avimcjs003V01 技术员手册要点.docx
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avimcjs003V01技术员手册要点
目录
一、基础篇1
1.1名词解析1
1.1.1光学物理1
1.1.2半导体2
1.1.3晶体硅太阳电池5
1.1.4EVA7
1.1.5焊接8
1.1.6组件10
1.2基本实验12
1.2.1撕拉实验12
1.2.2EVA快速交联实验13
1.2.3EVA粘结强度实验13
1.2.4TPT粘结强度实验15
1.2.5EVA伸缩实验15
1.2.6EVA萃取交联度实验15
1.2.7电致光EL测试实验17
1.3原材料19
1.3.1电池片19
1.3.2助焊剂19
1.3.3焊带（电极条）22
1.3.4TPT23
1.3.5EVA26
1.3.6硅膜29
1.3.7铝框30
1.3.8接线盒30
1.3.9各种原材料的保质31
二、设备编程33
2.1层压机33
2.1.1层压机操作命令33
2.1.2程序编写35
2.2涂胶机36
2.2.1涂胶机概述36
2.2.2编程手柄编程37
三、太阳能光伏标准39
3.1IEC6121539
3.1.1IEC61215概述39
3.1.2IEC61215主要测试项目40
3.2IEC6173043
3.2.1IEC61730概述43
3.2.2IEC61730主要测试项目43
四、组件认证45
4.1认证45
4.2UL认证46
4.3TUV认证46
4.4VDE认证46
4.5IEC认证46
4.6CSA认证46
4.7CE标志47
4.8认证市场47
一、基础篇
1.1名词解析
1.1.1光学物理
1.1.1.1禁带宽度
从硅的原子中分离出一个电子需要1.12eV的能量，是电子由价带跃迁到导带所需的能量，该能量称为硅的禁带宽度。
1.1.1.2光的吸收
当光照到半导体材料时，拥有比禁带（Eg）还小的能量的光子与半导体间的相互作用极弱，于是顺利的穿越半导体，就好像半导体是透明的一样。
然而，能量比带隙能量大的光子会形成共价键的电子作用，用他们自身所具有的能量去破坏共价键，形成可以自由流动的电子—空穴对。
1.1.2.3光生伏特效应
当光照射到pn结上时，产生电子一空穴对，在半导体内部结附近生成的载流子没有被复合而到达空间电荷区，受内建电场的吸引，电子流入n区，空穴流入p区，结果使n区储存了过剩的电子，p区有过剩的空穴。
它们在pn结附近形成与势垒方向相反的光生电场。
光生电场除了部分抵消势垒电场的作用外，还使p区带正电，N区带负电，在N区和P区之间的薄层就产生电动势，这就是光生伏特效应。
1.1.1.4光程
当天空晴朗，太阳在头顶直射且阳光在大气中经过的光程最短时，到达地球表面的太阳辐射最强。
如图所示，这个光程可用1/cosθz近似，θz是太阳光和本地垂线的夹角。
这个光程一般定义为太阳辐射到达地球表面必须经过的大气光学质量AM（airmass）。
因此，
AM=1/cosθz
这是基于对均匀无折射的大气层的假设，在接近地平线时将引入大约10%的误差。
当θz=0°时，大气光学质量等于1或称AM1；当θz=60°时，则是大气光学质量是2或AM2的情况。
AM1.5（相当于太阳光和垂线方向成48.2°角）为光伏业界的标准。
1.1.2半导体
1.1.2.1载流子
半导体结晶在相邻原子间存在着共用价电子的共价键。
一旦从外部获得能量，共价键被破坏后，电子将从价带跃造到导带，同时在价带中留出电子的一个空位。
这个空位可由价带中邻键上的电子来占据，而这个电子移动所留下的新的空位又可以由其它电子来填补。
这样，我们可以看成是空位在依次地移动，等效于带正电荷的粒子朝着与电子运动方向相反的方向移动，称它为空穴。
在半导体中，空穴和导带中的自由电子一样成为导电的带电粒子（即载流子）。
