NaI晶体谱仪和γ全能谱分析338Word格式文档下载.docx
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关于NaI(Tl)单晶闪烁体而言,其发射光谱最强的波长是415nm的蓝紫光,其强度反映了进人闪烁体内的带电粒子能量的大小。
二、γ射线与物质的彼此作用
图9-1-1γ射线光子与物质原子相互作用
γ射线光子与物质原子彼此作用的机制要紧有以下三种方式,如图9-1-1所示。
(1)光电效应
当能量为Eγ的入射γ光子与物质中原子的束缚电子彼此作历时,光子能够把全数能量转移给某个束缚电子,使电子离开原子束缚而发射出去,光子本身消失。
发射出去的电子称为光电子,这种进程称为光电效应。
发射光电子的动能为
(9-1-1)
Bi为束缚电子所在壳层的结合能。
原子内层电子离开原子后留下空位形成激发原子,其外部壳层的电子会填补空位并放出特点X射线。
这种X射线在闪烁体内很容易再产生一次新的光电效应,将能量又转移给光电子,因此闪烁体取得的能量是两次光电效应产生的光电子能量之和。
(2)康普顿效应
γ光子与自由静止的电子发生碰撞,将一部份能量转移给电子,使电子成为反冲电子,γ光子被散射,改变了原先的能量和方向。
反冲电子的动能为
(9-1-2)
式中
为电子静止能量,约为;
角度θ是散射光子的散射角。
当
时(即光子向后散射,又称为反散射),反冲电子的动能有最大值,现在
(9-1-3)
这说明康普顿效应产生的反冲电子的能量有一上限最大值,称为康普顿边界。
(3)电子对效应
当γ光子能量大于2
时,γ光子从原子核旁通过并受到核的库仑场作用,可能转化为一个正电子和一个负电子,称为电子对效应。
此光阴子能量可表示为两个电子的动能与静止能量之和
(9-1-4)
综上所述,γ光子与物质相遇时,通过与物质原子发生光电效应、康普顿效应或电子对效应而损失能量,其结果是产生次级带电粒子,如光电子、反冲电子或正负电子对。
次级带电粒子的能量与入射γ光子的能量直接相关,因此,可通过测量次级带电粒子的能量求得γ光子的能量。
闪烁γ能谱仪正是利用γ光子与闪烁体彼此作历时产生次级带电粒子,进而由次级带电粒子引发闪烁体发射荧光光子,通过这些荧光光子的数量来推出次级带电粒子的能量,再推出γ光子的能量,以达到测量γ射线能谱的目的。
二、NaI(Tl)单晶γ闪烁能谱仪的结构与性能
图9-1-2是NaI(Tl)单晶γ闪烁能谱仪结构示用意。
一、NaI(Tl)闪烁探测器
闪烁探测器由闪烁体、光电倍增管和相应的电子仪器三个要紧部份组成。
探测器最前端是NaI(Tl)闪烁体,当射线(如γ和β)进入闪烁体时,在某一地址产生次级电子,它使闪烁体分子电离和激发,退激时发出大量光子。
在闪烁体周围包以反射物质,使光子集中向光电倍增管(具体内容参阅附录3-2-1)方向射出去。
通过光电倍增管产生输出信号,一样为电流脉冲或电压脉冲,然后通过起阻抗匹配作用的射极跟从器,由电缆将信号传输到电子检测仪器中去。
图9-1-2NaI(Tl)单晶γ闪烁能谱仪结构示用意
有历时常将闪烁体、光电倍增管、分压器及射极跟从器安装在一个暗盒中,统称探头。
探头中有时在光电倍增管周围包以起磁屏蔽作用的屏蔽筒(如本实验装置),以减弱环境中磁场的阻碍。
电子检测仪器的组成单元那么依照闪烁探测器的用途而异,经常使用的有高、低压电源、线性放大器、单道或多道脉冲幅度分析器等。
二、单道与多道脉冲幅度分析器
图9-1-4单道脉冲幅度分析原理
闪烁探测器可将入射粒子的能量转换为电压脉冲信号,而信号幅度大小与入射粒子能量成正比,因此,只要测到不同幅度的脉冲数量,也就取得了不同能量的粒子数量。
由于γ射线与物质彼此作用机制的不同,从探测器出来的脉冲幅度有大有小,单道脉冲幅度分析器就起从中“数出”某一幅度脉冲数量的作用。
单道脉冲幅度分析器里有两个甄别电压V1(此电压能够持续调剂)和V2,如图9-1-4所示。
V1和V2也称下、上甄别域,差值⊿V称为窗宽。
为保证足够的分辨率,和减小统计涨落的阻碍,窗宽的选择不能过大,也不能过小。
如此,V1和V2就像一扇窗子,低于V1或高于V2的电压信号都被挡住,只有在V1和V2之间的信号才能通过,形成输出脉冲。
进行测量时,按⊿V持续改变V1值,就可取得全数能谱。
显然,利用单道脉冲幅度分析器进行测量,既不方便也费时,因此,此刻多利用多道脉冲幅度分析器。
多道脉冲幅度分析器的作用相当于几百个单道脉冲幅度分析器,一次测量可取得整个能谱,超级方便,在本实验中就采纳这种方式。
