元器件降额标准参考.docx
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元器件降额标准参考
元器件降额准则(参考件)
元器件种类
降额参数
降额等级
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
集成电路
模拟电路
放大器
电源电压
输入电压
输出电流
功率
最高结温(℃)
80
95
105
比较器
电源电压
输入电压
输出电流
功率
最高结温(℃)
80
95
105
电压调整器
电源电压
输入电压
输出输入电压差
输出电流
功率
最高结温(℃)
80
95
105
模拟开关
电源电压
输入电压
输出电流
功率
最高结温(℃)
80
95
105
数字电路
双极型电路
频率
输出电流
最高结温(℃)
85
100
115
MOS型电路
电源电压
输出电流
功率
最高结温(℃)
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路(W/cm2)
薄模集成电路(W/cm2)
最高结温(℃)
85
100
115
大规模集成电路
最高结温(℃)
改进散热方式降低结温
分离半导体器件
晶体管
方向
电压
一般晶体管
功率MOSFET的栅源电压
电流
功率
功率管安全工作区
集电极-发射极电压
集电极最大允许电流
最高结温
Tjm(℃)
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
微波晶体管
最高结温
同晶体管
二极管(基准管除外)
电压(不适用于稳压管)
电流
功率
最高结温
Tjm(℃)
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
微波二极管
最高结温
同二极管
基准二极管
可控硅/半导体光电器件
电压
电流
最高结温
Tjm(℃)
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
固定电阻器
合成型电阻器
电压
功率
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
薄膜型电阻器
电压
功率
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
电阻网络
电压
功率
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
线绕电阻
电压
功率
精密型
功率型
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
电位器
非线绕电位器
电压
功率
合成、薄膜微调
精密塑料型
不采用
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
线绕电位器
电压
功率
普通型
非密封功率型
-
-
微调线绕型
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
热敏电阻器
功率
最高环境温度(℃)
TAM-15
TAM-15
TAM-15
电容器
固定玻璃釉型
直流工作电压
最高额定环境温度TAM(℃)
TAM-10
TAM-10
TAM-10
固定云母型
直流工作电压
最高额定环境温度TAM(℃)
TAM-10
TAM-10
TAM-10
固定陶瓷型
直流工作电压
最高额定环境温度TAM(℃)
TAM-10
TAM-10
TAM-10
固定纸/塑料薄膜
直流工作电压
最高额定环境温度TAM(℃)
TAM-10
TAM-10
TAM-10
电解电容器
铝电解
直流工作电压
-
-
最高额定环境温度TAM(℃)
-
-
TAM-20
钽电解
直流工作电压
最高额定环境温度TAM(℃)
TAM-20
TAM-20
TAM-20
微调电容器
直流工作电压
~
最高额定环境温度TAM(℃)
TAM-10
TAM-10
TAM-10
电感元件
热点温度THS(℃)(简写T)
T-40~25
T-25~10
T-15~0
工作电流
~
~
~
瞬间电压/电流
介质耐压
~
~
~
扼流圈工作电压
继电器
连续触点电流
小功率负荷(<100mW)
不降额
电阻负载
电容负载(最大浪涌电流)
电感负载
电感额定电流的
电阻额定电流的
电机负载
电机额定电流的
电阻额定电流的
灯丝负载
灯泡额定电流的
电阻额定电流的
~
触点功率(用于舌簧水银式)
线圈吸合电压
最小维持电压
最小线圈电压
线圈释放电压
最大允许值
最小允许值
最高额定环境温度TAM(℃)
TAM-20
TAM-20
TAM-20
振动极限
工作寿命(循环次数)
开关
连续触点电流
小功率负荷(<100mW)
不降额
电阻负载
电容负载(电阻额定电流的)
电感负载
电感额定电流的
电阻额定电流的
电机负载
电机额定电流的
电阻额定电流的
灯丝负载
灯泡额定电流的
电阻额定电流的
~
触点电压
触点功率
连接器
工作电压
工作电流
最高接触对额定温度TM(℃)
TM-40
TM-20
TM-15
电机
最高工作温度(℃)
T-40
T-20
T-15
最低极限(℃)
0
0
0
轴承载荷额定值
灯泡
白炽灯
工作电压(如可行)
氖/氩灯
工作电压(如可行)
电路断路器
