西电微电子学院数字集成电路上机作业.docx
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西电微电子学院数字集成电路上机作业
《数字集成电路》上机实验
姓名：
***
班级：
***
学号：
***
第一次实验
一、实验目的：
掌握HSPICES软件的使用方法，用于分析二极管及CMOS反相器的直流特性，通过改变电源电压及MOS管的宽长比得到一组CMOS反相器的电压传输特性曲线，从而理解CMOS反相器电压传输特性曲线的影响因素和调整方法。
二、实验内容：
1.由上图所示，令
（1）IS=10-14A，T=300K；
（2）IS=10-16A，T=300K；（3）IS=10-14A，T=350K，利用SPICE求解VD1、VD2和ID。
【仿真代码】
.TITLEamplifierSHU
.LIB'D:
\Digital\lib\csmc06.LIB'TT
.TEMPtemvalue
R1122k
R2342k
D123DMOD
D240DMOD
.MODELDMODDIs=isvalue
.PARAMtemvalue=27isvalue=1E-14
V110DC2.5
.OP
.ALTER
.PARAMtemvalue=27isvalue=1E-16
.ALTER
.PARAMtemvalue=77isvalue=1E-14
.OPIONSLISTNODEPOST=2
.END
【结果】
【分析】
VD1=525.4463mv、VD2=525.4463mv和ID=362.2768uA
2.
（1）由下图所示，令Vin从0V变化到2.5V，步长为0.5V，利用SPICE求M1管电流变化的曲线，判断管子的工作状态；当M1的尺寸变化为W/L=4u/1u时，求IM1，并解释两条曲线存在误差的原因。
【仿真代码】
.TITLEamplifierSHU
.LIB'D:
\Digital\lib\mix025_1.lib'TT
.PARAMdd=2.5
Vdd10DCdd
Vin20DC
M_M10211pchL=1UW=4U
.DCVin02.50.5
.PRINTI
（2）
.OP
.OPTIONNODELISTPOST
.END
.TITLEamplifierSHU
.LIB'D:
\Digital\lib\mix025_1.lib'TT
.PARAMdd=2.5
Vdd10DCdd
Vin20DC
M_M10211pchL=0.25UW=1U
.DCVin02.50.5
.PRINTI
（2）
.OP
.OPTIONNODELISTPOST
.END
【结果】
【分析】
在1.5V之前是工作在线性区，1.5-2V之间是可变电阻区，2V以后工作在饱和区。
（2）如上图所示，取一组Vin值（0，0.5，1，1.5，2，2.5），令VDD从0V变化到2.5V，步长为0.5V，利用SPICE求M1管的I-V特性曲线。
【仿真代码】
.TITLEamplifierSHU
.LIB'D:
\Digital\lib\mix025_1.lib'TT
.PARAMdd=2.5
Vdd10DCdd
Vin20DC
M_M10211pchL=0.25UW=12U
.DCVin02.50.5sweepVdd02.50.5
.PRINTI
（2）
.OP
.OPTIONNODELISTPOST
.END
【结果】
【分析】
当加上不同的栅电压时，会造成沟道的宽度不一样，源漏电压一定时，沟道电流的大小不一样。
栅电压越大，电流越大。
三、实验步骤：
1、对照电路编写网表
2、运行HSPICE
a.点击OPEN键，加载编写好的网表；
b.点击SIMULATE键，进行仿真；
c.点击EDITLL键，查个输出结果；若发现有错误，点击EDITNL键修改网表，保存后继续b步操作；
d.点击AVANWAVES，打开图形化窗口察看各种输入输出波形。
第二次实验
一、实验内容：
3.
