光伏行业基础知识.docx
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光伏行业基础知识
光伏行业基础知识
什么是光伏产品,
1839年，法国Becqueral第一次发现，在光照条件下，某些系统的两端具有电压，用导线将两端连接起来后，有电流输出，这就是光生伏特效应（photovoltaics，简称PV〕
晶硅太阳电池，现代硅太阳电池时代从此开始。
1954年,贝尔实验室Chapin等人开发出效率为6%的单
空间站上的太阳能帆板
全球光伏市场结构
从2006、2007年全球光伏市场结构来看，欧洲市场占全球份额高居70%以上，
日本市场逐渐下降，美国市场稳歩攀升，这与各地区的光伏产业政策的扶持力度直
接相关
光伏产业链
中国的光伏行业产业链
中国的光伏行业产业链
产业链各环节介绍
（一）硅片
硅材料
太阳能用多晶硅
单多晶硅锭晶硅锭
单多晶硅片晶硅片
单晶硅太阳能电池多晶硅太阳能电池
多晶硅硅锭
单晶硅硅棒
目前晶体硅太阳电池硅片分为单晶硅硅和多晶硅硅片。
单晶硅主要是125X125mm。
多晶硅主要是125X125mm和156X156mm两种规格。
硅片外观区别
而单晶硅硅片表面颜多晶硅硅片相对于单晶硅硅片，有明显的多晶特性，表面有一个个晶粒形状，
色一致。
单晶硅硅片因为使用硅棒原因，四角有圆形大倒角，而多晶硅硅片一般采用小倒角。
CZ法
法FZ单晶硅硅棒
多晶硅硅锭浇铸
热交换法及
（HEM）布里曼法
（Bridgeman）
电磁铸锭法
切克劳斯基法（CZ法）
CZ法是利用旋转着的籽晶从坩埚中的熔体中提拉制备出
单晶的方法，又称直拉法。
目前国内太阳电池单晶硅硅片生产厂家大多采用这种技术。
多晶硅硅料置于坩埚中经加热熔化，待温度合适后，经过将籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、转
力学、化学反应等过程都直接肩、等径、收尾等步骤，完成一根单晶硅锭的拉制。
炉内的传热、传质、流体
影响到单晶的生长及生长成的单晶的质量，拉晶过程中可直接控制的参数有温度场、籽晶的晶向、坩埚和生长成的单晶的旋转及提升速率，炉内保护气体的种类、流向、流速、压力等。
直拉单晶炉及其基本原理示意图
区熔法（FZ）法
区域熔化是对锭条的一部份进行熔化，熔化的部分称为熔区，当熔区从头到尾移动一次后，杂质随熔区移到尾部。
利用这种方法可以进行多次提纯，一次一次移动熔区以达到最好的提纯效果，但由于液固相转变温度高，能耗大，多次区熔提纯成本高。
区熔法有水平区熔和悬浮区熔，前者主要用于锗提纯及生长锗单晶，硅单晶的生长则主要采用悬浮区熔法，生长过程中不使用坩埚，熔区悬浮于多晶硅棒和下方生长出的单晶之间。
由于悬浮区熔时，熔区呈悬浮状态，不与任何物质接触，因而不会被沾污。
此外，由于硅中杂质的分凝效应和蒸发效应，可获得高纯单晶硅。
目前航天领域用的太阳电池所用硅片主要用这种方式生长。
区熔法生产单晶示意图
"～11硅片
浇铸法将熔炼及凝固分开，熔炼在一个石英砂炉衬的感应炉中进行，熔融的硅液浇入一个石墨模型中，石墨模型置于一个升降台上，周围特点是熔化和结晶在两个的速度下降。
