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功能材料综述

摘要

从1960年起，人们开始致力于制备非晶硅薄膜材料。

70年代，那时出现了对制备非晶硅的高潮。

1976卡尔松和路昂斯基报告了非晶硅薄膜太阳电池的诞生。

此后，非晶硅光电池广泛应用.此外，非晶硅可以制成非晶硅场效应晶体管，用于液晶显示器件、集成式非晶硅倒相器、集成式图象传感器、以及双稳态多谐振荡器等器件中作为非线性器件；利用非晶硅膜可以制成各种光敏、位敏、力敏、热敏等传感器等。

对非晶硅材料研究的进展集中体现在晶化、掺杂等核心工艺方面。

在对非晶硅材料的利用上，主要应用在太阳能电池、高端光伏墙和热敏薄膜等新兴产业。

关键词

非晶硅；太阳能；热敏；晶化

Abstract

Since1960,peoplestartedtopreparationofamorphoussiliconthinfilmmaterials.Inthe70s,itappearedtotheclimaxofthepreparationofamorphoussilicon.CarlsonandLeonsky,reportedthebirthofamorphoussiliconthinfilmsolarcellsin1976.Sincethen,amorphoussiliconphotocelliswidelyused.Inaddition,theamorphoussiliconcanbemadeintoamorphoussiliconFET,usedinliquidcrystaldisplaydevice,integratedtypeamorphoussiliconphaseinverter,integratedimagesensor,andthebistablemultivibratorasanonlineardeviceinthedevice;Useofamorphoussiliconmembranecanbemadeintoallkindsoflight,asensitive,forcesensitivityandthermalsensors.AmorphoussiliconmaterialsresearchprogressisreflectiedinThecoretechnologyofcrystallization,doping,etc.Theuseofamorphoussiliconmaterialismainlyusedinhigh-endphotovoltaicsolarcells,emergingindustriessuchaswallsandthermofilm.