（1）求上述反相器的电压转换曲线，根据其特性曲线找出电路临界电压值Vckt（Vckt=Vin=Vout）；（.dcvin00.250.25）
【仿真代码】
.TITLEamplifierSHU
.LIB'D:
\Digital\lib\mix025_1.lib'TT
.PARAMdd=2.5
Vdd10DCdd
Vin20DC
Vsb04DC
M_Mp3211pchL=0.25UW=1.25U
M_Mn3204nchL=0.25UW=0.375U
.DCVin02.50.01
.PRINTDCV（Vin）V（Vout）
.OP
.OPTIONNODELISTPOST
.END
【结果】
【分析】
根据其特性曲线找出电路临界电压值Vckt为1.26V
（2）若想得到Vckt=Vdd/2的电路临界值，那么PMOS及NMOS的栅极宽度比值应该是多少？
（扫描wn或wp，根据模型提供的宽长比范围选择扫描范围。
wn（0.35u~0.4u,0.001u），wp（1.2u~1.21u,0.001u），范围越小，线性度越好。
Vinvin0DC1.25
.dcwp1.2u1.21u0.001u）
【仿真代码】
.OPTIONPOSTNODELIST
.LIB'E:
\Digital\lib\mix025_1.lib'TT
M_M13211pchL=0.25uwp=1.25u
M_M23204nchL=0.25uwn=0.35u
vdd10dc2.5
vin20dc1.25
vsb40dc0.3
.dcvin00.250.25sweepwn0.35u0.4u0.001u
.op
.plotv
（2）v（3）
.end
【结果】
【分析】
PMOS及NMOS的栅极宽度比值应该是PMOSL=0.25uwp=1.25u。
NMOSL=0.25uwn=0.35u
（3）令VSB从0变化到0.3V，求反相器的电压转换曲线，解释VOUT产生变化的原因。
（.dcvin02.50.25sweepvsb00.30.1）
【仿真代码】
.TITLEamplifierSHU
.LIB'D:
\Digital\lib\mix025_1.lib'TT
.PARAMdd=2.5
Vdd10DCdd
Vin20DC
Vsb04DC
M_Mp3211pchL=0.25UW=1.25U
M_Mn3204nchL=0.25UW=0.375U
.DCVin02.50.01sweepVsb00.30.06
.PRINTDCV（Vin）V（Vout）
.OP
.OPTIONNODELISTPOST
.END
【结果】
【分析】
由于源和衬底之间存在电压，会使衬底电子的能量变高，也就是说源漏之间的势垒高度会变高，则需要更大的栅压才能导通源漏，也就是使得阈值电压变大了
4.考虑下图中的电路：
（1）如上图所示，输入一个脉冲信号Vin：
pulse（0Vdd5n0.1n0.1n9n20n），.测量它的上升时间tr、下降时间tf、传播延时tp和平均功耗。
其中：
tp=（TPLH+TPHL）/2
【仿真代码】
.TITLEamplifierSHU
.LIB'D:
\Digital\lib\mix025_1.lib'TT
vdd10dc2.5
vin20pulse（02.55n0.1n0.1n9n20n）
M_M13211pchL=0.25uWp=1.25u
M_M23200nchL=0.25uWn=0.375u
.MEASTRANVmaxmaxV（3）FROM=0.01nTO=20n
.MEASTRANVminminV（3）FROM=0.01nTO=20n
.MEASTRANtrTRIGV（3）VAL='0.1*（Vmax-Vmin）+Vmin'RISE=2
+TARGV（3）VAL='0.9*（Vmax-Vmin）+Vmin'RISE=2
.MEASTRANtfTRIGV（3）VAL='0.9*（Vmax-Vmin）+Vmin'FALL=2
+TARGV（3）VAL='0.1*（Vmax-Vmin）+Vmin'FALL=2
.MEASTRANtpPARAM='0.5*（tf+tr）'
.MEASTRANAvgPpowerAVGP（Vin）FROM=0.01nsTO=60ns
.tran0.01n60n
.PRINTTRANP（3）P
（2）power
.OP
.OPTIONNODELISTPOST
.END
【结果】
【分析】
如结果所示，上升时间tr为6.5581E-11s、下降时间tf为5.2444E-11s、传播延时tp为5.9013E-11s和平均功耗1.9845E-05W
（2）当Vdd从1V变化到2.5V，且步长为0.25时，测量tp和平均功耗。
利用这些数据绘出“tp—Vdd”、“Power—Vdd”，分析Vdd变化对转换器性能有什么影响。
【仿真代码】
.TITLEamplifierSHU
.LIB'D:
\Digital\lib\mix025_1.lib'TT
.prot
.unpr
M_M13211pchL=0.25uWp=1.25u
M_M23200nchL=0.25uWn=0.375u
vdd10dc2.5
vin20pulse（02.55n0.1n0.1n9n20n）
.MEASTRANVmaxmaxV（3）FROM=0.01nTO=20n
.MEASTRANVminminV（3）FROM=0.01nTO=20n
.MEASTRANtrTRIGV（3）VAL='0.1*（Vmax-Vmin）+Vmin'RISE=2
+TARGV（3）VAL='0.9*（Vmax-Vmin）+Vmin'RISE=2
.MEASTRANtfTRIGV（3）VAL='0.9*（Vmax-Vmin）+Vmin'FALL=2
+TARGV（3）VAL='0.1*（Vmax-Vmin）+Vmin'FALL=2
.MEASTRANtpPARAM='0.5*（tf+tr）'
.MEASTRANAvgPowerAVGP（Vin）FROM=0.01nsTO=60ns
.tran0.01n60nsweepvdd12.50.25
.END
【结果】
tp—Vdd
Power—Vdd
【分析】
由结果中图表可以看出来，随着Vdd的增加，tp先明显增加，然后趋于平稳并很缓地下降。
平均功耗随着Vdd的增加先减小再趋于平稳，最后继续下降。
5．考虑下图中的电路：
图5CMOS组合逻辑门
a.CMOS晶体管网络所完成的逻辑功能是什么？
确定NMOS和PMOS器件的
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