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特气系统的规划与设计1
特气系统的规划与设计
特气系统的规划与设计（SSTT.NO.20）
由于半导体制程日趋复杂化且建厂成本愈来愈高，其使用的制程化学品皆具有相当的危险性，虽然有相关的外国标准可进行规范，但实际的做法却莫衷一是，各有其成本与优缺点上的考虑。
本文除概略性的介绍半导体厂之特气供应系统，主要对整体特气系统的规划与设计进行探讨，限于篇幅，本文将论述的重点主要放在气瓶柜/架、阀箱与管路的设计上，提出个人的一点心得与看法，希望抛砖引玉提供大家思考的方向，以兹未来建构特气系统时的参考。
然而，在实际的建厂规划设计时，工程师仍需依各厂的现况进行规划，考虑的重点包括经费、周围环境、基地、人员...等，以期较佳的实用性设计达到更安全的供应与环境维护。
气体的使用在半导体制程中一直扮演着重要的角色，特别是在半导体制程目前已被广泛的应用于各项产业，凡举传统的ULSI、TFT-LCD到现在开始萌发的微机电（MEMS）产业，皆以所谓的半导体制程为产品的制造流程，其中的制程包括如干蚀刻、氧化、离子布植、薄膜沉积等皆适用到相当多的其他，而气体的纯度则对组件性能、产品良率有着决定性的影响，气体供应的安全性则关乎人员的健康与工厂运作的安全。
气体一般可简单的区分为大宗气体（BULKGASES）,如N2、O2、
Ar等适用量较大的气体，和特殊气体（SpecialtyGases）,如SIH4、AsH3、PH3...等以钢瓶供应的气体。
本文主要针对特殊气体的供应系统进行探讨。
大宗气体的供应设计则因其供应方式的特殊性，如以大型桶槽的供应方式，将不列入本文的讨论范围。
特气供应系统是半导体厂中危险性最高的一环，只需有任何的疏失都可能造成人员、厂房、设备的严重损失，特别是其中有些其他如SIH4的自燃性，只要、一泄漏就会与空气中的氧气起剧烈的反应，开始燃烧，还有ASH3的剧毒性，任何些微的泄漏都能可能造成人员声明的危害，也就是因为这些显而易见的危险，所以对于系统设计安全性的要求就特别高。
同城严重危害的事件，都是人们忽视其危险性或对其特性上的无知，甚或人员操作维护上的疏忽所造成，反而越危险的物质，大家投注更多的关心与防护、造成严重危害的情形下容易发生。
但是，如何的设计才是最佳的考虑，实无绝对原则可供遵循，特别是如何在经费与安全性考虑上取得较佳的平衡，一直是工程师与设计者追寻的目标。
若是经费许可担任可以选择二重、三重、甚或是四重保护、但更多重的保护设计是否又具有实质的意义。
我们可针对自然气体供应时、气瓶柜泄漏来做实际的状况模拟，用以讨论防护设计上的观念。
首先假设人员在更换钢瓶后，为将接头完全锁紧即开始供气，此时第一阶段保护的管路压力测试失效（目前的气瓶柜几乎皆有此项之设计），才可能发生接下来的泄漏状况﹔当气体开始燃烧后，第二阶段的火焰侦测器侦测到火焰燃烧所放射出的UV或IP光道，侦测器动作，第三阶段的气体泄漏侦测器侦测到泄漏的气体的浓度值，第四阶段的紧急关断阀会将钢瓶气源出口的手段阀自动关闭，第五阶段的防爆柜与抽气的设计阻绝火焰蔓延至隔邻气柜，第六阶段的消防洒水头开始洒水降温，第七阶段的区域防爆墙设计防止火焰或爆炸扩散到厂房的其他区域﹔据此描述，我们可粗略的概括可能导致最严重后果的几率，若假设人员失误和各段保护设计（七阶段）失效的几率皆为十分之一的告知进行计算（当然实际上每阶段失效几率不可能如此之高），其结果为亿分之一﹔换言之，倘若因人员疏失导致的气瓶柜供气管路泄漏，造成整厂火灾爆炸蔓延的几率为亿分之一﹔此等安全性设计失效的几率已足可以为一般的厂房安全设计者所接受，甚或超过其理想值。
而以上所述的这些保护设计，皆为目前半导体厂最一般化的基本要求，所以是否还有必要要求气瓶柜内的管路设计为双套管、气柜内加装及早期火灾预警侦测器等防护设计，实有再进行探讨的必要。
针对这些基本防护设计，以目前的技术水准，皆可恨容易的道道所要求的功能、精准度、可靠度等，但毕竟这些零组件与侦测器皆需花费不少，在目前不景气中力求节约的半导体业，可再透过进一步的设计考虑，重新检讨各项防护设计的必要性，甚或以更简单、更方便或更便宜的设计方式来取代。