Keywords

Amorphoussilicon;.Solarenergy;Thermalsensitive;crystallization

目录

摘要I

AbstractII

第一章非晶硅材料概述1

第二章非晶硅材料的应用领域2

2.1太阳能电池2

2.1.1非晶硅太阳电池的基本结构2

2.1.2非晶硅太阳电池的优势3

2.1.3非晶硅太阳能电池发展趋势3

2.2高端光伏墙4

2.3非晶硅热敏薄膜4

2.3.1微测辐射热计5

2.3.2医疗影像设备6

第三章非晶硅薄膜工艺进展6

3.1晶化工艺7

3.1.1激光晶化法7

3.1.2金属诱导横向晶化9

3.2掺杂工艺10

3.2.1掺杂对氢化非晶硅薄膜光学特性的影响10

3.2.2掺杂对氢化非晶硅薄膜电学特性的影响10

第四章非晶硅材料的新利用11

4.1非晶硅太阳能电池的新进展11

4.1.1完美结技术11

4.1.2层叠电池技术12

4.2新技术进展13

4.3相关新材料探索13

参考文献14

第一章非晶硅材料概述

多晶硅（amorphoussilicon,α-Si）又称无定形硅。

是单质硅的一种形态。

棕黑色或灰黑色，不具有完整的金刚石晶胞，纯度不高。

熔点、密度和硬度也明显低于晶体硅。

非晶硅的结构内部有许多“悬键”，也就是没有和周围的硅原子成键的电子，这些电子在电场作用下就可以产生电流。

非晶硅是一种直接能带半导体。

非晶硅在太阳辐射峰附近的光吸收系数比晶体硅大一个数量级。

禁带宽度1.7～1.8eV，而迁移率和少子寿命远比晶体硅低。

化学性质比晶体硅活泼。

1960年美国人欧夫辛斯基发现硫系无定形半导体材料具有电子开关存储作用。

这个发现在应用上虽然不算成功，但在学术上却具有突破性的价值。

诺贝尔奖获得者莫特称，这比晶体管的发明还重要。

它把科学家的兴趣从传统的晶体半导体材料引向了非晶半导体材料。

掀起了研究非晶半导体材料的热潮。

我国也正是在六十年代末期开始从事此领域的研究的。

从1966年到1969年有关科学家深入开展了基础理论研究，解决了非晶半导体的能带理论。

提出了电子能态分布的Mott一CF0模型和迁移边的思想。

电子能带理论是半导体材料和器件的理论基础。

它可以指导半导体器件的设计和工艺。

目前非晶硅能带理论还不完善，也存在争议，但毕竟为非晶半导体器件提供了理论上的依据。

从1960年起，人们开始致力于制备非晶硅薄膜材料。

早先采用的主要是溅射法。

同时有人系统地研究了这些薄膜的光学特性。

1965年斯特林等人第一次采用辉光放电或等离子体增强化相沉积（简为PECVD）制备了氢化无定形硅薄膜。

这种方法采用射频电磁场激励低压硅烷等气体，辉光放电化学分解，在衬底上形成无定形硅薄膜。

这就是后来的太阳电池用无定形硅材料的主要制备方法。

70年代，那时出现了对制备非晶硅的高潮。

1976卡尔松和路昂斯基报告了非晶硅薄膜太阳电池的诞生。

【1】此后，非晶硅光电池广泛应用，太阳能计算器、太阳能手表、园林路灯和汽车太阳能顶罩等就是用非晶硅作为光电池的基本材料的。

此外，非晶硅的用途很多。

可以制成非晶硅场效应晶体管，用于液晶显示器件、集成式非晶硅倒相器、集成式图象传感器、以及双稳态多谐振荡器等器件中作为非线性器件；利用非晶硅膜可以制成各种光敏、位敏、力敏、热敏等传感器，还可以制做静电复印感光膜，不仅复印速率会大大提高，而且图象清晰，使用寿命长。

目前非晶硅的应用正在日新月异地发展着，可以相信，在不久的将来，还会有更多的新器件产生。

非晶硅可以自由裁剪，因而可以充分利用合成的产品，不像晶体硅不能自由裁剪，制作成器件时材料磨下好多碎末，浪费很大；它的制作过程是气相沉积，分解时可以根据需要掺杂，如掺入磷化氢或硼化氢，由于是气相沉积，制作工艺条件容易进行自动化控制；它还可以制成很薄很薄的薄膜，而晶体硅却至少要达到几百微米的厚度。

非晶硅的缺点一是寿命短，在光的不断照射下会发生Staebler-Wronski效应，光电转化效率会下降到原来的25%，这本质上正是非晶硅中有太多的以悬键为代表的缺陷，致使结构不稳定；二是它的光电转化效率远比晶体硅低。

现今市场上的晶体硅的光电转化效率为12%，最近面世的晶体硅的光电转化效率已经提高到18%，在实验室里，甚至可以达到29%，然而非晶硅的光电转化效率一直没有超过10%。