其用电阻加热，然后以1mm/min门
不同的坩埚中进行，这种生产方法可以实现半连续化生产，其熔化、结晶、冷却分别位于不同的地方，可以有效提高生产效率，降低能源消耗。
缺点是因为熔融和结晶使用不同的坩埚，会导致二次污染，此外因为有坩埚翻转机构及引锭机构，使得其结构相对较复杂。
铸造法硅锭炉示意图
1-磁鹏料装入。
;想应炉:
3，凝固炉;《链饺搬运机冷
6一锋型升降;7，敏应
一90转机构;8却机;
炉
热交换法及布里曼法
热交换法及布里曼法都是把熔化及凝固置于同一坩埚中〔避免了二次污染），其中热交换法是将硅料在坩埚中熔化后，在坩埚底部通冷却水或冷气体，在底部进行热量交换，形成温度梯度，促使晶体定向生长。
下图为一个使用热交换法的结晶。
炉示意图该炉型采用顶底加热，在熔化过程中，底部用一个可移动的热开关绝热，结晶时则将它移开以便将坩埚底部的热量通过冷却台带走，从而形成温度梯度。
布里曼法则是在硅料熔化后，将坩埚或加热元件移动使结晶好的晶体离开加热区，而液硅仍然处于加热区，这样在结晶过程中液固界面形成比较稳定的温度梯度，有利于晶体的生长。
其特点是液相温度梯度dt/dx接近常数，生长速度受工作台下移速度及冷却水流量控制趋近于常数，生长速度可以调节。
实际生产所用结晶炉大都是采用热交换与布里曼相结合的技术。
热交换法与布里曼法结合示意图〔坩埚移动）
图。
图中，工作台通冷却水，上置一个热开关，下图为一个热交换法与布里曼法相结合的结晶炉示意
坩埚则位于热开关上。
硅料熔融时，热开关关闭，结晶时打开，将坩埚底部的热量通过工作台内的冷却水带走，形成温度梯度。
同时坩埚工作台缓慢下降，使凝固好的硅锭离开加热区，维持固液界面有一个比较稳
以保证获得平面前沿定向凝固。
定的温度梯度，在这个过程中，要求工作台下降非常平稳，
热交换法与布里曼法结合示意图〔热源及保温框移动）
下图为另一类型的热交换法与布里曼法结合的炉子，这种类型的结晶炉加热时保温框和底部的隔热板紧密结合，保证热量不外泄。
开始结晶时，坩埚不动，将石墨加热元件及保温框往上慢慢移动。
坩埚底部的热量通过保温框和隔热板间的空隙散发出去，形成温度梯度。
HEM+Bridgeman法示意图（热源及保温框移动）
电磁铸锭法
这种方法的特点是不使用坩埚，硅料通过加料装置进入加热区，通过感应加热使硅料熔融，当硅液向下移离开加热区后，结晶生长，如此通过不断加料，不断将结晶好的硅锭往下移，就可以实现连续生长，锭子高度可达1?
2m。
但用这种方法生产的硅锭晶粒尺寸小，横截面小，因此容量也不大。
总体来说，单晶和多晶硅锭的生长方法
各有所长，单晶的转换效率高，但产能低、能耗大;多晶的转换效率相对较低，但能耗低、产能大，适合于规模化生产。
单晶的FZ及CZ方法与多晶定向凝固生长
方法的比较如下表所示。
序号单晶多晶
原材料纯度要求髙可用单晶硅头尾料、单晶硅等外品
2每公斤硅锭能耗髙能耗低
3生产率低生产率髙
提纯效果视热场而定，各种炉型提'纯4提纯效果稳定、髙
效果不同，有的甚至很低.
转换效率髙5比单晶硅低约1.51，
111形需切割成准方形方形
和现行线切割机线网宽皮不^合，未锭子髙度和现行线切割机线网宽度配合7
程度好^充分发挥线切割机功效.
