把颗的结构用M×W来表示。
M就是颗粒深度;W就是颗粒位宽。
例如,当用128M×8表示,这个128M就是颗粒深度,单位为1;8是颗粒位宽,单位为bit。
二者的乘积就是颗粒密度。
颗粒密度的单位是Mb或Gb。
7.怎样根据颗粒编号求出BANK深度?
答:
因为在颗粒编号中给出的参数都有颗粒密度、BANK数和位宽,而
颗粒密度=BANK深度×BANK数×颗粒位宽
所以,BANK深度=颗粒密度÷BANK数÷位宽
例如,当三星的颗粒编号是K4T1G084QD时,我们知道颗粒密度=1G=1024Mb;BANK数是8个;颗粒位宽是8bit,因此,就有
BANK深度=1024Mb÷8÷8b=16M
8.怎样根据颗粒编号求出颗粒深度?
答:
颗粒深度又称颗粒长度,因为在颗粒编号中给出的有颗粒密度、BANK数和位宽,而
颗粒密度=颗粒深度×颗粒位宽
所以,
颗粒深度=颗粒密度÷颗粒位宽
例如,当三星的颗粒编号是K4T1G084QD时,我们知道颗粒密度=1G=1024Mb;颗粒位宽是8bit,因此,就有
颗粒深度=1024Mb÷8b=128M
9.如何根据颗粒的编号计算模组容量?
答:
把颗粒密度乘以颗粒数就可以得到以Mb表示的存的容量了。
如果用8个颗粒,模组容量就是1024Mb×8=8192Mb。
如果把它换算成我们熟悉的字节表示,除以8b/B后,就可以得到1GB了。
这种情况往往给人造成错觉,以为颗粒编号中的“1G”就表示存容量是1GB的。
其实这是错误的,因为你不能根据一个颗粒的密度就判定模组的容量。
因为容量的大小跟颗粒数有关。
对于颗粒密度是1Gb的颗粒来说,如果你用的是8个颗粒,容量就是1GB:
如果是用16个颗粒的话,容量就是2GB了。
10.怎样根据存编号查出存的速度?
答:
存的速度是存的一个重要的技术指标。
所以,在颗粒和模组的编号上都必须给以标注。
标注方法基本上是用数字或英文字符表示的。
但是,在一般情况下,从这些字符上是看不出具体速度值的。
而且各个厂家的表示方法也不尽一致,必须根据厂家给出的说明予以认定。
不过,这个标志的位置通常都是置于编号后部的短字符“-”的后面。
例如,三星存模组的编号是M378T5663DZ3-CF7时,“-”后的“F7”就表示DDR2-800。
11.存模组编号的术语有那些?
说明其含义。
答:
存模组编号的容除了反映所采用的颗粒的特性外,还反映了模组的参数。
例如插槽的类型、模组的数据深度、数据位宽等。
有的存编号还直接反映存的容量。
为了使“菜鸟”网友大致了解模组编号中所使用的技术术语,还是想利用在桌子上摆方格纸的例子做对比说明。
方格纸的摆放方法
模组的组成方法
在存中的名称
用摆方格纸做比喻
把几桌子上的方格纸合并,按原摞数叠成每摞64
把几个颗粒并联成64bit的集合
64bit是一个RANK或一个物理BANK(P-BANK)
几桌面上的方格纸合并成64为一摞后,第一层方格纸包含的小方格数
组成位宽为64b的模组后,整个模组的数据深度。
可能是颗粒深度的一倍或2倍
模组的数据深度Moduledepth。
是颗粒深度的两倍时,就是2RANK
各桌面上的方格纸合并成64为一摞后,全部方格纸包含的小方格数
存模组数据深度×64b。
单位是Mb或Gb
模组密度Modulesensity
全部小方格数除以8
模组密度除以8b/B,以MB或GB为单位
模组容量ModuleCapacity或sensity
注:
如果模组的深度和颗粒深度相同,称为1个RANK的存;如果模组的深度是颗粒深度的2倍,称为2RANK的存。
12.当表示模组结构时用256M×64是什么意思?