第二章非晶硅材料的应用领域

2.1太阳能电池

社会需求催生了非晶硅太阳能电池。

太阳电池在七十年代中期诞生。

当时科学家在报告中提出了发明非太阳电池的两大目标：

与昂责的晶体硅太阳能电池竞争；利用非晶硅太阳电池发电，与常规能源竞争。

七十年代曾发生过有名的能源危机;这种背景催促科学家把对多晶硅材料的一般性研究转向廉价太阳电池应用技术创新。

太阳能电池本来是晶体硅的应用领域。

太阳电池虽然是高品位的光电子器件，但不一定要用昂责的晶体半导体材料制造，廉价的非晶硅薄膜材料也可以胜任。

非晶硅太阳能电池是目前非晶硅材料应用最广泛的领域，也是太阳能电池的理想材料，光电转换效率已达到13%，这种太阳能电池将成为无污染的特殊能源。

1988年全世界各类太阳能电池的总产量35.2兆瓦，其中非晶硅太阳能电池为13.9兆瓦，居首位，占总产量的40%左右。

与晶态硅太阳能电池相比，它具有制备工艺相对简单，原材料消耗少，价格比较便宜等优点。

2.1.1非晶硅太阳电池的基本结构

对非晶硅薄膜掺杂以控制其导电类型和电导数量的工作，1975年第一次由莱康柏和斯皮尔实现。

同时也就实现了非晶硅PN结的制作。

事实上，由于非晶硅多缺陷的特点，掺杂往往使缺陷密度进一步增加，非晶硅太阳电池基本结构不是PN结而是PIN结【2】。

掺硼形成P区，掺磷形成N区，I为非杂质或轻掺硼的本征层（因为非掺杂非晶硅是弱N型）。

重掺杂的P、N区在电池内部形成内建势，以收集电荷。

同时两者可与导电电极形成欧姆接触，为外部提供电功率。

I区是光敏区。

光电导/暗电导比在105—106。

此区中光生电子空穴是光伏电力的源泉。

非晶体硅结构的长程无序破坏了晶体硅光电子跃迁的选择定则。

使之从间接带隙材料变成了直接带隙材料。

对光子的吸收系数很高，对敏感谱域的光吸收殆尽。

所以，P/I/N结构的非晶硅电池的厚度取500Å左右，而作为死光吸收区的P、N层的厚度限制在100Å量级。

2.1.2非晶硅太阳电池的优势

技术向生产力如此高速的转化，说明了非晶硅太阳电池具有独特的优势。

这些优势主要表现在以下方面：

（1）材料和制造工艺成本低。

这是因为衬底材料，如玻璃、不锈钢、塑料等，价格低廉。

硅薄膜仅有数千埃厚度，昂责的纯硅材料用量很少。

制作工艺为低温工艺（100一300℃），生产的耗电量小，能量回收时间短。

（2）易于形成大规模生产能力。

这是因为核心工艺适合制作持大面积无结构缺陷的非晶硅合金薄膜只需改变气相成分或者气体流量便可实现PIN结以及相应的迭层结构，生产可全流程自动化。

（3）品种多，用途广。

薄膜的非晶硅太阳电池易于实现集成化。

器件功率、输出电压、输出电流都可自由设计，可以较方便地制作出适合不同需求的多品种产品。

由于光吸收系数高，适合作制作室内用的低功耗电源，如手表电池、计算器电池等。

由于非晶硅膜的硅网结构力学性能结实，适合在柔性的衬底上制作轻型的大电池。

灵活多样的制造方法，可以制造建筑集成的电池，适合户用屋顶电站的安装。

2.1.3非晶硅太阳能电池发展趋势

作为低成本太阳能电池，未来发展重点是开发新的结构，解决光至衰减问题，提高效率的同时，解决稳定性问题是非晶硅电池的研究重点，如果突破该技术，则非晶硅太阳能电池在民用及独立电源系统中将被大量使用。

非晶硅太阳电池一方面面临高性能的晶体硅电池防低成本努力的挑战，一方面又面临谦价的其它薄膜太阳电池日益成熟的产业化技术的挑战。

如欲获得更大的发展，以便在未来的光伏能源中占据突出的位置，除了应努力开拓市场，将现有技术档次的产品推向大规模功率发电应用外，还应进一步发扬它对晶体硅电池在成本价格上的优势和对其它薄膜太阳电池技术更成熟的优势，在克服自身弱点上下功夫。

进一步提高组件产品的稳定效率，延长产品使用寿命。

比较具体的努力方向如下：

（1）加强非晶硅基础材料亚稳特性及其克服办法的研究，达到基本上消除薄膜硅太阳电池性能的光致衰退。

（2）加强晶化薄膜硅材料制备技术探索和研究，使未来的薄膜砍太阳电池产品既具备非晶硅薄膜太阳电池低成本的优势，又具备晶体硅太阳电池长寿、高效和高稳定的优势。

（3）加强带有非晶硅合金薄膜成分或者具有a-Si廉价特色的混合叠层电池的研究，把非晶硅太阳电池的优点与其它太阳电池的优点嫁接起来。

2.2高端光伏墙

随着传统幕墙行业竞争的加剧，行业利润率摊薄，门槛降低，高端光伏幕墙已经成为幕墙产业内部转型的方向。

在幕墙行业之中，具备发电功能的光伏幕墙也格外引人注目。

因为2010年我国既有的城乡建筑面积多达450亿平方米，其中99%以上属于高能耗建筑，因此建筑节能新建和改造前景十分广阔。

兼顾采光发电需求，光伏幕墙通常是将光伏组件放在两层玻璃之间而形成的幕墙材料。

除了发电特性外，与其他幕墙有着相同的建筑特性。

目前光伏幕墙有两种主要的技术模式。

一种是晶体硅材料幕墙，一种是非晶硅材料幕墙。

【3】前者的光伏组件是多晶硅或单晶硅材料，优点是光电转换效率高、安装尺寸小、生产材料和技术都较为成熟。

但缺点在于幕墙透光性不好，在高温和弱光条件下表现较差。

相对于晶体硅幕墙，非晶硅目前虽然发展相对较晚，且光电转换效率低于晶体硅材料，但非晶硅幕墙所采用的光伏组件薄膜电池本身透光性较好，而且在高温和弱光条件下也能发挥作用。