多晶硅硅片加工工艺流程
硅片生产相关设备
硅片性能参数:
是P）1N型多晶硅1、型号〔P型和N型，P型多晶硅是掺B，
2、电阻率
3、少数载流子寿命
4、硅片边长
5、对角线长度
6、倒角
7、厚度，
8、总厚度变化
硅片中杂质的行为:
周期表中III或V族元素，如硼（B）、磷（P）等电离能低，对电导率影响显著，作掺杂剂P型掺硼
（受主），N型掺磷（施主）
I副族和过渡金属元素，如Fe、Zn、Mn、Cr等电离能高，起复合中心的作用破坏PN结特性，少子寿命
降低，转换效率下降，碳、氧、氮等形成化合物，结晶缺陷，性能不均匀。
产业链各环节介绍
（二）电池
晶体硅太阳电池
多晶硅太阳电池与单晶硅太阳电池的最大差别在于硅片，多晶硅片是许多硅晶粒的集合体
单晶硅太阳电池多晶硅太阳电池
晶体硅太阳电池结构
正面和背面的金属电极用来收集光激发的自由电子和空穴，对外输出电流;减反射薄膜的作用是减小入射太阳光的反射率;PN结的作用是将光激发的自由电子输送给N型硅，将自由空穴输送给|P型硅。
电池
掺磷原子（p）
PN结
P杂质原子最外层的电子数比硅原子多一个。
P杂质原子
多余的电子很容易挣脱原子核的束缚，成为自由
Si半导体主要依靠电子导电，移动的电子。
掺P杂质的
称为N型Si，P杂质称为施主杂质。
单晶硅的晶体结构。
单晶硅体
内的每个硅原子Si最近邻有四
个Si原子。
未掺杂的硅称掺硼原子（B）为本征硅。
B杂质原子最外层的电子数比硅原子少一个，相当于B
杂质原子最外层多了一个空穴。
在常温条件下，B杂质
原子多余的空穴很容易挣脱原子核的束缚。
掺B杂质的
Si半导体主要依靠空穴导电，称为|P型Si，B杂
质称为受主杂质。
PN结
n型硅中有数量较多的电子，p型硅中有数量较多的空穴。
当n型硅和p型硅结合在一起后，n型硅中有部分电
子往p型硅中扩散，p型硅中有部分空穴往n型硅中扩散，使得n型硅在交界处附近留下带正电的离子实，p型
硅在交界处附近留下带负电的离子实。
这两种离子实在交界处附近的区域内产生电场，称为内建电场，电
场方向由n型硅指向p型硅。
n型硅和p型硅交界处附近的区域称为pn结。
光生伏特效应
光生伏特效应
在太阳光的照射下，硅片中激发出自由电子和自由空穴。
自由电子和空穴扩散到p-n结附近，受到内建电场的作用，电子往n型硅中漂移，空穴往p型硅中漂移
电子带负电，空穴带正电。
漂移到n型硅中电子使n型硅带多余的负电荷，对外表现出负电性;漂移到p型硅中的空穴使p型硅带多余的正电荷，对外表现出正电性。
n型硅和p型硅之间对外具有一定的电势差，称为光生电压或者光生电动势。
太阳电池工作原理
当太阳光照射到太阳电池表面时，由于光生伏特效应，太阳电池的正面电极和背面电极之间产
生光生电压，用金属导线接上电灯、电器等负载，可为这些负载提供电流。
晶体硅太阳电
池生产的工艺流
程。
晶体化学表面处理（清洗制绒）
在硅片的切割生产过程中会形成厚度达10微米左右的损伤层，且可能引入一些金属杂质和油污。
如果损伤层去除不足，残余缺陷在后续的高温处理过程中向硅片深处继续延伸，会影响到太阳电池的性能。
清洗的目的:
清除硅片表面的机械损伤层;清除表面油污和金属杂质;形成起伏
不平的绒面，减小太阳光的反射。
晶体化学表面处理（清洗制绒）
单晶硅片的清洗采用碱液腐蚀的技术，碱液与硅反应生成可溶于水的化合物，同时在表面形成"金字塔"状的绒
面结构。
多晶硅片的清洗则采用酸液腐蚀技术，酸液与硅反应生成可溶于水的化合物，同时形成的绒面结构是
不规则的半球形或者蚯蚓状的"凹陷"。
晶体化学表面处理（清洗制绒）
由于绒面结构的存在，入射光经绒面第一次反射后，反射光并非直接入射到空气中，而是遇到邻近绒面，经过邻近绒面的第二次甚至第三次反射后，才入射到空气中，这样对入射光就有了多次利用，从而减小了反射率。
表面没有绒面结构的硅片对入射光的反射率大于30%。
，有绒面结构的硅片对入射光的反射率减小到了12%左右。
0，7
磷扩散
把P型硅片放在一个石英容器内，同时将含磷的气体通入这个石英容器内，并将此石英容器加热到一定的温度，这时施主杂质磷可从化合物中分解出来，在容器内充满着含磷的蒸汽，在硅片周围包围着许许多多的含磷的分子。
磷化合物分子附着到硅片上生成磷原子。
由于硅片的原子之间存在空隙，使磷原子能从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散。
如果扩散进去的磷原子浓度高于P型硅片原来受主杂质浓度，就使得|P型硅片靠近表面的薄层转变成为N型。
