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电子技术知识题库

一、选择题：

（共276题）

1、整机产品生产过程中的基本依据是（C）。

A、设计文件B、工艺文件C、设计文件和工艺文件D、质量文件

2、常用设计文件中安装图的简号是（D）。

A、MXB、DLC、JLD、AZ

3、色环标识是绿蓝黑银棕表示元器件的标称值及允许误差为（D）

A、560Ω±1％B、56Ω±5％C、56Ω±1％D、5.6Ω±1％

4、色环标识是黄紫橙银表示元器件的标称值及允许误差为（D）

A、47KΩ±5％B、470KΩ±10％C、473KΩ±10％D、47KΩ±10％

5、色环标识是橙橙橙金表示元器件的标称值及允许误差为（A）

A、33KΩ±5％B、33Ω±5％C、333Ω±10％D、33KΩ±10％

6、色环标识是棕黑黑棕棕表示元器件的标称值及允许误差为（A）

A、1KΩ±1％B、100Ω±5％C、1001Ω±1％D、10Ω±10％

7、色环标识是紫黄黄红红表示元器件的标称值及允许误差为（C）

A、4.4Ω±2％B、7.41KΩ±1%；C、74.4KΩ±2％D、7442Ω±5%

8、色环标识是红紫橙银表示元器件的标称值及允许误差为（A）

A、27KΩ±10%B、273KΩ±5%C、273Ω±5%D、27.3Ω±10%

9、某电阻的实体上标识为103K，其表示为（B）

A、103Ω±10％B、10KΩ±10％C、103KΩ±5％；D、103Ω±5％

10、某电阻的实体上标识为2R7J，其表示为（A）

A、2.7Ω±5％B、27Ω±10％C、2.7KΩ±5％D、0.27Ω±5％

11、某电阻的实体上标识为8R2K，其表示为（A）

A、8.2Ω±10％B、8Ω±2％C、2KΩ±5％D、82KΩ±5％

12、75Ω±20％的电阻值用色标表示为（A）

A、紫绿黑B、紫绿黑金C、紫绿棕红D、紫绿黑银

13、某电阻的实体上标识为6.2KΩⅡ表示为（B）

A、6.2KΩ±5％B、6.2KΩ±10％C、6.2KΩ±20％D、6.2KΩ±2％

14、某电容的实体上标识为1n表示为（A）

A、1000pF±20％B、1000μF±20％C、1pF±10％D、1μF±10％

15、某电容的实体上标识为P47K表示为（D）

A、47PF±20％B、47PF±10％C、47μF±5％D、0.47PF±10％

16、某电容的实体上标识为103M表示为（A）

A、0.01μF±20％B、0.1μF±10％C、100pF±5％D、1000pF±10％

17、某立式电感的实体上三个面标识为银棕黑黑表示（C）

A、0.1uH±10％B、1uH±5％C、10uH±10％D、100uH±10％

18、从对人体危害的角度，我国规定的工频电源安全电压为（C）

A、110VB、24VC、36VD、48V

19、触电时通过人体的电流如果超过一定数值将造成伤亡。

对于工频电流讲，这个数值是（D）

A、0.1mAB、1mAC、10mAD、100mA

20、潮湿天气容易触电是因为（B）

A、电流减小B、电阻减小C、功率加大D、电压加大

21、试电笔的绝缘电阻要求大于（B）

A、500kΩB、1MΩC、5MΩD、10MΩ

22、通常选用照明线路保险丝的额定电流应比负荷电流（C）

A、小B、相等C、不超过20%D、不超过一倍

23、家用电度表用于计量（D）

A、功率B、电流C、电压D、功

24、字母XS在电路图中的含义（A）

A、插座B、插孔C、插头D、开关

25、固定电阻消耗的电功率（C）

A、与通过的电流成正比B、与所加电压成正比；

C、与通过电流的平方成正比D、所加电压的平方根成正比

26、两个10Ω电阻并联后再与一个10Ω电阻串联，其总电阻是（C）

A、5ΩB、10ΩC、15ΩD、20Ω

27、在一只50Ω电阻上并联一只10kΩ电阻，其总电阻值（B）

A、加大B、减小C、不变D、不确定

28、一只300Ω电阻与一只100Ω电阻并联后再与一只50Ω电阻串联，50Ω电阻中通过电流100mA、。

若三只电阻取1/2W电阻，则（C）

A、50Ω电阻烧坏B、300Ω电阻烧坏C、100Ω电阻烧坏D、三只电阻均不会烧坏

29、一只220V/60W灯泡（电源电压为220V），它的灯丝电阻为（B）

A、3.66ΩB、806.7ΩC、0.27ΩD、270Ω

30、一个内阻为20Ω的1mA、表头，现在要把它改装成一个1A、的电流表，则（D）