相比晶体硅幕墙组件外观颜色单一，非晶硅幕墙组件能更好地与建筑物立面融为一体，不影响建筑的外观效果，也成为市场关注的新热点。

2.3非晶硅热敏薄膜

热敏电阻薄膜材料主要有非晶硅、氧化钒、钇钡铜氧、金属钛等半导体材料，主要利用红外辐射强度改变，薄膜材料电阻也发生改变的特性，来实现红外辐射的探测。

【4】非晶硅微测辐射热计响应速度快，制作工艺简单并与传统硅微电子集成电路工艺兼容，受到越来越多的关注。

非晶硅薄膜接受辐射后温度升高，引起薄膜材料本身电阻或电学性质发生变化，通过信号检出电路实现对外来辐射的探测。

这种电阻随着温度变化而变化的材料被称为热敏电阻材料，电阻温度系数（TCR）是其重要的技术特征。

由于非晶硅薄膜的结构特点，常常会在其非晶网络中存在大量的悬挂键，这种薄膜很难得到实际应用。

因此，需要引入氢对非晶硅薄膜进行所谓的氢化处理，得到氢化非晶硅薄膜——a-Si:

H，以中和薄膜中的悬挂键，提高非晶硅薄膜的结构稳定性。

同氧化钒薄膜相比，非晶硅热敏薄膜化学特性稳定，材料微结构稳定性较强，同时制备工艺较微简单。

非晶硅热敏薄膜的电阻率较高，可以达到100Ω·cm～5000Ω·cm，电阻温度系数TCR可调范围较大2%/K～-8%/K。

非晶硅薄膜具有较高的TCR特性，但同时也意味着具有较高的噪声水平。

可以通过掺杂等方式降低非晶硅薄膜的电阻率，改善薄膜的低噪声性能，但可能要部分牺牲其良好的TCR性质。

非晶硅薄膜的制备工艺与传统硅集成电路工艺兼容，力学稳定性和机械性能良好，可以基于其设计出具有良好力学支撑的微桥结构，实现高效率的热隔离，而无需氮化硅薄膜等支撑层。

非晶硅薄膜制备形成的微桥桥面结构很薄（约1000Å），红外探测的热时间常数很小，可以提高器件的探测性能。

非晶硅薄膜存在的主要问题是电阻率较高，1/f噪声也明显偏大，尽管对应薄膜有较突出的TCR指标（3～5%/K）。

此外，非晶硅薄膜经过长时间的光照辐射后，会出现性能衰减即Staebler-Wronski效应，长期工作时的稳定性受到一定影响。

这是制约非晶硅薄膜器件化应用的一大难题。

非晶硅热敏薄膜光放应用在微测辐热剂和医疗影像设备中。

2.3.1微测辐射热计

目前，国际市场上已经有不少基于非晶硅薄膜的非制冷红外探测器产品，典型科研机构或公司有美国Honeywell公司和Raytheon公司、法国LETI/GEA研究院、Sofradir公司和Ulis公司等。

美国Honeywell公司最早设计了带微腔的像元微桥结构，用于阵列成像研究和系列产品研发。

法国LRTI/GEA研究院早在1998年就采用高掺杂的非晶硅薄膜，并以TiN薄膜作为顶层红外吸收层，研制出了基于非晶硅薄膜的微测辐射热计探测器原型。

该焦平面器件的微腔高度约2.5μm，薄膜电阻材料的TCR在2.5%/K左右，器件的低频噪声较低，在8～14μm长波红外波段吸收率超过60%。

法国Ulis公司是Sofradir公司的全资子公司，在2003年推出了第二代35μm像元金属封装和陶瓷封装的非制冷红外探测器产品，之后于2005年又推出了第三代25μm像元、低功耗、低成本微测辐射热计探测器系列产品如UL02152、UL03191、UL04171和UL03162等。

第三代基于非晶硅的微测辐射热计产品的特点是：

像元间距更小、采用0.8μm最小设计原则，可以将微桥结构的热阻抗从42MK/W提高到55MK/W[13]，从而提高探测器的灵敏度和成像质量。

2008年，Ulis公司进一步推出更高分辨率和更低热时间常数的第四代17μm像元微测辐射热计，像元阵列从640×480提高到了1024×768，探测器原型最佳性能系数（FOM）达到了510mK·ms，最终产品的噪声等效温差NETD小于40mK、最佳性能系数小于280mK·ms。

