北京交通大学模电课后答案doc.docx
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北京交通大学模电课后答案doc
第一章
1-1.填空
（1）光信号、声信号和电信号
（2）电压或电流
（3）连续，离散
（4）模拟信号
（5）信号提取、信号预处理、信号的加工和信号执行
2-1.简答下列问题
（1）有源元件的特点就是在电子电路中必须外加适合的电源电压或电流后方可有效工作；无源元件的特点就是在电子电路中无须外加适合的电源即可有效工作。
（2）参见1.2.2小节
（3）参加图1.2.5
第二章
2-1．填空
（1）五价元素；三价元素；
（2）单向导电性；
（3）0，无穷大；
（4）势垒电容和扩散电容；
（5）增大；
（6）变窄，变宽；
（7）扩散运动，漂移运动；
（8）反偏截止状态；
（9）正向导通状态。
2-2．
（1）错
（2）对（3）错（4）错（5）对（6）对（7）错（8）错（9）错（10）对
2-3．简答题
（1）否则二极管性能将变坏甚至击穿。
（2）能，工作原理略。
（3）将模拟万用表设置为欧姆档，模拟万用表的黑色表笔（正极）和红色表笔（负极）
分别接二极管的两端，如果电阻很小，则黑表笔接的就是二极管的正极；如果利用数字表的欧姆档测量二极管极性，与模拟表接法相反；当然目前很多数字万用表都有测试二极管的功能。
（4）不行，将造成二极管损坏。
1
（5）概念见教材，只有热击穿后PN结将损坏。
2-4．
（a）导通，6V;
（b）导通,3V;
（c）D1导通、D2截止;0V;
（d）D1、D3截止，D2、D4导通;8V。
2-5．
ui/V
15
t
uo/V
9
t
题2-5解图
2-6.
ui/V
15
t
uo/V
9
t
-9
题2-6解图
2-7．
（1）利用作图法，UD0.7V,ID2.6mA
i/mA
4
3
22
1
0
0.5
1
2
u/V
题2-7解图
1
ui
dIDeUT
1
26
rD
UT
10
dui
ID
2.6
（2）流过二极管的交流电流有效值为
Id
Ui
10mA1mA
rD
10
2-8．
假设稳压管正向导通压降近似为零，输入波形如
2-8解图所示。
ui/V
ui/V
15
15
oo
tt
uo/V
uo/V
6
15
o
t
t
-15
o
-6
（a）
（b）
题2-8解图
2-9.
（1）3.33V，5V，6V；
（2）稳压管电流为29mA>IZmax，因功耗过大而损坏。
2-10.
根据二极管特性曲线、测试回路方程作图，根据二极管静态电阻定义，测得数据为85
Ω、680Ω和4kΩ时所用的档分别是R×1kΩ、R×100Ω和R×10Ω三个欧姆档。
2-11.
3
ui/V
15
t
uo/V
12.7
t
-12.7
题2-11解图
2-12.
ui/V
12
t
uo/V
11.7
t
题2-12解图
第三章
3-1．填空
（1）发射极、基极和集电极；发射结、集电结；截止区、放大区和饱和区；放大区。
（2）正偏，反偏；正偏，正偏；反偏，反偏。
（3）自由电子，空穴；
（4）较高；
（5）小，大，大，小。
4
3-2．判断下列说法正确与否。
（1）错
（2）对（3）对（4）对（5）对（6）错（7）错（8）错（9）对（10）对
3-3．简答题
（1）不能。
因为三极管中的两个PN结是相互有关联的。
（2）α是共基极电流放大系数；β是共射极电流放大系数；随着集电极电流增大，β略有
减小。
（3）不能，因为三极管中两个PN结并不对称。
（4）三极管放大电路的动态工作点进入了非线性区。
（5）放大电路的动态工作轨迹进入了饱和区；放大电路的动态工作轨迹进入了截止区
（6）产生原因有直流电源电压波动、元件老化、温度变化引起的电子元件参数发生变化；当采用高质量的直流稳压电源和经过老化实验的元件后，可以大大减小直流电源电压波动和元件老化带来的影响，此时产生零点漂移的主要原因是温度的变化，因此零点漂移也称为温度漂移，简称温漂。
（7）低频小信号放大电路消耗的功率小；功放电路消耗的功率大。
（8）三极管的Π模型，Π模型是三极管的物理模型。
（9）利用公式IC
IB
1
ICBO
IB
ICEO，调整电路参数，测量2组基极电流和
集电极电流，列写方程组
IC1
IB1
ICEO
，解方程组即可求得电流增益
和穿透电流
IC2
IB2ICEO
ICEO。
3-4．选择填空
（1）A
（2）
C（3）B
（4）A,B
（5）D,A,B
（6）B
（7）C（8）B,A,A（9）A,C,B,D
（10）
B,B,C,C,B
（11）A,C,D
（12）A
（13）D
（14）A（15）C，B，B
（16）C
（17）
C（18）C（19）A（20）C（21）C（22）A,D
3-5.