答:
其中的“256M”表示模组的深度是256M;“64”表示模组的数据宽度是64b。
普通用户使用的电脑都是用”64”表示。
二者的乘积就是模组的密度。
模组密度除以8b/B就可以求出模组的容量。
例如,对于标有256M×64的模组,其容量就是
256M×64b÷8b/B=2048MB=2GB
为了简化估算,将模组深度乘以8b/B,就可以得出模组容量了。
13.什么是RANK?
答:
CPU与存之间的接口位宽是64bit,也就意味着CPU在一个时钟周期会向存发送或从存读取64bit的数据。
可是,单个存颗粒的位宽仅有4bit、8bit或16bit,个别也有32bit的。
因此,必须把多个颗粒并联起来,组成一个位宽为64bit的数据集合,才可以和CPU互连。
生产商把64bit集合称为一个物理BANK(PhysicalBANK),简写为P-BANK。
为了和逻辑BANK相区分,也经常把P-BANK称为RANK或PhysicalRANK,把L-BANK则简称为BANK。
如果每个存颗粒的位宽是8bit,应该由8个颗粒并联起来,组成一个RANK(64bit);同理,如果颗粒的位宽是16bit,应该由4个颗粒组成一个RANK。
由此可知:
Rank其实就是一组存颗粒位宽的集合。
具体说,当颗粒位宽×颗粒数=64bits时,这个模组就是有一个RANK。
为了保证和CPU的沟通,一个模组至少要有一个RANK。
但是,为了保证有一定的存容量,目前,DDR2存,经常是采用一个模组两个RANK的架构。
(过去也有用几个模组组成一个RANK的情况)。
14.如何根据模组的编号计算模组的容量?
答:
模组的深度与模组的数据宽度的乘积就是模组密度(ModuleDensity)。
此密度除以8b/B就是模组的容量(Memorycapacity)。
例如,当三星模组编号是M378B5673DZ1-CH9时,模组的深度是256M,数据宽度是64b,则模组容量就是
256M×64b÷8b/B=256M×8B=2048MB=2GB
如果不考虑单位,简单的换算方法是将模组深度数乘以8B就是存的容量数。
即256M×8B=2048MB=2GB。
有些品牌存(如宇瞻和奇梦达)的模组编号中也直接显示出存的容量。
15.如何根据模组和颗粒的编号推算模组的颗粒数?
答:
因为模组的编号上可以知道模组深度和数据宽度,因此,二者相乘就是模组的密度。
另外,从颗粒编号中可以知道颗粒的密度,因此有
颗粒数=模组密度÷颗粒密度
例如,当三星模组编号是M378B5673DZ1-CH9时,模组数据深度是256M。
数据宽度是64b,因此,
模组密度=256M×64b=16384Mb。
另外,已知所用的颗粒编号是K4T1G084QD-ZCF7,颗粒密度是1024Mb
因此,
颗粒数=16384Mb÷1024Mb=16颗。
16.JEDEC对存编号是如何规定的?