2.3.2医疗影像设备

数字化的医疗设备在中国许多沿海大城市都已经应用得非常广泛，但是在中西部等贫穷的地区还会有很大的空间。

从平板探测器的市场竞争格局来看，国内市场流行通用的主要有三大类：

一是由西门子、菲利浦、汤姆逊三大影像公司合资的Trixell公司研制出的碘化铯/非晶硅型平板探测器，以及美国GE所研制的平板探测器；二是由日本佳能公司研制出的氧化钆/非晶硅型探测器；三是由美国HOLOGIC公司研制出的非晶硒/非晶硅型探测器。

其中，碘化铯/非晶硅型探测器占据高端市场，氧化钆/非晶硅型探测器则主攻二线与基层市场。

第三章非晶硅薄膜工艺进展

非晶硅是在加热下还原四氯化硅，或用碳等还原剂还原二氧化硅制得。

结构特征为短程有序而长程无序的非晶硅。

纯非晶硅因缺陷密度高而无法使用。

采用辉光放电气相沉积法就得含氢的非晶硅薄膜，氢在其中补偿悬挂链，并进行掺杂和制作PN结。

现已工业应用，主要用于提炼纯硅，制造太阳电池、薄膜晶体管、复印鼓、光电传感器等。

由非晶态合金的制备知道，要获得非晶态，需要有高的冷却速率，而对冷却速率的具体要求随材料而定。

硅要求有极高的冷却速率，用液态快速淬火的方法目前还无法得到非晶态。

近年来，发展了许多种气相淀积非晶态硅膜的技术，其中包括真空蒸发、辉光放电、溅射及化学气相淀积等方法。

一般所用的主要原料是单硅烷（SiH4）、二硅烷（Si2H6）、四氟化硅（SiF4）等，纯度要求很高。

非晶硅膜的结构和性质与制备工艺的关系非常密切。

射频等离子体强CVD是当今普遍采用的制备非晶硅合金薄膜的方法。

它的主要优势是：

可以用较低的衬底温度（200℃左右），可以重复制备大面积均匀的薄膜，制得的氢化非晶硅合金薄膜无结构缺陷、台阶复益良好，隙态密度低，光电子特性符合大面积太阳电池的要求。

此法的主要缺点也是致命的缺点是，制备的非晶硅膜含氢量高，通常有的10%-5%氢含量。

光致衰退比较严重。

因此，人们一方面运用这一方法实现了规模化生产；另一方面又不断努力探索新的制备技术。

非晶硅薄膜工艺中，特别在晶化和掺杂是两个重要的工艺。

3.1晶化工艺

制备多晶硅薄膜的方法除直接沉积法还包括二次晶化法。

硅薄膜太阳电池能够有效地利用硅材料，有利于降低成本，但缺点是一般真空技术生长的硅薄膜基本上都是非晶或多晶硅薄膜，其光电转换效率低且存在光致衰减。

为了提高效率，必须想办法使非晶硅薄膜晶化，而且晶化程度越高、均匀性越好，电池的效率越高。

如常用晶化制备方法主要包括固相晶化法、快速热处理晶化法、低压化学气相沉积法、热丝化学气相法、常规高温炉退火、快速热退火、金属诱导晶化和激光晶化法等等。

晶化晶粒大小、晶化速度、晶化温度及金属残余的控制等技术指标,是多晶硅薄膜制备方法的重要评价参数。

多晶硅薄膜晶粒尺寸大小、金属残余多少直接影响其物理特性和电学特性,晶化温度和晶化速率决定了该种晶化技术能否满足工业化生产需求。

为了优化晶化工艺,非晶硅的局域能量聚焦和定向晶化将是提高晶化速率、降低晶化温度的研究方向。

3.1.1激光晶化法

激光晶化法作为一种制备多晶硅薄膜的再结晶技术，具有形成快速、低温制备环境、对衬底要求低等优点，因而获得了广泛的关注与研究。

但晶化温度较高,难以使用普通玻璃作为衬底,增加了工业生产成本。

而且,存在晶化效果不好、晶化颗粒小且不均匀以及空气中不稳定等缺点。

根据激光器的类型不同，可以将激光晶化法为准分子脉冲激光晶化法（excimerlasercrystallization，ELC）和连续激光晶化法（continuouslasercrystallization，CLC）两种类型，其中准分子脉冲激光因其极短的持续照射时间，能在薄膜的表层瞬间完成退火晶化而同时对衬底没有损伤，从而可以采用廉价衬底，大大降低工业生产成本。