12V
-8.5V
6V
6V
3V
-9.2V
5.3V
0.3V
0V
-3V
5.6V
0V
（a）损坏（b）
截止（c）
饱和（d）
放大
题3-5解图
3-6．
5
12V
12V
12V
C
E
C
3.75VB
11.7VB
15VE
E
C
B
3V
0V
14.7V
（a）硅管NPN（b）
锗管PNP（c）
锗管PNP
题3-6解图
3-7．
（1）
IE
IB
0.975
，
39，ICEO
1
1
ICBO40μA
IE
1
ICBO
1
或
IC
IB
1
ICBO
IC
ICBO
IE
IB
ICBO
38.2
IB
ICBO
IB
ICBO
0.975
1
ICEO1
ICBO
40μA
IC
1.5mA
50
（2）A为集电极，B为基极，C为发射极；
0.03mA
IB
3-8．（a）饱和
（b）
放大（c）
饱和
3-9．
-VEE
VCC
RB
RC
CO
RB
RC
CO
IC
+
IC
+
Ci
IB
+
C
i
IB
+
+
PNP
+
RLuo
NPN
RLuo
+
ui
-
-
-
（a）（b）
题3-9解图
6
3-10．
a不能。
没有直流偏置，不能提供合适的静态工作点。
b不能。
电源VCC使发射结反偏，不能提供合适的静态工作点。
c不能。
集电结不是反偏，电路不具备合适的静态工作点。
3-11．
RCC
VCC
VCC
RB1
RC
RC
RB
T1T2
RB2
RE
RE
（a）
（b）
VCC
VCC
RC
RB2RB1
RB
RC
T3
T4
（c）（d）
题3-11解图
3-12．
7
+
us
-
3-13．
IBQ
ICQ
UCEQ
3-14．
T1
RL
+
T2
+
RS
RB2
RC
uo
+
RC
RL
uo
RB1
RB
ui
-
-
-
（a）
（b）
T3
+
+
T4
+
RC
RB1
RL
uo
+
uo
RB2
RL
ui
u
RC
RB
-
-
i
-
-
（c）（d）
题3-12解图
VCC
UBE
32
μA
1
RC
RB1
IBQ
1.6mA
VCC
1
IBQRC
7.1V
（1）UCEVCC
ICRC33IC；
IBQ
VCC
UBE
15.3
μA,
RB
ICQ和UCEQ如题3-14解图中所示。
8
iC（mA）
1.2
1
iB=30μA
1
0.9
RC//RL
Q
iB=20μA
0.75
0.5
0.5
1
1.1
1.5
2
Uo,max1
Uo,max2
题3-14解图
（2）若RL=∞，Uo
0.8V；
（3）若RL=7kΩ，Uo
minUo,max1,Uo,max20.8V
3-15．
静态工作点
I
BQ
VCC
UBE
100μA
RB
1
RE
（1）UCEQ
VCC
ICQ
RCRE20RC
iC（mA）
Q2Q1
051015
IBQ=15μA
1
B
=10μA
i
RC
iB=0μA
2.5
3
uCE（V）
0.5ICQ
iB=200μA
iB=150μA
iB=100μA
iB=50μA
iB=0μA
20uCE（V）
题3-15解图
RC增加时，直流负载线的斜率绝对值减小，静态工作点Q1将向左边移动到Q2。
（2）RB增加时，直流负载线不变，静态工作点Q1沿负载线向下移动。
9
（3）为了使三极管不进入饱和区，UCEQVCCICQRCREUCES,RC1.47kΩ
3-16．
（1）IBQ
VCC
UB
UEB
0.53
μA
1
RE
ICQ
IB
53
μA
UCEQ
VCC
1
IBQRE
ICQRC11.82V
（2）RB1开路，
IBQ
VCC
UEB
0.02mA
RB2
1
RE
集电极电位UC
IBQRC
100
0.02
24V
UEC
VCC
IBQRC
（
）
IBQRE
5.4V
1
此时三极管的发射结正偏、集电结反偏，管子处于放大状态。
RB2开路，
IBQ
0,UC
0,此时管子处于截止状态。
3-17．
（1）IBQ
VCC
UBE
17.7
μA
ICQ
hfe
IB
0.89（mA）
RB
（2）h参数等效电路如题
3-17解图。
其中hie
rbb'
1
UT
1.78k
Ω
IEQ
RS
ib
+
hfeib
+
RB
