武汉理工大学材科名词解释和材料科学基础基本概念.docx
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武汉理工大学材科名词解释和材料科学基础基本概念
1材料引言
玻璃
玻璃是由熔体过冷所制得的非晶态材料。
水泥
水泥是指加入适量水后可成塑性浆体，既能在空气中硬化又能在水中硬化，并能够将砂，石等材料牢固地胶结在一起的细粉状水硬性材料。
耐火材料
耐火材料是指耐火度不低于1580摄氏度的无机非金属材料。
硅质耐火材料，镁质耐火材料，熔铸耐火材料，轻质耐火材料，不定形耐火材料。
高聚物
高聚物是由一种或几种简单低分子化合物经聚合而组成的分子量很大的化合物。
胶粘剂
胶粘剂是指在常温下处于粘流态，当受到外力作用时，会产生永久变形，外力撤去后又不能恢复原状的高聚物。
合金
合金是由两种或两种以上的金属元素，或金属元素与非金属元素形成的具有金属特性的新物质
固溶体
当合金的晶体结构保持溶质组元的晶体结构时，这种合金成为一次固溶体或端际固溶体，简称固溶体。
电子化合物
电子化合物是指具有一定（或近似一定）的电子浓度值，且结构相同或密切相关的相。
间隙化合物
间隙化合物（或间隙相）是由原子半径较大的过渡金属元素（Fe,Cr,Mn,Mo,W,V等）和原子半径较小的非（准）金属元素（H,B,C,N,Si,等）形成的金属间化合物。
传统无机非金属材料
主要是指由SiO2及其硅酸盐化合物为主要成分制成的材料，包括陶瓷，玻璃，水泥和耐火材料等。
新型无机非金属材料
是用氧化物，氮化物，碳化物，硼化物，硫化物，硅化物以及各种无机非金属化合物经特殊的先进工艺制成的材料。
2晶体结构
晶体
晶体是离子，原子或分子按一定的空间结构排列所组成的固体，其质点在空间的分布具有周期性和对称性，因而，晶体具有规则的外形。
晶胞
晶胞是从晶体结构中取出来的反应晶体周期性和对称性的重复单元。
晶体结构
晶体结构是指晶体中原子或分子的排列情况，由空间点阵+结构基元而构成，晶体结构的形式是无限多的。
空间点阵
空间点阵是把晶体结构中原子或分子等结构基元抽象为周围环境相同的阵点之后，描述晶体结构的周期性和对称性的图像。
晶面
可将晶体点阵在任何方向上分解为相互平行的节点平面，这样的结点平面成为晶面。
晶面指数
结晶学中经常用（hkl）来表示一组平行晶面，成为晶面指数。
晶面族
在对称性高的晶体（如立方晶系）中，往往有并不平行的两组以上的晶面，它们的原子排列状况是相同的，这些晶面构成一个晶面族。
晶向族
晶体中原子排列周期相同的所有晶向为一个晶向族，用{uvw}表示。
晶带或晶带面
在结晶学中，把同时平行某一晶向[uvw]的所有晶面成为一个晶带（Zone）或晶带面[PlaneofaZone]，该晶向[uvw]成为这个晶带的晶带轴（ZoneAxis），一个晶带中任一晶面（hkl）与其晶带轴[uvw]之间的关系满足晶带轴定理：
hu+kv+lw=0
离子键
离子键是正，负离子依靠静电库仑力而产生的键合。
共价键
共价键是原子之间通过共用电子对或通过电子云重叠而产生的键合。
金属键
金属键是失去最外层电子（价电子）的原子实和自由电子组成的电子云之间的静电库仑力而产生的键合。
范德华键（分子键）
范德华键（分子键）是通过“分子力”而产生的键合。
氢键
氢键是指氢原子同时与两个电负性很大而原子半径较小的原子（O,F,N等）相结合所形成的键。
晶体的结合能
晶体的结合能Eb定义为：
组成晶体的N个原子处于“自由”状态时的总能量EN与晶体处于稳定状态时的总能量E0的差值，即Eb=EN-E0
晶格能
对于离子晶体而言，其晶格能EL定义为：
1mol离子晶体中的正负离子，由相互远离的气态结合成离子晶体时所释放出的能量。
空间利用率（原子堆积系数）——晶胞中原子体积与晶胞体积的比值。
孤立态原子半径
从原子核中心到核外电子的几率分布趋向于零的位置间的距离。
这个半径亦称为范德华半径。
金属原子半径
相邻两原子面间距离的一半。
如果是离子晶体，则定义正，负离子半径之和等于相邻两原子面间的距离。
