MOS管工作原理及芯片汇总.docx
《MOS管工作原理及芯片汇总.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《MOS管工作原理及芯片汇总.docx(15页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
![MOS管工作原理及芯片汇总.docx](https://file1.bdocx.com/fileroot1/2023-6/15/e60d5320-76bc-4c68-b4f3-59e35805cb11/e60d5320-76bc-4c68-b4f3-59e35805cb111.gif)
MOS管工作原理及芯片汇总
MOS管工作原理及芯片汇总
一:
MOS管参数解释
MOS管介绍
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等因素。
MOSFET管是FET的一种,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管,所以通常提到的就是这两种。
这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS.原因是导通电阻小且容易制造.所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。
在MOS管内部,漏极和源极之间会寄生一个二极管。
这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要,并且只在单个的MOS管中存在此二极管,在集成电路芯片内部通常是没有的。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。
寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免。
MOS管导通特性
导通的意思是作为开关,相当于开关闭合.
NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V,其他电压,看手册)就可以了。
PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。
但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS.
MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,因而在DS间流过电流的同时,两端还会有电压,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗.现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧,几十毫欧左右
MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。
MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。
通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。
降低开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。
这两种办法都可以减小开关损失.
MOS管驱动
MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了.但是,我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。
对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。
选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小.
普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。
而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大(4V或10V其他电压,看手册)。
如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。
很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
Mosfet参数含义说明
Features:
Vds:
DS击穿电压。
当Vgs=0V时,MOS的DS所能承受的最大电压
Rds(on):
DS的导通电阻。
当Vgs=10V时,MOS的DS之间的电阻
Id:
最大DS电流。
会随温度的升高而降低
Vgs:
最大GS电压.一般为:
-20V~+20V
Idm:
最大脉冲DS电流。
会随温度的升高而降低,体现一个抗冲击能力,跟脉冲时间也有关系
Pd:
最大耗散功率
Tj:
最大工作结温,通常为150度和175度
Tstg:
最大存储温度
Iar:
雪崩电流
Ear:
重复雪崩击穿能量
Eas:
单次脉冲雪崩击穿能量
BVdss:
DS击穿电压
Idss:
饱和DS电流,uA级的电流
Igss:
GS驱动电流,nA级的电流.
gfs:
跨导
Qg:
G总充电电量
Qgs:
GS充电电量
Qgd:
GD充电电量
Td(on):
导通延迟时间,从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间
Tr:
上升时间,输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间
Td(off):
关断延迟时间,输入电压下降到90%开始到VDS上升到其关断电压时10%的时间
Tf:
下降时间,输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时间(参考图4)。
Ciss:
输入电容,Ciss=Cgd+Cgs.
Coss:
输出电容,Coss=Cds+Cgd.
Crss:
反向传输电容,Crss=Cgc.
二:
N沟道MOS管的结构及工作原理
N沟道金属-氧化物—半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理
结型场效应管的输入电阻虽然可达106~109W,但在要求输入电阻更高的场合,还是不能满足要求.而且,由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻,在高温条件下工作时,PN结反向电流增大,反偏电阻的阻值明显下降.与结型场效应管不同,金属—氧化物—半导体场效应管(MOSFET)的栅极与半导体之间隔有二氧化硅(SiO2)绝缘介质,使栅极处于绝缘状态(故又称绝缘栅场效应管),因而它的输入电阻可高达1015W.它的另一个优点是制造工艺简单,适于制造大规模及超大规模集成电路。
MOS管也有N沟道和P沟道之分,而且每一类又分为增强型和耗尽型两种,二者的区别是增强型MOS管在栅—源电压vGS=0时,漏—源极之间没有导电沟道存在,即使加上电压vDS(在一定的数值范围内),也没有漏极电流产生(iD=0)。
而耗尽型MOS管在vGS=0时,漏—源极间就有导电沟道存在。
一、N沟道增强型场效应管结构
a)N沟道增强型MOS管结构示意图
(b)N沟道增强型MOS管代表符号 (c)P沟道增强型MOS管代表符号
在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上,用光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作漏极d和源极s.然后在半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层,在漏-源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。
另外在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。
显然它的栅极与其它电极间是绝缘的。
图1(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号.代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。
P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反,如图1(c)所示。
MOS/CMOS集成电路
MOS集成电路特点:
制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路。
MOS集成电路包括:
NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。
PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同,只是电源极性相反而已.
