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stm32学习笔记0516
STM32 FSMC学习笔记
（2012-08-3115:
26:
53）
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标签：
stm32f103
fsmc
it
分类：
嵌入式计算机技术
（文章写的很乱，见谅！
！
）
FSMC全称“灵活静态存储器控制器”。
FSMC包括4个模块：
（1）AHB接口（包括FSMC配置寄存器）
（2）NOR闪存和PSRAM控制器（驱动LCD的时候LCD就好像一个PSRAM的里面只有2个16位的存储空间，一个是DATARAM一个是CMDRAM）
（3）NAND闪存和PC卡控制器
（4）外部设备接口
每个模块通过片选信号控制
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硬件电路（这里给出的是非复用连接）
可以这样接
地址线A0接RS
NE接CS
NEW–WR
NOE–RD
FSMC与外设连接好以后，就等于对于使用者屏蔽了对外设备的具体操作，只要对应类型的映射地址空间写入数据，这些数据+地址就会被自动翻译，并写入外围存储设备。
对于写LCD来说，STM官方库里有一些常用写法：
#defineLCD_BASE （（u32）（0x60000000|0x0C000000））//我解释一下，地址是BANK1的第四块
#defineLCD （（LCD_TypeDef*）LCD_BASE）
voidLCD_WriteReg（u8LCD_Reg,u16LCD_RegValue）
{
LCD->LCD_REG=LCD_Reg;
LCD->LCD_RAM=LCD_RegValue;
}
u16LCD_ReadReg（u8LCD_Reg）
{
LCD->LCD_REG=LCD_Reg;
return（LCD->LCD_RAM）;
}
当然也可以自己操作，完全在于自己。
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初始化问题：
1位宽：
主要是AHB到NOR/PSRAM位宽的，比如如果AHB设为32位，NOR为16位，他会分两次传输
2：
设置地址
手册是这样写的：
在NOR/PSRAM模式下HADDR[27：
26]（HADDRareinternalAHBaddresslinesthataretranslatedtoexternalmemory）用来片选NOR/PSRAM的四个分区。
A[25：
0]是地址线，因为HADDR是字节地址但是存取其按字编址，所以根据位宽的不同由以下情况。
（1）当存储数据设为8位时， 地址各位对应FSMC_A[25:
0]，数据位对应FSMC_D[7:
0]（存储大小64MB*8=512MB）
（2）当存储数据设为16位时， 地址各位对应FSMC_A[25:
1]>>1（即FSMC_A[24:
0]），数据位对应FSMC_D[15:
0]
（存储大小（64MB/2）*16=512MB）
注意：
在16位外部存储宽度下，FSMC内部会用A[25:
1]去生成A[24：
0]。
不论8位或16位的情况，FSMC_A[0]必需连接外部存储的A[0]。
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FSMC的好处就是你一旦设置好之后，WR、RD、DB0-DB15这些控制线和数据线，都是FSMC自动控制的。
打个比方，当你在程序中写到：
（volatileunsignedshortint*）（0x60000000）=val;
那么FSMC就会自动执行一个写的操作，其对应的主控芯片的WE、RD这些脚，就会呈现出写的时序出来（即WE=0,RD=1），数据val的值也会通过DB0-15自动呈现出来（即FSMC-D0:
FSMC-D15=val）。
地址0x60000000会被呈现在数据线上（即A0-A25=0，地址线的对应最麻烦，要根据具体情况来，好好看看FSMC手册）。
连接好之后，读写时序都会被FSMC自动完成。
但是还有一个很关键的问题，就是RS没有接，CS没有接。
因为在FSMC里面，根本就没有对应RS和CS的脚。
怎么办呢？
这个时候，有一个好方法，就是用某一根地址线来接RS。
比如我们选择了A16这根地址线来接，那么当我们要写寄存器的时候，我们需要RS，也就是A16置高。
软件中怎么做呢？
也就是将FSMC要写的地址改成0x60020000，如下：
（volatileunsignedshortint*）（0x60020000）=val;
这个时候，A16在执行其他FSMC的同时会被拉高，因为A0-A18要呈现出地址0x60020000。
0x60020000里面的Bit17=1，就会导致A16为1。
当要读数据时，地址由0x60020000改为了0x60000000，这个时候A16就为0了。
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下来就是关于FSCM时序问题，大家都有讨论：
一.当FSMC选择NOR和PSRAM模块时：
分为两种：
1.异步事务2.同步突发事务
异步事务分为普通模式（mode1，mode2）和模式1与模式2的4种扩展模式（modeA,B,C,D）；
二.Generaltimingrules（通用时序规则）：
1.Allcontrolleroutputsignalschangeontherisingedgeoftheinternalclock（HCLK）
（所有输出控制信号在内部时钟（HCLK）的上升沿改变）
2.Insynchronousreadandwritemode,theoutputdatachangesonthefallingedgeofthe
memoryclock（FSMC_CLK）.
