电子元件实验室认可证书附件.docx
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电子元件实验室认可证书附件
中国合格评定国家认可委员会
实验室认可证书附件
（No.CNASL2047）
名称：
艾默生网络能源有限公司研发部实验室
地址：
广东省深圳市南山区科技园科发路1号
签发日期：
2009年02月06日有效期至：
2010年04月21日
附件1-1认可的检测能力范围
序号
产品/
产品类别
项目/参数
领域
代码
检测标准（方法）名称及编号
（含年号）
限制
范围
说明
序号
名称
8
场效应晶体管
1
外观和尺寸检查
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part3
2
漏源击穿电压
BVdss
0418
半导体器件分立器件第8部分：
场效应晶体管第Ⅳ章3GB/T4586—94，IEC747-8-1984
3
域值（开启）电压Vgs（th）
0418
半导体器件分立器件第8部分：
场效应晶体管第Ⅳ章6GB/T4586—94，IEC747-8-1984
4
导通电阻
Rds（on）
0418
半导体器件分立器件第8部分：
场效应晶体管第Ⅳ章15
GB/T4586—94，IEC747-8-1984
5
输入电容
Ciss
0418
半导体器件分立器件第8部分：
场效应晶体管第Ⅳ章7
GB/T4586—94，IEC747-8-1984
6
输出电容
Coss
0418
半导体器件分立器件第8部分：
场效应晶体管第Ⅳ章9
GB/T4586—94，IEC747-8-1984
7
反馈电容
Crss
0418
半导体器件分立器件第8部分：
场效应晶体管第Ⅳ章11
GB/T4586—94，IEC747-8-1984
8
栅极击穿电压
Vgss
0418
半导体器件分立器件第8部分：
场效应晶体管第Ⅳ章2GB/T4586—94，IEC747-8-1984
9
漏极漏电流
Idss
0418
半导体器件分立器件第8部分：
场效应晶体管第Ⅳ章3GB/T4586—94，IEC747-8-1984
10
栅极漏电流
Igss
0418
半导体器件分立器件第8部分：
场效应晶体管第Ⅳ章2GB/T4586—94，IEC747-8-1984
11
可焊性
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part21
12
耐焊接热
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part20
13
高温反偏
HTRB
0418
美国军用标准半导体试验方法1042.3
MIL-STD-750D-1995
HTRB后漏电流过大的原因有2大点：
1，在wafer表面出现漏电流
原因：
可能有水汽进入塑封体；wafer表面有污染；塑封料中离子含量过
2，在wafer栅氧里有离子存在
原因：
塑封料应力过大引起栅氧的压电效应；高温条件下栅氧中离子活性增强在高反压下向栅氧的Si－SiO2边上集中，而在常温下温度降低离子活性降低集中在Si－SiO2边上，当ds间加电压时导致漏电流过大！
14
高温栅极应力
HTGB
0418
美国军用标准半导体试验方法1042.3
MIL-STD-750D-1995
HTGB：
HighTemperatureGateBias,在规定的结点温度下，在最大正向栅电压下储存1000个小时
15
温度循环
0418
JEDEC标准温度循环JESD22-A104-B2000
16
高温高湿
0418
JEDEC标准恒温恒湿寿命试验JESD22-A101-B1997
17
HAST
0418
JEDEC标准温湿度高加速应力试验
JESD22-A110-B1999
HAST（highaccelerated
temperature&humiditystresstest）HAST高加速应力实验，俗称压力锅实验，高温，高湿，高压。
该实验温度一般在100degC以上，湿度在95%以上，压强2个大气压差不多.K.C"W.S,a!
