电磁屏蔽理论基础_精品文档.ppt

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在直角坐标系下，电磁场基本方程中的旋度方程为123456789相关推导1011121314151617181920212223242526272829303132333435363738394041424344454647484950515253545556575859606162636465666768高压输电线路工频电场屏蔽研究试验环境选择500kV输电线下的开阔区域，分别测量架设多种形式的屏蔽线（网）前后的工频电场值。

架设的屏蔽线（网）接地良好，测量点取距地面1.5m高处，依照中华人民共和国电力行业标准高压交流架空送电线路、变电站工频电场和磁场测量方法（DL/T988-2005）进行测量。

在输电线下，沿输电线路的走向，平行设置长为40米的屏蔽线，线路的高度、各种形式的屏蔽线以及屏蔽网的相对位置、测量点的布置如图2-1所示。

屏蔽装置的架设屏蔽装置的架设70架设一根屏蔽线后的效果一根屏蔽线，架设高度相同，水平位置不同。

采用一根离地高度为10米的屏蔽线，其位置离输电线路的B相线分别为14.1米，15米，15.9米。

71一根屏蔽线，水平位置相同，架设高度不同的效果一根屏蔽线，设置在b位置，与B相线水平位置15米，离地高度分别为10米，8.08米，6.16米，其测量结果如下图。

72架设两根屏蔽线后的效果两根屏蔽线，对地高度为10米，设置的位置分别为a-b，a-c，a-a的垂直排列（相距2米，下同），其测量结果如下。

73架设三根屏蔽线后的工频电场屏蔽情况74三根屏蔽线位置分别在a，b和c，构成一组，离地面高度分别为10米，8.08米和6.16米时，输电线下工频电场测量结果如下：

架设屏蔽网后的电场测量75屏蔽线的屏蔽效果预测线路参线路参数数500kV，四四分分裂裂，导导线线三三相相三三角角形形排排列列，三三相相高高度度分分别别为为18.5米米，22米米，18.5米米，水水平平位位置置分分别别为为：

-11米米、0、11米米。

避避雷雷线线高高度度都都为为25米米，水水平平位位置置分分别别为：

为：

-7，7。

序号序号屏蔽线屏蔽线位置（米）屏蔽线位置（米）高度（米）根数（根）间距（米）10/2931.511，12.5，1433211，13，1543311，14，1755111，12，13，14，1565210，12，14，16，187538，11，14，17，2076电磁屏蔽分析1.机理机理：

表面反射（R反射损耗）屏蔽材料吸收衰减（A吸收损耗）多次反射（B多次反射修正）tu屏蔽效能：

u媒质的本征阻抗：

良导体：

772.单层屏蔽体的屏蔽效能均匀平面波垂直入射到无限大、厚度为t的导体板上u传播常数：

良导体：

u波阻抗：

a.远场：

b.近场（以电场为主）：

c.近场（以磁场为主）：

78反射系数：

透射系数：

12设入射波场强u一次透射：

x=0面上：

反射波：

透射波：

反射波：

透射波：

x=t面上：

tx21379u二次透射：

x=0面上：

反射波：

透射波：

x=t面上：

反射波：

第n次透射：

总透射场强80故：

即：

相对于铜的电导率，铜：

厚度（mm）。

吸收损耗A（dB）相对磁导率；良导体81反射损耗R（dB）波阻抗良导体：

a.远场：

b.近场：

电场源媒质本征阻抗频率升高，反射损耗减小c.近场：

磁场源频率升高，反射损耗增加82多次反射修正B（dB）而故：

当时，则当时，通常可忽略B。

83例有一个大功率线圈的工作频率为20kHz，在离线圈0.5m处放置一铝板以屏蔽线圈对设备的影响。

设铝板厚度为0.5mm，相对电导率为0.61。

试计算其屏蔽效能。

解：

屏蔽体所处场区：

近场对于大功率线圈产生强磁场，主要为磁屏蔽。

故又故返回84