hie
RL
+
ui
uo
RC
us
-
-
-
ri
ro
题3-17解图
（3）AU
uo
hfe
RC
113
ui
hie
（4）AU
uo
hfe
RC//RL
57,AUs
uo
ri
AU
44
ui
hie
us
riRs
3-18．
10
（1）IBQ
UB
UBEQ
32μA
RB1//RB2
1
RE
ICQ
IBQ
0.96mA
UCEQ
VCC
ICQRCIEQRE
VCC
ICQRC
RE
8.16V
（2）交流小信号等效电路如题
3-18解图所示。
+
ib
βib
+
ui
RB2RB1
rbe
RC
uo
-
-
ri
ro
题3-18解图（a）
（3）
uo
RC
128.6
AU
rbe
ui
（1）
ri
RB1//RB2
//rbe
0.7kΩ，ro
RC
3kΩ
（2）
CE开路时低频小信号等效电路如题
3-18解图（b）所示。
uo
RC
2.84
AU
rbe
1
RE
ui
ib
+
rbe
βib
+
RB2
RB1
RC
uo
ui
RE
-
-
riro
题3-18解图（b）
3-19．
（1）直流通路如题3-19解图（a）所示。
11
VCC
10V
R1
R2
RC
2k
Ω
20kΩ
80kΩ
IC
T
IB
题3-19解图（a）
IBQ
VCCUBE
30.8μA
（R1
R2）1
RC
ICQ
IBQ3.08mA
UCEQ
VCC
1
IBQRC
3.8V
（2）交流通路及交流等效电路如题3-19解图（b）、题3-19解图（c）所示.。
ib
RS
+
hie
hfeib
RC
+
T
RL+
R1
R2
RL
+
RS
+
R1
R2
RC
2kΩ
ui
20kΩ
80kΩ2kΩ2kΩuo
ui
80kΩ
2kΩ
uo
us
-
+
20kΩ
-
-
us
-
-
-
ri
ro
题3-19解图（b）
题3-19解图（c）
（3）riR1//hie0.94kΩ,ro
R2//RC
1.98kΩ
R2//RC//RL
r
AU
125,AUs
i
AU
103
hie
riRS
3-20．
（1）静态工作点
IEQ
UB
UBEQ
UB
UBE
1.34mA
1
RE
RE
RB1//RB2
ICQ
hfe
IEQ
1.33mA
hfe
1
UCEQ
VCCIEQRE
9.3V
（2）中频电压增益
1
hfe
RE//RL
AU
1hfe
0.98
hie
RE//RL
12
（3）ri
RB1//RB2//[hie
（1
hfe）RE//RL
]
12.6kΩ
ro
RS//RB1//RB2
hie
//RE25Ω
1hfe
考虑信号源内阻时电压增益
ri
AU
0.94
AUs
RSri
3-21．
（1）共基组态放大电路；
（2）直流通路如题3-21解图（a）所示。
RB1
+VCC
RC
+15V
60kΩ
2.1k
Ω
eTc
b
RE
RB2
2.9kΩ
60kΩ
题3-21解图（a）
IBQ
UB
UBEQ
RB1//RB2
1
21.1μA
hfeRE
ICQ
hfeIBQ
2.1mA
UCEQ
VCCICQRC
IEQRE4.5V
（3）题3-21图放大电路的交流通路如题3-21解图（b）所示,等效电路如题3-21解图（c）所示。
iee
cic
ie
e
ic
c
T
+
+
+
ib
+
b
RC
RL
RE
RC
RL
uiRE
hie
uo
ui
uo
2.9k
Ω
2.1kΩ
1kΩ
-
-
-
-
b
ro
ri
题3-21
解图（b）
题3-21
解图（c）
13
AU
uo
RC
//RL
43.7
ui
hie
ri
RE//
hie
15.2Ω
hfe
1
roRC2.1kΩ
3-22．
（1）共基组态放大电路。
（2）直流电路如题3-22解图（a）所示。
VCC
+12v
RC
RB13kΩ
30kΩ
T
RB2
15kΩRE
2kΩ
题3-22解图（a）
UB
UBE
1.65mA
IEQ
RE
ICQ
hfe
IEQ
1.62mA
1
hfe
ICQ
0.03mA
IBQ
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