国家自然科学奖推荐书中国科学院物理研究所Word文件下载.docx
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由单一芯片直接发出白光一直是国际上的研究热点。
本项目提出了用量子点实现单芯片白光LED的方法。
关键点是在蓝光LED结构中，插入了InGaN应力予置层，从而促使量子阱InGaN发生相分离，形成富In的量子点。
量子点发出黄光，其与量子阱的其它部分发出的蓝光混合成白光。
高分辨透射电镜研究证实了富In量子点的存在。
电熒光实验指出，黄、藍光强度比不隨注入电流变化，这对实际应用很重要。
CompoundSemiconductor杂志在“ResearchReview”专栏进行了报道。
著名学者,金属有机化合物汽相淀积发明人G.B.Stringfellow教授在评論文章中评价用InGaN的相分离获得白光发射的方案很有前途，并认为用应力予置层促使相分离的方法是非常新颖和有希望的。
【他引8】。
3）开创性地发展了研究薄膜表面局部应力及计算膜中位错密度的新方法
将微区喇曼光谱扫描成象定量分析用于研究异质薄膜生长中普遍存在的表面十字网格，澄清了对其起因的争论，判明了是由失配位错引起的应力所产生。
国际上对用该测量方法研究局部应力的有效性及实验结果予以了充分的肯定【他引5、7】。
首次提出了利用高倾角晶面X射线衍射摇摆曲线与Φ扫描曲线宽度平均值来测量GaN外延薄膜扭转角和位错密度的方法。
避免了以往繁琐的计算和模拟，得到了国际上的认同和普遍使用【他引6】。
8篇代表性文章他引423次，单篇最高他引87次。
20篇核心论文他引总数709次。
四、客观评价（限2页）
一、用低温生长方法引入高点缺陷密度的位错吸纳层的文章发表后的第二年，德国的SiGe材料领域专家Kasper教授在评论文章中就引用了该技术：
“在晶格失配大于1％（Ge组分大于25％）时，认为用驰豫的缓冲层和非平面的表面形貌来调节应变是主要方法。
在Si衬底上生长一层弛豫的SiGe缓冲层被考虑为一个新技术，被称为虚拟衬底，其晶格常数不同于Si衬底。
用这虚拟衬底技术调节了在其上的生长层的应变。
但是，渐变组分缓冲层技术所提供的应变调节缓冲层，被穿透位错和（或）缓冲层太厚的因素所困扰。
陈等人【代表性论文1】提出了一种低温（LT）Si缓冲层的技术，即在衬底及SiGe层之间插入一高点缺陷密度的低温Si层。
结构研究指出应变集中在LT-Si层中，而不在SiGe层中，应力完全弛豫了，而且位错被抑制在厚度适中的（0.3µ
m）的SiGe层之下。
”（他引文4）。
首次肯定了高点缺陷密度的覆盖层的位错阻挡及促进应变释放的作用。
在之后的SiGe综述文章中，几乎无例外地引用并肯定了这高点缺陷密度插入层技术。
2001年出版的“半导体半金属”丛书中描述了该技术：
“最近，发展了一个能获得高质量SiGe层更有希望的技术【代表性论文2】，并且它的应用已得到验证。
在这方法中，生长SiGe缓冲层层之前，在400℃的生长温度下、在Si衬底上，淀积50nm厚的Si层，这一低温（LT）Si层会起着位错吸收体的作用，因此在这LTSi层上可以获得高质量500-nm的SiGe外延层，与用以往的梯度法获得的缓冲层相比，此方法获得的缓冲层不仅位错密度低得多，而且表面粗糙度也好得多。
在这用LT方法生长的膺衬底上制备了以p-型Ge作沟道的调制掺杂结构，报导的室温迁移率为1300cm2/Vs，这值是p-沟道SiMOSFETs中迁移率的十倍”（他引文1）。
2002年德国K.Brunner教授在发表于《ReportsonProgressinPhysics》的评述文章中“一般说，位错的形成、滑移、钉扎会引入高密度的穿透位错（109cm-2），其与淀积的SiGe层相交，劣化了它的质量。
通过渐变Ge组分的方法淀积厚的SiGe缓冲层，或者使用创新的离子注入或者低温淀积【代表性论文2】的方法形成富缺陷的Si层的技术所生长的薄的缓冲层，由此将穿透位错的密度降至典型的105cm-2”（他引文3）。
之后，2005年Y.Shiraki和A.Sakai教授发表于《SurfaceScienceReports》的长篇评述文章中，专门有一节描述低温生长方法。
