MOS管工作原理及芯片汇总.docx

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MOS管工作原理及芯片汇总

一：

MOS管参数解释

MOS管介绍

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。

MOSFET管是FET的一种,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。

这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS.原因是导通电阻小且容易制造.所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。

在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。

这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。

寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免。

MOS管导通特性

导通的意思是作为开关,相当于开关闭合.

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况（低端驱动）,只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V,其他电压，看手册）就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中,通常还是使用NMOS.

MOS开关管损失

不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。

选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗.现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧,几十毫欧左右

MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。

MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。

通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快,导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。

降低开关时间，可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。

这两种办法都可以减小开关损失.

MOS管驱动

MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值，就可以了.但是，我们还需要速度。

在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。

对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。

选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小.

普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。

而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大（4V或10V其他电压,看手册）。

如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。

很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

Mosfet参数含义说明

Features：

Vds：

DS击穿电压。

当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压

Rds（on）：

DS的导通电阻。

当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻

Id：

最大DS电流。

会随温度的升高而降低

Vgs:

最大GS电压.一般为:

-20V～+20V

Idm:

最大脉冲DS电流。

会随温度的升高而降低,体现一个抗冲击能力,跟脉冲时间也有关系

Pd:

最大耗散功率

Tj：

最大工作结温,通常为150度和175度

Tstg:

最大存储温度

Iar：

雪崩电流

Ear：

重复雪崩击穿能量

Eas：

单次脉冲雪崩击穿能量

BVdss：

DS击穿电压

Idss:

饱和DS电流,uA级的电流

Igss:

GS驱动电流，nA级的电流.

gfs：

跨导

Qg：

G总充电电量

Qgs:

GS充电电量

Qgd：

GD充电电量

Td（on）：

导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90％的时间

Tr:

上升时间,输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间

Td（off）:

关断延迟时间，输入电压下降到90％开始到VDS上升到其关断电压时10％的时间

Tf:

下降时间，输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时间（参考图4）。

Ciss：

输入电容,Ciss=Cgd+Cgs.

Coss：

输出电容，Coss=Cds+Cgd.

Crss：

反向传输电容,Crss=Cgc.

二：

N沟道MOS管的结构及工作原理

N沟道金属-氧化物—半导体场效应管（MOS管）的结构及工作原理

结型场效应管的输入电阻虽然可达106~109W，但在要求输入电阻更高的场合,还是不能满足要求.而且，由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻,在高温条件下工作时,PN结反向电流增大,反偏电阻的阻值明显下降.与结型场效应管不同，金属—氧化物—半导体场效应管（MOSFET）的栅极与半导体之间隔有二氧化硅（SiO2）绝缘介质，使栅极处于绝缘状态（故又称绝缘栅场效应管），因而它的输入电阻可高达1015W.它的另一个优点是制造工艺简单，适于制造大规模及超大规模集成电路。

MOS管也有N沟道和P沟道之分,而且每一类又分为增强型和耗尽型两种，二者的区别是增强型MOS管在栅—源电压vGS=0时，漏—源极之间没有导电沟道存在，即使加上电压vDS（在一定的数值范围内），也没有漏极电流产生（iD=0）。

而耗尽型MOS管在vGS=0时，漏—源极间就有导电沟道存在。

一、N沟道增强型场效应管结构

a）N沟道增强型MOS管结构示意图

（b）N沟道增强型MOS管代表符号（c）P沟道增强型MOS管代表符号

在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，用光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s.然后在半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，在漏-源极间的绝缘层上再装上一个铝电极，作为栅极g。

另外在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。

显然它的栅极与其它电极间是绝缘的。

图1（a）、（b）分别是它的结构示意图和代表符号.代表符号中的箭头方向表示由P（衬底）指向N（沟道）。

P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反,如图1（c）所示。

MOS/CMOS集成电路

MOS集成电路特点：

制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。

MOS集成电路包括：

NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。

PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同，只是电源极性相反而已.

数字电路中MOS集成电路所使用的MOS管均为增强型管子，负载常用MOS管作为有源负载,这样不仅节省了硅片面积，而且简化了工艺利于大规模集成.常用的符号如图1所示.

N沟MOS晶体管

金属-氧化物-半导体（Metal—Oxide—SemIConductor）结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分.MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。

由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。

n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管.n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

NMOS集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入阻抗很高，基本上不需要吸收电流，因此，CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。

NMOS集成电路大多采用单组正电源供电，并且以5V为多.CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源，就可与NMOS集成电路直接连接.不过，从NMOS到CMOS直接连接时，由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平，因而需要使用一个（电位）上拉电阻R，R的取值一般选用2～100KΩ。

N沟道增强型MOS管的结构

在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。

然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层,在漏—-源极间的绝缘层上再装上一个铝电极，作为栅极g。

在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。

MOS管的源极和衬底通常是接在一起的（大多数管子在出厂前已连接好）。

它的栅极与其它电极间是绝缘的。

图（a）、（b）分别是它的结构示意图和代表符号。

代表符号中的箭头方向表示由P（衬底）指向N（沟道）.P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反，如图（c）所示。

N沟道增强型MOS管的工作原理

（1）vGS对iD及沟道的控制作用

①vGS=0的情况

从图1（a）可以看出，增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。

当栅—-源电压vGS=0时，即使加上漏——源电压vDS，而且不论vDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态,漏——源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流iD≈0。

②vGS〉0的情况

若vGS＞0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。

电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场.这个电场能排斥空穴而吸引电子。

排斥空穴:

使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子（负离子），形成耗尽层。

吸引电子：

将P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。

（2）导电沟道的形成：

当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源极之间仍无导电沟道出现，如图1（b）所示。

vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层,且与两个N+区相连通，在漏——源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反,故又称为反型层,如图1（c）所示.vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强,吸引到P衬底表面的电子就越多,导电沟道越厚，沟道电阻越小。