[-o4h%M5M'm*wIC做该实验的目的是验证它的可靠性，在这种条件下，如果IC有Delamination,水汽会渗透进取，从而对IC后续的可靠性产生影响。
5Y:
E"|8K'`（@该实验一般需要前后做Functionaltest,X-Ray,
C-SAM实验对比。
9
绝缘栅双极晶体管
1
外观和尺寸检查
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part3
2
漏源截至电压
0418
绝缘栅双极晶体管测试方法GB17007-1997
3
域值（开启）电压
0418
半导体器件分立器件
GB/T4586-1994第Ⅳ章第6节
4
集射极饱和电压
0418
半导体器件分立器件
GB/T4586-1994第Ⅳ章第15节
5
输入电容
0418
半导体器件分立器件
GB/T4586-1994第Ⅳ章第7节
6
输出电容
0418
半导体器件分立器件
GB/T4586-1994第Ⅳ章第9节
7
反向传输电容
0418
半导体器件分立器件
GB/T4586-1994第Ⅳ章第11节
8
栅射极漏电流
0418
半导体器件分立器件
GB/T4586-1994第Ⅳ章第2节
9
集射极截止电流
0418
半导体器件分立器件
GB/T4586-1994第Ⅳ章第4节
10
可焊性
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part21
11
耐焊接热
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part20
12
高温反偏
0418
美国军用标准半导体试验方法1042.3
MIL-STD-750D-1995
13
高温栅极应力
0418
美国军用标准半导体试验方法1042.3
MIL-STD-750D-1995
14
温度循环
0418
JEDEC标准温度循环JESD22-A104-B2000
15
高温高湿
0418
JEDEC标准恒温恒湿寿命试验JESD22-A101-B1997
10
普通晶
闸管
1
外观和尺寸检查
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part3
2
通态电压
0418
半导体器件第六部分晶闸管5.1.2
GB/T15291-94
3
反向漏电流
0418
半导体器件第六部分晶闸管5.1.3.1
GB/T15291-94
4
断态峰值电流
0418
半导体器件第六部分晶闸管5.1.6.3
GB/T15291-94
5
门极触发电压
0418
半导体器件第六部分晶闸管5.1.7
GB/T15291-94
6
门极触发电流
0418
半导体器件第六部分晶闸管5.1.7
GB/T15291-94
10
普通晶
闸管
7
反向不重复峰值电压
0418
半导体器件第六部分晶闸管5.3.1
GB/T15291-94
8
断态不重复峰值电压
0418
半导体器件第六部分晶闸管5.3.2
GB/T15291-94
9
可焊性
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part21
10
耐焊接热
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part20
11
高温反偏
0418
美国军用标准半导体试验方法1040
MIL-STD-750D-1995
12
温度循环
0418
JEDEC标准温度循环
JESD22-A104-B2000
13
高温高湿
0418
JEDEC标准恒温恒湿寿命试验JESD22-A101-B1997
11
整流桥
1
外观和尺寸检查
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part3
2
正向压降
0418
电力半导体模块测试方法整流管臂对
4.2JB/T6307.1-1992
电力半导体模块测试方法整流管单相桥4.2JB/T6307.2-1992
电力半导体模块测试方法整流管三相桥4.2JB/T6307.3-1992
3
反向峰值电压
0418
电力半导体模块测试方法整流管臂对
6.1JB/T6307.1-1992
电力半导体模块测试方法整流管单相桥6.1JB/T6307.2-1992
电力半导体模块测试方法整流管三相桥6.1JB/T6307.3-1992
4
反向漏电流
0418
电力半导体模块测试方法整流管臂对
4.1JB/T6307.1-1992电力半导体模块测试方法整流管单相桥4.1JB/T6307.2-1992
电力半导体模块测试方法整流管三相桥4.1JB/T6307.3-1992
5
可焊性
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part21
6
耐焊接热
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part20
7
高温反偏
0418
美国军用标准半导体试验方法1038MIL-STD-750D-1995
8
温度循环
0418
JEDEC标准温度循环
JESD22-A104-B2000
11
整流桥
9
高温高湿
0418
JEDEC标准恒温恒湿寿命试验JESD22-A101-B1997
12
二极管
1
外观和尺寸检查
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part3
2
正向压降
0418
半导体器件分立器件和集成电路第2部分整流二极管第IV章1.2