超高纯度的气体供应质量则是设计时的另一项重要考虑，在管路与零组件的材质选择、运送包装、施工组装、管路清洁、测试实验，乃至于日常管理，每一个环节的精确要求皆与供应的质量息息相关。
例如在更换钢瓶后，一定有一段管路被外界气体污染，这时就要透过管路的设计，在供应前对此段管路以氮气进行反复冲吹，使其符合供应质量的要求。
特气的供应，设计上并不像大宗气体，需要采用连续质量监视系统对可能的污染物（如水分、氧气、粒子...等）进行分析监控，主要因为其钢瓶的气体质量较易掌控，而且气体种类太多，进行仪器选购的成本太过庞大，监控时的危险性亦较高。
此外，特气的供应管路亦不似一般的管路，因其有施工时的危险性、管路制作部易与污染上的考虑，不能任意的进行切管或修改。
特别是整厂开始运作生产之后，任何的施工皆可能严重影响制程机台与生产线的政策运作，因此，若在制程的要求尚不十分明确或考虑到未来的扩充性，均需预留适当的阀件或管路以利未来的扩充。
微机电半导体产业近年来开始在国内生根建厂，笔者有幸参与其中一座厂务系统的规则与设计，其整体系统的建立基本和一般的晶圆半导体厂并无二致，只其对污染物的要求规格不似晶圆半导体厂严格，主要因其线径与几何结构的尺寸较大，约为0.5-1m之间，和目前ULSL的0.18-0.15m的线径要求相差甚多。
针对此微机电半导体厂务各项系统建设费用分析如图一所示，气体供应系统（包含大宗气体与特殊气体）的费用约占全部厂务系统（不含土地、厂房结构）建设费用的15%，仅低于无尘室系统的23%。
所以此项系统的重要性可见一般。
特气中央供应系统
气体特性
特殊气体的种类一般可分分为腐蚀性、毒性、可燃性、助燃性、惰性等，一般常用的半导体气体分类如下：
（一）、腐蚀性/毒性：
HCL、BF3、WF6、HBr、SiH2CL2、NH3、PH3、CL2、BCL3...等
（二）、可燃性：
H2、CH4、SIH4、PH3、AsH3、SiH2CL2、B2H6、CH2F2、CH3F、CO...等
（三）、助燃性：
O2、CL2、N2O、NF3...等
（四）、惰性：
N2、CF4、C2F6、C3F8、SF6、CO2、Ne、Kr、He...等
其中很多气体是具有二项以上的特性，特别是腐蚀性气体一般而言亦桶时具有毒性，PH3则具有腐蚀性和毒性外，亦具有可燃性，是相当危险的一种气体。
若期望对气体供应系统做出较佳的规划设计，一定要对气体特性有相当的了解，才可能驾驭它、控制它，而详细的阅读各项气体的物质安全数据表（MSDS）则是了解它的第一步。
透过MSDS我们可以很清楚的指导它的各项特性，包括物理特性、化学特性、毒性、兼容性...等，乃至于紧急处理的方法和步骤皆有详细的介绍。
表一则是列出一些常用气体间的兼容性与可能的反应状况。
一般的大宗气体N2、O2、Ar常用的供应方式以固定式的大型桶槽为主，将桶槽安置于厂区附近，架构独立的供应区与土木基础，以槽车定期进行填灌，高压的液态气体经蒸发器蒸发为气态后，供应现场使用，若有纯化的需求则需透过气体纯化机将气体精制成生产线需求的规格使用﹔H2则经常使用两座多组钢瓶串接方式进行供应，当一座的气体使用完后，另一座的气体将自动接续供应，使供气不致中断，并以争做串接钢瓶更换的方式进行气体的补充。
此外，也有所谓的on-site供应方式，将需求的气体于现场直接制造供应生产线﹔另有由气体供货商直接架设地下管路进行集中式的供应，就像目前家用的天然气供应方式。
但此法因管线太长，且埋设于地下，供应点复杂，除非供货商有很好的系统设计，可防止短气、排除管路的污染或供应质量不稳定的状况，否则此种供应虽然方便，却因半导体制程对气体质量的要求相当高，风险值也相对的较高。
倘若源头供应质量不良，导致所有半导体厂的制程断气或污染，其损失之大，将不下于停电所造成的巨额费用。
相对的，以槽车或钢瓶的供应方式，因其出货前可透过质量的检验，确保供气的质量，风险也就较低。
特殊气体的供应方式截止目前为止，几乎皆用钢瓶的方式进行，一般常用的为高压钢瓶，但依其填充的气体特性有可分为气态与液态钢瓶，一般气体皆为气态钢瓶，其填充压力亦高，气体以气态储存于钢瓶内﹔低蒸汽压的气体则以液态储存于钢瓶内。