文章首先评述了用梯度组分变化技术生长SiGe缓冲层的诸多不足，包括“所需厚度太厚，不仅费时费料，而且含Ge合金的热导差，影响器件性能。
”之后介绍了低温生长方法：
“为了减少层厚度及改进缓冲层的质量，【代表性论文1、2】提出了这种低温（LT）方法。
此方法中，在生长相对薄的SiGe缓冲层（约500nm）之前，在400℃的低温度下生长了一薄（比如50nm）Si层。
虽然SiGe缓冲层的厚度比组分梯度的方法薄得多，但结果发现与组分梯度方法相比较，表面粗糙度好得多，位错密度低得多，而驰豫度几乎相同，好于80％。
当Ge的组分是30％时，低温生长方法得到的表面粗糙度为1.5nm，位错密度约为105cm-2，而用组分梯度法得到的是10nm及107cm-2。
”（他引文2）。
较近期在2009年，法国I.Berbezier和A.Ronda在发表于《SurfaceScienceReports》杂志上的评论文章也引用了该技术：
“有报导提出在生长Si1-xGex（x为直接为所需之值）之前，在Si衬底上淀积一层充满点缺陷的LTSi薄层，它有效的充当了位错的成核中心。
获得了100%弛豫的0.5µ
m的Si1-xGex层（x=0.15和x=0.3），其表面平整（均方根粗糙度<
2nm），并且位错密度低（x=0.15时，<
105cm-2）
【代表性论文4】。
此方法主要是用分子束外延方法来减少驰豫的缓冲层所需的厚度。
它能使大部分位错成核在Si和LTSi的界面上，使失配位错完全钉扎在界面，从而减少淀积厚度。
”（他引文5）
二、用量子点实现了无熒光白光发射的文章发表后，著名学者,金属有机化合物汽相淀积（MOCVD）发明人G.B.Stringfellow教授在题为MicrostructuresproducedduringtheepitaxialgrowthofInGaNalloys评論文章中（他引文8）认为现在使用的获得白光的方法都有缺点，利用InGaN的相分离获得白光是很有前途的。
并认为用应力予置层来促进相分离的方法是新颖的和有希望的（arenovelandpromising）
三、有关异质外延薄膜表面十字网格的起因的研究，日本研究人员评述：
“SiGe缓冲层表面十字网格与空间变化应力场的关系已经被多种实验方法所证实。
陈等【代表性论文7】首次用微区拉曼测量观察到了这种关系，该测量方法是检测局域应力的有用工具。
”（他引文7）。
法国Berbezier教授在综评文章中指出：
“结果毫不含糊地将所有生长过程所产生的十字网格归因于失配位错，而不是由于穿透位错或组分的变化。
四、项目提出使用测得的GaN薄膜（12
）晶面的摇摆曲线和Φ扫描曲线半高宽的加权平均值，便可简单计算获得GaN外延薄膜中晶粒的扭转角的方法，英国剑桥大学著名学者Moram和Vickers在该校著名物理类杂志《ReportsonProgressinPhysics》的“Ⅲ族氮化物的X射线衍射”综述论文中三次强调该结果的科学意义和实用价值：
（1）“郑等【代表性论文8】指出对于（12
1）反射（发生在高达78.6°
χ倾角），ω-扫描及Ф-扫描二者都会给出相同的FWHM”；
（2）“非对称Ф扫描也用于测量扭转角（样品在晶片的法线附近摆动）。
这里，使用与倾斜对称ω扫描相同的条件探测衍射斑点【代表性论文8】”；
（3）“公式4.7最近被用来计算III族氮化物的刃位错及螺位错密度，式中的半高宽符号β采用了（0002）反射的ω扫描（10
2）
【代表性论文8】或（12
1）反射的FWHM值。
”并指出这是一个好的表征方法（他引文6）
五、论文专著目录
1.代表性论文专著目录（不超过8篇）
序号
论文专著名称/刊名/作者
影响因子
年卷页码（xx年xx卷xx页）
发表时间
年月日
通讯作者
第一作者
国内作者
SCI他引次数
他引总次数
知识产权是否归国内所有
1
Low-temperaturebufferlayerforgrowthofalow-dislocation-densitySiGelayeronSibymolecular-beamEpitaxy/JOURNALOFAPPLIEDPHYSICS/H.Chen,L.WGuo,Q.Cui,Q.Huang,J.M.Zhou.
2.185
1996年
79卷
1167页
01月
15日
陈弘
陈弘、郭丽伟、崔堑、黄绮、周均铭.
