第5章 存储器系统汇总.docx

上传人:b****2 文档编号:2470753 上传时间:2022-10-29 格式:DOCX 页数:14 大小:19.50KB
下载 相关 举报
第5章 存储器系统汇总.docx_第1页
第1页 / 共14页
第5章 存储器系统汇总.docx_第2页
第2页 / 共14页
第5章 存储器系统汇总.docx_第3页
第3页 / 共14页
第5章 存储器系统汇总.docx_第4页
第4页 / 共14页
第5章 存储器系统汇总.docx_第5页
第5页 / 共14页
点击查看更多>>
下载资源
资源描述

第5章 存储器系统汇总.docx

《第5章 存储器系统汇总.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《第5章 存储器系统汇总.docx(14页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。

第5章 存储器系统汇总.docx

第5章存储器系统汇总

第5章存储器系统

主要内容:

存储器系统的概念

半导体存储器的分类及其特点

半导体存储芯片的外部特性及其与系统的连接

存储器接口设计(存储器扩展技术)

高速缓存

§5.1概述

主要内容:

存储器系统及其主要技术指标

半导体存储器的分类及特点

两类半导体存储器的主要区别

一、存储器系统

1.存储器系统的一般概念

将两个或两个以上速度、容量和价格各不相同

的存储器用硬件、软件或软硬件相结合的方法

连接起来

系统的存储速度接近最快的存储器,容量接近

最大的存储器。

构成存储系统。

2.两种存储系统

在一般计算机中主要有两种存储系统:

主存储器

Cache存储系统

高速缓冲存储器

主存储器

虚拟存储系统

磁盘存储器

Cache存储系统

对程序员是透明的

目标:

提高存储速度

Cache

主存储器

虚拟存储系统

对应用程序员是透明的。

目标:

扩大存储容量

主存储器

磁盘存储器

3.主要性能指标

存储容量(S)(字节、千字节、兆字节等)

存取时间(T)(与系统命中率有关)

命中率(H)

T=H*T1+(1-H)*T2

单位容量价格(C)

访问效率(e)

4.微机中的存储器

通用寄存器组及

指令、数据缓冲栈片内存储部件

高速缓存

内存储部件

主存储器

联机外存储器

外存储部件

脱机外存储器

二、半导体存储器

1.半导体存储器

半导体存储器由能够表示二进制数“0”和“1”的、具有记忆功能的半导体器件组成。

能存放一位二进制数的半导体器件称为一个存储元。

若干存储元构成一个存储单元。

2.半导体存储器的分类

随机存取存储器(RAM)

内存储器

只读存储器(ROM

随机存取存储器(RAM)

静态存储器(SRAM)

RAM

动态存储器(DRAM)

只读存储器(ROM)

掩模ROM

只读存储器一次性可写ROM

EPROM

EEPROM

3.主要技术指标

存储容量

存储单元个数×每单元的二进制数位数

存取时间

实现一次读/写所需要的时间

存取周期

连续启动两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间

可靠性

功耗

§5.2随机存取存储器

掌握:

SRAM与DRAM的主要特点

几种常用存储器芯片及其与系统的连接

存储器扩展技术

一、静态存储器SRAM

1.SRAM的特点

存储元由双稳电路构成,存储信息稳定。

2.典型SRAM芯片

掌握:

主要引脚功能

工作时序

与系统的连接使用

典型SRAM芯片

SRAM6264:

容量:

8KX8b

外部引线图

6264芯片的主要引线

地址线:

A0------A12;

数据线:

D0------D7;

输出允许信号:

OE;

写允许信号:

WE;

选片信号:

CS1,CS2。

6264的工作过程

读操作

写操作

工作时序

3.8088总线信号

4.6264芯片与系统的连接

5.存储器编址

存储器地址

6264芯片的编址

存储器编址

6.译码电路

将输入的一组高位地址信号通过变换,生一个有效的输出信号,用于选中某一个存储器

芯片,从而确定了该存储器芯片在内存中的地址范围。

将输入的一组二进制编码变换为一个特定的输出信号。

译码方式

全地址译码

部分地址译码

全地址译码

用全部的高位地址信号作为译码信号,使

得存储器芯片的每一个单元都占据一个唯

一的内存地址。

全地址译码例

6264芯片全地址译码例

全地址译码例

若已知某SRAM6264芯片在内存中的地址为:

3E000H~3FFFFH

试画出将该芯片连接到系统的译码电路。

全地址译码例

设计步骤:

写出地址范围的二进制表示;

确定各高位地址状态;

设计译码器。

全地址译码例

部分地址译码

用部分高位地址信号(而不是全部)作为译码信号,使得被选中存储器芯片占有几组不

同的地址范围。

部分地址译码例

应用举例

将SRAM6264芯片与系统连接,使其地址范围为:

38000H~39FFFH。

使用74LS138译码器构成译码电路。

存储器芯片与系统连接例

由题知地址范围:

00111000………0

00111001………1

高位地址

应用举例

 

二、动态随机存储器DRAM

1.DRAM的特点

存储元主要由电容构成;

主要特点:

需要定时刷新。

2.典型DRAM芯片2164A

2164A:

64K×1bit

采用行地址和列地址来确定一个单元;

行列地址分时传送,共用一组地址信号线;

地址信号线的数量仅为同等容量SRAM芯片的一半。

主要引线

RAS:

行地址选通信号。

用于锁存行地址;

CAS:

列地址选通信号。

地址总线上先送上行地址,后送上列地址,它们分别在#RAS和#CAS有效期间被锁

存在锁存器中。

WE=0数据写入

WE:

写允许信号

WE=1数据读出

DIN:

数据输入

DOUT:

数据输出

工作原理

数据读出

数据写入

刷新

工作时序

刷新

将存放于每位中的信息读出再照原样写入原单元的过程---------刷新

刷新时序

3.2164A在系统中的连接

2164A在系统中的连接

DRAM2164A与系统连接的几点说明:

芯片上的每个单元中只存放1位二进制码,每字节数据分别存放在8片芯片中;

系统的每一次访存操作需同时访问8片2164A芯片,该8片芯片必须具有完

全相同的地址;

芯片的地址选择是按行、列分时传送,由系统的低8位送出行地址,高8位送

出列地址。

结论:

每8片2164A构成一个存储体(单独一片则无意义);

每个存储体内的所有芯片具有相同的地址(片内地址),应同时被选中,仅有数

据信号由各片分别引出。

三、存储器扩展技术

(内存储器设计)

1.存储器扩展

用多片存储芯片构成一个需要的内存空间;

各存储器芯片在整个内存中占据不同的地址范围;

任一时刻仅有一片(或一组)被选中。

存储器芯片的存储容量等于:

单元数×每单元的位数

扩展段元字节数字长扩展字

2.存储器扩展方法

位扩展扩展字长

字扩展扩展单元数

字位扩展既扩展字长也扩展单元数

位扩展

构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元的字长时——需进行位扩展。

位扩展:

每单元字长的扩展。

位扩展例

用8片2164A芯片构成64KB存储器。

位扩展方法:

将每片的地址线、控制线并联,数据线分别引出。

位扩展特点:

存储器的单元数不变,位数增加。

字扩展

地址空间的扩展

芯片每个单元中的字长满足,但单元数不满足。

扩展原则:

每个芯片的地址线、数据线、控制线并联。

片选端分别引出,以使每个芯片有不同的地址范围。

字扩展示意图

字扩展例

用两片64K×8位的SRAM芯片构成容量128KB的存储器

两芯片的地址范围分别为:

20000H~2FFFFH

30000H~3FFFFH

字扩展例

字位扩展

设计过程:

根据内存容量及芯片容量确定所需存储芯片数;