1.1.2.2复合
当光源被关掉时，系统势必会回到一个平衡状态，而因为光照而产生的电子空穴对势必消失。
在没有外界能量来源的情况下，电子和空穴会无规则运动直到他们相遇并复合。
任何在表面或者内部的缺陷、杂质都会促进复合的产生。
材料的载流子寿命可以定义为电子空穴对从产生到复合的平均存在时间。
复合能够通过以下几种机理发生：
a.辐射复合——吸收的反过程。
电子从高能态返回到低能态，同时释放光能。
这种复合方式在半导体激光器和发光二极管中适用，对硅太阳电池来说并不显著。
b.俄歇复合——“碰撞电离”的反过程。
电子和空穴复合释放出多余的能量，这些多余的能量被另外一个电子吸收，随后，这个吸收了多余能量的电子弛豫返回原先的能态并释放声子。
俄歇复合在掺杂较重的材料中尤其显著。
当掺杂浓度超过10的17次方/cm3时，俄歇复合称为最主要的复合过程。
c.通过陷阱复合——当半导体中的杂质或表面的界面陷阱在禁带间隙中产生允许的能级时，这个复合就能发生。
电子分两个阶段完成与空穴的复合。
首先电子跃迁到缺陷能级，然后跃迁到价带。
d.表面复合——表面可以说是晶体结构中有相当严重缺陷的地方。
在表面处存在许多能量位于禁带中的允许能态。
因此由上面所叙述的机构，在表面处，复合很容易发生。
1.1.2.3价带和导带
价带（valenceband）或称价电带，通常是指半导体或绝缘体中，在0K时能被电子占满的最高能带。
对半导体而言，此能带中的能级基本上是连续的。
全充满的能带中的电子不能在固体中自由运动。
但若该电子受到光照，它可吸收足够能量而跳入下一个容许的最高能区，从而使价带变成部分充填，此时价带中留下的电子可在固体中自由运动。
价带中电子的自由运动对于与晶体管有关的现象是很重要的。
被价电子占据的允带（低温下通常被价电子占满）。
导带是由自由电子形成的能量空间。
即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。
对于金属，所有价电子所处的能带就是导带。
对于半导体，所有价电子所处的能带是所谓价带，比价带能量更高的能带是导带。
在绝对零度温度下，半导体的价带（valenceband）是满带（见能带理论），受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带（forbiddenband/bandgap）进入能量较高的空带，空带中存在电子后即成为导电的能带——导带。
导带是半导体最外面（能量最高）的一个能带，是由许多准连续的能级组成的；是半导体的一种载流子——自由电子（简称为电子）所处的能量范围。
导带中往往只有少量的电子，大多数状态（能级）是空着的，则在外加作用下能够发生状态的改变，故导带中的电子能够导电，即为载流子。
1.1.2.4能带模型
能带模型根据价带和导带间的能级来描述半导体的运作特性。
电子在共价键中的能量对应于其在价带的能量。
电子在导带中是自由运动的。
带隙的能量差反映了使电子脱离价带跃迁到导带中所需的最小能量，只有电子进入导带中才能产生电流。
同时，空穴在价带以相反于电子的方向运动，产生电流。
这个模型被称为能带模型。
1.1.2.5直接跃迁型、间接跃迁型
光为价带电子提供能量，使它跃迁到导带，在跃迁过程中，能量和动量守恒，对没有声子参与的情况，即不伴随有动量变化的跃迁称为直接跃迁，而伴随声子的跃迁称为间接跃迁。
硅属于间接跃迁类型，其吸收系数上升非常平缓，所以在太阳光照射下，光可到达距表面20m以上相当深的地方，在此还能产生电子一空穴对。
与此相反，对直接跃迁型材料GaAs，在其禁带宽度附近吸收系数急剧增加，对能量大于禁带宽度的光子的吸收缓慢增加，此时，光吸收和电子一空穴对的产生，大部分是在距表面2m左右的极薄区域中发生。