配位数
一个原子（或离子）周围同种原子（或异号离子）的数目成为原子或离子的配位数，用CN来表示。
离子极化
在离子紧密堆积时，带电荷的离子所产生的电场，必然要对另一个离子的电子云产生吸引或排斥作用，使之发生变形，这种现象称为极化。
哥希密特化学定律
晶体结构取决于其组成基元（原子，离子或离子团）的数量关系，大小关系及极化性能。
同质多晶
这种化学组成相同的物质，在不同的热力学条件下形成结构不同的晶体的现象，成为同质多晶。
由此所产生的每一种化学组成相同但结构不同的晶体，成为变体。
类质同晶
化学组成相似或相近的物质，在相同的热流条件下，形成的晶体具有相同的结构，这种现象称为类质同晶现象。
位移性转变
仅仅是结构畸变，转变前后结构差异小，转变时并不打开任何键或改变最邻近的配位数，只是原子的位置发生少许位移，使次级配位有所改变。
重建性转变
不能简单地通过原子位移来实现，转变前后结构差异大，必须破坏原子间的键，形成一个具有新键的结构。
Hume-Rothery规则
如果某非金属元素的原子能以单键与其他原子共价结合形成单质晶体，则每个原子周围共价单键的数目为8减去元素所在周期表的族数（m），即共价单键数目为（8-m）。
这个规则亦称为（8-m）规则。
解理
晶体沿某个晶面劈裂的现象称为解理。
热释电性
热释电性是指某些像六方ZnS型的晶体，由于加热使整个晶体温度变化，结果在与该晶体c轴垂直方向的一端出现正电荷，在相反的一端出现负电荷的性质。
晶体的热释电性与晶体内部的自发极化有关。
声电效应
通过半导体进行声电相互转换得现象称为声电效应。
反萤石结构
碱金属元素的氧化物R2O、硫化物R2S、硒化物R2Se、碲化物R2Te等A2X型化合物为反萤石结构，它们的正负离子位置刚好与萤石结构中的相反，即碱金属离子占据F-离子的位置，O2-或其他离子占据Ca2+的位置。
这种正负离子位置颠倒的结构，叫做反同形体。
电光效应
电光效应是指对晶体施加电场时，晶体的折射率发生变化的效应。
铁电晶体
铁电晶体是指具有自发极化且在外电场作用下具有电滞回线的晶体。
声光效应
声光效应是指光波被声光介质中的超声波所衍射或散射的现象。
正尖晶石和反尖晶石
在尖晶石结构中，如果A离子占据四面体空隙，B离子占据占据八面体空隙，则称为正尖晶石。
反之，如果半数的B离子占据四面体空隙，A离子和另外半数的B离子占据八面体空隙，则称为反尖晶石。
正尖晶石（A）[B2]O4反尖晶石（B）[AB]O4
同晶取代
[SiO4]四面体中心的Si4+离子可部分地被Al3+所取代，取代后的结构本身并不发生大的变化，即所谓的同晶取代，但晶体的性质却可以发生很大的变化。
压电效应
某些晶体在机械力作用下发生变形，使晶体内正负电荷中心相对位移而极化，致使晶体两端表面出现符号相反的束缚电荷，其电荷密度与应力成比例。
这种由“压力”产生“电”的现象称为正压电效应。
反之，如果具有压电效应的晶体置于外电场中，电场使晶体内部正负电荷中心位移，导致晶体产生形变。
这种由“电”产生“机械形变”的现象称为逆压电效应。
高分子
高分子是指其分子主链上的原子都直接以共价键连接，且链上的成键原子都共享成键电子的化合物。
3晶体结构缺陷
晶体结构缺陷
通常把晶体点阵结构中周期性势场的畸变成为晶体的结构缺陷。
点缺陷
点缺陷亦称为零维缺陷，缺陷尺寸处于原子大小的数量级上，即三维方向上缺陷的尺寸都很小。
点缺陷包括空位、间隙质点、杂志质心和色心等。
线缺陷
线缺陷也称为一维缺陷，是指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列所产生的缺陷，即缺陷尺寸在一维方向较长，另外二维方向上很短。
如各种位错。
面缺陷
面缺陷又称为二维缺陷，是指在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规则性排列而产生的缺陷，即缺陷尺寸在二维方向上延伸，在第三位方向上很小。
如晶界、表面、堆积层错、镶嵌结构等。