另有一种吸附式的气体储存钢瓶，即所谓的安全高压气源（SDS,SafeDeliverySource），可藉由介质如沸石和活性碳对待定的气体如PH3、AsH3、BF3、SIF4等进行物理吸附，以气体分子与吸附剂间的瓦力将气体吸附于吸附剂的孔隙重，其优点为高压压力低于—大气压，无泄漏之余。
经实验结果，即使泄漏亦不致发生爆炸或造成足以危害人体的毒气浓度，安全性佳，而且供应量可为传统高压钢瓶的数倍至数十倍。
然此种供气无法使用于目前所有的半导体气体，亦少晶圆厂使用此种系统进行中央集中式的供应方式，因此本文将不对其多作讨论，仅提出此种供应方式的特点供读者参考。
针对腐蚀性、毒性、燃烧性的气体，通常涉及将钢瓶置于气瓶柜（GASCabinet）内，再透过管路将气体供应至现场附近的阀箱（VMB,ValveManifoldBox），而后再进入制程机台的使用电（Pou,PointOfUse）,于进入机台腔体之前，会有独立的气体控制盘（GB,GasBOX）与制程控制模块联机，以质流控制器（MFC,MassFlowController）进行流量之空调与进气的混合比例控制，通常此气体控制盘不属于厂务系统的设计范畴，而是归属制程机台设备的一部分。
一般的惰性气体则是以开放式的气瓶架（GasRack）与阀盘（VMP,ValveManifoldPanel）进行供应。
详细的描述与讨论将在下节进行，现在仅举一简单的两种不同供气流程规划的实例，如图二、三所示，供读者参考。
图三;惰性气体供应规划流程实例
上面所提的为目前常用的（集中式）中央供应设计，缺点是只要一种气体的供应出问题，就可能造成所以使用的机台停摆，甚或中断整个生产线，对制程稳定的风险较高。
另有一种供应方式的设计为针对制程机台进行（分布式）的气瓶规划，机台使用到几种特殊气体就使用几台气瓶柜，将气瓶柜设计于机台附近，其优点为对制程的风险值较低﹔但相对的，因其未集中管理，无法整体而有效的进行相关的防护设计，如防爆墙、泄漏的局限性等，而且管理上相当耗费人力，不管是气瓶柜的维护、钢瓶的更换，皆大大的增加了管理上的风险，虽然省下了VMB的设置及可选用较便宜的单钢气瓶柜，却大量的增加气瓶柜的数目，个人觉得较不符合成本与安全性的设计。
据闻韩国的半导体厂以往皆大量采用分布式的设计，但近年来则有渐渐改成集中式供应的趋势。
空间设计
当改成内洁净室各制程区的规划确定后，即可开始考虑其他室位置的选定，首先需要距离其他使用区近，有独立的结构与空间区隔，避免与主厂房使用同一结构体。
若无法避免，则对相关的防爆区隔续作更谨慎的规划，以求降低运作时影响整厂的风险。
此外，相关的气体备料储存空间的位置选定亦需一并考虑，不可距离气体供应室太远，增加未来更换气瓶时运送的困难与风险，而且两者建议规划适当的区隔，防止相互影响导致可能的风险加成。
针对不同特性的气体，建议分别规划独立的供应区域，一般可分成三区：
毒性/腐蚀性气体区、可燃性气体区、惰性气体区，将相同性质的气体集中加强管理，可燃性气体区需特别规划防爆墙与泄爆口，若空间不足，可考虑将惰性气体放置于毒性/腐蚀性气体区，倘放置于可燃性气体区，则需扩大其防爆区隔与相关的消防设施，较不符合成本的考虑，而且防爆墙一经建构完成，未来将相当不易进行后续的空间扩充。
此外，这些区域需考虑独立的空调送风系统，避免和洁净室空调共享相同的气源，因为此区需有大量的排气以维持气瓶柜内空间中的负压设计，防止气体泄漏后直接溢散出外界，所以需要的空调量相当大，如何设计可做到能源的节约并兼顾到安全性，实是未来可以努力的目标﹔会经有些厂房设计将洁净室中的部分空调回风导入气体供应室，但除可能增加前面所提的风险外，亦会造成洁净室的正压降低，然若于一开始即将气体室的空调量纳入洁净室的空调规划量中，实际上并无法真正达到节能的作用。
通常气体室并不需要维持太低的温度与洁净度，若能利用洁净室中较低温的一般排气，与气体室的空调进气以热管（HeatPipe）进行高效率的热交换，或许是较实际的可能改善方式之一。
对相关的气体室电力供应系统与监控室，亦建议架构独立空间或放置于惰性气体室，除可避免电力造成的危害，同时方便日后的紧急状况处理与人员日常操作。
电力规划
