数电自测题69章Word文件下载.docx
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是（）。
①0011；
②1011；
③1101；
④1110
10.设计一个能存放8位二进制代码的寄存器，需要（）个触发器。
①8；
②4；
③3；
④2
11.一个4位移位寄存器原来的状态为0000，如果串行输入始终为1，则经过4个移位脉冲后寄存器的内容为（）。
①0001；
②0111；
③1110；
④1111
12.用触发器设计一个同步十七进制计数器所需要的触发器数目是（）。
①2；
②3；
③4；
④5
13.可以用来实现并／串转换和串／并转换的器件是（）。
①计数器；
②移位寄存器；
③存储器；
④全加器
14.在下列器件中，不属于时序逻辑电路的是（）。
③全加器；
④序列信号检测器
15．在下列功能表示方法中，不适合用于时序逻辑电路功能表示方法的是（）。
①状态转换图；
②特性方程；
③卡诺图；
④数理方程
16.可以用来暂时存放数据的器件是（）。
①计数器；
②寄存器；
17.5级最大长度移存型计数器的产生的序列信号的序列长度是（）。
①5；
②10；
③31；
④32
18.能够比较方便构成顺序脉冲信号发生器的电路是（）。
①环形计数器；
②扭环形计数器；
③移位寄存器；
8位二进制加法计数器的模值，可以实现（③1~32；
④1~256
8位十进制加法计数器的模值，可以实现（
①1~10；
②1~16；
③1~99；
④1~100
21.异步计数器设计时，比同步计数器设计多增加的设计步骤是（）。
①画原始状态转换图；
②进行状态编码；
③求时钟方程；
④求驱动方程
22.设计模值为36的计数器至少需要（）级触发器。
①3；
②4；
③5；
④6
第6章时序逻辑电路参考答案
一、填空题参考答案
1.时序逻辑电路
2.组合逻辑电路；
存储电路（即触发器）
3.特性表；
特性方程；
状态转换图；
时序图
4.同步时序逻辑电路；
异步时序逻辑电路
5.寄存器
N-1
6.N；
2×
N；
2N-1
7.同步计数器
8.3；
6
9.4
10.256
11．100
12.复杂；
快
13．5221BCD
14.保存数据；
构成移存型计数器；
实现并／串转换和串／并转换15．同步计数器；
异步计数器
16.256
17.反馈复位（清零）；
反馈置数
18．256
19．1000
20.7
二、单向选择题参考答案
1．④；
2.③；
3.②；
4.④；
5.②；
6.②；
7.②；
8.③；
9.②；
10.①；
11．④；
12.④；
13.②；
14.③；
15.④；
16.②；
17.③；
18．①；
19.④；
20.④；
21．③；
22.④。
第7章.半导体器件和可编程器件
一、填空题
1.时序逻辑电路主要由和组成。
2.随机存取存储器RAM有和两种类型。
3.只读存储器ROM有、和等类型。
4.半导体存储器的结构包括、和等组成部分。
5.构成半导体存储器中一个字的二进制位数称为。
6.已知Intel2114是1K×
4位的RAM集成电路芯片，它有地址线条，数据线条。
7.已知Intel2732是4K×
8的ROM集成电路芯片，它有地址线条，数据线条。
8.ROM和PLA在结构上都有一个阵列和一个阵列。
9.ROM和PLA在结构上的区别，主要是ROM的与阵列编程；
而PLA的与阵列编程。
10.一片8K×
8位的ROM存储器有个字，字长为位。
11.存储器的两个基本操作是和。
12.动态存储器DRAM的优点是、，其缺点是。
13.半导体存储器对存储单元的寻址一般有和两种方式。
14.有10条地址线的半导体存储器芯片，若采用字译码方式，则有条存储单元选择线控制线；
若采用矩阵译码，则有条存储单元选择线控制线。
15.对RAM存储器进行读／写操作时，应向存储器芯片送出和控制信号。
16.动态存储器芯片存储的信息会丢失，使用时必须对芯片进行。
17.半导体存储器是一种的半导体器件。
18.
