材料科学基础考试复习题.docx
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材料科学基础考试复习题
单项选择题:
1.高分子材料中的C-H化学键属于。
(A)氢键(B)离子键(C)共价键
2.属于物理键的是。
(A)共价键(B)范德华力(C)离子键
3.化学键中通过共用电子对形成的是。
(A)共价键(B)离子键(C)金属键
4.面心立方晶体的致密度为。
(A)100%(B)68%(C)74%
5.体心立方晶体的致密度为。
(A)100%(B)68%(C)74%
6.密排六方晶体的致密度为。
(A)100%(B)68%(C)74%
7.以下不具有多晶型性的金属是。
(A)铜(B)锰(C)铁
8.fcc、bcc、hcp三种单晶材料中,形变时各向异性行为最显著的是。
(A)fcc(B)bcc(C)hcp
9.与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是。
(A)氮(B)碳(C)硼
10.面心立方晶体的孪晶面是。
(A){112}(B){110}(C){111}
11.以下属于正常价化合物的是。
(A)Mg2Pb(B)Cu5Sn(C)Fe3C
12.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子,这样的缺陷称为。
(A)肖特基缺陷(B)弗仑克尔缺陷(C)线缺陷
13.原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为。
(A)肖脱基缺陷(B)Frank缺陷(C)堆垛层错
14.刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系是?
(A)垂直(B)平行(C)交叉
15.能进行攀移的位错必然是。
(A)刃型位错(B)螺型位错(C)混合位错
16.以下材料中既存在晶界、又存在相界的是
(A)孪晶铜(B)中碳钢(C)亚共晶铝硅合金
17.大角度晶界具有____________个自由度。
(A)3(B)4(C)5
18.菲克第一定律描述了稳态扩散的特征,即浓度不随变化。
(A)距离(B)时间(C)温度
19.在置换型固溶体中,原子扩散的方式一般为。
(A)原子互换机制(B)间隙机制(C)空位机制
20.固体中原子和分子迁移运动的各种机制中,得到实验充分验证的是
(A)间隙机制(B)空位机制(C)交换机制
21.原子扩散的驱动力是。
(4.2非授课内容)
(A)组元的浓度梯度(B)组元的化学势梯度(C)温度梯度
22.A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应,测得界面向A试样方向移动,则。
(A)A组元的扩散速率大于B组元
(B)B组元的扩散速率大于A组元
(C)A、B两组元的扩散速率相同
23.下述有关自扩散的描述中正确的为。
(A)自扩散系数由浓度梯度引起
(B)自扩散又称为化学扩散
(C)自扩散系数随温度升高而增加
24.在弹性极限e范围内,应变滞后于外加应力,并和时间有关的现象称为
(A)包申格效应(B)弹性后效(C)弹性滞后
25.塑性变形产生的滑移面和滑移方向是
(A)晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向
(B)晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向
(C)晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向
26.bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中,_________具有最少的滑移系,因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。
(A)bcc(B)fcc(C)hcp
27.,位错滑移的派-纳力越小。
(A)位错宽度越大(B)滑移方向上的原子间距越大(C)相邻位错的距离越大
28.Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是:
(A)溶质原子再扩散到位错周围(B)位错增殖的结果(C)位错密度降低的结果
29.已知Cu的Tm=1083C,则Cu的最低再结晶温度约为。
(A)200C(B)270C(C)350C
30.已知Fe的Tm=1538C,则Fe的最低再结晶温度约为。
(A)350C(B)450C(C)550C
31.位错缠结的多边化发生在形变合金加热的______________阶段。
(A)回复(B)再结晶(C)晶粒长大
32.形变后的材料再升温时发生回复与再结晶现象,则点缺陷浓度下降明显发生在。
(A)回复阶段(B)再结晶阶段(C)晶粒长大阶段
33.形变后的材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化的是。
(A)点缺陷的明显下降
(B)形成亚晶界
(C)位错重新运动和分布
34.由于晶核产生于高畸变能区域,再结晶在___________部位不易形核。
(A)大角度晶界和孪晶界(B)相界面(C)外表面
35.纯金属材料的再结晶过程中,最有可能在以下位置首先发生再结晶形核
(A)小角度晶界(B)孪晶界(C)外表面
36.对于变形程度较小的金属,其再结晶形核机制为。
(A)晶界合并(B)晶界迁移(C)晶界弓出
37.再结晶晶粒长大的过程中,晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因,晶界总是向着______________方向移动
(A)曲率中心(B)曲率中心相反(C)曲率中心垂直
38.开始发生再结晶的标志是:
(A)产生多变化
(B)新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织
(C)晶粒尺寸显著增大
39.在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒属于。
(A)复合强化(B)析出强化(C)固溶强化
40.在纯铜基体中添加铝或锡、镍等微量合金元素属于。
(A)复合强化(B)析出强化(C)固溶强化
41.在纯铝的凝固过程中添加Al-Ti-B细化剂属于。
(A)复合强化(B)晶粒细化(C)固溶强化
42.凝固时在形核阶段,只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心,当形成的核胚半径等于临界半径时,体系的自由能变化。
(A)大于零(B)等于零(C)小于零
43.以下材料中,结晶过程中以非小平面方式生长的是。
(A)金属锗(B)透明环己烷(C)氧化硅
44.以下材料中,结晶过程中以小平面方式生长的是。
(A)金属锗(B)铜镍合金(C)金属铅
45.形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿表面能的。
(A)1/3(B)2/3(C)1/4
46.铸锭凝固时如大部分结晶潜热可通过液相散失时,则固态显微组织主要为。
(A)树枝晶(B)柱状晶(C)胞状晶
47.凝固时不能有效降低晶粒尺寸的是以下哪种方法?