3、NaI(Tl)单晶γ闪烁能谱仪的要紧指标
(1)能量分辨率
由于单能带电粒子在闪烁体内激发的荧光光子数有统计涨落,必然数量的荧光光子打在光电倍增管光阴极上产生的光电子数量有统计涨落,这就使同一能量的粒子产生的脉冲幅度不是同一大小,而近似为高斯(正态)散布。
能量分辨率的概念是:
(9-1-5)
由于脉冲幅度与能量有线性关系,而且脉冲幅度与多道道数成正比,故又能够写为
(9-1-6)
ΔCH为记数率极大值一半处的宽度(或称半宽度),记作FWHM(FullWidthatHalfMaximum)。
CH为记数率极大处所在道数。
显然,能量分辨率的数值越小,仪器分辨不同能量的本领就越高,而且能够证明能量
分辨率和入射粒子能量有关:
(9-1-7)
通常NaI(Tl)单晶γ闪烁能谱仪的能量分辨率以137Cs的MeV单能γ射线为标准,它的值一样是10%左右,最好可达6~7%。
(2)线性度与能量刻度
能量的线性确实是指输出的脉冲幅度与带电粒子的能量是不是有线性关系,和线性范围的大小。
图9-1-3能量刻度曲线
NaI(Tl)单晶的荧光输出在150KeV<Eγ<6MeV的范围内和射线能量是成正比的。
可是NaI(Tl)单晶γ闪烁能谱仪的线性好坏还取决于闪烁能谱仪的工作状况。
例如当射线能量较高时,由于光电倍增管后几个联极的空间电荷的阻碍,会使线性变坏。
另外,脉冲放大器线性程度也将阻碍谱仪的线性。
为了检查谱仪的线性,必需用一组已知能量的γ射线,在相同的实验条件下,别离测量出它们的光电峰位,做出能量——幅度曲线,称为能量刻度曲线(或能量校正曲线)。
如图9-1-3所示。
用最小二乘法进行线性拟合,线性度一样在以上。
对未知能量的放射源,由谱仪测出脉冲幅度后,利用这种曲线就能够够求出射线的能量。
(3)坪曲线与本底计数率
坪曲线是入射粒子强度不变时,NaI(Tl)单晶γ闪烁能谱仪的源(或全谱)计数率随工作电压转变的曲线。
本底计数率是指不加放射源时NaI(Tl)单晶γ闪烁能谱仪的全谱计数率,要紧由光电倍增管的暗电流、电子学噪声、宇宙射线及环境辐射产生,其也随工作电压的转变而转变。
在利用NaI(Tl)单晶γ闪烁能谱仪时,应第一测量坪曲线和本底计数率,然后选择源(或全谱)计数率随电压转变较小、本底计数率相对较低的工作电压。
(4)稳固性
NaI(Tl)单晶γ闪烁能谱仪的能量分辨率、线性度都与稳固性有关,因此在测量进程中,要求其各组成部份,如高压电源、放大器、多道脉冲幅度分析器等,都要具有较高的稳固性,并始终能正常工作。
三、γ射线的能谱
图9-1-5所示为137Cs的γ能谱,纵轴代表单位时刻内的脉冲数量,即射线强度,横轴道数代表脉冲幅度,即反映粒子的能量。
谱线包括三个峰和一个平台。
峰A是光电峰,也称为全能峰,这一脉冲幅度直接反映γ射线的能量,即。
闪烁探测器对的γ射线能量分辨率为%。
图9-1-5137Cs的γ能谱
平台状曲线B是康普顿效应的奉献,其待征是散射光子逃逸后留下一个能量从0到
的持续的电子谱。
峰C是反散射峰。
由γ射线透过闪烁体射在光电倍增管的光阴极上发生反散射,或γ射线在源及周围物质上发生反散射,而反散射光子进入闪烁体通过光电效应而被记录所致。
反散射峰对应的γ射线的能量为。
峰D是X射线峰,它是由137Ba的K层特点X射线奉献的。
137Cs的β衰变体137Ba的激发态,在放出内转换电子后,造成K空位,外层电子跃迁后产生此X光子。
图9-5-1粒子的动能与动量的关系
【实验装置及器材】
γ放射源60Co和137Cs;
NaI(Tl)单晶γ闪烁能谱仪;
运算机等。
【实验数据的处置与分析】
1.用137Cs源测绘坪曲线的数据处置:
测绘坪曲线数据如下表
表1坪曲线数据表(放大倍数=8)
电压/V
内容
750
800
850
全谱总计数
212352
219053
220806
将上表中数据在直角坐标系中逐点刻画的以下图:
由上图能够看出,当工作电压在700-80V之间时,具有良好的线性关系,因此在做实验时,工作电压应在700-800V之间选择,当电压大于800V时实验成效没有在700-800V之间的成效明显,现在,能谱仪能搜集到的粒子数减少。
其缘故可能是当束缚电子离开原子束缚时在高电压下有一部份粒子超出了能谱仪的搜集范围,因此全谱计数会减少。
2.本底计数率随电压转变的数据处置
本底计数率随电压转变的数据如下表
表2本底计数率随电压转变的数据表(放大倍数=8)
本底计数率
