电子元器件技术培训资料.ppt

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电子元器件技术培训电子元器件技术培训空调电控器常用的器件包括：

电阻、电容、二极管、三极管、可控硅、轻触开关、液晶、发光二极管、蜂鸣器、传感器、7805/7812、2003、复位芯片、继电器、变压器、压敏电阻、保险丝、热敏电阻、光耦、滤波器、接插件、电源线。

培训内容只针对部分元器件，包括器件工作原理和检验标准。

具体的应用电路由产品工程师安排培训。

电阻一、电阻我们日常生活中的许多电器都有电阻，只是有的非常大，有的很小。

这里我们说的电阻是电子器件中的电阻器，只是人们常把电阻器简称为电阻（以下简称为电阻）。

电阻几乎是任何一个电子线路中不可缺少的一种器件，顾名思义，电阻的作用是阻碍电子的作用。

在电路中主要的作用是：

缓冲、负载、分压分流、保护等作用。

碳膜电阻器碳膜电阻器碳膜电阻器是目前电子、电器、资讯产品中使用量最大，价格最便宜，品质稳定性、信赖度最高的碳膜固定电阻器。

此电阻器是在高温真空中分离出有机化合物碳，紧密附着於瓷棒表面的碳膜为电阻体，再加以适当的接头后切薄而成，并在其表面涂上环氧树脂密封保护优点:

制作简单，成本低；缺点:

稳定性差，噪音大、误差大。

金属氧化皮膜电阻器金属氧化皮膜电阻器随着电子设备的发展其构成的零件亦趋向小型化、轻型化及耐用化等趋势。

电阻在高温下工作，要有长期的安定性、稳定性，电阻的皮膜单位面积就要负载较高的电力，以适其工作的要求，而金属氧化皮膜电阻器就是合适的电阻。

优点:

体积小、精度高、稳定性好、噪音小、电感量小；缺点:

成本高。

绕线电阻器、无感性绕线电阻器绕线电阻器、无感性绕线电阻器将电阻线绕在无性耐热瓷体上，表面涂以耐热、耐湿、无腐蚀的不燃性涂料，保护而成。

其特点如下：

耐热性优、温度系数小、质轻、耐短时间过负载、低杂音、阻值经年变化小。

无感性绕线电阻器（NKNP）有着绕线电阻器（KNP）基本特性，加上低电感量的优点。

优点:

功率大；缺点:

有电感，体积大，不宜作阻值较大的电阻。

水泥型绕线电阻器水泥型绕线电阻器将电阻线绕於无咸性耐热瓷件上或用氧化膜电阻等固定电阻器，外面加上耐热，耐湿及耐腐蚀的材料保护固定而成。

水泥型电阻是把电阻体放入方形瓷器框内，用特殊不燃性耐热水泥充填密封而成。

具有耐高功率、散热容易、稳定性高等特点。

优点:

功率大；缺点:

有电感，体积大，不宜作阻值较大的电阻。

电阻的作用电阻的标称及识别方法电阻阻值的标称一般使用色环方法表示。

其中又有4环和5环之分，4环电阻误差比5环电阻要大，一般用于普通电子产品上，而5环电阻一般都是金属氧化膜电阻，主要用于精密设备或仪器上。

具体表示方法看有关资料。

检验项目检验项目外外观观：

根根据据最最新新的的国国标标GB/TGB/T5729-20035729-2003的的2.2.222.2.22要要求求，对对于于电阻器的预定用途来说，降低了其实用性的可见性损伤。

电阻器的预定用途来说，降低了其实用性的可见性损伤。

温温度度特特性性：

分分别别测测试试上上限限（或或下下限限）类类别别温温度度（t2t2）R2R2、基基准准温温度度（t1t1）和和R1R1，然然后后根根据据公公式式计计算算出出电电阻阻温温度度系系数数。