电力系统的规划则需设计独立的电源，可避免受其他系统的影响，而且每个气瓶柜或VMB皆需有独立的电源开关，并建议装设UPS系统，连接紧急发电机电源，因为现在大部分晶圆厂重要制程机台的电源供应，皆联机UPS与紧急发电机，避免因电力供应不稳定而导致的严重损失，相对的，此项供应系统亦需不可中断。
此外，系统设计部断电亦有几项重要的功能存在：
首先，UPS有稳压作用，可防止控制系统PLC不致因为供电不稳而导致失效﹔当紧急状况发生，又需要在停电时将管路中的气体排除时，亦可继续操作﹔年度维修停电1-2天时，若气体管路不进行冲吹（Purge）清洁时，针对低压气体亦可利用保温加热带继续稳定加热，可避免气体凝集于死角或细缝处，造成供应回复不易或阻塞的情形发生。
气瓶柜/架
气瓶柜定义
首先来看看SEML-S4对气瓶柜的定义：
（一个金属密闭容器，目的在提供局部排气通风以保护气体钢瓶不会着火、防止气瓶柜外之火源着火、及保护周围不因气瓶柜之火源而着火，并限制火源于内部。
）因此气瓶柜一定需要具备防护箱体、强制抽气、安全防护以避免火焰之蔓延，甚或将火源熄灭的功能。
气瓶架则为简单的钢瓶开放支架，没有防护箱体，亦无强制抽气。
图四的照片显示气瓶柜和气瓶架的外观。
图四：
左图为气瓶柜，右图为气瓶架。
低蒸汽压气体供应
一般而言，在室温下的饱和蒸汽压小于30Psig的气体皆属之，如BCL3、DCS（SiH2CL2）、CLF3、WF6，它们在21.1℃时的饱和蒸汽压分别为19.7Psig、23.3Psig、21.5PSig、27PSig，皆是以液态的型式储存于钢瓶内，输送上相当不易。
因此，于供应流量设计时需特别考虑相关因素，如气体的物理特性、钢瓶表面积、管路长度...等，通常使用直接加热再钢瓶与管路的方式供应﹔对钢瓶则以侧面以侧面外罩加热套，套内装有加热带和保温棉衬，但因拆装时相当麻烦不便，目前已较少采用﹔另一种方式则于钢瓶底部加热，若温度控制得当，是一种相当简便与安全的方式。
管路加热则使用加热与保温棉包覆管路的方式，从供气的钢瓶端，经VMB、GB直到尾端的机台，加热的温度亦随着供应的距离加长而逐渐提高，以预防气体冷凝并增高蒸汽压﹔加热带需要有独立的温度控制系统，除需要稳定控制加热温度外，亦需选用具较低极限加热温度（约65℃）的加热带，即使加热控制器失效亦不致发生危险。
此外，管路长度也是相当重要的考虑，管路太长加热的稳定性较不易控制，极易因管路经过不同的温度区域而凝结成液态，阻塞管路。
因此建议若各区域的温差太大，以分段加热控制得方式进行设计。
但最好的方式还是就近将气瓶柜放置于制程机台附近的维修区或Sub-Fab，此时需特别考虑其安全性。
目前亦有相关的厂商开始研发，将蒸汽以液态的型式供应于主管路，待经过MFC后再加热汽化成气态进入反应腔，但因为相关的零组件研发皆未成熟和普遍，因此还很少为人所采用。
气瓶柜/架的型式
气瓶柜/架一般针对不同的气体特性分为五种基本型式，其中Typell和III是属于较低蒸汽压的气体，其中Typelv和V属于惰性气体使用的气瓶架，各型式使用的气体类别、种类与相关的功能分述如下：
Typel:
专门使用于高压燃烧性气体（High-PressureFlammabelGas）,如SIH4、B2H6、PH3、CH4、H2、AsH3.因其具有燃烧性，所以通常会加装相关的消防设备，如UV/IR火焰侦测器、洒水头、气体泄漏侦测器等，有因其为高压的压缩气体状态，可使用侦测供应压力的方式计算钢瓶剩余的气体量。
TypelI:
使用于中压液态燃烧性气体（Mid-PressureLiquidFlammabelGas）,如NH3、HBr、HCL、CL2。
本型式除消防设备需要安装之外，并以电子种类磅秤来侦测钢瓶剩余的气体量，若对供气的流量有较大的需求时，需要考虑相关的加热设备。
TypelIl:
使用于低蒸汽压气体（LowVaporPressureGas）,如BCL3、DCS、CLF3、WF6，除使用电子秤与加热装置外，因属非高压的钢瓶且供应流量小，建议不需使用高压侧漏与过流量保护装置。
TypeIV:
使用于液态惰性气体（LiquidInertGas）,如C4F8、CHF3、C2F6、N2O、SF6，不需相关的安全设计，弹药使用电子秤检知钢瓶剩余的气体量。
TypeV:
使用于惰性气体（InertGas）,如CF4、Ar、He.