N型硅和P型硅交界处就形成了PN结。
磷扩散的目的:
制备太阳电池的核心一一PN结;
吸除硅片内部的部分金属杂质。
磷扩散的方法
）液态源扩散三氯氧磷（POCl3
喷涂磷酸水溶液后链式扩散
丝网印刷磷浆料后链式扩散
目前行业上普遍采用第一种方法，这种方法具有生产效率较高，得到的PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点，非常适合制作大面积的太阳电池。
管式扩散炉
背面及周边刻蚀
背面以及周边刻蚀的目的:
扩散后的硅片除了表面的一薄层门型硅外，在背面以及周边都有门型硅薄层，而晶体硅太阳电
池实际只需要表面的门型硅，因此须去除背面以及周边的门型硅薄层。
去除硅片背面和周边的PN结;
去除表面的磷硅玻璃。
磷硅玻璃是扩散过程中的反应产物，是一层含磷原子的二氧化硅。
背面以及周边刻蚀的方法:
酸液腐蚀（湿法刻蚀）等离子体刻蚀（干法刻蚀）
湿法刻蚀设备
PECVD镀氮化硅（SIN）薄膜
PECVD镀SIN薄膜的目的:
，
SIN薄膜作为减反射膜可减小入射光的反射;在SIN薄膜的沉积过程中，反应产物氢原子进入到SIN薄膜内以及硅片内，起到了钝化缺陷的作用。
PECVD镀氮化硅SIN薄膜
40^61976^273
太阳电池表面的深蓝色薄膜
SIN薄膜的物理性质和化学性质:
结构致密，硬度大，能抵御碱金属离子的侵蚀，介电强度高，耐湿性好，耐一般的酸碱，除HF和热
H3PO4
SIN薄膜的优点，
优良的表面钝化效果，高效的光学减反射性能〔厚度和折射率匹配），低温工艺（有效降低成本）
含氢SINx:
H可以对mc-Si提供体钝化
PECVD镀氮化硅（SiN）薄膜
PECVD:
入射光在Sin薄膜表面发生一次反射，在Sin薄膜和硅片界面发生第二次反射，通过适当选取Sin薄膜的厚度和折射率，可以使一次反射光和二次反射光相抵消，从而减小了反射。
沉积Sin减反射膜后，硅片表面对入射光的平均反射率可进一歩减小到5%左右。
即"等离子增强型化学气相沉积"，是一种化学气相
沉积的镀膜技术;
PECVD借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。
等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能，大大降低薄膜沉积所需的温度。
PECVD的优点:
节省能源，降低成本;，提高产能;减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减;PECVD的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温化（<450?
）。
PECVD镀氮化硅（SiN）薄膜
PECVD镀膜设备
丝网印刷与烧结
丝网印刷的目的:
印刷背面电极浆料，银铝（Ag/AI）浆，并烘干;印刷背面场浆料，铝浆，并烘干;印刷正面电
极浆料，银浆，并烘干。
烧结的目的:
燃尽浆料的有机组分，使浆料和硅片形成良好的金属电极。
丝网印刷与烧结
900066
正面电极
丝网印刷与烧结
印刷浆料的过程
丝网印刷与烧结
丝网印刷设备，每台印刷机后都有一台烘干炉
丝网印刷与烧结
烧结炉
晶体硅太阳电池的电流一电压特性
将太阳电池接上负载。
在光照条件下，改变负载的电阻，太阳电池的输出电压V、输出电流I和输出功率P将随之变化。
记录下V、I、P的变化情况，并将数据绘成曲线，将得到上图的曲线，称为
V
太阳电池的电流一电压特性。
太阳电池的性能参数
短路电流Isc:
负载的电阻为零时，太阳电池的输出电流;开路电压Voc:
负载的电阻无穷大时，太阳电池的输出电压;最大功率点:
太阳电池的最大输出功率;Pm
最大功率点电流Im:
输出功率最大时，太阳电池的输出电流;最大功率点电压Vm:
输出功率最大时，太阳电池的输出电压;转换效率η:
太阳电池的最大输出功率Pm与入射光功率的比值，是衡量太阳电池性能的最重要参数;填充因子FF:
太阳电池的最大输出功率Pm
流Isc、开路电压乘积的比值;与短路电Voc
串联电阻Rs:
主要是太阳电池的体电阻、表面电阻、电极导体电阻、电极与硅表面的接触电阻组成。
并联电阻Rsh:
为旁漏电阻，它是由硅片的边缘不清洁或硅片表面缺陷引起。
晶体硅太阳电池与其他太阳电池的比较
0具体分类转换效率/。
优点缺点产业化
阶段商业化实验室
单晶硅15-1824，7?