在一片存储器芯片的存储容量不够用时，可以采用方法将多片存储器芯片组合起来。
1.在下列电路中，不属于时序逻辑电路的器件是（）。
②移位寄存器；
③半导体随机存储器RAM；
④半导体只读存储器ROM
2.在使用中需要定时刷新的半导体器件是（）。
①PROM；
②DRAM；
③PLA；
④SRAM
3.在结构上与存储阵列和或存储阵列都能编程的器件是（）。
②RAM；
④EPROM
4.在下列器件中，不属于组合逻辑电路的是（）。
②EPROM；
③组合PLA；
5.如果构成半导体存储器中一个字的二进制位数是16，则字的长度可以称为（）
①字节；
②字；
③双字；
④BYTE
6.己知Intel2716是2K×
8位的EPROM集成电路芯片，它的地址线和数据线分别为（）条。
①10和4；
②10和8；
③1和4；
④11和8
7.已知某存储器芯片有地址线12条地址，有数据线8条，则该存储器的存储容量是（）位。
①1024×
8；
②4096×
4；
③2048×
④4096X×
8
8.ROM和PLA在结构上的相同之处是都有一个可编程的（）。
①与阵列；
②或阵列；
③与非阵列；
④或非阵列
9.将Intel2114（1K×
4位）RAM扩展成为16KX8位的存储器，需要Intel2114芯片的片数以及需要增加的地址线条数分别为（）。
①16片和3条；
②32片和4条；
③64片和5条；
④128片和6条
①触发器；
②MOS管的输入电容；
③MOS管的输入电阻；
④RC电路
）条存储单元选择线控制线。
13.有10条地址线的半导体存储电器芯片，若采用字译码方式，则有（
①1024；
②2048；
③32；
④64
14.有10条地址线的半导体存储器芯片，若采用矩阵译码方式，则有（
15.对RAM存储器进行读操作时，应向存储器芯片送出（）控制信号
CS1和WE0；
④CS1和WE1
①CS0和WE0；
②CS0和WE1；
③
16．对RAM存储器进行写操作时，应向存储器芯片送出（）控制信号。
①CS0和WE0；
②CS0和WE1；
③CS1和WE0；
④CS1和WE117.用ROM设计时序逻辑电路时，还需增加（）。
①晶体管；
②逻辑门；
③与非门；
④触发器
18.具有N个存储单元所组成的存储器，需要地址位数是（）。
①N；
②log2N；
③N/2；
④N×
8
19.随机存储器RAM是指（）
①存储单元中所存信息是随机的；
②存储单元中的地址是随机的；
③程序和数据可随机地放在内存的任何地方；
④存储器中存取操作是随机的。
20.己知某存储器采用矩阵译码，存储器芯片地址为10位，行地址和列地址分别占6条和4条，则矩阵译码后共有
地址选择控制线为（）条。
①24+26；
②210；
③210-1；
④2×
（6+4）
第7章.半导体器件和可编程器件参考答案一、填空题
1.组合逻辑电路；
2.静态RAM（SRAM）；
动态RAM（DRAM）
3.掩模ROM；
PROM；
EPROM
4.地址译码器；
存储体；
输出控制电路
5.字长
6.10；
4
7.12；
8.与或
9.不可；
可以
10.8192；
11.读；
写
12.存储容量大；
功耗低；
控制电路复杂
13.字译码；
矩阵译码
14.1024；
6415.CS；
WE（或WR）
16.定时刷新
17．存储大量数据或信号
18．扩展
1.④；
2.②；
3.③；
4.④；
5.②；
6.④；
7.④；
8.①；
9.②；
10.②；
11.①：
12.②；
13.①；
14.④；
15.②；
16.①；
17.④；
18.②；
19.④；
20.①；
第8章、脉冲的产生与变换
1.脉冲单元电路主要有、和。
2.多谐振荡器是；
施密特触发器和单稳态触发器是。
3.石英晶体多谐振荡器可以产生的时钟脉冲。
4.施密特触发器的回差的主要作用是。
5.单稳态触发器具有一个和一个。
6.需要将缓慢变化的三角波信号转换成矩形波，则采用电路。
7.对于微分型单稳态电路，正常工作时其输入脉冲宽度应输出脉冲宽度。
8.将CB555的VI1端和VI2端连接起来即可构成。
9.用TTL非门（或者与非门）构成的环形振荡器，环接的门的个数N应满足，否则电路将不能正常工作。
10.石英晶体多谐振荡器的振荡频率仅决定于晶体本身的，而与电路中数值无关。
11.欲把输入的正弦波信号转换成同频的矩形波信号，可采用电路。
12.常用脉冲整形电路有和两种。
13.