因气体特性不同，此吴蕾气瓶柜需依其使用的气体种类设计相关的气瓶柜/架功能，如Type1-lIl属于危险性气体，建议皆需加装自动旋转式关断器（ValveShutter），于紧急状况发生时可将钢瓶上第一道出口旋转阀关闭，除非钢瓶破裂，否则只要此项关断器功能正常，将可保证供应的安全性。
此外，Type1-ll亦属可能过流量供应气体，建议选用过流量关闭装置，以确保避免异常的流量供应。
功能设计
气瓶柜内的钢瓶数设计可分为三种，分别为单钢、双钢、三钢。
单钢的设计常使用于研究机构或实验室等，制程未有量产之考虑，气体使用量小，现场可随时协调停机进行钢瓶之更换，其优点为简单、节省空间、成本低，但需透过日常之管理与协调以避免中断制程，造成损失。
双钢与三钢常用于量产工厂，制程不允许停机的状况，当一支钢瓶使用完后，另一支待机的钢瓶将自动上线供应，并发出更换钢瓶的警报，此两种型式上的差别主要在于清洁用Purge管路的纯化氮气（PN2，PurifiedN2）是以钢瓶或厂务端供应。
当PUrge用的PN2统一由厂务端供应时，所有不同的供应气体系统（不管是否兼容）将会因此PUrge管路的存在，而形成连接的状态，造成较高的风险值﹔万一中央供应的PN2中断，又未发生任何报警，恰巧又有二种不兼容的钢瓶在使用PUrge的管路，此时，爆炸的状况极可能就此发生，类似意外亦有发生过的记录，不得不慎。
三钢式设计尚有一项优点，就是现场的VMB在做管路Purge时亦可使用同一气瓶柜的钢瓶，不同气体间透过VMB造成的交互反应或污染的风险值又更低了。
选用三钢型式的主要缺点为设置的空间需求较大，成本较高。
但据笔者经验，目前双钢与三钢的购置成本已无太大的差异；因此，若非空间上有无法克服的困难，个人建议针对危险性气体以三钢的气瓶柜为优先的考虑。
若为惰性气体使用的气瓶架，由厂务中央供应PN2或于现场适用于独立的钢瓶皆可，因此即使采用现场的钢瓶供应方式，亦可使用集中式的双瓶PN2气瓶架，所增加的成本与空间将相当有限。
操作性设计
只要是双钢以上的气瓶柜设计，皆需有自动切换的功能以达到连续供应的目的，通常以压力传输器侦测供应的压力来计算光盘剩余的气体量;若为低蒸汽压气体，则以笛子重量磅秤来侦测钢瓶剩余的气体量。
在日常操作功能的设计上，可分为全自动、半自动、手动三种方式。
通常气瓶柜的操作执行动作有下列几种：
1.前置冲吹（Pre-purge）:
主要为利用一般氮气（GN2，GeneralN2）的流动经过真空产生器造成管路内的负压，抽出气瓶柜盘管内的特气，再利用通入PN2稀释管壁内残存的微量特气，反复执行此项冲吹与稀释的过程，并于过程中同时以负压检测真空产生器的功能，以保压测试管路是否泄漏。
2.后置冲吹（PostPurge）:
通以PN2进行保压测试管路是否泄漏，确认钢瓶接头与管路的衔接良好，并进行PN2的反复冲吹，将更换钢瓶时渗人的污染物去除。
3.上线冲吹（ProcessPurge）:
主要目的是将清洁用的PN2清楚，并送制程气体上线；此过程则反复利用制程气体的冲吹，将清洁用的PN2予以彻底的排除。
4.更换钢瓶：
通常由四个主要步骤来完成，Pre-PurgeR更换钢瓶RPostPurgeRProcessPurge。
更换个钢瓶的时机为气体残余量剩下约10%时，但实际上仍需以各气体过往的使用记录为依据进行判断，才会得到较佳的更换时间点。
