玩转BIOS设置史上最强BIOS设置大解析上中下文档格式.docx
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开启/关闭板载网卡。
默认是开启。
3-2、网卡ROM
开启/关闭网卡启动ROM。
这项是设置网卡启动的。
开启，就是从网卡ROM启动。
一般无盘网要设置为开启。
3-3、SATA配置
这是H61的SATA配置。
有IDE和AHCI2种模式。
默认是IDE。
当配置为AHCI时，弹出热插拔设置菜单。
开起/关闭热插拔，默认是关闭的。
硬盘设置为热插拔后，这个SATA接口就可以连接eSATA移动硬盘，可以在开机是插拔。
3-4、声卡配置
开启/关闭板载HD音频解码器，默认是开启。
3-5、HPET配置
开启/关闭HPET，默认是开启。
HPET的英文全称是HighPrecisionEventTimer（高精度事件定时器）。
HPET是Intel制定的用以代替传统的8254（PIT）中断定时器与RTC定时器的新定时器。
这是一个安全的选项，即使你的硬件不支持HPET也不会造成问题，因为它会自动用8254替换。
4、整合图形设备
4-1、内部图形卡
设置项有IGD/PEG，默认是PEG。
这是设置开机时从那个显卡显示。
IGD是内部整合显卡。
PEG就是独立显卡。
小常识：
[IGD]是内置显卡，设为首选项时系统首先初始化IGD。
[PEG]是PCIE显卡，设为首选项时系统首先初始化PEG。
[PCI]是PCI显卡，设为首选项时系统首先初始化PCI。
4-2、内置显卡共享内存
设置内置显卡共享内存的容量，设置项有32M/64M/128M。
这里设置的是静态共享显存。
实际上英特尔的IGD还有动态共享显存，动态共享显存很大。
4-3、IGD双显设置
5、USB配置
5-1、USB控制器
开启/关闭USB控制器，默认是开启
5-2、传统USB支持
开启/关闭传统USB支持，默认是开启。
传统USB就是USB1.0时代的USB设备。
5-3、板载USB3.0控制器
开启/关闭板载USB3.0控制器，默认是开启。
如果主板上有第三方的USB3.0控制器，就会有这个选项。
6、超级I/O配置
6-1、超级I/O配置菜单
超级I/O芯片是F71869
6-2、串口配置
开启/关闭串口，默认是开启
6-2-1、设置串口I/O地址和中断号
设置项有自动和若干IO地址、中断号。
这些选择是避免地址、中断冲突。
如果遇到串口地址、中断与其他设备冲突，就要在这里换一个试试。
6-3、并口配置
开启/关闭并口，默认是开启
6-3-1、设置并口I/O地址和中断号
如果遇到并口地址、中断与其他设备冲突，就要在这里换一个试试。
6-3-2、设备模式
并口设备有若干模式，连接并口设备后，要根据设备的模式在这里选择与设备匹配的模式。
7、硬件监控
7-1、监控页面
7-2、CPU智能风扇设置
默认是关闭的。
开启CPU智能风扇首先要设置目标温度。
目标温度就是CPU的温度，从40到70度，设置时选定一个温度，就是说CPU在达到这个温度前风扇是低速转，达到这个温度后风扇加速。
7-2-1、设置风扇最小转速
设定温度目标后，弹出风扇最小转速设置，这里的转速是按风扇的实际转速百分比设置的。
因为各种风扇的实际转速是不一样，不能按转速设置，只能按百分比设置。
7-3、系统风扇控制
这里是控制系统风扇的转速，有三档，百分之50、75、100。
系统风扇1和2设置方法相同。
玩转BIOS设置史上最强BIOS设置大解析中（14-26页）
1电源管理设置
2唤醒事件设置
3PIC/PCIE设备唤醒
4热键设置与超频菜单
5EIST设置
6OCGenie按钮
7内存时序设置
8DRAM参数
9高级通道时序配置
10集显超频设置
感谢大家续看《玩转BIOS设置史上最强BIOS设置大解析中》，在这篇文章中，我们主要介绍电源管理、唤醒功能、热键设置、超频等几大热门功能。
电源管理设置
开启/关闭EUP2013，默认是开启。
EUP2013是欧盟新的节能标准，要求电脑在待机状态时，功耗降低到欧盟的要求。
开启EUP2013可能导致开机加电时间略微延迟。
AC掉电恢复后状态
有三种状态：
关机/开机/掉电前状态，默认是关机。
市电有时会掉电，这项设置就是应对市电掉点后再来电电脑是开机，还是关机，或者保持掉电前的状态。
CPU供电相管理
EUP2013设置
CPU供电一般是多相的脉宽调制（PWM）方式，当CPU空闲时不需要大电流，可以关闭多余的供电相，降低供电电路的自身耗电。
CPU供电相管理有三项设置，APS模式/IntelSVID模式/关闭，默认是IntelSVID模式。
APS模式（ActivePhaseSwitching）也叫主动相变换模式，是微星的动态相位切换功能，其原理是依据CPU的负载调控PWM供电的相数。
IntelSVID模式（SerialVoltageIdentification）是英特尔VRD12供电规格采用的串行电压识别。
英特尔的EIST就是依据SVID总线侦测CPU电压。
依据CPU电压来调控PWM供电的相数。
关闭：
关闭CPU供电相切换功能，
唤醒事件设置
唤醒事件管理
设置唤醒事件由BIOS管理/OS管理。
BIOS管理就需要做下面的设置。
OS管理就要到OS里设置。
时钟唤醒
开启/关闭时钟唤醒，默认是关闭。
开启后弹出时间设置菜单
设置时分秒
PIC/PCIE设备唤醒
开启/关闭PIC/PCIE设备唤醒，默认是关闭
USB设备唤醒
开启/关闭USB设备唤醒，默认是关闭
PS2键盘唤醒有3项设置关闭/任何一键/热键
开启/关闭PS2鼠标唤醒，默认是关闭
热键设置
热键有Ctrl+Esc/Ctrl+F1/Ctrl+Space
超频菜单
该菜单主要设置CPU、GPU、DRAM的频率、电压
调整CPU倍率
回车弹出倍率选择菜单，可以从中选择。
H61不支持CPU超频，倍频菜单最高倍率是CPU默认的倍率。
超内部PLL电压
设置项有Auto/关闭/开启，默认是自动。
这是自动提升CPU时钟信号电压。