GB/T4023-1997，IEC747-2:
1983
半导体器件分立器件第三部分信号（包括开关）和调整二极管第IV章1.2
GB/T6571-1995，IEC747-3:
1985
3
反向峰值电压
0418
半导体器件分立器件和集成电路第2部分整流二极管第IV章3.2
GB/T4023-1997，IEC747-2:
1983
半导体器件分立器件第三部分信号（包括开关）和调整二极管第IV章1.1
GB/T6571-1995，IEC747-3:
1985
4
反向漏电流
0418
半导体器件分立器件和集成电路第2部分整流二极管第IV章1.4
GB/T4023-1997，IEC747-2:
1983
半导体器件分立器件第三部分信号（包括开关）和调整二极管第IV章1.1
GB/T6571-1995，IEC747-3:
1985
5
可焊性
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part21
6
耐焊接热
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part20
7
高温反偏
0418
美国军用标准半导体试验方法1038MIL-STD-750D-1995
8
温度循环
0418
JEDEC标准温度循环JESD22-A104-B2000
9
高温高湿
0418
JEDEC标准恒温恒湿寿命试验JESD22-A101-B1997
13
稳压管
1
外观和尺寸检查
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part3
2
漏电流
0418
半导体器件分立器件第3部分：
信号（包括开关）和调整二极管第IV章第2节
GB/T6571-1995，IEC747-3:
1985
3
稳压值
0418
半导体器件分立器件第3部分：
信号（包括开关）和调整二极管第IV章第2节
GB/T6571-1995，IEC747-3:
1985
4
耐焊接热
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part20
5
可焊性
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part21
13
稳压管
6
引出端强度
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part14
7
寿命试验
0418
美国军用标准半导体试验方法1027
MIL-STD-750D-1995
8
温度循环
0418
JEDEC标准温度循环JESD22-A104-B2000
9
易燃性
0418
美国军用标准半导体试验方法1038MIL-STD-750D-1995
14
三极管
1
外观和尺寸检查
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part3
2
集电极-发射极耐压
0418
半导体分立器件和集成电路第七部分：
双极型三极管第4章1.7
GB/T4587-1994，IEC747-7-1998
3
集电极饱和压降
0418
半导体分立器件和集成电路第七部分：
双极型三极管第4章1.4
GB/T4587-1994，IEC747-7-1998
4
集电极-发射极截止漏电流
0418
半导体分立器件和集成电路第七部分：
双极型三极管第4章1.3
GB/T4587-1994，IEC747-7-1998
5
放大系数HFE
0418
半导体分立器件和集成电路第七部分：
双极型三极管第4章2.7
GB/T4587-1994，IEC747-7-1998
6
集电极高温反偏
0418
半导体分立器件和集成电路第七部分：
双极型三极管第5章2.2
GB/T4587-1994，IEC747-7-1998
美国军用标准半导体试验方法1039
MIL-STD-750D-1995
7
耐焊接热
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part20
8
可焊性
0418
半导体器件.机械和气候试验方法IEC60749-2002part21
15
固定
电阻器
1
外观和尺寸检查
0418
电子设备用固定电阻器第1部分：
总规范4.4
GB/T5729-2003，IEC60115-1:
2001
2
电阻值
0418
电子设备用固定电阻器第1部分：
总规范4.5
GB/T5729-2003，IEC60115-1:
2001
3
电阻温度系数
0418
电子设备用固定电阻器第1部分：
总规范4.8
GB/T5729-2003，IEC60115-1:
2001
4
过载
0418
电子设备用固定电阻器第1部分：
总规范4.13
GB/T5729-2003，IEC60115-1:
2001
5
耐焊接热
0418
电子设备用固定电阻器第1部分：
总规范4.18GB/T5729-2003，IEC60115-1:
2001
6
可焊性
0418
电子设备用固定电阻器第1部分：
总规范4.17GB/T5729-2003，IEC60115-1:
2001
16
电容器
1
外观和尺寸检查
0418
电子设备用固定电容器第1部分：
总规范4.4
GB/T2693-2001，IEC60384-1:
1999
2
绝缘电阻
0418
电子设备用固定电容器第1部分：
总规范4.5
GB/T2693-2001，IEC60384-1:
1999
3
耐电压
0418
电子设备用固定电容器第1部分：