（在同步读和写模式下，输出信号在存储器CLK的下降沿改变）
三.采样规则
TheFSMCalwayssamplesthedatabeforede-assertingthechipselectsignalNE.This
guaranteesthatthememorydata-holdtimingconstraintismet（chipenablehighto
datatransition,usually0nsmin.）
（FSMC总是在撤销片选信号NE前采样数据，这保证了了储存器数据保持时间的约束能够满足。
）
四：
时序计算
设定值都是以Hclk为基本单位的
公式：
现在没有完全弄明白的是，因为是异步模式，数据通过延迟一个HCLK通知给了对端，地址线上的信号怎么通知对端有效呢？
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下面是一些资料上的数据，可以估算时间是否大概满足应用的要求：
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一些常见问题的FAQ：
1.STM32F103FSMC是不是所有型号都有？
ANS：
VC,VD,VE,ZC,ZD,ZE只有这几个型号有。
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2.复用和非复用？
STM32的FSMC支持数据与地址线复用或非复用两种模式
非复用模式：
16位数据线及26位地址线分开始用。
推荐在144脚及以上的STM32产品上使用该模式。
复用模式：
低16位数据/地址线复用。
在该模式下，推荐使用地址锁存器以区分数据与地址。
若不使用锁存器:
当NADV为低时，ADx（x=0…15）上出现地址信号Ax，当NADV变高时，ADx上出现数据信号Dx。
若使用锁存器:
可同时在ADx上得到Ax和Dx。
FSMC中未使用的数据线或地址线可配置为GPIO
对于16位宽度的外部存储器，FSMC将在内部使用HADDR[25:
1]产生外部存储器的地址FSMC_A[24:
0]。
因此，实际的访问地址为右移一位之后的地址。
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3.时序图（扩展模式）
普通模式和扩展模式的不同主要用途我觉得，就是把读、写设置成不尽相同的时序。
所谓的模式A、B、C、D，其实没多大区别。
引用手册原文：
Thedifferenceswithmode1arethetogglingofNADVandtheindependentreadandwritetimingswhenextendedmodeisset。
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4. FSMC_NWAIT和FSMC_NE1/FSMC_NCE2.不明白这两个怎么用?
ANS：
NBL0,NBL1,在STM32F103的数据手册里面有规定IO的,不能随便换.（PSRAM时使用）
NWAIT应该是FLASH操作才用的.NE1,NCE2就是一些片选信号.STM32的FSMC支持同时挂多个器件,每个器件都必须有一个CS（也就是NEx,NCEx）.
NADV（NL）在复用时时所存信号。
在非复用模式控制PSRAM输出有效。
看了1天的英文资料和论坛，这是我总结出来的一些杂乱的信息，由于刚到嵌入式开发行列，底子太弱，所以先把这些保存下来，供以后使用。
下周一实验板就来了，估计花些时间调一下FSMC，再加上DMA的功能，希望能改善产品。
PS：
纠结了快一个礼拜。
。
终于搞定了
，现在只需测一下性能，再加上DMA。
最后测下DMA对CPU有多少开销就OK了！
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