A、不可改B、串联一只200Ω电阻C、并联一只20Ω电阻D、并联一只0.02Ω电阻

31、电容器上的电压与电流的相位关系是（C）

A、电压超前90°B、电压滞后90°C、电流超前90°D、电流滞后90°

32、电容器的容抗（B）

A、与信号频率成正比B、与信号频率成反比C、与信号频率无关D、与电容量成正比

33、一只1μF/500v电容与一只2μF/500v电容串联，若在其两端加900V电压，则（C）

A、1μF电容会击穿B、2μF电容会击穿C、两只电容都会击穿D、两只电容都不会击穿

34、线圈电感量的大小（B）

A、与通过线圈的电流成正比B、与通过线圈的电流无关

C、与线圈长度成正比D、与线圈匝数成反比

35、市电220V电压是指（C）

A、平均值B、最大值C、有效值D、瞬时值

36、有一理想变压器，其匝数比N1/N2=10,若初级加220V电压，则次级电压为（A）

A、22VB、2200VC、2.2VD、22000V

37、LC、R串联谐振电路的基本特性是（B）

A、阻抗最大，电压最大B、阻抗最小，电流最大

C、阻抗最大，电流最小D、阻抗最小，电流最小

38、稳压二极管的工作是利用其伏安特性的（D）

A、正向特性B、正向击穿特性C、反向特性D、反向击穿特性

39、某放大状态的晶体管，三个极的电位分别是VE=-5V，VB=-4.7V，VC=4V,该管是（C）。

A、PNP型锗管B、PNP型硅管C、NPN型锗管D、NPN型硅管

40、射极输出器的特点是（C）

A、输入电阻高、输出电阻高B、输入电阻低、输出电阻高

C、电压放大倍数小于1,但接近于1D、电压放大倍数大于1

41、在放大器中加入负反馈，下列不是其优点的是（A）。

A、放大倍数加大B、通频带加宽C、非线性失真减小D、放大倍数稳定

42、在图纸中用字母S表示的元器件是（D）

A、继电器B、插座C、滤波器D、按键开关

43、2CW10表示（A）

A、N型硅材料稳压二极管B、P型硅材料稳压二极管

C、N型锗材料稳压二极管D、P型锗材料稳压二极管

44、2AP9表示（C）

A、N型锗材料稳压二极管B、P型锗材料整流二极管

C、N型锗材料普通二极管D、P型硅材料变容二极管

45、2CK44表示（N）

A、N型硅材料开关二极管B、P型硅材料开关二极管；

C、N型锗材料整流二极管D、P型锗材料变容二极管

46、3AD18A、表示（B）

A、NPN型锗材料高频小功率三极管B、PNP型锗材料低频大功率三极管

C、NPN型硅材料低频小功率三极管D、NPN型硅材料高频小功率三极管

47、3DG4C表示（A）

A、NPN型硅材料高频小功率三极管B、PNP型硅材料高频小功率三极管

C、NPN型锗材料高频大功率三极管D、PNP型锗材料低频小功率三极管

48、3DA101表示（C）

A、NPN型硅材料高频小功率三极管B、PNP型锗材料低频小功率三极管

C、NPN型硅材料高频大功率三极管D、PNP型锗材料低频大功率三极管

49、开关三极管工作在（C）

A、饱和区B、截止区C、饱和区和截止区D、放大区和截止区

50、（D）型片式电感器具有磁漏。

A、编织B、薄膜C、叠层D、线绕

51、片式晶体管的最大功率为（D）。

A、2WB、1WC、8WD、4W

52、电子元器件可以划分为两大类：

一类称为线性元器件，另一类称为非线性元器件。

分类标准是根据它们的（C）

A、频率特性曲线B、耐压特性曲线C、伏安特性曲线D、温度特性曲线

53、耐热性好、可靠性高的片式电感器为（A）电感。

A、叠层型B、编织型C、线绕型D、薄膜型

54、常用电位器无第4个色环，则表示它的允差值是（D）

A、±1%B、±5%C、±10%D、±20%

55、用色环表示其电阻误差时，绿色表示为（B）

A、±0.1%B、±0.5%C、±5%D、±10%

56、用字母表示其电容误差时，M表示为（D）

A、±0.2%B、±5%C、±10%D、±20%

57、请指出下列哪种电容器最适用于高频电路中（C）

A、纸介电容器B、云母电容器C、涤纶电容器D、电解电容器

58、发光二极管的正常工作状态是（A）

A、两端加正向电压，其正向电流为10～20mAB、两端加反向电压，其反向电流为10～20mA

C、两端加正向电压，其压降为0.6～0.7VD、两端加反向电压，其压降为0.6～0.7V

59、普通万用表交流电压测量档的指示值是指（C）