0，原料成本高，目前受上游大规模商技术工艺最为成熟，市场主导产
晶体硅供应瓶颈所困业化品，转换效率高，性能稳定
生产
多晶硅13-1620.3?
0，多晶硅成本比单晶硅低转化率相对较低;原料成大规模商
本仍相对较高业化
生产
多晶硅薄10-1216，6?
0，可在多种廉价衬底材料上制备，转化率相对较低中小规
成本低于晶体硅电池膜4模商业
化生产
5-79，5?
0，3对太阳光的吸收系数高，因此材禁带宽度较大，对太阳光非晶硅薄膜中小规模
料需求量少，可沉积在各种廉价辐射的长波区域不敏感，商业
衬底材料上，生产成本低，单片致使转换效率难以提高;化生产
电池面积大，有光致衰退现象
适宜于大规模生产
晶体硅太阳电池与其他太阳电池的比较
铜铟硒类18，8?
0，5实验室直接带隙材料，带隙宽度小，具铟硒都是稀有金属，大规
有大范围太阳光谱响应特性，性模生产的原料来源有问题一中试
能稳定阶段
碲化镉8-1016，5?
0，5镉及其化合物有毒，污染中小规模光谱响应特性好，弱光和高温条件
环境商业下性能相对较好，耐辐射
化生产
砷化镓25，1?
0，8光吸收率极高，转换效率高，太空和生产成本高，现用于太空
性能稳定领域，未来有希望应用于聚光太阳
聚热式太阳能发电系统能发
电
燃料敏化104?
0，3理论转换效率高，透明性好，工使用液体电解质，使用不实验室阶
艺简单，生产成本低便，且对环境有潜在影响段丁10纳米薄2
膜
组件产业链各环节介绍
组件线
组件线又叫封装线，封装是太阳能电池
生产中的关键步骤，没有良好的封装工艺，多好的电池也生产不出好的组件板。
电池的封装不仅可以使电池的寿命得到保证，而且还增翌了电池的抗击强度。
产品的高质量和高寿命是赢得可客户满意的关键，所以组件板的封装质量非常重要。
组件作为晶体硅太阳能行业的最终产品，应用于光伏系统发电，即直接面向客户。
其质量最为关键。
目前，优良的组件产品拥有25年的质量保证，即十年内功率衰减少于等于10%，二十五年内功率减少小于等于20%。
实图
组件结构
材料一晶体硅太阳电池
晶体硅太阳电池是组件最重要的部分，直接影响组件的电性能。
材料——EVA
晶体硅太阳电池囊封材料是eva，它乙烯与醋
酸乙烯脂的共聚物，化学式结构如下
（CH2-CH2）,（CH-CH2）
I
0I
0-0-CH2
EVA是一种热融胶粘剂，常温下无粘性而具抗粘性，
以便操作，经过一定条件热压便发生熔融粘接与交联固化，并变的完全透明，长期的实践证明:
它在太阳电池封装与户外使用均获得相当满意的效果。
硅片组"上盖下垫"，将硅晶片组包封，并固化后的EVA能承受大气变化且具有弹性，它将晶体
和上层保护材料玻璃，下层保护材料tpt（聚氟乙烯复合膜〕，利用真空层压技术粘合为一体。
另一方面，它和玻璃粘合后能提高玻璃的透光率，起着增透的作用，并对太阳电池组件的输出有增益作用。
材料一TPT
护封装材料。
TPT（聚氟乙烯复合膜），用在组件背面，作为背面保
用于封装的tpt至少应该有三层结构:
外层保护层pvf
良好的绝缘性能，内层pvf需经表面处理具有良好的抗环境侵蚀能力，中、司层为聚脂薄膜具有
好的粘接性能。
太阳电池的背面覆盖物一氟塑料膜为白色，对阳光起反射作用，因此对和eva具有良
组件的效率略有提高，并因其具有较高的红外发射率，还可降低组件的工作温度，也有利于提高组件的效率。
当然，此氟塑料膜首先具有太阳电池封装材料所要求的耐老化、耐腐蚀、不透气等基本要求。
材料一钢化玻璃
采用低铁钢化绒面玻璃（又称为白玻璃），在太阳电池光谱响应的波长范围内〔320nm-1100nm）透光率达91%以上，对于大于1200nm的红外光有较高的反射率。