答:
在JEDEC第21C号标准第8条中,对DDR2存产品的标签(Productlable)的格式和容有具体的规定。
下表的标签就是按JEDEC的标准设置的。
其中的:
“模组总容量”(Moduletotalcapacity)有256MB,512MB,1GB,2GB,4GB等;
“模组构成”中的“R”是“RANK”的意思。
“2R”是说组成模组的RANK数(Numberofranksofmemoryinstalled)是2个。
有“1R”和“2R”两种;
“模组构成”中的“×8”是颗粒的位宽(bitwidth),有×4、×8和×16三种;
“模组名称”的“PC2-6400”中的“6400”是以MB/s表示的模组带宽(Modulebandwidth),有“PC2-5300”(DDR2-667)和“PC2-6400”(DDR2-800)等(DDR2-1066并不是JEDEC标准)
“插槽类型”即是模组类型(ModuleType),有F(FullyBufferedDIMM("FB-DIMM"))、M(Micro-DIMM)、N(Mini-RegisteredDIMM)、P(RegisteredDIMM)、R(RDIMM)、S(SmallOutlineDIMM)和U(UnbufferedDIMM("UDIMM"))等多种标识。
但是,对普通电脑用户来说,使用的是“U”型(Unbufferednon-ECCDIMM),即桌式普通存和“S”型(SO-DIMM),即笔记本型存。
有的厂家还把“插槽类别”(模组类型)中的“U”用“UNB”(UnbufferedDIMM)单独表示;把“S”用“SOD”(SO-DIMM)单独表示。
“时序”中的“666”分别表示表示“CL”、“tRCD”和“tRP”的延迟值,这里都是6。
也有的厂家还把时序的第4个延迟tRAS也表示出来,例如:
6-6-6-18。
“SPD版次”的原文是JEDECSPDRevisionEncodingandAdditionslevelusedonthisDIMM,其中的“12”表示JEDECSPD是1.2版;
最后的参考项是生产厂商设计时采用JEDEC标准情况的有关标记和版本。
17.请解释JEDEC标准中有关存名词及其含义!
答:
JEDEC标准中对存名词的含义如下:
UnbufferedDIMM—无缓存的普通桌式存,一般表示为UDIMM、DIMM或UNB;
DIMMCapacity—存的总容量,以MB为单位表示。
在有的厂家也把模组容量称为DIMMDensity。
DIMMOrganization—存模组的结构。
以整个模组的数据深度跟数据位宽的形式表示。
例如:
“128Meg×64”表示模组的数据深度是128Meg,模组的数据宽度是64bit。
由此可以推出模组的总容量是128M×64b÷8b/B=1024MB=1GB;
SDRAMDensity—颗粒的密度,即每个颗粒的总位(bit)数。
例如,当SDRAMDensity是512Mb时,由16个颗粒组成的模组容量就是512Mb×16÷8b/B=1024MB=1GB;由8个颗粒组成时,模组容量就是512MB。
SDRAMOrganization—颗粒结构。
是颗粒深度(SDRAMdepth)与颗粒位宽的乘积。
例如,当SDRAMOrganization是64Meg×8时,颗粒密度就是64M×8b=512Mb。
在存业界也把颗粒深度称为颗粒长度,以跟BANK深度相区别;
NumberofSDRAM—颗粒数;
NumberofPhysicalRank—物理RANK数,即P-BANK数。
在本文中简称RANK数;
NumberofBankinSDRAM—一个颗粒的逻辑BANK数;
SDRAMPackgeType—颗粒的封装类型。
18.如何根据模组的编号计算模组的RANK数?
答:
根据模组组成原理可以知道:
如果模组的深度等于颗粒的深度,就是一个RANK;如果模组的深度等于两倍颗粒深度,就是两个RANK。
例如,编号为M378B5673DZ1的三星模组的模组深度是256M。
又因为这种模组采用的是K4T1G084QD颗粒。
这种颗粒的密度是1024Mb;位宽是8b,因此,颗粒深度是1024Mb÷8b=128M。
即模组深度是颗粒深度的两倍,因此,是两个RANK。
此外,从模组编号或颗粒编号给出的颗粒位宽和实际颗理粒数也可以计算出RANK数。
例如,当颗粒位宽是8b时,模组用了8个颗粒,8×8b=64b,就是一个RANK;如果用了16颗颗粒,16×8b=128b,就是两个RANK。
19.模组的RANK数跟模组的面数有什么关系?
答:
模组的面(side)数跟RANK数是两个不同的概念。
而且在存的编号中也都没有反映面数。
但是,模组的面,不是一个,就是两个;而目前的RANK数也是这样。
因此,用符号表示它们时,很容易混淆。
但是,可以很明确地说:
存标签中的“R”是表示RANK,不是表示面数,存“面”的英文字是Side,如果表示两个面的话面,应该是“2S”才是呀!
20.存标签上的2R×8就表明存是双面8个颗粒吗?
答:
不是的。
“