电流
阻性负载
容性负载
感性负载
电机负载
灯丝负载
最高额定环境温度TAM(℃)
TAM-20
保险丝
电流额定值
>0.5A
~
~
~
≤0.5A
~
~
~
T>25℃时,增加降额1/℃
晶体
最低温度(℃)
TL+10
TL+10
TL+10
最高温度(℃)
TU-10
TU-10
TU-10
微波管
最高额定环境温度(℃)
TAM-20
TAM-20
TAM-20
输出功率
反射功率
占空比
声表面波器件
输入功率(f>100MHz)
降低+10dBm
输入功率(f<100MHz=
降低+20dBm
纤维光学器件
光纤光源
峰值光输出功率
(适用于ILD)
电流
(适用于ILD)
结温
设法降低
光纤探测器
PIN反向压降
结温
设法降低
光纤与光缆
温度
上限额定值-20;下限额定值+20
张力
光纤
耐拉试验的
光缆
拉伸额定值的
弯曲半径
最小允许值的
核辐射
按产品详细规范降额或加固
导线与电缆
最大应用电压
最大绝缘电压规定值的
最大应用电流(A)
线规AVG
30/28/26/24/22/20/18/16
单根导线电流ISV
线规AVG
14/12/10/8/6/4
单根导线电流ISV
双极型数字电路降额准则
降额参数
降额等级
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
电源电容容限
±3%
±5%
见技术条件
频率
输出电流
最高结温(C)
85
100
115
HP电压降额标准
器件型号
正常状态
最差状态
电阻
峰值电压(%)
功率(%)
温度
峰值电压(%)
功率(%)
温度
碳膜、金属膜
50
50
PCB的标准焊接温度
85°C
50
80
PCB的标准焊接温度
100°C
100Kohm
1/4W
1/2W
50
50
50
80
1W
40
50
40
80
100Kohm
1/4W
80
50
80
80
1/2W
80
50
80
80
1W
80
60
80
80
2W
80
50
80
60
玻璃釉电阻
70
60
压敏电阻
80
50
80
80
不同功率下的峰值电压:
1/6W-200(150)V;1/4W-250V;1/2W-350V;1W-350V;2W-350V;3W-500V;5W-500V
器件型号
Isteady(%)
Im(%)
Isteady(%)
Im(%)
NTC-电阻
PTC-电阻
80
80
电容
VDC(%)
VCP(%)
Vpeak(%)
Irms
(%)
Ip-p(%)
Temp(%)
VDC(%)
VCP(%)
Vpeak(%)
Irms
(%)
Ip-p(%)
Temp(%)
薄膜电容
85
85
PE
MPE
90
85
MPP
85
85
85
Ceramicfixed
陶瓷电容
75
80
90
90
Electrolytic
(85°C,2000h)
80
80
85
60
90
95
90
70
Electrolytic
(105°C,2000h)
80
80
90
60
90
95
90
70
ComponentTyp
NormalCase
WorstCase
Inductors
CoreTemp(°C)
CoreTemp(%)
CoreTemp(°C)
CoreTemp(%)
ChokeCoil
80
Transformer
Semiconductors
Tjmin.=150°C
Note:
TjtoTcasehastobecalculatedforverificationinanycase
Diode
Vrm(%)
Io(%)
Ifsm(%)
Tcase(°C)
Vrm(%)
Io(%)
Ifsm(%)
Tcase(°C)
90
50
70
90
ZenerDiode
Pd(%)
Iz(%)
IFM(%)
Tcase(°C)
Pd(%)
Iz(%)
IFM(%)
Tcase(°C)
50
50
80
90
Damp/ModulationDiode
Vrm(%)
Io(%)
Ifsm(%)
Tcase(°C)
90
50
70
90
Transistors
Vce(%)
Veb(%)
IC(%)
Tcase(°C
Vce(%)
Veb(%)
IC(%)
Tcase(°C
85
85
85
85
85
85
90
MOSFET
Vpss(%)
Ip(%)
IDM(%)
VGS(%)
Vpss(%)
Ip(%)
IDM(%)
VGS(%)
85
80
80
85
90
85
80
85
IC
Vpeak(%)
Pd(%)
Tcase(°C)
Vpeak(%)
Pd(%)
Tcase(°C)
80
80
90
85
80
90
PCB(SolderTemp)
85°C
100°C
SpecialParts
Vpeak(%)
Irms(%)
Tcase(°C)
Vpeak(%)
Irms(%)
Tcase(°C)
SwitchPower
MOSFET
85
90
85
100
DC-DCbooster
MOSFET
DC-DCbooster
rectifier
output
器件型号
NormalCase
WorstCase
SpecialParts
Vpeak(%)
Irms(%)
Tcase(%)
Vpeak(%)
Irms(%)
Tcase(%)
H-Driver/Vertical
行场驱动
80
80
75
85
80
80