对K字CPU超频很有帮助。
但是在H61主板BIOS中出现，没有用处了。
EIST设置
开启/关闭EIST，默认开启。
EIST全称为“EnhancedIntelSpeedStepTechnology”，是Intel公司专门为移动平台和服务器平台处理器开发的一种节电技术。
到后来，新推出的桌面处理器也内置了该项技术。
EIST是根据处理器负载来调节主频和电压的模块，它的触发机制同C1Ehaltstate是不同的。
操作系统、BIOS的支持是必需的，操作系统通过ACPI进行调节。
EIST提供了更多的CPU频率和电压调节级别，因此可以比C1Ehalt更加精确的调节处理器的状态。
TurboBoost设置
开启/关闭TurboBoost，默认开启。
英特尔第2代睿频技术。
CPU可以根据负载启用核心数量，并自动超频。
单核工作时频率可提高20%。
OCGenie按钮
开启/关闭OCGenie按钮，默认是关闭。
这是一键超频功能，在H61主板上没有作用。
内存频率设置
回车弹出频率选择菜单。
H61也不支持内存超频，默认的频率最高是1333MHz。
开启/关闭XMP，默认是关闭。
XMP在H61主板上也不起作用（可点击放大）
DRAM时序模式
这里的设置有Auto/Link/Unlink，Auto就是按内存的SPD参数自动设置，Link/Unlink是手动设置，Link是双通道用同一个时序设置，Unlink是2个通道分开设置时序。
当设置了Link/Unlink后，下面的AdvancedDRAMConfiguration变为可操作的，以便于手动设置内存时序。
内存时序设置
第一梯队的六个参数
这6个参数是最重要的，可以在CPU-Z里面看到。
其中CL、RCD、RP是JEDEC标准排名前三的重要参数。
CommandRate：
命令速率，也称之为CR，CommandMode。
设置参数有1T/2T/3T。
这个选项是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟。
延迟时间以周期为单位。
1T当然比2T快。
但是要依据内存条的性能。
性能低的设置1T后肯定要蓝屏死机。
一般保持Auto设置即可，让BIOS自己去设置。
tCL：
参数范围5-15T。
CL就是CAS#Latency，列地址选通潜伏时间，指的是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。
CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。
因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
tRCD：
参数范围4-15T。
RCD就是RAS#toCAS#Delay，行地址到列地址的延迟时间，数值越小，性能越好。
对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。
JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。
tRP：
RP就是Row#prechargeDelay，内存行地址选通脉冲预充电时间。
也叫做“内存行地址控制器预充电时间”，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。
tRP参数大会导致所有的行激活延迟过长，参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。
该参数的大小取决于内存颗粒的体质，参数小将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作，从而导致系统不稳定。
参数值大将提高系统的稳定。
这3个参数是JEDEC规范中最重要的参数，参数值越低，内存读写操作越快，但稳定性下降，相反数值越高，读写速度降低，稳定性越高。
tRAS：
参数范围10-40T。
RAS就是Row#activeDelay，内存行地址选通延迟。
即“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。
降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。
如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。
该值一般设定为CASlatency+tRCD+2个时钟周期。
为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。
tRFC：
参数范围48-200T。
RFC就是RefreshCycleTime，刷新周期时间。
它是“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。
该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令（即：
REF指令）之间的时间间隔。
tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。
DRAM参数的第二梯队
tWR：
参数范围5-16T。
WR就是WriteRecoveryTime，写恢复延时。
该值指的是在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。
这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。
同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。
tWTR：
WTR就是WritetoReadDelay，写到读延时。
这个参数设定向DDR内存模块的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。