2599
2420
2508
将上表中数据在直角坐标系逐点刻画得本底计数率随电压转变的关系曲线。
将表中数据用作图法拟合,取得表中数据大体符合如下公式
将上式整理成标准形式得
由式中可知,当电压在时本底计数率最低,及外界对实验的干扰最小。
因此该电压确实是适合的电压。
实验中为了测得比较精准实验数据,就把800V作为实验电压。
3.对137Cs的r能谱光电锋位置的相关数据的处置:
137Cs的r能谱光电锋位置(电压=800V)的数据如下表
表3137Cs的r能谱光电锋位置(电压=800V)
放大倍数
7
8
9
10
位置
193
210
227
251
将上表中数据在直角坐标系中逐点刻画的以下图
用最小二乘法做线性拟合:
设道数为y,放大倍数为x,
那么y=ax+b,
=(193+210+227+251)/4=
=(7+8+9+10)/4=
=(193*7+210*8+227*9+251*10)/4=1896
=(49+64+81+100)/4=
依照公式,b=
a=
那么y=+与作图法求得的y=+大体吻合,即两种方式拟合的专门好。
由图中能够看出,光电峰的位置随电压呈线性转变的关系,即最电压的升高,137Cs的r能谱光电锋位置(道数)在增加。
而光电峰的位置即信号幅度大小,信号幅度大小与入射粒子能量成正比。
实验中测得的不同幅度的脉冲数量确实是不同能量的粒子数量。
因此,随着放大倍数的增加,入射粒子的能量在增加。
这与实验观看到的虽放大倍数的增加光电峰位置右移的现象一致。
4.用多道分析器观看137Cs的γ能谱的形状,识别其光电峰、反散射峰、X射线峰及康普顿边界等;
记录光电峰、反散射峰的峰位(道数);
绘制能谱图。
(1)光电峰:
道数210CH,能谱图如图
图9-1-9光电峰能谱图
图中最顶峰即为光电峰(全能峰)。
直接反映了γ射线的能量。
(2)反散射峰:
道数32CH,能谱图如图
图9-1-10反散射峰能谱图
(3)X射线峰:
道数15CH,能谱图如图
图9-1-11X射线峰能谱图
(4)康普顿边界:
平台曲线,如图
图9-1-12康普顿边界图
5.、测量60Co的γ能谱,绘制能谱图,记录光电峰位(两个光电峰,能量别离为和),结合137Cs的γ能谱的光电峰()和反散射峰()位来标定谱仪的能量刻度,绘制能量刻度曲线,作最小二乘法拟合,给出相关结果。
60Co的γ能谱图及光电峰如图
图9-1-1360Co的γ能谱图
能量/MeV
道数/CH
137Cs反散射峰
38
137Cs光电峰
60Co光电峰1
392
60Co光电峰2
448
将上表中数据在直角坐标系中逐点刻画取得能量刻度线如图
用最小二乘法进行线性拟合,设道数为y,能量为x
那么y=ax+b
=(38+227+392+448)/4=
=(+++)/4=
=(38*+227*+392*+448*/4=
=(+++)/4=.
—
那么y=
用作图法求得的关系式为y=所求结果大体一致。
说明拟合的专门好。
由图中可知,定标曲线大体呈线形,由此能量刻度曲线能够取得任意道数时粒子的能量。
实验总结
那个实验的实验进程并非复杂。
我以为,实验的要紧目的是了解实验仪器的工作原理。
实验原理中涉及很多以前学到的物理知识,比如光宇物质作用的三种形式:
光电效应,康普顿效应,电子对效应。
这些能够在测量结果的能谱上显示。
另外,从光与物质作用与电信号输出之间的进程是比较复杂的。
涉及到原子的导带、禁带,电子的激发、退激,光电倍增等。
那个实验使咱们接触到了一种新的测量方式和思想,对咱们以后的学习很有帮忙。
试探与讨论
一、简单描述NaI(Tl)单晶γ闪烁能谱仪的工作原理。
答:
闪烁能谱仪是利用某些荧光物质在带电粒子作用下被激发或电离后,能发射荧光的现象来测量能谱的。
当射线进入闪烁体后,会产生次级电子,它可使闪烁体分子电离和激发。
当闪烁体分子退激时发出大量光子。
大量光子通过光电倍增管后产生输出信号,一样为电流脉冲或电压脉冲,然后通过量道脉冲幅度分析器取得统计数据。
二、反散射峰是如何形成的?
当γ射线透过闪烁体时射线在光电倍增管的光阴极上发生反散射,另外,γ射线在源及周围物质上也能够发生反散射。
而反散射光子进入闪烁体通过光电效应而被记录下来,从而致使了反散射峰的形成。
3、假设只有137Cs源,可否对闪烁探测器进行大致的能量刻度?
能够,利用137Cs的γ能谱中的光电峰和反散射峰(还能够利用能量刻度曲线过原点)能够做能量刻度曲线,从而对闪烁探测器进行大致的能量刻度。