简言之，制造太阳电池时，用直接跃迁型材料，即使厚度很薄，也能充分的吸收太阳光，而用间接跃迁型材料，没有一定的厚度，就不能保证光的充分吸收。
但是作为太阳电池必要的厚度，并不是仅仅由吸收系数来决定的，与少数载流子的寿命也有关系，当半导体掺杂时，吸收系数将向高能量一侧发生偏移。
1.1.2.6P-N结
在一块半导体晶体内，P型和n型紧接在一起时，将它们交界处称为pn结。
一旦形成pn结，由于结两边的电子和空穴的浓度不同，电子就强烈地要从n区向p区扩散，空穴则要向相反方向扩散，其结果在n型一边出现正电荷，在p型一边出现负电荷，这两种电荷层在半导体内部建立了一个内建电场，这个电场反过来又在结处产生一个内部电位降，阻挡了电子和空穴的进一步扩散，包含这两种电荷层的空间称为耗尽区或空间电荷区。
通过这个空间电荷区的作用，使费米能级成同一水平，达到平衡状态。
内建电场从n区指向p区，形成势垒。
在平衡状态下，由于扩散，从p区越过势垒向n区移动的空穴数目等同于空间电荷区附近n区中由于热运动产生的少数载流子空穴在空间电荷区内建电场的作用下漂移到p区的数目，因此没有电流流过。
对于电子也可做同样的论述。
1.1.3晶体硅太阳电池
1.1.3.1暗电流
光电流一部分流经负载RL，在负载两端建立起端电压V，反过来它又正向偏置于p—n结二极管，引起一股与光电流方向相反的暗电流Ibk。
1.1.3.2串联电阻
由于前面和背面的电极和接触，以及材料本身具有一定的电阻率，基区和顶层都不可避免的要引入附加电阻。
流经负载的电流，经过它们时，必然引起损耗。
在等效电路中，可将它们的总效果用一个串联电阻Rs来表示。
1.1.3.3并联电阻
由于电池边沿的漏电和制作金属化电极时，在电池的微裂纹、划痕等处形成的金属桥漏电等，使一部分本应通过负载的电流短路，这种作用的大小可用一并联电阻Rsh来等效。
1.1.3.4等效电路图
（a）不考虑串并联电阻（b）考虑串并联电阻
1.1.3.5转换效率
转换效率表示在外电路连接最佳负载电阻R时，得到的最大能量转换效率，其定义为：
即电池的最大功率输出与入射功率之比，
这里我们定义一个填充因子FF为：
填充因子正好是I-V曲线下最大长方形面积与乘积VocIsc之比，所以转换效率可表示为
1.1.3.6小结
一个太阳电池的转换效率是其输出功率与输入功率之比。
为获取高效率，希望有大的短路电流，高的开路电压和大的填充因子，如果太阳电池用禁带宽度（Eg）小的材料做成，则短路电流较大。
好的制造工艺及好的电池设计因载流子复合最小，也能使短路电流提高。
太阳电池若用Eg大的材料做成，则具有较高的开路电压。
填充因子是I－V曲线拐点处陡度的量度，串联电阻可使它变小。
通常开路电压较高时，FF也较大。
转换效率随光强增大而增大，随温度降低也增大。
用Eg值介于1.2～1.6eV的材料做成太阳电池，可望达到最高效率。
薄膜电池用直接带隙半导体更为可取，因为它能在表面附近吸收光子。
1.1.4EVA
1.1.4.1交联
交联是聚合物改性的一个重要手段。
线性或轻度支链形的聚合物，通过交联剂的作用，转化为三维网状结构。
它可显著提高聚合物的耐热性、耐油性、耐磨性、力学强度等性能，扩大制品的应用范围。
1.1.4.2热固性树脂的固化
热固性树脂的固化是粘合剂胶结工艺的关键之一。
用力学的方法可以很好的研究热固性树脂的固化过程，像扭辫发、动态弹簧法、动态扭振法等动态力学方法已成功应用于环氧树脂等固化过程的研究。
使用动态力学方法可以由一个单独的试验来检测树脂由液态到固态转变的过程，全真的模拟整个成形工艺，并反映树脂力学性能随温度变化的规律，得到一些固化反应表现动力学的参数。
1.1.4.3动态扭振法
动态扭振法是强迫振动非共振法的一种，基本构造如下图1：
内装加热丝的下膜3填充待测树脂试样，合模后由它作小角度的扭振运动。
开动升降电机6使上模2（也装有加热丝）向下运动而合模，上下模之间的间距可以根据需要加以调节。