82
87
是
2
RelaxedSi0.7Ge0.3layersgrownonlow-temperatureSibufferswithlowthreadingdislocationdensity/APPLIEDPHYSICSLETTERS/J.H.Li,C.S.Peng,Y.Wu,D.Y.Dai,J.M.Zhou,Z.H.Mai
3.551
1997年
71卷
3132页
1997年11月
24日
李建华
李建华、彭长四、吴英、戴道扬、周均铭、麦振洪
74
76
3
RelaxedGe0.9Si0.1alloylayerswithlowthreadingdislocationdensitiesgrownonlow-temperatureSibuffers/APPLIEDPHYSICSLETTERS/C.S.Peng,Z.Y.Zhao,H.Chen,J.H.Li,Y.K.Li,L.W.Guo,D.Y.Dai,Q.Huang,J.M.Zhou,Y.H.Zhang,T.T.Sheng,C.H.Tung
1998年
72卷
3160页
06月
彭长四
彭长四、陈弘、李建华、李永康、郭丽伟、戴道扬、黄绮、周均铭
48
52
4
StrainrelaxationofSiGealloywithlowdislocationdensitygrownonlow-temperatureSibuffers/JOURNALOFCRYSTALGROWTH/C.S.Peng,H.Chen,Z.Y.Zhao,J.H.Li,D.Y.Dai,Q.Huang,J.M.Zhou,Y.H.Zhang,C.H.Tung,T.T.Sheng,J.Wang
1.693
1999年
201/202卷
530页
5月
彭长四、陈弘、赵贞勇、李建华、戴道扬、黄绮、周均铭
16
22
5
Whitelight-emittingdiodesbasedonasingleInGaNemissionlayer/AppliedPhysicsLetters/X.H.Wang,H.Q.Jia,L.W.Guo,Z.G.Xing,Y.Wang,X.J.Pei,J.M.Zhou,andH.Chen
2007年91卷1912页
2007年10月18日
王晓晖
王晓晖、贾海强、郭丽伟、邢志刚、汪洋、裴晓将、周均铭、陈弘
20
23
6
RecentProgressinGaN-BasedLight-EmittingDiodes/Advancedmaterials/HaiqiangJia,LiweiGuo,WenxinWang,andHongChen
17.493
2009年21卷
4641页
2009年
08月15日
贾海强
贾海强、郭丽伟、王文新、陈弘
54
7
CrosshatchingonaSiGefilmgrownonaSi（001）substratestudiedbyRamanmappingandatomicforcemicroscopy/PHYSICALREVIEWB/H.Chen,Y.K.Li,C.S.Peng,H.F.Liu,Y.L.Liu,Q.Huang,J.M.Zhou,Qi-KunXue
3.664
2002年
65卷
233303页
陈弘、李永康、彭长四、刘洪飞、黄绮、周均铭、薛其坤.
55
64
8
Determinationoftwistangleofin-planemosaicspreadofGaNfilmsbyhigh-resolutionX-raydiffraction/JOURNALOFCRYSTALGROWTH/X.H.Zheng,H.Chen,Z.B.Yan,Y.J.Han,H.B.Yu,D.S.Li,Q.Huang,J.M.Zhou
2003年
255卷
63页
07月
郑新和
郑新和、陈弘、严振斌、韩英军、于洪波、李东昇、黄绮、周均铭
40
45
补充说明（视情填写）：
承诺：
上述论文专著用于推荐国家自然科学奖的情况，已征得未列入项目主要完成人的作者的同意。
知识产权归国内所有，且不存在争议。
第一完成人签名：
六、主要完成人情况表
陈弘：
该项目的负责人和主要完成人之一，主要学术思想的提出者。
在理型的建立、总体实验的构思和实验结果的分析等方面进行了系统的工作。
对重要发现
（一）发明了利用高点缺陷密度覆盖层的高效阻挡位错的独特技术
（二）首次用量子点实现了单芯片白光LED这一国际上的研究热点（三）开创了研究外延膜表面局部应力及计算外延膜中位错密度的新方法三项都有重要贡献。
代表性论文1、7的第一作者和通讯作者，5、6的通讯作者，代表性论文3、4、7、8的作者。
本人在该项目研究中占本人工作量的百分之八十。
彭长四：
该项目的主要完成人之一。
在如下工作中，理论模型的建立、实验的构思和实验结果的分析等方面进行了系统的工作，对重要发现的
（一）发明了利用高点缺陷密度覆盖层的高效阻挡位错的独特技术有重要贡献。
代表性论文3、4的第一作者和通讯作者及代表性论文2、7的作者。
本人在该项研究中的工作量占本人工作量的百分之八十。
郑新和：