数字电路中MOS集成电路所使用的MOS管均为增强型管子,负载常用MOS管作为有源负载,这样不仅节省了硅片面积,而且简化了工艺利于大规模集成.常用的符号如图1所示.
N沟MOS晶体管
金属-氧化物-半导体(Metal—Oxide—SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分.MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS集成电路。
由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。
n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管.n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
NMOS集成电路是N沟道MOS电路,NMOS集成电路的输入阻抗很高,基本上不需要吸收电流,因此,CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。
NMOS集成电路大多采用单组正电源供电,并且以5V为多.CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的电源,就可与NMOS集成电路直接连接.不过,从NMOS到CMOS直接连接时,由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平,因而需要使用一个(电位)上拉电阻R,R的取值一般选用2~100KΩ。
N沟道增强型MOS管的结构
在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上,制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作漏极d和源极s。
然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层,在漏—-源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。
在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。
MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。
它的栅极与其它电极间是绝缘的。
图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。
代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道).P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反,如图(c)所示。
N沟道增强型MOS管的工作原理
(1)vGS对iD及沟道的控制作用
①vGS=0的情况
从图1(a)可以看出,增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。
当栅—-源电压vGS=0时,即使加上漏——源电压vDS,而且不论vDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏——源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流iD≈0。
②vGS〉0的情况
若vGS>0,则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。
电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场.这个电场能排斥空穴而吸引电子。
排斥空穴:
使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥,剩下不能移动的受主离子(负离子),形成耗尽层。
吸引电子:
将P型衬底中的电子(少子)被吸引到衬底表面。
(2)导电沟道的形成:
当vGS数值较小,吸引电子的能力不强时,漏——源极之间仍无导电沟道出现,如图1(b)所示。
vGS增加时,吸引到P衬底表面层的电子就增多,当vGS达到某一数值时,这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层,且与两个N+区相连通,在漏——源极间形成N型导电沟道,其导电类型与P衬底相反,故又称为反型层,如图1(c)所示.vGS越大,作用于半导体表面的电场就越强,吸引到P衬底表面的电子就越多,导电沟道越厚,沟道电阻越小。
开始形成沟道时的栅——源极电压称为开启电压,用VT表示。
上面讨论的N沟道MOS管在vGS<VT时,不能形成导电沟道,管子处于截止状态。
只有当vGS≥VT时,才有沟道形成。
这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。
沟道形成以后,在漏-—源极间加上正向电压vDS,就有漏极电流产生.
vDS对iD的影响
如图(a)所示,当vGS〉VT且为一确定值时,漏-—源电压vDS对导电沟道及电流iD的影响与结型场效应管相似。
漏极电流iD沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅极间的电压不再相等,靠近源极一端的电压最大,这里沟道最厚,而漏极一端电压最小,其值为VGD=vGS-vDS,因而这里沟道最薄。
但当vDS较小(vDS随着vDS的增大,靠近漏极的沟道越来越薄,当vDS增加到使VGD=vGS-vDS=VT(或vDS=vGS-VT)时,沟道在漏极一端出现预夹断,如图2(b)所示。
再继续增大vDS,夹断点将向源极方向移动,如图2(c)所示。
由于vDS的增加部分几乎全部降落在夹断区,故iD几乎不随vDS增大而增加,管子进入饱和区,iD几乎仅由vGS决定。
N沟道增强型MOS管的特性曲线、电流方程及参数
(1)特性曲线和电流方程
1)输出特性曲线
N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1(a)所示。
与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。
2)转移特性曲线
转移特性曲线如图1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用vDS大于某一数值(vDS>vGS—VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线.
3)iD与vGS的近似关系
与结型场效应管相类似。
在饱和区内,iD与vGS的近似关系式为
式中IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。
(2)参数
MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同,只是增强型MOS管中不用夹断电压VP,而用开启电压VT表征管子的特性。
N沟道耗尽型MOS管的基本结构
(1)结构:
N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似.
