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表面与低维纳米结构的表面与低维纳米结构的STS谱谱王兵中国科学技术大学2022年年11月月1日日报告内容报告内容1.什么是扫描隧道谱学技术什么是扫描隧道谱学技术-STS?

内容、原理、内容、原理、内容、原理、内容、原理、STSSTS谱反映的信息等谱反映的信息等谱反映的信息等谱反映的信息等2.为什么要研究为什么要研究STS谱?

谱?

优势与不足优势与不足优势与不足优势与不足3.如何测量如何测量STS谱?

谱?

实验要求:

针尖、稳定性、重复性实验要求:

针尖、稳定性、重复性实验要求:

针尖、稳定性、重复性实验要求:

针尖、稳定性、重复性4.STS谱应用范围谱应用范围5.STS谱学技术展望谱学技术展望1.什么是扫描隧道谱学技术?

什么是扫描隧道谱学技术?

STS谱学技术谱学技术是指扫描隧道显微术相关的谱学技术STM实验中有实验中有(x,y,z,V,I)五个变量。

五个变量。

通常扫描图象时常保持通常扫描图象时常保持V恒定。

恒定。

测量测量I(V)谱(扫描隧道谱谱(扫描隧道谱STS)时,时,V是变化的。

是变化的。

STM的工作模式的工作模式恒流模式恒流模式(V,I)=const.(x,y)/z,测量电子态的空间分布测量电子态的空间分布等高模式等高模式(V,Z)=const.(x,y)/I,测量态的分布与贡献测量态的分布与贡献恒阻模式恒阻模式可变间距模式可变间距模式恒定平均电流模式恒定平均电流模式扫描隧道谱扫描隧道谱STS隧道电流隧道电流I-V谱谱I-t谱谱I-z谱谱微分电导微分电导dI/dV-V谱谱二次微分二次微分d2I/dV2-V谱谱dI/dV成像成像d2I/dV2成像成像STS谱包括谱包括扫描隧道镜扫描隧道镜STM:

ScanningTunnelingMicroscopy反反馈馈回回路路扫描隧道镜扫描隧道镜STM:

ScanningTunnelingMicroscopy原理:

原理:

原理:

原理:

隧道结电流检测隧道结电流检测隧道结电流检测隧道结电流检测针尖电极样品电极解一维薛定谔方程解一维薛定谔方程解一维薛定谔方程解一维薛定谔方程其中其中指数变化指数变化指数变化指数变化2.2.恒高,反馈关闭恒高,反馈关闭恒高,反馈关闭恒高,反馈关闭1.1.恒电流,反馈工作恒电流,反馈工作恒电流,反馈工作恒电流,反馈工作STMSTM工作模式:

工作模式:

工作模式:

工作模式:

表面结构信息表面结构信息扫描隧道谱学扫描隧道谱学ScanningTunnelingSpectroscopy(STS)电子态、振动态、自旋态、输运性质等信息检测电子态、振动态、自旋态、输运性质等信息检测电子态、振动态、自旋态、输运性质等信息检测电子态、振动态、自旋态、输运性质等信息检测扫描隧道显微术扫描隧道显微术STM关键之处:

关键之处:

电流或与电流相关信息的获取电流或与电流相关信息的获取形貌信息获取形貌信息获取更多信息更多信息电流或与电流相关信息的获取电流或与电流相关信息的获取I-V谱谱隧道电流是针尖到样品与样品到针尖电流之和隧道电流是针尖到样品与样品到针尖电流之和隧道电流是针尖到样品与样品到针尖电流之和隧道电流是针尖到样品与样品到针尖电流之和恒高模式下工作,反馈回路关闭恒高模式下工作,反馈回路关闭恒高模式下工作,反馈回路关闭恒高模式下工作,反馈回路关闭针尖电极针尖电极样品电极样品电极V=0,无净电流探针与样品间的隧道电流测量探针与样品间的隧道电流测量无偏压条件无偏压条件针尖电极针尖电极样品电极样品电极V=0,无净电流V0,电流由针尖流向样品探针与样品间的隧道电流探针与样品间的隧道电流隧道电流是针尖到样品与样品到针尖电流之和隧道电流是针尖到样品与样品到针尖电流之和隧道电流是针尖到样品与样品到针尖电流之和隧道电流是针尖到样品与样品到针尖电流之和恒高模式下工作,反馈回路关闭恒高模式下工作,反馈回路关闭恒高模式下工作,反馈回路关闭恒高模式下工作,反馈回路关闭针尖正偏压条件针尖正偏压条件V0针尖电极针尖电极样品电极样品电极V=0,无净电流V0,电流由针尖流向样品V0,电流由样品流向针尖探针与样品间的隧道电流测量探针与样品间的隧道电流测量恒高模式下工作,反馈回路关闭恒高模式下工作,反馈回路关闭恒高模式下工作,反馈回路关闭恒高模式下工作,反馈回路关闭针尖负偏压条件针尖负偏压条件VEc单电子隧穿效应单电子隧穿效应纳米结量子电容效应纳米结量子电容效应纳米结的电容测量:

纳米结的电容测量:

量子电容效应量子电容效应纳米结电容纳米结电容1019F,如何精确测量?

如何精确测量?

Transportviaasingledotorasinglemolecules原理:

双纳米隧道结中的单原理:

双纳米隧道结中的单电子隧穿充电能电子隧穿充电能Ee2/CI-V谱台阶宽度精确谱台阶宽度精确测量测量CNonclassicalBehaviorintheCapacitanceofaNanojunctionAseriesofI-Vcurvestakenat5Kfora4nmAuclusteratdifferentsetpointtunnelingcurrent.改变针尖与样改变针尖与样品间的距离品间的距离纳米结电容纳米结电容Cd关系关系经典平行板电容:

经典平行板电容:

经典平行板电容:

经典平行板电容:

C=C=00A/dA/dC=?