根根据据公公式式a=（R2-R1）/R1*（t2-t1）a=（R2-R1）/R1*（t2-t1）结果应符合产品规范要求。

结果应符合产品规范要求。

过过载载：

将将电电阻阻器器水水平平放放置置，在在电电阻阻器器两两端端施施加加2.52.5倍倍的的电电阻阻器器额额定定电电压压或或22倍倍的的极极限限电电压压（取取低低值值），试试验验持持续续时时间间0.1250.750.1250.75W（5s）,12W（15s）,34W（30s）.W（5s）,12W（15s）,34W（30s）.试试验验后后恢恢复复1.51.5hh，外外观观应应无无损损坏坏且且标标志志清清晰晰，阻阻值值变变化化（相相对对初初始始值值）应应符符合合产产品品规规范范要求。

要求。

耐耐压压：

用用金金属属箔箔包包住住电电阻阻器器本本体体，然然后后在在电电阻阻器器引引脚脚和和金金属属箔箔间间施施加加升升压压速速度度为为100100v/sv/s升升至至规规定定的的电电压压，并并在在该该电电压压下下保保持持11minmin应应无无飞飞弧弧或或击击穿穿现现象象。

1/21/2W:

350VDCW:

350VDC；1W1W2W:

500VDC2W:

500VDC；3W3W或或以以上上:

700:

700VDC.VDC.电容电容器包括固定电容器和可变电容器两大类。

其中固定电容器又可根据其介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等；可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构。

以下附表列出了常见电容器的字母符号。

电容1、标称电容量（CR）电容器产品标出的电容量值。

云母和陶瓷介质电容器的电容量较低（大约在5000pF以下）；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容器居中（大约在0.005uF1.0uF）；通常电解电容器的容量较大。

这是一个粗略的分类法。

电容2、类别温度范围电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围。

该范围取决于它相应类别的温度极限值，如上限类别温度、下限类别温度、额定温度（可以连续施加额定电压的最高环境温度）等。

电容3、额定电压（UR）在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。

电容器应用在高电压场和时，必须注意电晕的影响。

电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。

在交流或脉动条件下，电晕特别容易发生。

对于所有的电容器，在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不得超过电容器的额定电压。

电容4、损耗角正切（tg）在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率为损耗角正切。

在实际应用中，电容器并不是一个纯电容，其内部还有等效电阻，它的简化等效电路如附图所示。

对于电子设备来说，要求RS愈小愈好，也就是说要求损耗功率小，其与电容的功率的夹角要小。

这个关系为：

tg=RS/XC=2*3.14*f*C*RS。

因此，在应用当中应注意选择这个参数，避免自身发热过大而影响寿命。

电容5、瓷介电容瓷介电容分类：

CC1一类高频低压瓷介电容器CT1二类低频低压瓷介电容器CS1三类低频低压瓷介电容器CC81一类高频高压瓷介电容器CT81二类低频高压瓷介电容器CT7交流安规瓷介电容器瓷介电容电容使用用途：

CC1CC81型高频瓷介电容器也称作温度补偿型电容器，具有较低的介电常数，稳定性高损耗低，电容量随温度变化近似线性。

主要用于谐振回路和需要补偿温度效应的电路（高稳定电路）中；CT1CT81型低频瓷介电容器也称高介瓷介电容器，主要以钛酸钡为基制成，具有容量大，体积小，损耗低的特点，在电路中主要作隔直、旁路、耦合使用；CS1型半导体电容器具有较高的介电常数，电容器体积更小，电容量更大，更经济，适用于小型化电路中；CT7型交流瓷介电容器主要用于电子设备交流主回路中以抑制电干扰，产品一般采用环氧树脂包封。

电解电容电容器的电容量由测量交流电容量时所呈现的阻抗决定，交流电容量随频率、电压以及测量方法的变化而变化，铝电解电容的容量随频率的增加而减小。

和频率一样，测量时的温度对电容器的容量有一定的影响，随着测量温度的下降，电容量会变小。

另一方面，直流电容量，可通过施加直流电压而测量其电荷得到。

在常温下容量比交流稍大一点，并且具有更优越的稳定特性。

电解电容电解电容漏电流：

电容器的介质对直流电具有很大的阻碍作用，然而由于铝氧化膜介质上浸有电解液，在施加电压时，重新形成以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流，刚施加电压时，漏电流较大，随着时间的延长，漏电流会逐渐减小并最终保持稳定，测试温度和电压对漏电流具有很大的影响，漏电流会随着温度和电压的升高而增大。