开始形成沟道时的栅——源极电压称为开启电压，用VT表示。

上面讨论的N沟道MOS管在vGS＜VT时,不能形成导电沟道，管子处于截止状态。

只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。

这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。

沟道形成以后,在漏-—源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生.

vDS对iD的影响

如图（a）所示，当vGS〉VT且为一确定值时，漏-—源电压vDS对导电沟道及电流iD的影响与结型场效应管相似。

漏极电流iD沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅极间的电压不再相等,靠近源极一端的电压最大，这里沟道最厚，而漏极一端电压最小，其值为VGD=vGS－vDS，因而这里沟道最薄。

但当vDS较小（vDS

随着vDS的增大，靠近漏极的沟道越来越薄，当vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT（或vDS=vGS－VT）时,沟道在漏极一端出现预夹断,如图2（b）所示。

再继续增大vDS,夹断点将向源极方向移动，如图2（c）所示。

由于vDS的增加部分几乎全部降落在夹断区，故iD几乎不随vDS增大而增加，管子进入饱和区，iD几乎仅由vGS决定。

N沟道增强型MOS管的特性曲线、电流方程及参数

（1）特性曲线和电流方程

1）输出特性曲线

N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1（a）所示。

与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。

2）转移特性曲线

转移特性曲线如图1（b）所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区（恒流区），此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用vDS大于某一数值（vDS＞vGS—VT）后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线.

3）iD与vGS的近似关系

与结型场效应管相类似。

在饱和区内，iD与vGS的近似关系式为

式中IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。

（2）参数

MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压VP，而用开启电压VT表征管子的特性。

N沟道耗尽型MOS管的基本结构

（1）结构：

N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似.

（2）区别：

耗尽型MOS管在vGS=0时,漏——源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

（3）原因：

制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+（制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子），如图1（a）所示，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下,漏——源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道（称为初始沟道），只要加上正向电压vDS，就有电流iD。

如果加上正的vGS，栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，iD增大.反之vGS为负时，沟道中感应的电子减少,沟道变窄,沟道电阻变大,iD减小。

当vGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失,iD趋于零，管子截止，故称为耗尽型。

沟道消失时的栅－源电压称为夹断电压，仍用VP表示.与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值，但是,前者只能在vGS<0的情况下工作。

而后者在vGS=0，vGS〉0，VP〈vGS<0的情况下均能实现对iD的控制，而且仍能保持栅——源极间有很大的绝缘电阻，使栅极电流为零。

这是耗尽型MOS管的一个重要特点.图（b）、（c）分别是N沟道和P沟道耗尽型MOS管的代表符号。

（4）电流方程:

在饱和区内，耗尽型MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同，即：

各种场效应管特性比较

P沟MOS晶体管

金属氧化物半导体场效应（MOS）晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压（源极接地）时,柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。

改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。

这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。

如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。

这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。

统称为PMOS晶体管。

P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。

此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。

它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管--晶体管逻辑电路不兼容.PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低,在NMOS电路（见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路）出现之后，多数已为NMOS电路所取代.只是，因PMOS电路工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。

PMOS集成电路采用—24V电压供电.如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。

采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10~12V就能满足PMOS对输入电平的要求。

MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。

各种场效应管特性比较

三：

SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。

上图中有小圆点的为１脚

注：

下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补充）

封装形式

极性

型号

电流（A）

耐压（V）

导通电阻（mΩ）

SO—8

N型

SI4336

4。

SO—8

N型

IRF7831

3。

SO-8

N型

IRF7832

SO-8

N型

IRF7822

SO—8

N型

IRF7836

5.7

SO—8

N型

IRF8113

5.6

SO-8

N型

SI4404

SO—8

N型

FDS6688

SO-8

N型

IRF7805Z

6。

SO-8

N型

IRF7477

8。

SO—8

N型

IRF8721

8.5

SO-8

N型

IRF7805

SO—8

N型

IRF7805Q

SO-8

N型

IRF7413

SO-8

N型

TPC8003

SO-8

N型

IRF7477

SO—8

N型

IRF7811

SO-8

N型

IRF7466

SO—8

N型

SI4410

SO-8

N型

SI4420

SO—8

N型

A2700

7。

SO—8

N型

IRF7807

8。

SO-8

N型

SI4812

7.3

SO-8

N型

SI9410

6。

SO-8

N型

IRF7313

SO—8

P型

SI4405

7。

SO-8

P型

STM4439A

SO-8

P型

FDS6679

SO-8

P型

SI4411

SO—8

P型

SI4463

12。

SO—8

P型

SI4407

SO—8

P型

IRF7424

13。

SO-8

P型

IRF7416

SO-8

P型

IRF7416Q

SO—8

P型

SI4425

SO—8

P型

IRF7424

8.8

SO-8

P型

SI4435

SO-8

P型

SI4435DY

SO-8

P型

A2716

11。

SO—8

P型

IRF7406

5。

SO-8

P型

SI9435

5。

SO—8

P型

IRF7205

4.6

TO-252

N型

FDD6688

TO—3

N型

IRF150

100

TO—220

N型

IRF3703

210

2.8

TO—220

N型

IRL3803

140

TO—220

N型

IRF1405

131

5。

TO—220

N型

IRF3205

110

TO-220

N型

BUZ111S

TO-220

N型

05N05

9.5

TO—220

N型

IRF2804

TO-220

N型

60N06

TO-220

N型

50N03L

TO-220

N型

BTS120

100

TO-220

N型

BTS110

100

200

TO-220

N型

06N60

5.5

600

750

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