再者，达到气体的使用年限亦需进行更换，通常约为一年，因部分的制程气体可能会对钢瓶造成微量的腐蚀，污染气源。
为了达到以上步骤1到3的功能，其管路与阀件的设计皆较为复杂，如图五所示。
各厂牌气瓶柜的功能差异大，选用时除考虑公司的技术能力与维护人力外，建议以系统稳定性和市场占有率进行主要的考虑。
若采用手动的方式进行，人员的操作将需相当小心谨慎，任何步骤的疏忽皆可能严重影响供气的质量与造成的危险。
所以通常对危险性气体笔者建议需有自动（Auto-Purge）的功能，当自动无法顺利运作时才改为半自动的方式进行。
若为惰性气瓶架，虽然没有危险性，人为操作不当却有可能污染管路，毕竟每一步骤执行的反复动作次数可能高达30-50次，不但需要消耗相当长的时间，更需集中相当多的精神来执行，因此个人建议为维护供气的质量，即使是惰性气瓶架亦应该具备自动的功能。
图五：
三钢式中压液态燃烧性气瓶柜阀盘与管路示意
气瓶柜管路设计
为了让读者对气瓶柜盘上的设计有一些认识，以下依序介绍盘面上的重要组件：
（A）.气动控制阀，以GN2进行控制，不建议使用一般的压缩空气源（CDA,CompressedDRYAir）,因GN2供应通常较CDA稳定，不会因停电运转设备的故障中断，此阀主要用于自动或半自动操作时的管路气体流向控制。
（B）.手动控制阀，主要当作第二道的防护，如管路的出口。
（C）.逆止阀（CheckValve），防止特气倒灌入清洁的PN2和抽气用的GN2管路。
（D）.调压阀（Regulator）,用于调整并控制供应的气体压力。
（E）.压力传输器（PressureTransmitter），这是防护系统安全的重要零件，透过它才能判断知管路是否泄漏，相关的阀门是否安全的开启，同时亦可检知钢瓶的气体剩余量。
（F）.真空产生器（VacuumGenerator）,利用GN2的快速流动产生吸引的负压，将管路中的气体带出，以达到抽气的目的。
（G）气体过滤器（LineFilter），装于供气的出口外，用以过滤掉气瓶柜阀盘组可能产生的污染粒子以确保供气质量，但并非一定必要装设，因通常在VMB的供气口都会安装符合制程条件需求的过滤器，若于气瓶柜装设过滤器后，需特别考虑未来更换过滤器的方便性，其装设点皆已靠近阀盘末端，较不易进行管路的清洁Purge,故而个人不建议于此处装设过滤器。
（H）.流量侦测器（FlowSensor）,对管路上异常大量的流量进行侦测，若是超过可能的设定值，即判定管路上有可能大量的泄漏，进而启动紧急关闭装置，中断供气。
（I）.限流孔（Orifice）,则是一项简易又有效的过流量控制装置，用以限制大量的气流量通过，装设于Vent的排气管上，其主要防止特气Vent时的大量排放，造成区域式废弃处理系统无法负荷的状况发生。
针对SIH4,因其具有毒性与强烈爆炸性，建议可于靠近钢瓶的出口端加装直径约0.01寸的限流孔，使其最高流量不得高于30Slm。
在此阀盘组的管路设计上，有一些需特别注意的项目。
首先，以如前面所提，不兼容气体的Purge管路不可相连，而且不兼容的气体不可设计在同一各气瓶柜内，即使互为各自独立的管路与供应系统亦被严重禁止；管路大小的选定，需考虑到制程机台的使用压力与流量的需求；连接钢瓶的管路接头需与钢瓶接头同一型号。
且其高度在设计时即需考虑使用的钢瓶高度，若为小型的钢瓶，可使用能调整高
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