一俟合模，扭振电机迫使下模3扭振。
扭振的角度也可根据固化树脂的硬度不同由减速齿轮上的偏心轮4调整。
扭振运动通过树脂层传给上模2，并由应变片电桥组成的测力传感器1转换为电量，经放大器8放大后由记录仪10记录。
上下模的温度由各自的温控装置9调控。
树脂固化议得到的固化曲线（图2），横坐标是固化时间，纵坐标则是为使树脂做小角度扭振所需要的扭矩，可以看做是固化树脂固化程度的一个相对参数。
若把合模启动电机的时刻取作固化的起始时间（O点），那么直到A点以前固化反应在树脂物料的力学状态上还没表现出来，树脂一直保持液态状态。
由于扭振频率很低（0.005Hz），为使下模作小角度扭振所需要的扭矩等于零，反应在固化曲线上就是一条直线（OA）。
到了A点，线形的高分子链开始发生交联，本是液态的树脂体系开始出现凝胶，扭矩开始出现，因此，OA段反映的时间就是热固性树脂体系的凝胶时间tg。
A点以后为使下模作扭振所需的扭矩随固化时间的增加而增加，扭矩增加的快慢，即外包络线的斜率，放映了树脂固化的速度。
以后随固化时间的增加，固化反应逐渐完善，模量的改变，从而扭矩的改变渐趋平缓。
最后达到平衡值B点，即达到了该温度下的完全固化。
这OD段代表的就是（相对）完全固化时间，它所对应的最大扭矩平衡值的大小就可以看做是热固性树脂的相对固化度。
1.1.5焊接
1.1.5.1可焊性
所谓可焊性，是指液态焊料与母材之间应能互相溶解，即两种原子之间要有良好的亲和力。
两种不同金属互熔的程度，取决于原子半径及它们在元素周期表中的位置和晶体类型。
锡铅焊料，除了含有大量铬和铝的合金的金属材料不易互溶外，与其他金属材料大都可以互溶。
为了提高可焊性，一般采用表面镀锡、镀银等措施。
1.1.5.2虚焊
氧化是产生“虚焊”的主要原因之一。
焊料和母材表面必须“清洁”，这里的“清洁”是指焊料与母材两者之间没有氧化层，更没有污染。
当焊料与被焊接金属之间存在氧化物或污垢时，就会阻碍熔化的金属原子的自由扩散，就不会产生润湿作用。
焊料和焊接基体的氧化和硫化物、污染物的程度不同，将对助焊剂提出更为严格的要求。
一方面，氧硫化程度严重，不仅需要相对较多的活性物质去反应，消耗过多的活性物质；另一方面，氧化硫化物严重到一定程度，有一些正常情况下很好使用的助焊剂不能与污染物反应，再多也不能解决问题，这就需要改变活性物质的成分来解决。
1.1.5.3润湿
又称浸润，是指熔融焊料在金属表面形成均匀、平滑、连续并附着牢固的焊料层。
浸润程度主要决定于焊件表面的清洁程度及焊料的表面张力。
金属表面看起来是比较光滑的，但在显微镜下面看，有无数的凸凹不平、晶界和伤痕，焊料就是沿着这些表面上的凸凹和伤痕靠毛细作用润湿扩散开去的，因此焊接时应使焊锡流淌。
流淌的过程一般是松香在前面清除氧化膜，焊锡紧跟其后，所以说润湿基本上是熔化的焊料沿着物体表面横向流动。
1.1.5.4表面活性剂（助焊）
对正规的助焊剂生产商来说，表面活性剂的化学活性要求很弱或无化学活性，只是降低表面张力，提高浸润和扩散能力而已，因此残留与否都不具有腐蚀能力。
丁二酸，无色结晶体，熔点185℃，沸点235℃（分解为酸酐）
已二酸：
沸点:
265℃熔点:
151-153℃
三乙醇胺：
分子式：
N（CH2CH2OH）3理化性质：
常温下无色、粘稠液体，
稍有氨味，易溶于水、乙醇。
可腐蚀铜、铝及其合金。
液体和蒸汽腐蚀皮肤和眼睛。
可与多种酸反应生成酯、酰胺盐。
沸点360.0℃，熔点21.2℃，从理化性质看出，不能多加，同时也有表面活性剂的作用。
1.1.6组件
1.1.6.1组件转化效率
受光照太阳电池的最大输出功率与入射到该太阳电池上的全部辐射功率的百分比定义为电池的转化效率：
η=VmIm/AtPin
其中，VmIm分别为最大输出功率点的电压和电流，At为太阳电池的有效面积，Pin为单位面积太阳入射光的功率。