体缺陷
体缺陷亦称为三维缺陷，是指在局部的三维空间偏离理想晶体的周期性、规则性排列而产生的缺陷。
如第二相粒子团、空位团等。
热缺陷
热缺陷称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位和（或）间隙质点（原子或离子）。
热缺陷包括弗伦克尔缺陷和肖特基缺陷。
弗伦克尔缺陷是质点离开正常格点后进入到晶格间隙位置，其特征是空位和间隙质点成对出现。
肖特基缺陷是质点由表面位置迁移到新表面位置，在晶体表面形成新的一层，同时在晶体内部留下空位，其特征是正负离子空位成比例出现。
滑移
在外力作用下，晶体的一部分相对于另一部分，沿着一定晶面的一定晶向发生平移，使晶面上的原子从一个平衡位置平移到另一个平衡位置，此过程称为滑移。
滑移系统
一个滑移面和该面上的一个确定的滑移方向，构成一个一个滑移系统，以（hkl）[uvw]来表示。
孪生
晶体塑性形变的另一种机制是孪生，即在外力作用下，晶体的一部分相对于另一部分，沿着一定的晶面和晶向发生切变，切变之后，两部分晶体的位向以切变面为镜面成对称关系。
发生切变的晶面和方向分别叫孪晶面和孪生方向。
变形后发生切变的部分和与其呈晶面对称的部分构成孪晶，其界面是共格晶面。
位错滑移
位错滑移是指在外力作用下，位错线在其滑移面（即位错线和伯氏矢量b构成的晶面）上的运动，结果导致晶体永久变形。
位错攀移
位错攀移是指在热缺陷或外力作用下，位错线在垂直其滑移面方向上的运动，结果导致晶体中空位或间隙质点的增殖或减少。
位错的线张力
线张力是一种组态力，定义为使位错线增加单位长度所需要的能量，所以线张力在数值上等于单位长度位错线的应变能，即T=W=αGb2。
固溶体
将外来组元引入晶体结构，占据基质晶体质点位置或间隙位置的一部分，仍保持一个晶相，这种晶体成为固溶体。
置换式固溶体
亦称替代固溶体，其溶质原子位于点阵结点上，替代（置换）了部分溶剂原子。
间隙式固溶体
亦称间隙型固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。
非化学计量缺陷
按照化学中定比定律，化合物中的不同原子的数量要保持固定的比例，但在实际的化合物中，有一些化合物并不符合定比定律，其中负离子与正离子的比例并不是固定的比例关系，这些化合物称为非化学计量化合物。
这是在化学组成上偏离化学计量而产生的一种缺陷。
色心
色心是由于电子补偿而引起的一种缺陷。
一些电子体受到X射线、γ射线、中子或电子辐照，往往会产生颜色。
4非晶态结构与性质
熔体，玻璃体
熔体或液体是介于气体和固体（晶体）之间的一种物质状态。
熔体特指加热到较高温度才能液化的物质的液体，即较高熔点物质的液体。
熔体快速冷却则变成玻璃体。
缩聚
由分化过程产生的低聚合物不是一成不变的，它可以相互发生作用，形成级次较高的聚合物，同时释放出部分Na2O。
这过程成为缩聚。
硼反常现象
这种由于B3+离子配位数变化引起性能曲线上出现转折的现象，称为硼反反常现象。
混合碱效应
熔体中同时引入一种以上的R2O或RO时，粘度比等量的一种R2O或RO高，称为“混合碱效应”，这可能和离子的半径、配位等结晶化学条件不同而相互制约有关。
单键强度
通过测定各种化合物（MOx）的离解能（MOx离解为气态原子时所需要的总能量），将这个能量除以该种化合物正离子M的氧配位数，可得出M—O单键强度（单位是kJ/mol）。
晶子学说
玻璃结构是一种不连续的原子集合体，即无数“晶子”分散在无定形介质中；“晶子”的化学性质和数量取决于玻璃的化学组成，可以是独立原子团或一定组成的化合物和固体等微观多相体，与该玻璃物系的相平衡有关；“晶子”不同于一般微晶，而是带有晶格极度变形的微笑有序区域，在“晶子”中心质点排列较有规律，愈远离中心则变形程度愈大；从“晶子”部分到无定形部分的过渡是逐步完成的，两者之间无明显界线。
无规则网络学说
玻璃的结构与相应得晶体结构相似，同样形成连续的三维空间网络结构。