施密特触发器有个稳定状态，多谐振荡器有个稳定状态。
6.能把缓变输入信号转换成矩形波的电路是（）。
①单稳态触发器；
②多谐振荡器；
③施密特触发器；
④边沿触发器
7.利用门电路的传输时间，可以把（）个与非门首尾相接，组成多谐振荡器。
②7；
③6；
④4
8.如图8.1所示的由555定时器组成的电路是（）。
①施密特触发器；
②单稳态触发器；
③双稳态触发器；
④多谐振荡器；
第8章、脉冲的产生与变换参考答案
1.多谐振荡器；
施密特触发器；
单稳态触发器。
2.脉冲产生电路；
脉冲整形电路
3.高稳定度
4.提高抗干扰能力
5.稳触；
暂稳态
6.施密特触发器
7.小于
8.施密特触发器
9.大于等于3的奇数
10.谐振频率RC
11．施密特触发器
12.单稳态触发器；
施密特触发器
13．2；
0
1．③；
2.②；
4.②；
6.③；
7.②；
8.④；
第9章、数模与模数转换
一、填空题；
；
1.数模转换电路是由、、和构成。
2.常用转换精度；
转换速度的数模转换电路是倒T型A/D转换器。
3.D/A和A/D转换器的主要技术指标是和；
。
4.若n是输入信号的有效位数，则D/A转换器的分辨率是。
5.A/D转换器电路是由、、和电路构成。
6.若fs是取样频率，fimax是输入信号的最大频率，则取样保持定理是。
7.若n是输出信号的有效位数，则A/D转换器电路的分解度是。
8.常用的A/D转换电路是A/D转换器。
9.一个倒T网络的10位D/A转换器，VREF＝+5V，Rf＝2R，则当D＝（010l010100）2时，对应的输出电压Vo＝。
10.一个10位D/A转换器的每个量化阶梯表示0.025V电压，则它最大能表示V电压。
11.一个8位D/A转换器，当输入为10000001时输出电压为5V，则输入为01010000时，输出电压为V。
12.T型电阻D/A转换器的转换速度比倒置T型电阻D/A转换器的。
13．以输出二进制代码的位数表示分解度的好坏，位数越多，说明量化误差，转换精度。
14.若一个8位位逐次比较型D/A转换器，其VREF＝-10V，则当输入3.75V时，结果（二进码）为，当输入为2.5V时，结果又为。
15.若一个14位D/A转换器的满刻度输出电压为VOmax＝l0V，当输入D＝（10111010101111）2时，输出电压为V。
16.逐次渐近型A/D转换器由、、逐次渐近寄存器和时钟信号等5部分组成。
17.在A/D转换器中，己知△是量化单位，若采用“只舍不取”方法划分量化电平，则量化误差为；
若采用“有
舍有取”方法划分量化电平，则量化误差为.