总规范4.6
GB/T2693-2001，IEC60384-1:
1999
4
电容量
0418
电子设备用固定电容器第1部分：
总规范4.7
GB/T2693-2001，IEC60384-1:
1999
5
损耗角正切
0418
电子设备用固定电容器第1部分：
总规范4.8.1
GB/T2693-2001，IEC60384-1:
1999
6
等效串联电阻ESR
0418
电子设备用固定电容器第1部分：
总规范4.8.2
GB/T2693-2001，IEC60384-1:
1999
7
漏电流
0418
电子设备用固定电容器第1部分：
总规范4.9
GB/T2693-2001，IEC60384-1:
1999
8
阻抗
0418
电子设备用固定电容器第1部分：
总规范4.10
GB/T2693-2001，IEC60384-1:
1999
9
耐久性
0418
电子设备用固定电容器第1部分：
总规范4.23
GB/T2693-2001，IEC60384-1:
1999
10
耐焊接热
0418
电子设备用固定电容器第1部分：
总规范4.14
GB/T2693-2001，IEC60384-1:
1999
11
可焊性
0418
电子设备用固定电容器第1部分：
总规范4.15
GB/T2693-2001，IEC60384-1:
1999
17
PTC热敏电阻器
1
零功率电阻
0418
通讯设备过流保护用正温度系数（PTC）热敏电阻器技术要求7.1YD/T741-2002
2
不动作特性
0418
通讯设备过流保护用正温度系数（PTC）热敏电阻器技术要求7.2YD/T741-2002
3
过流动作特性
0418
通讯设备过流保护用正温度系数（PTC）热敏电阻器技术要求7.3YD/T741-2002
4
耐工频电流能力
0418
通讯设备过流保护用正温度系数（PTC）热敏电阻器技术要求7.6YD/T741-2002
5
耐电压能力
0418
通讯设备过流保护用正温度系数（PTC）热敏电阻器技术要求7.7YD/T741-2002
6
可焊性
0418
通讯设备过流保护用正温度系数（PTC）热敏电阻器技术要求8.2YD/T741-2002
7
耐焊接热
0418
通讯设备过流保护用正温度系数（PTC）热敏电阻器技术要求8.3YD/T741-2002
18
NTC热敏电阻器
1
外观尺寸检查
0418
直热式负温度系数热敏电阻器总规范
4.4GB/T6663.1-2007，IEC60539-1:
2002
2
零功率电阻值
0418
直热式负温度系数热敏电阻器总规范
4.5GB/T6663.1-2007，IEC60539-1:
2002
3
B值或电阻比
0418
直热式负温度系数热敏电阻器总规范
4.6GB/T6663.1-2007，IEC60539-1:
2002
18
NTC热敏电阻器
4
耐电压
0418
直热式负温度系数热敏电阻器总规范
4.8GB/T6663.1-2007，IEC60539-1:
2002
只测绝缘型
5
电阻－温度特性
0418
直热式负温度系数热敏电阻器总规范
4.9GB/T6663-2007，IEC60539-1:
2002
6
可焊性
0418
直热式负温度系数热敏电阻器总规范
4.15GB/T6663-2007，IEC60539-1:
2002
7
耐焊接热
0418
直热式负温度系数热敏电阻器总规范
4.14GB/T6663-2007，IEC60539-1:
2002
19
接触器
1
温升
0423
低压开关设备和控制设备机电式接触器和电动机起动器9.3.3.3
GB14048.4-2003，IEC60947-4-1:
2000
只测：
额定电流≤200A
2
介电性能
0423
低压开关设备和控制设备机电式接触器和电动机起动器9.3.3.4
GB14048.4-2003，IEC60947-4-1:
2000
3
动作范围
0423
低压开关设备和控制设备机电式接触器和电动机起动器9.3.3.2
GB14048.4-2003，IEC60947-4-1:
2000
20
隔离开关
1
温升
0423
低压开关设备和控制设备第3部分:
开关、隔离器、隔离开关及熔断器组合电器8.3.3.1
GB14048.3-2002，IEC60947-3:
2001
只测：
额定电流≤200A
2
介电性能
0423
低压开关设备和控制设备第3部分:
开关、隔离器、隔离开关及熔断器组合电器8.3.3.2
GB14048.3-2002，IEC60947-3:
2001
21
低压
断路器
1
温升
0423
家用及类似场所用过电流保护断路器9.8
GB10963.1-2005,IEC60898-1:
2002
低压开关设备和控制设备低压断路器8.3.2.5
GB14048.2-2001，IEC60947-2:
1995
只测：
额定电流≤200A
2
介电性能
0423
家用及类似场所用过电流保护断路器9.7
GB10963.1-2005,IEC60898-1:
2002
低压开关设备和控制设备低压断路器8.3.3.2
GB14048.2-2001，IEC60947-2:
1995
22
熔断器
1
外观和尺寸
0503
低压熔断器第一部分:
基本要求8.1.4
GB13539.1-2002，
IEC60269-1:
1998
2
标记
0503
低压熔断器第一部分:
基本要求6
GB13539.1-2002，
IEC60269-1:
1998
3
电阻
0503
低压熔
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