然而利用ELC制备出来的多晶硅薄膜晶粒尺寸较小（一般纳米量级），其场效应迁移率较低，难以满足制备大容量、高速率信息显示、信息转换薄膜晶体管（thinfilmtransistor，TFT）的需求。

要获得大晶粒尺寸的多晶硅薄膜，激光的能量窗口必须控制在一个很窄的范围之内来触发“超级横向生长机制”，这对设备的要求过高而难于操作;相比之下，CLC因其可控的照射时间、较小的冷却梯度的优势，能制备出大晶粒尺寸低缺陷密度的多晶硅薄膜，在制备高性能薄膜晶体管及太阳能电池方面具有广阔的应用前景。

在CLC处理非晶硅薄膜过程中，影响晶化效果的因素很多，包括激光功率密度、激光波长、衬底类型、薄膜厚度、激光照射退火时间（或称扫描速率）等等。

准分子激光晶化。

一般的热退火晶化技术由于玻璃基底的耐温程度低且速率太慢（一般需要数小时），不能达到理想的晶化效果，也不能实现太阳能电池单元的快速生产。

利用激光的高能量能够达到快速均匀的晶化效果，因此成为人们寄予厚望的晶化方法。

而准分子激光晶化非晶硅薄膜高效快速，并且准分子激光通常工作在紫外光区，非晶硅薄膜对光子的吸收效率高并且只有几纳米深度，宜采用廉价衬底，如玻璃、不锈钢等，这种对于制造低成本、大面积的高效太

阳能电池有着非常高的应用价值。

为了减低非晶硅薄膜太阳能电池的光致衰减效应和提高其光电转换效率，用等离子体化学气相沉积系统制备了本征非晶硅薄膜，用波长为248nm的KrF准分子激光器激光晶化了非晶硅表层，用共焦显微喇曼测试技术研究了非晶硅薄膜在不同的激光能量密度和不同的频率下的晶化状态，并用扫描电子显微镜测试晶化前后薄膜的形貌。

结果表明，随着激光能量密度的增大，薄膜晶化效果越来越好，能量密度达到268.54mJ/cm2时晶化效果最好，此时结晶比约为76.34%;最佳的激光能量密度范围是204．99mJ/cm2～268．54mJ/cm2，这时薄膜表面晶化良好;在1Hz～10Hz范围内，激光频率越大晶化效果越好;晶化后薄膜明显出现微晶和多晶颗粒，从而达到了良好的晶化效果。

连续氩氪离子激光晶化。

利用磁控溅射法制备非晶硅薄膜，采用连续氩氪混合离子激光器在5ms固定照射时间下对非晶硅薄膜进行激光退火晶化。

实验结果表明，激光功率密度达到15.1kW/cm2时，普通玻璃衬底上的非晶硅薄膜开始晶化，当激光功率密度上升到24.9kW/cm2时，能够制备出晶粒尺寸高达478nm、形状呈苹果状的多晶硅薄膜，晶粒是在“完全融化机制”下结晶生长而成的;激光功率密度值不宜过小或过大，存在中间的合适值，使得薄膜的结晶率最高、晶化效果到达最佳;石英衬底上的硅薄膜呈现不同的晶化过程，当激光功率密度达到19.7kW/cm2时，非晶硅硅薄膜以固相晶化机制形成大晶粒尺寸的多晶硅颗粒，当激光功率密度达到27.1kW/cm2时，晶粒尺寸高达5.38μm。

采用连续激光晶化法在制备大晶粒尺寸多晶硅薄膜方面具有明显优势，衬底的不同又会影响其结晶生长机制。

3.1.2金属诱导横向晶化

金属诱导横向晶化技术（MILC）由于具有晶化温度低、晶化颗粒大等优点而获得了快速发展。

ELC技术晶化温度低,且晶化效果好,但需要昂贵的设备,不利于工业生产。

金属诱导晶化（MIC）法与其他晶化技术相比,具有晶化温度