A、矩形波的最大值B、三角波的平均值C、正弦波的有效值D、正弦波的最大值

60、为了保护无空挡的万用表，当使用完毕后应将万用表转换开关旋到（D）

A、最大电流档B、最高电阻档C、最低直流电压档D、最高交流电压档

61、准确测量电感线圈的电感量应使用（A）

A、Q表B、频率计C、直流电桥D、交流电桥

62、把母材不熔化的焊接称为（B）

A、电弧焊B、钎焊C、激光焊D、气焊

63、通常在锡焊中，焊点润湿良好的润湿角为（A）

A、θ＝20～30°B、θ＝80～90°C、θ＞90°D、θ＞120°

64、通常电子手工焊接时间为（C）

A、越长越好B、越短越好C、2～3秒D、2～3分

65、焊料成份中含锡量愈高（A）

A、电阻率就愈小B、电阻率就愈大C、电阻率不变D、和电阻率没关系

66、一把100W电烙铁在220V工作电压下的内阻值为（D）

A、484KΩB、22ΩC、22KΩD、484Ω

67、一般在焊集成电路时，选用电烙铁的功率为（B）

A、20～50KWB、20～50WC、100～150WD、100～150KW

68、助焊剂中无机焊剂的成份有（A）

A、盐酸B、有机酸C、乙二胺D、氧化松香

69、元器件引线成型时，引线弯曲处离元器件本体的距离为（D）

A、0B、0.5mmC、1mmD、2.5mm

70、测量交流电路的有功功率可以用（A）

A、交流瓦特表B、交流电压表C、交流电流表D、交流电压表和交流电流表

71、下列材料属于无机绝缘材料的是（B）

A、树脂B、陶瓷C、麻D、人造丝

72、常用锡铅焊料HLSNPB、39其熔点为（B）

A、1000CB、1830CC、2350CD、3000C

73、在电路图中的图形符号表示（A）

A、电阻功率为1/4WB、电阻功率为1/2WC、电阻功率为1WD、电阻功率为2W

74、电阻器中RT表示（A）

A、碳膜电阻器B、金属膜电阻器C、合成膜电阻器D、线绕电阻器

75、用500型万用表R×100档测量检波二极管BG31的正、反向电阻值，其正常值应为（C）

A、20Ω、20ΩB、300Ω、300ΩC、300Ω、3kΩD、3kΩ、3kΩ

76、输出函数特性为C型的电位器为（C）。

A、直线式电位器B、指数式电位器C、对数式电位器D、正弦波式电位器

77、字母CT表示（C）。

A、涤纶电容器B、高频瓷介电容器C、低频瓷介电容器D、金属化纸介质电容器

78、用万用表测量二极管的极性时，万用表的量程应选择（C）。

A、R×10K档B、R×10档C、R×100档或R×1K档D、R×1档

79、装配件连接后螺钉露出表面正确为（C）。

A、与表面平齐B、5-10牙C、2－3牙D、15-20牙

80、一般性元器件引线再处理（浸锡）需用的焊剂（C）。

A、201焊剂B、202焊剂C、松香焊剂D、酒精

81、松香焊剂的溶剂是（A）。

A、酒精B、香蕉水C、汽油D、丙酮

82、玻璃蓝油墨的稀释剂是（A）。

A、松节油B、香蕉水C、汽油D、酒精

83、紧固漆的稀释剂是（B）。

A、丙酮B、香蕉水C、汽油D、酒精

84、X98-1缩醛胶的稀释剂是（B）。

A、丙酮B、乙醇C、汽油D、酒精

85、镀银的涂覆标记是（A）。

A、D.AgB、D.CrC、D.ZnD、D.Cu

86、镀镍的涂覆标记是（D）。

A、D.AgB、D.CrC、D.ZnD、D.Ni

87、图号LL4.123.081JL是（A）。

A、整件接线图B、部件接线图C、零件接线图D、整件装配图

88、3.9千欧等于（D）。

A、0.39兆欧B、39欧C、390欧D、3900欧

89、2兆欧等于（C）。

A、20千欧B、200千欧C、2×106欧D、2×105欧

90、1.0微法等于（C）。

A、1×10－2法拉B、1×10－4法拉C、1×10－6法拉D、1×10－12法拉

91、2.2微亨等于（C）。

A、22×10－2毫亨B、22×10－3毫亨C、22×10－4毫亨D、22×10－5毫亨

92、0.5安培等于（C）。

A、5毫安B、50毫安C、500毫安D、5000毫安

93、500伏等于（C）。

A、50千伏B、5千伏C、0.5千伏D、0.05千伏

94、6.8KΩ±5％用四道色环表示为（A）。

A、蓝灰红金B、绿灰橙金C、蓝灰橙银D、蓝紫红金

95、39Ω±1％用五道色环表示为（B）。

A、橙白金金棕B、橙白黑金棕C、橙白黑黑棕D、橙白黑银棕

96、场效应管的漏极用英文字母（C）表示。