1.1.6.2填充因子
太阳电池的最大输出功率与开路电压和短路电流乘积之比，通常用FF（或CF）表示，称为填充因子：
FF=ImVm/IscVoc
IscVoc是太阳电池的理论极限输出值；ImVm是太阳电池的最大输出功率；
填充因子是表征太阳电池性能的重要参数。
1.1.6.3PE、高压、绝缘测试
PETest的测试原理就是给铝框之间施加一个电压，测试通过其电流的大小，从而得到铝框之间的电阻判断两框之间的连接状态（测量不同的铝框之间是否连通）。
买家安装时都会把组件铝框接地，如果各铝框之间的连接性好，电阻小，雷击打在铝框上就能通过接地把电流引导到大地上，既能保护组件的安全，又能保证人员的安全。
HVTest：
高压测试，就是给铝框施加一个高压，看组件中是否有电流流过，我们的工艺要求一般是给铝框施加一个6000V的电压，持续10秒时间测组件中的电流值，如果电流一直小于2mA则高压绝缘测试通过，反之就不通过。
ISOTest：
绝缘测试，就是给组件的铝框施加一个530V的电压，持续10秒，通过流过组件的电流计算组件边缘绝缘物质的电阻，其理论值应该是无穷大的，显示的也就是99.99MOhm。
1.1.6.4热斑效应
太阳电池热斑是指太阳电池组件在太阳光照射下，由于部分组件受到遮挡无法工作，使得被遮盖的部分升温远远大于未被遮挡部分，致使温度过高出现烧坏的暗斑，热斑可能导致整个电池组件的损坏，造成损失。
太阳电池热斑的形成主要由两个内在因素构成，分别与内阻和电池自身暗电流大小有关。
当光伏阵列中太阳电池被云、树叶或其它物体遮挡时，由于光照的变化，其温度将明显不同于阵列中那些未遮挡的部分。
同样，当光伏电池于开路、短路或典型负载等不同工作状态，由于流过的电流和内阻均有变化，其温度亦有所不同。
当太阳电池组件中部分电池损坏时，其温度差异将更加爱明显。
1.1.6.5电致光
外部光源激励太阳电池发光，通过滤光以及特殊感光元件采集特定波长的发光信号。
太阳电池的电致光亮度正比于少子扩散长度，正比于电流密度。
通过EL图像的分析可以有效的发现硅片、扩散、钝化、网印及烧结各个环节可能存在的问题，对改进工艺、提高效率和稳定生产都有很重要的作用，因而太阳电池电致发光测试仪被认为是太阳电池生产线的“眼睛”。
最常见、最直观的问题：
丝印缺陷（堵孔、短路）、边沿短路修复、断栅、虚焊、材料缺陷、烧结缺陷、工艺污染、工艺夹具污染、未烧透、隐裂、裂片。
1.2基本实验
1.2.1撕拉实验
1.2.1.1拉力计
ON/OFF：
拉力计开关键；
PEAK：
峰值锁定键；
ZERO：
清零键
换算
将显示数值乘以10即为重力数值。
1KG=9.8N。
大约为10N。
我们按照10N计算
1.2.1.2操作方法
A一只手将焊带水平翻转180°
B安装挂钩，打开拉力机开关，待显示数据稳定后准备测量。
C将测力计挂在焊带上
D另一只手固定好电池片
E准备好之后，开始水平、缓慢拉动测力计直至焊带脱离电池片。
（保证拉力计水平与桌面）
F读测力计示数
G记录实验结果
H标准要求为：
超过70%以上范围，0.8-4N拉力为合格的焊接质量。
不满足其中任意一条视为焊接质量不合乎要求。
1.2.2EVA快速交联实验
A.制备实验样品
B.按照规定位置摆放样品
C.制备隔100mm*2.5mm样品条
D.配重7.6g，烘箱内，90℃加热10分钟
E.冷却10分钟，测量实验结果（98mm≤L≤101mm）
1.2.3EVA粘结强度实验
A准备好实验所需的材料，如实验玻璃板、玻璃纤维布、EVA块、笔直刀、尺子；
B准备好之后，按下图操作，最终的样品应是EVA一半与玻璃粘连在一起，一半是由玻璃纤维布将EVA与玻璃隔离的；
a.取200mm*200mmEVA两张；
b.实验玻璃一块，玻璃纤维布两张；