但玻璃的网络与晶体的网络不同，玻璃的网络是不规则的、非周期的，因此玻璃的内能比晶体的内能要大。
由于玻璃的强度与晶体的强度属于同一个数量级，玻璃的内能与相应晶体的内能相差并不多，因此它们的结构单元（四面体或三角体）应是相同的，不同之处在于排列的周期性。
5表面结构与性质
弛豫表面
为使体系能量尽可能降低，表面上的原子常常会产生相对于正常位置的上、下位移，结果表面相中原子层的间距偏离体相原子层的间距，产生压缩或膨胀。
表面上原子的这种位移称为表面弛豫。
重构表面
重构是指表面原子层在水平方向上的周期性不同于体内，但垂直方向的层间距离体内相同。
吸附表面
吸附表面有时也称界面。
它是在清洁表面上有来自体内扩散到表面的杂质和来自表面周围空间吸附在表面上的质点所构成的表面。
根据原子在基底上的吸附位置，一般可分为四种吸附情况，即顶吸附、桥吸附、填充吸附和中心吸附等。
表面偏析
表面的许多现象如催化、腐蚀、摩擦等，都与表面的组成和结构有关。
不论表面进行多么严格的清洁处理，总有一些杂质由体内偏析到表面上来，从而使固体表面组成与体内不同。
固体表面力
晶体中每个质点周围都存在着一个力场。
由于晶体内部质点排列是有序和周期重复的，故每个质点力场是对称的。
但在固体表面，质点排列的周期重复性中断，使处于表面边界上的质点力场对称性破坏，表现出剩余的键力，这就是固体表面力。
范德华力
分子引力，一般是指固体表面与被吸附质点（例如气体分子）之间相互作用力。
粘附功
是指把单位粘附界面拉开所需的功。
6相平衡和相图
凝聚系统
没有气相或虽有气相但其影响可忽略不计的系统称为凝聚系统。
相
系统中具有相同物理与化学性质的完全均匀部分的总和成为相。
组元
系统中每一个能单独分离出来并能独立存在的化学纯物质称为组元。
独立组元
足以表示形成平衡系统中各相组成所需要的最少数目的物质（组元）成为独立组元。
自由度
在一定范围内，可以任意改变而不引起旧相消失或新相产生的独立变量称为自由度。
可逆与不可逆多晶转变
多晶转变根据其进行的方向是否可逆，分为可逆的转变和不可逆的转变两种类型。
可逆转变又称为双向转变，不可逆转变称为单向转变。
独立析晶
独立析晶通常是在转熔过程中发生的，由于冷却速度较快，被回吸的晶相有可能会被新析出的固相包裹起来，使转熔过程不能继续进行，从而使液相进行另一个单独的析晶过程，这就是所谓的独立析晶。
7基本动力学过程——扩散
扩散
扩散是物质内质点运动的基本方式，当温度高于绝对零度时，任何物系内的质点都在做热运动。
当物质内有梯度（化学位、浓度、应力梯度等）存在时，由于热运动而触发（导致）的质点定向迁移即所谓的扩散。
稳态扩散与非稳态扩散
稳态扩散的特征是空间任意一点的浓度不随时间变化，扩散通量不随位置变化；非稳态扩散的特征是空间任意一点的浓度随时间变化，扩散通量随位置变化。
稳态扩散
在扩散系统中，若对于任一体积元，在任一时刻流入的物质量与流出的物质量相等，即任一点的浓度不随时间变化，则称这种状态为稳态扩散。
本征扩散与非本征扩散
本征扩散是由本征点缺陷（即热缺陷）引起的扩散；非本征扩散是由非本征点缺陷引起的扩散，又包括掺杂点缺陷和非化学计量化合物两种情况。
自扩散与互扩散
自扩散是指不伴有浓度变化的扩散，与浓度梯度无关，只能发生在纯金属或均匀固溶体中；互扩散是指伴有浓度变化的扩散，与浓度差有关。
克肯达尔效应
由于多元系统中各组元扩散速率不同而引起的扩散偶原始界面向扩散速率快的一侧移动的现象称为克肯达尔效应。
8材料中的相变
一级相变
在临界温度、临界压力时，两相化学位相等，但化学位的一阶偏导数不相等的相变。
二级相变
相变时化学位及其一阶偏导数相等，而二阶偏导数不相等的相变。
扩散型相变
在相变时，依靠原子（离子）的扩散来进行的相变成为扩散型相变。
非扩散型相变
相变过程不存在原子（离子）的扩散，或虽存在扩散但不是相变所必需的或不是主要过程的相变即为无扩散型相变。
共格应变能
对于大多数晶态固体来说，其点阵常数总是随成分而改变的，如果这种固溶体发生调幅分解时，点阵保持共格，必须使点阵发生弹性畸变而引起应变能。