A、SB、GC、DD、V

97、三极管的发射极用英文字母（C）表示。

A、BB、CC、ED、S

98、英文字母SMT表示（C）。

A、表面贴装元件B、通用孔插装C、表面贴装技术D、贴片机

99、聚氯乙稀绝缘同轴射频电缆用（C）表示。

A、SXV-300B、SED、H75C、SYV-75D、SZFY75

100、有些可靠性要求很高的电子产品要进行特殊试验是（C）。

A、跌落试验B、高湿试验C、例行试验D、冲击试验

101、纸介电容器用英文字母（C）表示。

A、CCB、CTC、CZD、CD

102、单相半波整流电路输出电压的平均值（D）。

A、0.707U2B、0.9U2C、1.414U2D、0.45U2

103、OCL功率放大电路的VCC=VEE=24V、RL=8Ω，该电路的最大输出功率Pom是（B）。

A、72WB、36WC、18WD、9W

104、提高放大器的输入电阻和稳定输出电流，则应选用（C）。

A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈

105、共发射极放大器的高频特性和输出电压与输入电压的相位分别是（D）。

A、好，uo与ui同相B、差，uo与ui同相

C、好，uo与ui反相D、差，uo与ui反相

109、NTC热敏电阻，PTC热敏电阻的温度特性是（B）。

A、均是负温度系数B、NTC、是负温度系数；PTC、是正温度系数

C、均是正温度系数D、NTC、是正温度系数；PTC、是负温度系数

110、软磁材料的特点是（B）。

A、高导磁率、高矫顽力B、高导磁率、低矫顽力

C、低导磁率、低矫顽力D、低导磁率、高矫顽力

111、指针式万用表置R×1K档，用黑表笔接三极管某一极，红表笔分别碰另外两极，若两次电阻均小，判别三极管类型和黑表笔接管脚（C）。

A、NPN型、黑表笔接管脚是集电极B、PNP型、黑表笔接管脚是集电极

C、NPN型、黑表笔接管脚是基极D、PNP型、黑表笔接管脚是基极

112、晶体三极管3DG12的材料和极性是（D）。

A、PNP型，锗材料B、NPN型，锗材料C、PNP型，硅材料D、NPN型，硅材料

113、晶体三极管3DA的器件类别是（B）。

A、低频小功率管B、高频大功率管C、高频小功率管D、低频大功率管

114、晶体二极管2AP9的材料和极性是（B）。

A、P型，锗材料B、N型，锗材料C、N型，硅材料D、P型，硅材料

115、硅晶体二极管与锗晶体二极管的导通压降分别为（A）。

A、0.7V；0.3VB、0.2V；0.3VC、0.3V；0.7VD、0.7V；0.6V

116、单相全波整流电路输出电压的平均值（B）。

A、0.707U2B、0.9U2C、1.414U2D、0.45U2

117、晶体三极管的E、B、C三个极分别叫做（C）。

A、发射极、集电极、基极B、集电极、发射极、基极

C、发射极、基极、集电极D、基极、发射极、集电极

118、晶体三极管的共发射极电路发射极电流（IE）、集电极电流（IC）、基极电流（IB）三者之间应满足（B）。

A、IC=IE+IBB、IE=IB+ICC、IB=IE+ICD、IE=IC–IB

119、晶体三极管的共发射极电路在放大状态时，β等于（C）。

A、β=IE/IBB、β=IC/IEC、β=IC/IBD、β=IE/IC

120、晶体三极管的共基极电流放大系数α等于（B）。

A、α=IE/IBB、α=IC/IBC、α=IC/IED、α=IE/IC

121、共发射极基本放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro分别为（A）。

A、RB//rbe;RCB、RE//rbe;RCC、RB//rbe;RED、RE//rbe;RE

122、共射极电流放大系数β与共基极电流放大系数α之间满足关系式（B）。

A、α=1+β/1-βB、α=β/1+βC、α=1-β/1+βD、α=1+β/β

123、共集电极电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro分别（A）。

A、高;低B、高;高C、低;高D、低;低

124、共基极电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro分别（C）。

A、高;低B、高;高C、低;高D、低;低

125、阻容耦合多级放器能传递或放大（D）。