二极管半导体二极管由一个PN结，再加上电极、引线，封装而成。

二极管正向特性：

特性曲线的第一象限部分，曲线呈指数曲线形状，非线性。

正向电压很低时正向电流几乎为0，这一区间称为“死区”，对应的电压范围称为死区电压或阈值电压，锗管的死区电压大约为0.1V，硅管的死区电压约为0.5V；反向特性：

反向电流很小，但当反向电压过高时，PN结发生击穿，反向电流急剧增大。

二极管三极管1、三极管的结构及类型三极管的结构及类型通过工艺的方法,把两个二极管背靠背的连接起来级组成了三极管。

按PN结的组合方式有PNP型和NPN型，它们的结构示意图和符号图分别为：

如图

（1）、

（2）所示三极管三极管三极管的输出特性曲线可控硅可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如下图所示可控硅主要检验项目触发电流IGT；触发电压VGT；保持电流IH。

可控硅由于飞利浦的双向可控硅更改了BT131-600的晶元，造成质量下滑，电控开发部重新确认了日本东芝、三菱和ST的双向可控硅，经过对比测试，几家供应商的产品在质量上存在一定的差异，主要表现在重复峰值断态电流和过载电流（1.5A）两个项目上，造成可控硅供货紧张，根据关于可控硅生产使用注意事项的技术通知、生产部可控硅质量问题讨论会议纪要和可控硅检验标准三份文件的要求，现在对可控硅的使用做出如下规定：

可控硅可控硅重复峰值断态电流检测标准暂时由600VAC（交流）IDRM小于0.5mA改为600VDC（直流）IDRM小于0.5mA；对于所有33、35、36、43、50等大功率机型及工作电源电压为110-130V的海外所有机型必须使用飞利浦BT131-600（国外封装）的原库存品（内部晶元改变前的产品）及东芝的可控硅；在32以及32以下的内销和海外非110130V的分体机上，使用日本三菱的可控硅、飞利浦BT131-600（晶元更改后的产品）和ST双向可控硅；受供货的限制，1月20日前禁止使用飞利浦（晶元更改前产品）和东芝可控硅；可控硅重点检测项目1）。

重复峰值断态电流：

600VDCIDRM0.5mA；2）.高温（+85）下,可控硅通以1A交流负载电流,其可靠工作的时间应大于48h；3）常温下,可控硅通以1.2A交流负载电流,其可靠工作的时间应大于15min。

可控硅BT131600PHV03BT131600Phi03Z0107STNAA404M1J434.E4.EBCR1AM12401240131-6W48液晶液晶是一种几乎完全透明的物质，同时呈现固体与液体的某些特征。

它从形状和外观看都是一种液体，但它的水晶式分子结构又表现出固体的形态。

光线穿透液晶的路径由构成它的分子排列决定，这是固体的一种特征。

到20世纪60年代，人们发现给液晶充电会改变它的分子排列，继而造成光线的扭曲或折射，这又属于液体的特征。

主要参数：

显示性能、工作电压、存储和使用温度液晶传感器温度传感器一种电阻值随其阻体温度的变化呈显著变化的负温度系数的热敏感半导体电阻器。

传感器B值值B值用公式表示为：

值用公式表示为：

B=T1*T2/（T2-T1）*Ln（R1/R2）式中：

式中：

B-常数，常数，K；R1-在温度在温度T1时的电阻值，时的电阻值，；R2-在温度T2时的电阻值，；T1-298.15K（+25）T2-358.15K（+85）或323.15K（50）传感器2.额定零功率电阻值额定零功率电阻值温度传感器在特定的基准温度的标准值，除非另有规定，该基准温度为25。

3.热耗散系数（热耗散系数（）静止空气中，传感器温度变化1，耗散功率的变化（用mW/表示）。

4.热时间常数（热时间常数（）在零功率条件下，当温度突变时，温度传感器的温度变化为其初始的和最终的温度差的63.2%所需要的时间。

7805/7812三端稳压器：

由输入、输出和地三个外接端口组成，具有一定负载能力并能稳定输出的直流电压调节器。

7805/7812输入端口：

电压调节前由外部输入到稳压器的端口。

输出端口：

电压调