c.将EVA放在玻璃与玻璃纤维布之间；
d.将另一张玻璃纤维布将一半EVA与玻璃隔离；
e.f.g.样品完成；
h.手动或随大货进层压机。
C待样品层压完毕后，将未粘连的EVA部分裁成1cm宽的长条；
D用测力计水平拉动裁好的EVA长条；
E做好实验记录。
1.2.4TPT粘结强度实验
A.TPT粘结强度实验与EVA粘结强度实验在做样品时的不同之处在于——EVA粘结强度实验样品最外层的玻璃纤维布换成等同大小的TPT即可；
B.将另一张玻璃纤维布将EVA与一半TPT隔离；
C.待样品层压完毕后，将未粘连的TPT部分裁成1cm宽的长条；
D.用测力计水平拉动裁好的EVA长条；
E.做好实验记录。
1.2.5EVA伸缩实验
为了判断生产使用的EVA的伸缩特性，我们需要做些相关实验来判断，EVA伸缩实验只是一个简单的、粗略判断其伸缩情况的小实验，具体操作如下：
1.切一块150mm*100mm（L*W）的EVA块；
2.在烘箱中，90℃加热1小时；
3.冷却；
4.直尺测量实验结果。
目前车间使用的EVA伸缩情况为：
横向伸长，纵向缩短。
1.2.6EVA萃取交联度实验
1.2.6.1实验原理
EVA类胶粘剂，在应用工艺中由于加热粘结固化，部分EVA交联或凝胶。
用溶剂二甲苯来萃取样品中未交联部分，从而得以进行交联度的测定。
1.2.6.2交联度检验
（1）仪器装置及器具
容量为500ml到1000ml,24”磨口圆底烧瓶;带24”磨口的回流冷凝管;配温度控制仪的电加热套或电加热油浴;真空烘箱;用0.125mm（120目）不锈钢丝网,剪取80mm×40mm,对折成40mm正方形,两侧对折进6mm后固定,制成顶端开口的袋.
（2）试剂
二甲苯:
（A.R级）
（3）试样制备
取胶膜一块,将TPT/胶膜/胶膜/玻璃叠合后,按平时一次固化工艺固化交联,（或者按厂家工艺要求固化交联）将已交联好的胶膜剪成小碎片待用.
（4）检验步骤
A.将不锈钢丝网袋洗净、烘干、称重为W1（精确到0.01g）.
B.取试样0.5g±0.01g,放入不锈钢丝网袋中,称重为W2（精确到0.01g）.
C.封住袋口作成试样包,并称重为W3（精确到0.01g）.
D.试样包用细铁丝悬吊在回流冷凝管下的烧瓶中,烧瓶内加入1/2二甲苯溶剂,加热到140℃左右,溶剂沸腾回流5h～6h时,回流速度保持20滴/分～40滴/分.
E.冷却取出试样包,悬挂除去溶剂液滴,然后放入真空烘箱内,温度控制在140℃,真空度为0.08Mpa,干燥3h,完全除去溶剂.
F.将试样包从真空烘箱内取出,放置干燥器中冷却20min后,取出称重为W4（精确到0.01g）
结果计算 C=[1-（W3-W4）/（W2-W1）]×100式中:
C—交联度（%）
W1—空袋重量（g）
W2—装有试样的袋重（g）
W3—试样包重（g）
W4—经溶剂萃取和干燥后的试样包重（g）.
1.2.7电致光EL测试实验
1.2.7.1前言
正常组件的I-V曲线应是一条圆滑曲线，而车间电池片使用到250批次时，出现曲线陡降异常，如图a，甚至于出现多个台阶状的陡降，如图b：
a.I-V曲线陡降b.I-V曲线陡降
1.2.7.2组件电致光测试
针对上面两张图片的描述，初步判断，组件使用的电池片有问题，遂将问题组件，进行电致光测试
（1）
（2）（3）
结果出现上述3张图片所描述的：
组件中存在大量的且规则的不良片。
1.2.7.3电池片的电致光测试
在最总确定电池片有问题后，便停用了当前使用的电池片，并进行电池片测试，得出结论如下：
a.电池片确实有问题；
b.大体缺陷有：
电池片烧结缺陷、电池片断栅；
电池片烧结缺陷电池片断栅
1.3原材料
1.3.1电池片
1.3.1.1茂迪Motech电池片尺寸规格
1.
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