(A)加入形核剂(B)减小液相过冷度(C)对液相实施搅拌
48.对离异共晶和伪共晶的形成原因,下述说法正确的是。
(A)离异共晶只能经非平衡凝固获得
(B)伪共晶只能经非平衡凝固获得
(C)形成离异共晶的原始液相成分接近共晶成分
49.在二元系合金相图中,计算两相相对量的杠杆法则用于。
(A)单相区中(B)两相区中(C)三相平衡水平线上
50.二元系合金中两组元部分互溶时,不可能发生。
(A)共晶转变(B)匀晶转变(C)包晶转变
51.任一合金的有序结构形成温度无序结构形成温度。
(A)低于(B)高于(C)可能低于或高于
多项选择题:
1.以下同时具有方向性和饱和性的结合键的是。
(A)共价键(B)离子键(C)氢键(D)金属键(E)范德华力
2.晶体区别于其它固体结构的基本特征有。
(A)原子呈周期性重复排列(B)长程有序(C)具有固定的熔点(D)各向同性(E)各向异性
3.具有相同配位数和致密度的晶体结构是。
(A)面心立方(B)体心立方(C)简单立方(D)底心立方(E)密排六方
4.以下具有多晶型性的金属是。
(A)铜(B)铁(C)锰(D)钛(E)钴
5.以下等金属元素在常温下具有密排六方晶体结构。
(A)镁(B)锌(C)镉(D)铬(E)铍
6.铁具有多晶型性,在不同温度下会形成等晶体结构。
(A)面心立方(B)体心立方(C)简单立方(D)底心立方(E)密排六方
7.晶体中点缺陷的形成原因有。
(A)(B)(C)(D)(E)
温度起伏,高温淬火、冷变形加工、高能粒子辐照
8.晶体缺陷中属于面缺陷的有。
(A)层错(B)外表面(C)孪晶界(D)相界(E)空位
9.影响扩散的主要因素有。
(A)温度(B)固溶体类型(C)晶体结构(D)晶体缺陷(E)化学成分
10.关于均匀形核,以下说法正确的是。
(A)体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核表面所需能量的三分之二
(B)非均匀形核比均匀形核难度更大
(C)结构起伏是促成均匀形核的必要因素
(D)能量起伏是促成均匀形核的必要因素
(E)过冷度△T越大,则临界半径越大
11.以下说法中,说明了非均匀形核与均匀形核之间的差异。
(A)非均匀形核所需过冷度更小
(B)均匀形核比非均匀形核难度更大
(C)一旦满足形核条件,均匀形核的形核率比非均匀形核更大
(D)均匀形核试非均匀形核的一种特例
(E)实际凝固过程中既有非均匀形核,又有均匀形核
12.晶体的长大方式有。
(A)连续长大(B)不连续长大(C)平面生长(D)二维形核生长(E)螺型位错生长
13.控制金属的凝固过程获得细晶组织的手段有。
(A)加入形核剂(B)减小液相过冷度(C)增大液相过冷度(D)增加保温时间(E)施加机械振动
14.二元相图中,属于共晶方式的相转变有。
(A)共晶转变(B)共析转变(C)偏晶转变(D)熔晶转变(E)合晶转变
15.二元相图中,属于包晶方式的相转变有。
(A)包晶转变(B)包析转变(C)合晶转变(D)偏晶转变(E)熔晶转变
16.二元相图必须遵循以下几何规律:
。
(A)相图中的线条代表发生相转变的温度和平衡相的成分
(B)两个单相区之间必定有一个由该两相组成的两相区把它们分开,而不能以一条线接界
(C)两个两相区必须以单相区或三相水平线隔开
(D)二元相图中的三相平衡必为一条水平线
(E)两相区与单相区的分界线与等温线相交时,其延长线应进入另一两相区内
17.构成匀晶合金的两种组元之间必须满足以下条件:
。
(A)具有相同的晶体结构,晶格常数相近
(B)具有相同的熔点
(C)具有相同的原子价
(D)具有相似的电负性
(E)原子半径差小于15%
18.固溶体的平衡凝固包括等几个阶段。
(A)液相内的扩散过程(B)固相内的扩散过程(C)液相的长大(D)固相的继续长大(E)液固界面的运动
判断题:
第一章
1.离子键的正负离子相间排列,具有方向性,无饱和性。
(错)
2.共价键通过共用电子对而成,具有方向性和饱和性。
(对)
3.同位素的原子具有相同的质子数和中子数。
(错)
第二章
4.复杂晶胞与简单晶胞的区别是,除在顶角外,在体心、面心或底心上有阵点。
(对)
5.晶体结构的原子呈周期性重复排列,即存在短程有序。
(错)
6.立方晶系中,晶面族{111}表示正八面体的面。
(对)
7.立方晶系中,晶面族{110}表示正十二面体的面。
(对)
8.晶向指数和晶面指数(hkl)中的数字相同时,对应的晶向和晶面相互垂直。
(对)
9.晶向所指方向相反,则晶向指数的数字相同,但符号相反。
(对)
10.bcc的间隙不是正多面体,四面体间隙包含于八面体间隙之中。
(对)
11.溶质与溶剂晶体结构相同是置