电子科学与技术专业英语2第6讲 英译中.docx

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电子科学与技术专业英语2第6讲英译中

专业英语

（2）第六讲

Whenthestep-and-repeatX-raysystemisdeveloped,X-raylithographywillserveasasubmicron-feature-sizehigh-throughputtechniquefillingthegapbetweenelectronbeamandopticallithography.

throughput通量

step-and-repeat分步重复

当开发出分步重复X射线系统后，X射线光刻技术将作为亚微米特征尺寸的高通量技术，填补电子束和光学光刻技术之间的空白。

Startingformthesawedsemiconductorwafers,chemicaletchantsareusedforlappingandpolishingtogiveanopticallyflat,damage-freesurface.

lapping研磨

polishing

以切割好的半导体晶元为原料，使用化学腐蚀剂用于研磨和抛光，以获得光学平整的无缺陷的表面。

InICprocessing,mostwetchemicaletchingsproceedbydissolutionofamaterialinasolventorbyconversionofamaterialintoasolublecompoundwhichsubsequentlydissolvesintheetchingmedium.

solvent溶剂

solutionn.溶液

soluten.溶质

solublen.可溶的

dissolvevi.溶解

在IC加工中，多数湿化学蚀刻的过程是通过将一种材料溶解在溶剂或将一种物质转化成可溶性化合物，随后在腐蚀剂中溶解。

However,aceticacidispreferredbecauseitsuseresultsinlessdissociationofthenitricacid,henceahigherconcentrationoftheundissociatedspecies.

aceticacid醋酸

nitricacid硝酸

dissociationn.离解dissociatevt.使离解，分离

然而，醋酸是首选，因为使用醋酸后可以减少硝酸的离解，从而可获得一个高浓度的未离解的物种。

WeobservefromthesecurvesthatathighHydrofluoricacid（HF）andlownitricacid（HNO3）concentrations,correspondingtotheregionneartheuppervertex,theetchrateiscontrolledbytheHNO3concentration（i.e.,theetchrateisessentiallyindependentofHFconcentrationforagivenCH3COOHdiluent.

Hydrofluoricacid氢氟酸fluoric氟

vertex顶点

diluent稀释剂

我们从这些曲线观察到：

当氢氟酸的浓度高而硝酸浓度低时，所对应的区域靠近上顶点，蚀刻率是由硝酸浓度控制（即对应于给定的醋酸稀释剂，蚀刻率基本上与氢氟酸的浓度无关。

）

AtlowHFandhighHNO3concentrations,correspondingtotheregionnearthelowerrightvertex,theetchrateiscontrolledbytheabilityofHFtoremovetheSiO2asitisformed;etchantsolutionsinthisregionareisotropic,thatisnotsensitivetocrystallographicorientation,andareusedaspolishingetches.

etchantn.腐蚀剂

isotropicadj.各向同性

crystallographicadj.晶体的

在HF浓度低硝酸浓度高时，对应右下顶点附近的区域，刻蚀速率由HF消除所形成的二氧化硅的能力决定，在此区域的蚀刻溶液是各向同性的，也就是，对晶体取向不敏感，可用作抛光蚀刻。

Indiamondandzincblendlattices,the（111）-planeismorecloselypackedthanthe（100）-plane;therefore,theetchrateisexpectedtobeslowerforthe（111）-plane.

zincblendn.闪锌矿

planen.平面

在金刚石和闪锌矿晶格，111面比100面排列（/堆积）更紧密，由此，111面的蚀刻率也相对较低。

Orientation-dependentetchingof<100>-orientedsiliconthroughapatternedsilicondioxidemaskcreatespreciseV-shapedgrooves,theedgesbeing（111）-planesatanangleof54.7（fromthe（100）-surface,asshownintheleftofFigure3-4（a）.P183

grooven.槽

通过图案化二氧化硅掩膜对<100>面的硅定向蚀刻后得到精确的V形槽，边缘与111面成54.7度角（从100面，如左图3－4（a）所示）

Themajordisadvantageofwetchemicaletchingforpatterntransferistheundercuttingofthelayerunderneaththemaskresultinginalossofresolutionintheetchedpattern.

underneathadv.在底下

undercuttingn.凹槽

对湿化学蚀刻的图案转移的主要缺点是掩膜下层的凹槽会造成蚀刻图案的分辨率损失。

Dryetchingissynonymouswithplasmaassistedetching,whichdenotesseveraltechniquesthatuseplasmaintheformoflowpressuredischarges.

Dryetching干法刻蚀

synonymousadj.同义的

denotevt.表示

干法刻蚀与代表使用的低压放电形成等离子体的几种技术的等离子体辅助刻蚀意义相同。

Aplasmaisproducedwhenanelectricfieldofsufficientmagnitudeisappliedtoagas,causingthegastobreakdownandbecomeionized.

plasma等离子体

breakdown分解

当足够数量级的电场被施加到气体上，造成气体的分解及电离时，等离子体就这样产生了。

Theelectronconcentrationsintheplasmafordryetchingsarerelativelylow,typicallyontheorderof109to1012cm-3.

AtapressureofTorr,theconcentrationsofgasmoleculesare104to107timeshigherthantheelectronconcentrations.

在干法蚀刻中等离子体的电子浓度相对较低，典型浓度为109至1012立方厘米数量级。

在压力为Torr量级上时，气体分子的浓度比电子浓度高104到107倍

However,thereisonemajordrawbackofthesputter-etchingprocess:

poorselectivity,thatis,theetchratesformostmaterialsareveryclose,andwecannotetchonlyonelayerandstopattheunderlyingmaterial.

然而，溅射蚀刻工艺有一个主要缺点：

选择性差，也就是说，对于大多数材料的蚀刻率非常接近，因而我们不能仅蚀刻一层就停止于底层材料上

。

Anotherplasmaassistedetchingmethodisreactive-ionetching（RIE）,whichemploysapparatussimilartothatforsputteretching.

另一种等离子辅助刻蚀方法是反应离子蚀刻，其采用与溅射蚀刻相类似的仪器。

However,mostelectronicsystemsarebuiltontheintegratedcircuit（IC）,whichisanensembleofbothactive（e.g.,transistor）andpassivedevices（e.g.,resistorandcapacitor）formedonandwithinasingle-crystalsemiconductorsubstrateandinterconnectedbyametallizationpattern.

metallization金属化

然而，大多数的电子系统是建立在集成电路上的，集成电路是由在单晶半导体衬底之上或其中形成的有源器件（如晶体管）和无源器件（如电阻和电容）通过金属化图形互联的集合

Filmformationisoftenfollowedbyimpuritydopingbymethodssuchasdiffusionandionimplantationorlithography,Lithographyisgenerallyfollowedbyetchingwhichinturnisoftenfollowedbyanotherimpuritydopingorfilmformation.ThefinalICismadebysequentiallytransferringthepatternsfromeachmask.

薄膜形成后，随后通常使用扩散、离子注入或是光刻法进行杂质掺杂。

光刻之后通常进行刻蚀，随后再进行另一种杂质掺杂或是薄膜生成。

最后从掩膜上将图形顺序转移（到硅片上）后得到最终的IC。

Goodchipsareselectedandpackagedtoprovideanappropriatethermal,electrical,andinterconnectionenvironmentinelectronicapplications.

选出优良的芯片并包装好以提供适当的热，电子和互联环境用于电子应用中。