本人是该项目的主要完成人之一。
在大失配异质外延薄膜的结构分析、缺陷密度计算，尤其是外延薄膜马赛克结构的扭转角方面进行了细致的实验分析工作。
对第二项重要发现中根据外延薄膜90度倾角时X射线衍射中的摇摆和Phi扫描曲线宽化相同的发现提出了直接测量c面氮化镓薄膜的扭转角并计算位错密度有重要贡献。
代表性论文8的第一作者和通讯作者。
本人在该项研究中的工作量占本人工作量的百分之九十。
贾海强：
在“首次用量子点实现了单芯片白光LED这一国际上的研究热点”这项成果方面做出了重要贡献，包括材料生长、器件制作及物性研究。
是代表性论文6的第一作者和代表性论文5的作者。
周均铭：
该项目的负责人和主要完成人之一。
对重要发现的
（一）发明了利用高点缺陷密度覆盖层的高效阻挡位错的独特技术
（二）首次用量子点实现了单芯片白光LED这一国际上的研究热点及（三）开创了研究外延膜表面局部应力及计算外延膜中位错密度的新方法三项都有重要贡献。
是代表性论文1至7的作者。
七、完成人合作关系说明
本项目是在中国科学院物理研究所的半导体量子阱和异质结构研究组内合作完成的，五位完成人中四人是项目完成期间研究组的正式成员，其中一人是研究组内博士后。
项目共由三个科学发现成果组成。
第一项科学发现成果中的一篇合著论文，即代表性论文1由第一、五完成人陈弘、周均铭二人合作完成，合作时间为1995年6月至1996年1月；
这项成果中的代表性论文2由第二完成人彭长四和周均铭合作完成，合作时间为1997年1月至1997年11月；
这项成果中的代表性论文3、4由完成人陈弘、彭长四、周均铭合作完成，合作时间为1998年1月至1999年5月。
周均铭是当时研究组组长，陈弘和彭长四是研究组正式成员。
第二项科学发现成果中的代表性论文5，由第一、四、五完成人陈弘、贾海强、周均铭三人合作完成，合作时间为2007年1月至2007年10月；
代表性论文6由完成人陈弘、贾海强合作完成，合作时间为2009年1月至2009年8月。
陈弘是研究组组长，贾海强和周均铭是研究组正式成员。
第三项科学发现成果中的代表性论文7由第一、二、五完成人陈弘、彭长四、和周均铭三人合作完成，合作时间为2001年5月至2002年6月，由第一、三、五完成人陈弘、郑新和、周均铭三人合作，合作时间为2002年1月至2003年7月，合作产出是代表性论文8，郑新和当时是周均铭的博士后，周均铭是当时研究组组长，陈弘和彭长四是研究组正式成员。
第一完成人签名：
完成人合作关系情况汇总表
合作方式
合作者/
项目排名
合作时间
合作成果
证明材料
备注
论文合著
陈弘/1、周均铭/5
1995年6月至1996年1月
Low-temperaturebufferlayerforgrowthofalow-dislocation-densitySiGelayeronSibymolecular-beamEpitaxy
代表性论文1
彭长四/2、周均铭/5
1997年1月至11月
RelaxedSi0.7Ge0.3layersgrownonlow-temperatureSibufferswithlowthreadingdislocationdensity
代表性论文2
陈弘/1、彭长四/2、周均铭/5
1998年1月至1999年5月
RelaxedGe0.9Si0.1alloylayerswithlowthreadingdislocationdensitiesgrownonlow-temperatureSibuffers
StrainrelaxationofSiGealloywithlowdislocationdensitygrownonlow-temperatureSibuffers
代表性论文3、4
4
陈弘/1、贾海强/4、周均铭/5
2007年1月至2007年10月
Whitelight-emittingdiodesbasedonasingleInGaNemissionlayer
代表性论文5
5
陈弘/1、贾海强/4
2009年1月至2009年8月
RecentProgressinGaN-BasedLight-EmittingDiodes
代表性论文6
6
2001年5月至2002年6月
CrosshatchingonaSiGefilmgrownonaSi（001）substratestudiedbyRamanmappingandatomicforcemicroscopy
代表性论文7
7
陈弘/1、郑新和/3、周均铭/5
2002年1月至2003年7月
Determinationoftwistangleofin-planemosaicspreadofGaNfilmsbyhigh-resolutionX-raydiffraction
代表性论文8
本人作为项目第一完成人，对本项目完成人合作关系及上述内容的真实性负责，特此声明。
八、推荐专家介绍
汪卫华：
工作单位：
中国科学院物理研究所
职称：
研究员
学科专业：
材料科学
薛其坤：
清华大学
教授
陆卫：
中国科学院上海技术物理研究所
升级会员 