(2)区别:
耗尽型MOS管在vGS=0时,漏——源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
(3)原因:
制造N沟道耗尽型MOS管时,在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子),如图1(a)所示,因此即使vGS=0时,在这些正离子产生的电场作用下,漏——源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道),只要加上正向电压vDS,就有电流iD。
如果加上正的vGS,栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子,沟道加宽,沟道电阻变小,iD增大.反之vGS为负时,沟道中感应的电子减少,沟道变窄,沟道电阻变大,iD减小。
当vGS负向增加到某一数值时,导电沟道消失,iD趋于零,管子截止,故称为耗尽型。
沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压,仍用VP表示.与N沟道结型场效应管相同,N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值,但是,前者只能在vGS<0的情况下工作。
而后者在vGS=0,vGS〉0,VP〈vGS<0的情况下均能实现对iD的控制,而且仍能保持栅——源极间有很大的绝缘电阻,使栅极电流为零。
这是耗尽型MOS管的一个重要特点.图(b)、(c)分别是N沟道和P沟道耗尽型MOS管的代表符号。
(4)电流方程:
在饱和区内,耗尽型MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同,即:
各种场效应管特性比较
P沟MOS晶体管
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,柵极上加有足够的正电压(源极接地)时,柵极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。
改变栅压可以改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻。
这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。
如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。
这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。
统称为PMOS晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。
此外,P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高,要求有较高的工作电压。
它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管--晶体管逻辑电路不兼容.PMOS因逻辑摆幅大,充电放电过程长,加之器件跨导小,所以工作速度更低,在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后,多数已为NMOS电路所取代.只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜,有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。
PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。
PMOS集成电路采用—24V电压供电.如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。
采用直接接口方式,一般CMOS的电源电压选择在10~12V就能满足PMOS对输入电平的要求。
MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗,在电路中便于直接耦合,容易制成规模大的集成电路。
各种场效应管特性比较
三:
SO-8(贴片8脚)封装MOS管IRF7805Z的引脚图。
上图中有小圆点的为1脚
注:
下表按电流降序排列(如有未列出的,可回帖,我尽量补充)
封装形式
极性
型号
电流(A)
耐压(V)
导通电阻(mΩ)
SO—8
N型
SI4336
22
30
4。
2
SO—8
N型
IRF7831
21
30
3。
6
SO-8
N型
IRF7832
20
30
4
SO-8
N型
IRF7822
18
30
SO—8
N型
IRF7836
17
30
5.7
SO—8
N型
IRF8113
17
30
5.6
SO-8
N型
SI4404
17
30
8
SO—8
N型
FDS6688
16
30
6
SO-8
N型
IRF7805Z
16
30
6。
8
SO-8
N型
IRF7477
14
30
8。
5
SO—8
N型
IRF8721
14
30
8.5
SO-8
N型
IRF7805
13
30
SO—8
N型
IRF7805Q
13
30
11
SO-8
N型
IRF7413
12
30
18
SO-8
N型
TPC8003
12
30
6
SO-8
N型
IRF7477
11
30
20
SO—8
N型
IRF7811
11
30
12
SO-8
N型
IRF7466
10
30
15
SO—8
N型
SI4410
10
30
14
SO-8
N型
SI4420
10
30
10
SO—8
N型
A2700
9
30
7。
3
SO—8
N型
IRF7807
8。
3
30
SO-8
N型
SI4812
7.3
30
28
SO-8
N型
SI9410
6。
9
30
50
SO-8
N型
IRF7313
6
30
29
SO—8
P型
SI4405
17
30
7。
5
SO-8
P型
STM4439A
14
30
18
SO-8
P型
FDS6679
13
30
9
SO-8
P型
SI4411
13
30
8
SO—8
P型
SI4463
12。
3
20
16
SO—8
P型
SI4407
12
30
SO—8
P型
IRF7424
11
30
13。
5
SO-8
P型
IRF7416
10
30
20
SO-8
P型
IRF7416Q
10
30
20
SO—8
P型
SI4425
9
30
19
SO—8
P型
IRF7424
8.8
30
22
SO-8
P型
SI4435
8
30
20
SO-8
P型
SI4435DY
8
30
20
SO-8
P型
A2716
7
30
11。
3
SO—8
P型
IRF7406
5。
8
30
45
SO-8
P型
SI9435
5。
3
30
50
SO—8
P型
IRF7205
4.6
30
70
TO-252
N型
FDD6688
84
30
5
TO—3
N型
IRF150
40
100
55
TO—220
N型
IRF3703
210
30
2.8
TO—220
N型
IRL3803
140
30
6
TO—220
N型
IRF1405
131
55
5。
3
TO—220
N型
IRF3205
110
55
8
TO-220
N型
BUZ111S
80
55
8
TO-220
N型
05N05
75
50
9.5
TO—220
N型
IRF2804
75
40
2
TO-220
N型
60N06
60
60
14
TO-220
N型
50N03L
28
25
21
TO-220
N型
BTS120
19
100
100
TO-220
N型
BTS110
10
100
200
TO-220
N型
06N60
5.5
600
750