进行位扩展以满足字长要求;

进行字扩展以满足容量要求。

若已有存储芯片的容量为L×K,要构成容量为M×N的存储器,需要的芯片数为:

(M/L)×(N/K)

字位扩展例

用32Kb芯片构成256KB的内存。

 

§5.3只读存储器(ROM)

EPROM(紫外线擦除)

EEPROM(电擦除)

一、EPROM

1.特点

可多次编程写入;

掉电后内容不丢失;

内容的擦除需用紫外线擦除器。

2.EPROM2764

8K×8bit芯片

地址信号:

A0——A12

数据信号:

D0——D7

输出信号:

OE

片选信号:

CE

编程脉冲输入:

PGM

其引脚与SRAM6264完全兼容.

2764的工作方式

数据读出标准编程方式

编程写入

擦除快速编程方式

编程写入:

每出现一个编程负脉冲就写入一个字节数据

二、EEPROM

1.特点

可在线编程写入;

掉电后内容不丢失;

电可擦除。

2.典型EEPROM芯片98C64A

8K×8bit芯片;

13根地址线(A0——A12);

8位数据线(D0——D7);

输出允许信号(OE);

写允许信号(WE);

选片信号(CE);

状态输出端(READY/BUSY)。

3.工作方式

数据读出

字节写入:

每一次BUSY正脉冲写入一个字节

编程写入

自动页写入:

每一次BUSY正脉冲写入一页(1~32字节)

字节擦除:

一次擦除一个字节

擦除

片擦除:

一次擦除整片

4.EEPROM的应用

可通过程序实现对芯片的读写;

仅当READY/BUSY=1时才能进行“写”操作

“写”操作的方法:

根据参数定时写入

通过判断READY/BUSY端的状态进行写入

仅当该端为高电平时才可写入下一个字节。

四、闪速EEPROM

特点:

通过向内部控制寄存器写入命令的方法来控制芯片的工作方式。

工作方式

读单元内容

数据读出读内部状态寄存器内容

读芯片的厂家及器件标记

编程写入:

数据写入,写软件保护

字节擦除,块擦除,片擦除

擦除

擦除挂起

§5.4高速缓存(Cache)

了解:

Cache的基本概念;

基本工作原理;

命中率;

Cache的分级体系结构

Cache的基本概念

设置Cache的理由:

CPU与主存之间在执行速度上存在较大差异;

高速存储器芯片的价格较高;

设置Cache的条件:

程序的局部性原理

时间局部性:

最近的访问项可能在不久的将来再次被访问

空间局部性:

一个进程所访问的各项,其地址彼此很接近

Cache的工作原理

Cache的命中率

访问内存时,CPU首先访问Cache,找到则“命中”,否则为“不命中”。

命中率影响系统的平均存取速度。

Cache存储器系统的平均存取速度=Cache存取速度×命中率+RAM存取速度×不命中率

Cache与内存的空间比一般为:

1:

128

Cache的读写操作

贯穿读出式

读操作

旁路读出式

写穿式

写操作

回写式

贯穿读出式

CPU对主存的所有数据请求都首先送到Cache,在Cache中查找。

若命中,切断CPU对主存的请求,并将数据送出;

如果不命中,则将数据请求传给主存。

CPUCache主存

旁路读出式

CPU向Cache和主存同时发出数据请求。

命中,则Cache将数据回送给CPU,并同时中断CPU对主存的请求;

若不命中,则Cache不做任何动作,由CPU直接访问主存

Cache

CPU

主存

写穿式

从CPU发出的写信号送Cache的同时也写入主存。

Cache

CPU

主存

回写式(写更新)

数据一般只写到Cache,当Cache中的数据被再次更新时,将原更新的数据写入主存相

应单元,并接受新的数据。

写入

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 医药卫生 > 基础医学

copyright@ 2008-2022 冰豆网网站版权所有

经营许可证编号:鄂ICP备2022015515号-1