18.在3位二进制A/D转换器中，己知最大输入模拟电压为10V,△是量化单位，并采用“只舍不取”方法划分量化
电平，则1△代表的量化电压为V。
1.在权电阻网络、T型和倒T型等类型D/A转换器中，倒T型D/A转换器动态过程中输出端的尖峰脉冲（）。
①最小；
②最大；
③居中；
④偏大
2.在8位D/A转换器中，其分辨率是（）。
①1/8；
②1/256；
③1/255；
④1/2
3.在逐次渐近型ADC转换器的组成部分中（）。
①不包含D/A转换器；
②不包含比较器；
③包含D/A转换器；
④不包含参考电源
4.衡量A/D和D/A转换器性能优劣主要指标是（）。
①分解度；
②线性度；
③功率消耗；
④转换精度和转换速度
5.在构成D/A转换器的电路中，不属于D/A转换器组成部分的是（）。
①数码锁存器；
②电子开关；
③电阻网络；
④译码器
6.常用的D/A转换电路是（3）。
①权电阻D/A转换器；
②T型D/A转换器；
③倒T型D/A转换器；
④开关树型D/A转换器
7.3位十进制（BCD编码）D/A转换器的分辨率是（）。
①1/3；
②1/10；
③1/999；
④1/1000
8.10位二进制D/A转换器的分辨率是（）。
①1/10；
②1/100；
③1/1023；
④1/1024
9.不属于A/D转换器电路组成部分的电路是（）。
①取样一保持电路；
②量化电路；
③编码电路；
④译码电路
10.在A/D转换器电路中，若输入信号的最大频率为l0kHz,则取样脉冲的频率至少应大于（）kHz.
③20；
④30
11．10位二进制A/D转换器的分辨率是（）。
12.常用的A/D转换电路是（）A/D转换器。
①逐次渐近型；
②双积分型；
③并联型；
④V-F型
13.一个倒T网络的10位D/A转换器的最小输出电压为0.01Vl则当D=（）2时，对应的输出电压Vo为（）V.①7.72；
②8.56；
③9.64；
④10.25
14.已知一个8位二进制D/A转换器的输出阶梯电压V0＝0.02V电压，则它的最大输出电压为（）V。
①5.12；
②20.48；
③20.46；
④5.1
15.已知一个3位十进制（BCD编码）D/A转换器的输出阶梯电压V0=0.01V,则它的最大输出电压为（）V.
①10.0；
②9.99；
③8.0；
④7.0
16.在下列A/D转换器类型中，转换速度最快的是（）转换器。
②双积分型；
17.若一个10位逐次渐近型二进制A/D转换器的基准电压VREF＝-10.24V，则当输入为2.56V时，结果（二进码）为（）。
①010*******；
②1100000000；
③1000000000；
④010*******
18.若一个10位二进制D/A转换器的满刻度输出电压为Vomax＝10.23V，当输入D=（1100000010）2时，输出电压为（3）V.
①2.56；
②5.12；
③7.7；
④8.58
19.己知TCP是8位逐次渐近型A/D转换器的输入时钟周期，则完成一次转换需要的时间是（）TCP。
）△。
①8；
②9；
③10；
④11
20.在A/D转换器中，已知△是量化单位，若采用“有舍有取”方法划分量化电平，则量化误差为（
①1/4；
②1/2；
③1；
第9章、数模与模数转换参考答案
1.
数码锁存器；
电子开关；
电阻网络和求和电路
2.
倒T型A/D转换器
3.
转换精度；
转换速度
4.
1／（2n一1）
取样；
保持；
量化；
编码
6.
fs≥2fimax
7.
n
1/2
8．
逐次渐近型
9.
-3.32V
10.
25.575
11
．3.10
12.
慢
越小；
越高
14.
01100000；
01000000
15
．7.297
16.
电压比较器；
D/A转换器；
控制逻辑电路
17.
△/2
18
．10/8
1．①；
2.③；
5.④；
6.③；
7.③；
8.③；
9.④；
10.③；
11．④；
12.①；
14．④；
16.③；
17.①；
18.③；
19.①；
20.②
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