C=?

C=?

C=?

量子效应量子效应量子效应量子效应?

量子电容器:

量子电容器:

ddnm,Anm,Anmnm22量子电容量子电容证实了纳米结的量子电容效应证实了纳米结的量子电容效应Phys.Rev.Lett.2001Appl.Phys.Lett.2000Phys.Rev.B.2003纳米结纳米结量子电容效应量子电容效应M.A.Reed,Science278,252(1997)B.Xuetal.,Science301,1221(2003)X.D.Cuietal.,Science294,571(2001)单分子导线的电导测量单分子导线的电导测量DehydrogenatedCoPconAu(111)Science,309,1542(2005)单分子的近藤效应AviramandRatner提出的模型:

D-AD-D-AD-AD+-A-A-单分子整流效应单分子整流效应长期存在争议长期存在争议R.M.Metzger,Chem.Rec.4,291(2004),Review单分子整流效应单分子整流效应ARAR型单分子整流器型单分子整流器D-D-A-A单分子整流效应单分子整流效应质子化处理前质子化处理前(黑黑)和和去质子化处理后去质子化处理后(红红)质子化处理后质子化处理后G.M.Moralesetal.,J.Am.Chem.Soc.127,10456(2005)单分子整流效应单分子整流效应单分子整流效应单分子整流效应ARAR型单分子整流器型单分子整流器D-D-A-AElectrontransportprocessEnergylevelconfigurationElectrontransportatpositiveandnegativebiasPositivecurrentNegativecurrent6RelativelysmallLUMO-HOMOgapisimportantB.Wangetal.J.Phys.Chem.B,2006单分子整流效应单分子整流效应基于单个基于单个C59N分子的整流效应分子的整流效应J.Zhaoetal.Phys.Rev.Lett.,2005负微分电阻效应负微分电阻效应共振隧穿共振隧穿负微分电阻效应负微分电阻效应NDRI(V)负微分电阻效应负微分电阻效应NDR负微分电阻效应负微分电阻效应NDR量子点精细电子态量子点精细电子态半导体量子点电子态的壳层结构半导体量子点电子态的壳层结构半导体量子点电子态的壳层结构半导体量子点电子态的壳层结构量子点中量子化能级结构量子点中量子化能级结构量子点中量子化能级结构量子点中量子化能级结构U.Baninetal.,Nature400,542(1999)扫描隧道谱扫描隧道谱(STS)-量子点类原子能级量子点类原子能级扫描隧道谱扫描隧道谱(STS)-量子点类原子轨道成像量子点类原子轨道成像量子点精细电子态量子点精细电子态金属量子点中尺寸依赖的精细能级结构金属量子点中尺寸依赖的精细能级结构B.Wangetal.,Phys.Rev.B2004量子点中的新效应量子点中的新效应StaticStatic:

orderdisorderorderdisorder;energyspacingenergyspacingdynamicdynamic:

electron-electroninteractionelectron-electroninteraction;electron-phononinteraction(minor)electron-phononinteraction(minor)crystallineamorphouscrystallineamorphousJ.G.Hou,Phys.Rev.Lett.2003非晶化对金属量子点中限域效应的抑制作用非晶化对金属量子点中限域效应的抑制作用电子态密度电子态密度直接成像,直接成像,结合空间分结合空间分辨率,同时辨率,同时实现实现能量与能量与空间分辨空间分辨揭示揭示DyC82富勒烯团簇的电子结构富勒烯团簇的电子结构通过通过dI/dV显微术在能量空间分显微术在能量空间分辨条件下,实现对辨条件下,实现对DyC82分子分子进行进行“透视透视”观察,并成功确定观察,并成功确定碳笼内金属原子的位置碳笼内金属原子的位置。

DyC82Phys.Rev.Lett.2003富勒烯分子富勒烯分子dI/dVdI/dV成像成像振动谱探测单分子结构振动谱探测单分子结构H.J.LeeandW.Ho,Phys.Rev.B61,R16347(2000).二次微分二次微分d2I/dV2及成像及成像(a)为C2H2和C2D2的恒流像,(b),(c),(d)分别为同一区域在358mV,266mV,311mV下的d2I/dV2图像,左边的分子为C2H2,右边的分子为C2D2。

C2H2,C2H2onCu(100)Backgrounddifferenced2I/dV2spectraforC2H2

(1)andC2D2

(2),takenwiththesameSTMtip,showpeaksat358mVand266mV,respectively.B.C.Stipe,M.A.Rezaei,andW.Ho,Science,280,1732(1998)二次微分二次微分d2I/dV2及成像及成像部分烃类分子的二次微分谱比较,这些分子具有14个振动模式,其中C-H键的伸张振动模式占主导地位W.Ho,J.Chem.Phys.,117,11033(2002)Science,309,1542(2005)I-t谱在选键化学中的应用可控的CoPc分子脱氢反应L.J.LauhonandW.Ho,Phys.Rev.Lett.84,1527(2000)多步单分子反应的鉴别与操纵多步单分子反应的鉴别与操纵OxidationofaSingleCarbonMonoxideMoleculeCarbonMonoxideMoleculeHahnet.al.,Phys.Rev.Lett.,87,66102(2001)多步单分子反应的鉴别与操纵多步单分子反应的鉴别与操纵K.D.Wangetal.Phys.Rev.Lett.94,036103(2005)I-t谱在表面物理中的应用Cu原子在Si(111)-(77)表面的扩散a,208K温度下,分别在Si(111)-(77

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