小型调幅波发射机课程设计15.docx

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小型调幅波发射机课程设计15

 

第一章绪论

第一节目的与意义

通过本课题的设计与装配、调试,提高学生的实际动手能力,巩固已学的理论知识,能够使学生建立无线电发射机的整机概念,了解发射机整机各单元电路之间的关系及相互影响,从而能正确设计、计算发射机的各个单元电路:

主振级、激励级、输出级、调制级、输出匹配网络及音频放大器。

初步掌握小型调幅波发射机的调整及测试方法。

第二节设计内容与课程内容的关系

调幅发射机的课程设计与高频电子线路紧密相关,也是高频电子线路的重要基础实践课,理论联系实际,提高和培养学生的创新能力是本课程设计的目的,通过本课程的学习使学生进一步巩固电子线路的基本理论,基本知识,基本技能,培养学生分析问题,解决问题和自主创新的能力,并为学习后续课程打下基础,通过该课程设计的训练,让学生把所学的理论知识灵活的运用到实践中去,既加深了同学们对课程的理解,又提高了动手实践能力.

第二章电路结构的选择和工作过程 

第一节方框结构与方案的选择

(一)小功率调幅波发射机的框图

由于要求输出的载波功率为0.5W,所以只需一级功率放大器就能达到要求;而其工作在较低的7MHz频率,一般的晶体振荡器就能实现,且具有一定的输出电压,而且频率的稳定度高,无需进行倍频。

为了提高整机的工作效率,采用丙类集成电极调幅方式。

因而,本机由最基本的发射机所应有的三级构成,其具体的框图如上所示。

方案的选择:

本机是根据课程设计要求而提出的试制性的小型调幅发射机,其工作频率为7MHz,输出载波功率为0.5W。

鉴于输出功率不大,所以它的的结构比较简单主要由主振级,放大级和被调级组成。

由于晶体管的稳定性好,Q值很高,故频率稳定度也很高。

因此,主振级采用晶体振荡器,满足所需的频率稳定度。

末级采用串联馈电的方式。

由于电源靠近地的一端,杂散电容少,从而对回路的影响也小,使电路稳定工作,为了由较高的效率,本级利用基极电流的直流分量在基极偏置电阻上,使其工作在丙类状态,输出回路采用变压器耦合式谐振回路,利用电感抽头实现阻抗匹配,调整末级功放管的工作状态,从而达到有效的集电极调幅。

第二节各部分电路的基本工作原理

晶体振荡器电路:

电路如图所示,是由石英晶体稳频和输出固定频率电路组成有最佳的功率输出。

频率输出通过C4微调,C1,C2为回路电容,C8C9为耦合电容,改变C8可以改变电路的耦合程度,R1R2为偏置电阻,R3为集电极负载电阻,R4为发射极电阻,C3为旁路电容,C6,C7为电源退耦电容。

(二)晶体振荡器电路

隔离放大级电路:

该电路采用自给负偏压方式,通过R4可变电位器改变负偏压大小,回路谐振在工作频率,通过变压器耦合给出。

Z2,Z3为高频扼流圈,C10为旁路电容,C11,C12为回路电容,C16,C17为耦合电容,C14,C15为电源退耦电容。

图(三)隔离放大级电路

被调级电路(调幅电路):

图(四)调幅电路

基极调幅电路(欠压状态):

如用调制信号控制丙类谐振功放的基极偏压,从而实现调幅。

工作波形为:

图(五)

 

第三章晶体振荡器设计计算

振荡级的计算

已知条件:

Vcc=12V,fo=7MHz,选择的晶体管型号是3DG12B,其放大倍数β=50,ICQ=3mA,VCEQ=6V,VEQ=0.2VCC.依据电路计算:

R3=(VCEQ-VEQ)/ICQ=(12-6-0.2×12)V/3×10ˉ³mA=1.2KΩ,

R4=VEQ/ICQ=0.2×12V/3×10ˉ³mA=800Ω,故取标值为R4=810Ω.

IBQ=ICQ/β=3mA/50=0.06mA,

R2=VBQ/10IBQ=(VEQ+0.7)V/10×0.06×10ˉ³mA=5.1KΩ,

R1=VCC-VBQ/10IBQ=(12-3.1)V/0.6×10ˉ³mA=15KΩ,

可取R1=10KΩ+10KΩ的可变电位器来调整偏置。

取C4=5/20pF,

C5=20pF,则F=C4/C5=1/2mA,C4//C5<

C1=470pF,则C2=2C1=2×470pF=940pF,取标称值1000pF即可。

 

第四章元件清单及主要元器件的功能

第一节元件清单

元件名称

元件符号

元件数目

电阻

R

7

电容

C

14

可调电容

C

4

极性电容

C

2

石英晶体振荡器

JT

1

晶体三极管

BT

3

变压器

TR

4

高频扼流圈

Z

2

第二节主要元件介绍

晶体管:

是一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。

晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可做为电流的开关,和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度可以非常之快,在实验室中的切换速度可达100GHz以上。

  半导体三极管:

是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件。

它对电信号有放大和开关等作用,应用十分广泛。

半导体三极管主要分为两大类:

双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。

晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。

晶体管因为有三种极性,所以也有三种的使用方式,分别是发射极接地(又称共射放大、CE组态)、基极接地(又称路最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面,其次是阻抗匹配、讯号转换……等,晶体管在电路中是个很重要的组件,许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。

石英晶体振荡器:

石英谐振器简称为晶振,它是利用具有压电效应的石英晶体片制成的。

这种石英晶体薄片受到外加交变电场的作用时会产生机械振动,当交变电场的频率与田英晶体的固有频率相同时,振动便变得很强烈,这就是晶体谐振特性的反应。

利用这种特性,就可以用石英谐振器取代LC(线圈和电容)谐振回路、滤波器等。

由于石英谐振器具有体积小、重量轻、可靠性高、频率稳定度高等优点,被应用于家和通信设备中。

石英谐振器按引出电极情况来分有双电极型、三电极型和双对电极型几种。

石英谐振器因具有极高的频率稳定性,故主要用在要求频率十分稳定的振荡电路中作谐振元件,如彩电的色副载波振荡器、电子钟表的时基振荡器及游戏机中的时钟脉冲振荡器等,石英晶体成本较高,故在要求不太高的电路中一般采用陶瓷谐振元件。

频率范围很宽,频率稳定度在10-4~10-12范围内,经校准一年内可保持10-9的准确度,高质量的石英晶体振荡器,在经常校准时,频率准确可达10-11.石英晶体振荡器特点:

在振荡频率上,闭合回路的相移为2nπ。

开始加电时,电路中唯一的信号是噪声。

满足振荡相位条件的频率噪声分量以增大的幅度在回路中传输,增大的速率由附加分量,即小信号,回路益增和晶体网络的带宽决定。

幅度继续增大,直到放大器增益因有源器件(自限幅)的非线性而减小或者由于某一自动电平控制而被减小。

在稳定状态下,闭合回路的增益为1。

第五章心得体会

通过这一周的课程设计,使我加强对高频电子技术电路的理解,学会查寻资料﹑方案比较,以及设计计算等环节。

进一步提高分析解决实际问题的能力,创造一个动脑动手﹑独立开展电路实验的机会,锻炼分析﹑解决高频电子电路问题的实际本领,真正实现由课本知识向实际能力的转化;通过典型电路的设计与制作,加深对基本原理的了解,增强我的实践能力。

该课程设计使我建立无线电发射机的整机概念,了解发射机整机各单元电路之间的关系及相互影响,能正确设计、计算发射机的各个单元电路:

主振级、激励级、输出级、调制级、输出匹配网络及音频放大器。

初步掌握小型调幅波发射机的调整及测试方法。

在设计电路时,要首先将总体电路分成若干个不子模块,使每个模块有各自的不同的任务;再对各相对简单的子模块进行单独设计;最后将各个子电路组合在一起完成整个电路。

这样做法分工明确,层次清晰,使设计者能更宏观的把握设计的总体步骤。

而且设计单独的子电路降低了工作难度,使设计工作更有条理性。

在设计过程中,使用这种方法进行多人团队合作设计,每个人都可有明确的分工,可以很大程度上提高团队合作效率。

在检查电路时,也可根据各种情况分析是哪个子系统了问题,再单独检查该出问题系统,可以提高检查的效率。

增强了用protel绘制原理图的能力,对画图的步骤和方法进行了复习巩固。

在设计过程中,深刻明白了只动脑和动手做之间的天壤之别。

原本设想的完美的东西一动手做起来就困难重重,各种想象不到的困难都出现在眼前。

认识到只有动手做才能发现问题,遇到问题不能只空想要动手实践,从实际中发现问题。

回顾整个漫长复杂的设计过程,耐心毅力和恒心是不可少的。

而以后我必将面对更多更加复杂的设计工作,此次设计过程对我的各个方面都有了许多积极的影响,使我做事情更加细心有耐心。

这次设计过程啊让我认识到了只有付出才能有收获,看着做完的电路图,让我感到以往的付出都是值得的。

只要耕耘就会有收获。

我收获的不仅仅是完成了一次任务,更重要的是让我更清楚的认识了自己的不足,锻炼了自己的能力。

 

参考文献

1、李银华电子线路设计指导北京航天航空大学出版社2005.6

2、谢自美电子线路设计·实验测试华中科技大学出版社2003.10

3、张肃文高频电子线路高等教育出版社2004.11

4、张义芳冯健华高频电子线路哈尔滨工业大学出版社2002.9

5、徐国华电子技能实训教程北京航天航空大学出版社2006.8

 

附录:

发射机电路原理图

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