比体积应变能
由切变产生的应变能与由体积变化产生的应变能之和。
10烧结
烧结
压制成型后的粉状物在低于熔点的高温作用下，通过坯体间颗粒相互粘结和物质传递，气孔派出，体积收缩，强度提高，逐渐变成具有一定的几何形状和坚固整个的过程。
初次再结晶
是指从塑性变形的、具有应变的基质中，生长出新的无应变晶粒的成核和长大过程。
二次再结晶
正常的晶粒长大是晶界移动，晶粒的平均尺寸增加。
如果晶界受到杂质等第二相质点的阻碍，正常的晶粒长大便会停止。
但是当坯体中若有大晶粒存在时，这些大晶粒变数较多，晶界曲率较大，能量较高，使晶界可以越过杂质或气孔而继续移向邻近小晶粒的曲率中心。
晶粒的进一步生长，增大了晶界的曲率使生长过程不断加速，直到大晶粒的边界互相接触为止。
这个过程称为二次再结晶或异常的晶粒长大。
11腐蚀与氧化
全面腐蚀
是常见的一种腐蚀，是指整个金属表面均发生腐蚀，它可以是均匀的也可以是不均匀的。
应力腐蚀（SCC）
是指金属材料在特定腐蚀介质和拉应力共同作用下发生的脆性断裂。
应力腐蚀开裂门槛值
一般认为当拉伸应力低于某一个临界值时，不再发生断裂破坏，这个临界应力称应力腐蚀开裂门槛值，用KISCC表示。
晶间腐蚀
是金属材料在特定的腐蚀介质中沿着材料的晶界发生的一种局部腐蚀。
氧化
广义的金属氧化是金属在一定温度条件下与环境介质O2（还有S2、Cl2、N2、C等）间发生化学反应而引起材料损耗的不可逆腐蚀过程。
12材料的疲劳与断裂
疲劳破坏
材料或构件在交变应力（应变）作用下发生的破坏称为疲劳破坏或疲劳失效。
热疲劳
由于温度的变化形成的变动热应力引起的疲劳称为热疲劳。
氢腐蚀
材料在高温高压环境下使用较长时间后，有时在晶界附近能产生很多气泡或裂纹，从而引起构件的失效，这种不可逆损伤一般称为氢腐蚀。
晶体缺陷
单晶体：
是指在整个晶体内部原子都按照周期性的规则排列。
多晶体：
是指在晶体内每个局部区域里原子按周期性的规则排列，但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同，因此多晶体也可看成由许多取向不同的小单晶体（晶粒）组成
点缺陷（Pointdefects）：
最简单的晶体缺陷，在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排列。
在空间三维方向上的尺寸都很小，约为一个、几个原子间距，又称零维缺陷。
包括空位vacancies、间隙原子interstitialatoms、杂质impurities、溶质原子solutes等。
线缺陷（Lineardefects）：
在一个方向上的缺陷扩展很大，其它两个方向上尺寸很小，也称为一维缺陷。
主要为位错dislocations。
面缺陷（Planardefects）：
在两个方向上的缺陷扩展很大，其它一个方向上尺寸很小，也称为二维缺陷。
包括晶界grainboundaries、相界phaseboundaries、孪晶界twinboundaries、堆垛层错stackingfaults等。
晶体中点阵结点上的原子以其平衡位置为中心作热振动，当振动能足够大时，将克服周围原子的制约，跳离原来的位置，使得点阵中形成空结点，称为空位vacancies
肖脱基（Schottky）空位：
迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置，使晶体内部留下空位。
弗兰克尔（Frenkel）缺陷：
挤入间隙位置，在晶体中形成数目相等的空位和间隙原子。
晶格畸变：
点缺陷破坏了原子的平衡状态，使晶格发生扭曲，称晶格畸变。
从而使强度、硬度提高，塑性、韧性下降；电阻升高，密度减小等。
热平衡缺陷：
由于热起伏促使原子脱离点阵位置而形成的点缺陷称为热平衡缺陷（thermalequilibriumdefects），这是晶体内原子的热运动的内部条件决定的。
过饱和的点缺陷：