此玻璃同时能耐太阳紫外光线的辐射，透光率不下降。
材料一铝型材边框
件与方阵的连接固定。
边框为粘结剂构平板组件必须有边框，以保护组件和组成对组件边缘的密
封。
材料一涂锡铜带
涂锡带由无氧铜剪切拉拔或轧制而成，所有外表面都有热度途层。
涂锡带用于太阳能组件生产时太阳能电池片的串焊接和汇流焊接，要求涂锡带具有较高的焊接操作性及牢固性。
工艺
1、电池检测2、正面焊接一检验一3、背面串接一检验一4、敷设〔玻璃清洗、材料切割、玻璃预处理、敷设）一一5、层压一6、去毛边（去边、清洗〉一7、装边框（涂胶、装角键、冲孔、装框、擦洗余胶）一8、焊接接线盒―9、组件测试一外观检验一10、包装入库;
工艺一电池测试
由于电池片制作条件的随机性，生产出来的电池性能不尽相同，所以为了有效的将性能一致或相近的电池组合在一起，所以应根据其性能参数进行分类;电池测试即通过测试电池的输出参数（电流和电压）的大小对其进行分类。
以提高电池的利用率，做出质量合格的电池组件。
工艺一正面焊接
栅线上。
焊带为镀锡的铜带，长度约为电池边长的2是将焊带焊接到电池正面〔负极）的主
倍。
多出的焊带在背面焊接时与后面的电池片的背面电极相连。
工艺一背面串接
背面焊接是将12片电池串接在一起形成一个组件串，电池的定位主要靠一个膜具板，上面有12个放置电池片的凹槽，槽的大小和电池的大小相对应，槽的位置已经设计好，不同规格的电池片使用
不同的模板，操作者使用电烙铁和焊锡丝将"前面电池"的正面电极〔负极）焊接到"后面电池"的背面电极〔正极）上，这样依次将12片串接在一起并在组件串的正负极焊接出引线。
工艺一敷设
背面串接好且经过检验合格后，将组件串、玻璃和切割好的EVA、背板按照一定的层次敷设好，准备层压。
敷设时保证电池串与玻璃等材料的相对位置，调整好电池间的距离，为层压打好基础。
工艺一层压
将敷设好的电池放入层压机内，通过抽真空将组件内的空气抽出，然后加热使EVA熔化将电池、玻璃和背板粘接在一起;最后冷却取出组件。
层压工艺是组件生产的关键一步，层压温度、层压时间根据EVA的性质决定。
工艺一修边
层压时EVA熔化后由于压力而向外延伸固化形成毛边，所以层压完毕应将其切除
工艺一装框
框，增加组件的强度，进一步的密封电池组件，延长电池的使类似与给玻璃装一个镜框。
给组件装铝
用寿命。
边框和玻璃组件的缝隙用硅酮树脂〔硅胶）填充。
各边框间用角键连接。
工艺一焊接接线盒
在组件背面引线处焊接一个盒子，以利于电池与其他设备或电池间的连接。
工艺一组件测试
测试的目的是对电池的输出功率进行标定，测试其输出特性，确定组件的质量等级。
出售组件是以组
件的功率销售。
组件高效和高寿命如何保证
1、高转换效率、高质量的电池片;
2、高质量的原材料，例如:
高的交联度的EVA、高粘结强度的封装剂（中性硅酮树脂胶〉、高透光率
高强度的钢化玻璃等;
3、合理的封装工艺;
4、员工严谨的工作作风;
组件
层压机
流水线式装铝框线
粘接线盒
组件测试
测试报告
包装
四系统
光伏系统定义
光伏系统是利用太阳电池组件和其他辅助设备将太阳能转换成电能的系统。
光伏系统部件及介绍
电源为交流太阳能发电系统由太阳电池组件、太阳能控制器、蓄电池（组）组成。
如输出220V和110V，还需要配置逆变器。
太阳电池组件
太阳电池组件是太阳能发电系统中的核心部分，也是太阳能发电系统中价值最高的部
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