A、直流信号和交流信号B、直流信号C、直流信号和变化缓慢的交流信号D、交流信号

126、变压器耦合多级放器只能传递或放大（D）。

A、直流信号和交流信号B、直流信号C、直流信号和变化缓慢的交流信号D、交流信号

127、OTL功率放大电路的VCC=24V、RL=8Ω，该电路的最大输出功率Pom是（C）。

A、72WB、36WC、18WD、9W

128、直接耦合多级放器存在现象（B）。

A、只能通高频信号B、零点漂移C、只能通直流信号D、只能通交流信号

139、结型场效应晶体管根据结构不同分为（A）。

A、P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

B、P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管

C、N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

D、N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管

130、绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（B）。

A、P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管

B、增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管

C、N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管

D、N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

131、场效应晶体管与晶体三极管比较，其突出优点是（C）。

A、噪声低、输入阻抗低B、热稳定性好、输入阻抗低

C、噪声低、输入阻抗高D、噪声低、热稳定性差

132、集成运放的开环电压增益非常高，这些参数接近理想化的程度。

（A）。

A、输入电阻很大，输出电阻很小B、输入电阻输出电阻均很大

C、输入电阻很小，输出电阻很大D、输入电阻输出电阻均很小

133、提高放大器的输入电阻和稳定输出电压，则应选用（A）。

A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈

134、反向比例电路输出电压与输入电压的关系是（D）。

A、uo=-ui/RfB、uo=（Rf/R1）×uiC、uo=ui/RfD、uo=-（Rf/R1）×ui

135、同向比例电路输出电压与输入电压的关系是（B）。

A、uo=（Rf/R1）×uiB、uo=（1+Rf/R1）×uiC、uo=-（Rf/R1）×uiD、uo=-（1+Rf/R1）×ui

136、加法运算电路，当R1=R2=Rf时输出电压与输入电压的关系是（D）。

A、uo=Rf/R1B、uo=（ui1+ui2）C、uo=ui/RfD、uo=-（ui1+ui2）

137、减法运算电路，当R1=Rf时输出电压与输入电压的关系是（A）。

A、uo=-（ui1-ui2）B、uo=ui1+ui2C、uo=ui1-ui2D、uo=-（ui1+ui2）

138、（D）型片式电感器具有磁漏。

A、编织B、薄膜C、叠层D、线绕

139、共集电极放大器的高频特性和输出电压与输入电压的相位分别是（A）。

A、好，uo与ui同相B、差，uo与ui同相C、好，uo与ui反相D、差，uo与ui反相

140、共基极放大器的高频特性和输出电压与输入电压的相位分别是（A）。

A、好，uo与ui同相B、差，uo与ui同相C、好，uo与ui反相D、差，uo与ui反相

141、磁盘和磁带都属于计算机的（A）。

A、外围设备的辅助存储器B、输入设备C、主机的主存储器D、中央处理器

142、计算机按其规模可分为（A）。

A、巨型机、大型机、中型机、小型机和微型机B、巨型机、大型机、中型机、小型机和单片机

C、巨型机、大型机、中型机、小型机和单片机D、巨型机、大型机、中型机、小型机

143、阴极射线发光是由（C）产生的。

A、加热B、受紫外线照射C、电子束轰击D、反射

144、压控振荡器的频率覆盖函数的含义是（A）。

A、fmax除以fmin的值B、fmax减fmin的值C、fmax到fmin的范围D、fmax与fmin的乘积

145、超导材料的临界电流是指（