通过改变外部条件形成点缺陷，包括高温淬火、冷变形加工、高能粒子辐照等，这时的点缺陷浓度超过了平衡浓度，称为过饱和的点缺陷（supersaturatedpointdefects）。
位错：
当晶格中一部分晶体相对于另一部分晶体发生局部滑移时，滑移面上滑移区与未滑移区的交界线称作位错
刃型位错：
当一个完整晶体某晶面以上的某处多出半个原子面，该晶面象刀刃一样切入晶体，这个多余原子面的边缘就是刃型位错。
刃型位错线可以理解为已滑移区和未滑移区的分界线，它不一定是直线
螺型位错：
位错附近的原子是按螺旋形排列的。
螺型位错的位错线与滑移矢量平行，因此一定是直线
混合位错：
一种更为普遍的位错形式，其滑移矢量既不平行也不垂直于位错线，而与位错线相交成任意角度。
可看作是刃型位错和螺型位错的混合形式。
柏氏矢量b:
用于表征不同类型位错的特征的一个物理参量，是决定晶格偏离方向与大小的向量，可揭示位错的本质。
位错的滑移（守恒运动）：
在外加切应力作用下，位错中心附近的原子沿柏氏矢量b方向在滑移面上不断作少量位移（小于一个原子间距）而逐步实现。
交滑移：
由于螺型位错可有多个滑移面，螺型位错在原滑移面上运动受阻时，可转移到与之相交的另一个滑移面上继续滑移。
如果交滑移后的位错再转回到和原滑移面平行的滑移面上继续运动，则称为双交滑移。
位错滑移的特点
1）刃型位错滑移的切应力方向与位错线垂直，而螺型位错滑移的切应力方向与位错线平行；
2）无论刃型位错还是螺型位错，位错的运动方向总是与位错线垂直的；（伯氏矢量方向代表晶体的滑移方向）
3）刃型位错引起的晶体的滑移方向与位错运动方向一致，而螺型位错引起的晶体的滑移方向与位错运动方向垂直；
4）位错滑移的切应力方向与柏氏矢量一致；位错滑移后，滑移面两侧晶体的相对位移与柏氏矢量一致。
5）对螺型位错，如果在原滑移面上运动受阻时，有可能转移到与之相交的另一滑移面上继续滑移，这称为交滑移（双交滑移）
派-纳力：
晶体滑移需克服晶体点阵对位错的阻力，即点阵阻力
位错的攀移（非守恒运动）：
刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动，主要是通过原子或空位的扩散来实现的（滑移过程基本不涉及原子的扩散）。
位错在某一滑移面上运动时，对穿过滑移面的其它位错（林位错）的交割。
包括扭折和割阶。
扭折：
位错交割形成的曲折线段在位错的滑移面上时，称为扭折。
割阶：
若该曲折线段垂直于位错的滑移面时，称为割阶。
位错交割的特点
1）运动位错交割后，在位错线上可能产生一个扭折或割阶，其大小和方向取决于另一位错的柏氏矢量，但具有原位错线的柏氏矢量（指扭折或割阶的长度和方向）
2）所有的割阶都是刃型位错，而扭折可以是刃型也可是螺型的。
3）扭折与原位错线在同一滑移面上，可随位错线一道运动，几乎不产生阻力，且在线张力的作用下易于消失；
4）割阶与原位错不在同一滑移面上，只能通过攀移运动，所以割阶是位错运动的障碍---割阶硬化
位错的应变能：
位错周围点阵畸变引起的弹性应力场，导致晶体能量的增加，称为位错的应变能或位错的能量。
位错密度：
单位体积内所包含的位错线总长度。
ρ=L/V（cm-2）
一般，位错密度也定义为单位面积所见到的位错数目
ρ=n/A（cm-2）
单位位错Unitdislocation：
柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错
全位错Perfectdislocation：
柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错，全位错滑移后晶体原子排列不变
不全位错Imperfectdislocation：
柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错，不全位错滑移后晶体原子排列规律变化
部分位错Partialdislocation：
柏氏矢
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