tWTR值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。
偏低则提高读写性能，但系统会不稳定。
tRRD：
参数范围1-15T。
RRD就是RowtoRowDelay，行到行延迟。
也称为RAStoRASdelay，表示“行单元到行单元的延时”。
该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令（即：
tRRD值越小越好。
延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。
然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。
如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数。
tRTP：
RTP就是DRAMREADtoPRETime，内部读取到预充电命令时间。
这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。
如果参数值过小，系统运行很快，但不稳定。
tFAW：
参数范围4-63T。
FAW就是DRAMFOURACTWINTime，内存四项动作成功时间。
该选项通常设置为Auto即可，对性能以及稳定性影响不大。
tWCL：
WCL就是WriteCASLatency，写指令到行地址控制器延时。
SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。
这个参数和tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL是“读”的延迟，tWCL是“写”的延迟。
tCKE：
参数范围3-15T。
CKE是时钟有效信号（ClockEnable），在这里这个参数叫做CKEMinimumPlusWidth，就是CKE最小脉冲宽度。
tRTL：
参数范围24-64T。
RTL就是DRAMRoundTripLatency，在一个UCLK（NBClock）内往返读取若干单元之间的最小延迟。
高级通道1时序配置
这个梯队是读写通道1内存的特殊参数
tRRDR：
Read-ReadDifferentRank，sameDIMM。
这个参数的含义是在同一个DIMM（就是同一条内存）内，读取不同RANK的延迟。
tRRDD：
Read-ReadDifferentRank。
这个参数的含义是读取不同RANK的延迟（包括了所有DIMM）。
tWWDR：
Write-WriteDifferentRank，sameDIMM。
这个参数的含义是在同一个DIMM（就是同一条内存）内，写不同RANK的延迟。
tWWDD：
Write-WriteDifferentRank。
这个参数的含义是写不同RANK的延迟（包括了所有DIMM）。
tRWDRDD：
Read-WriteDifferentRankssameorDifferentDIMM。
这个参数的含义是在同一内存条或不同内存条上读-写不同的RANK的延迟。
tWRDRDD：
Write-ReadDifferentRankssameorDifferentDIMM。
这个参数的含义是在同一内存条或不同内存条上写-读不同的RANK的延迟。
tRWSR：
Read-WriteSameRank。
这个参数的含义是读-写同一个RANK的延迟。
JEDEC的DDR3时序表
集显超频
开启/关闭集显超频，默认是开启
集显超频也是设置GPU的倍率。
因为基频与CPU相同。
可以键入数字，也可以用+/-键调整倍频。
玩转BIOS设置史上最强BIOS设置大解析下
1CPU相关设置
2CPU核心设置
3虚拟机设置
4电源节能设置
5C-State设置
6功耗设置
7启动设置
8备份BIOS设置
9更新BIOS设置
10安全设置
11顺序启动配置
12保存和退出
由于BIOS设置选项太过繁杂，数据太多。
不得不已上、中、下三篇文章的形式展现给读者们。
本篇为《玩转BIOS设置史上最强BIOS设置大解析下》也是该系列文章的收尾之作。
大家仔细阅读这三篇文章，开机按下DEL细细调节BIOS设置，定能让您的爱机工作在巅峰状态。
频展设置
开启/关闭频展，默认是开启。
这项设置有利于超频稳定
内存电压设置
Auto是内存条的默认电压。
如果有因为内存兼容不良而蓝屏死机，可以适当提高高内存电压
CPU特征设置
CPU核心设置
设置CPU工作的核心。
设置项随CPU的核心数而变化
CPUID最大限制
开启/关闭CPUID最大限制，默认是关闭。
这项设置的含义是限制执行CPUID指令返回最大数值大。
CPUID包括了用户计算机当今的信息处理器的信息。
信息包括型号，信息处理器家庭，高速缓存尺寸，时钟速度和制造厂codename等。
通过查询可以知道一些信息：
晶体管数，针脚类型，尺寸等。
较新的CPU执行CPUID指令后因返回最大数值可能会造成某些操作系统误动作。
WINDOW不需要开启。
扩展禁止位
开启/关闭扩展禁止位，默认是开启。
ExecuteDisableBit是Intel在新一代处理器中引入的一项功能，开启该功能后，可以防止病毒、蠕虫、木马等程序利用溢出、无限扩大等手法去破坏系统内存并取得系统的控制权。
其工作原理是：
处理器在内存中划分出几块区域，部分区域可执行应用程序代码，而另一些区域则不允许。
当然，要实现处理器的“ExecuteDisableBit”功能，还需要操作系统的配合才行。
现在Windows系统、Linux9.2及RedHatEnterpriseLinux3Update3等均支持这一功能。
虚拟机设置
开启/关闭虚拟机，默认是关闭的。
安装虚拟机时请开启
I/O虚拟分配技术设置
开启/关闭I/O虚拟分配技术，默认是关闭。
安装虚拟机时请开启。
英特尔VT-d是英特尔虚拟化技术硬件架构的最新成员。
VT-d能够改进应用的兼容性和可靠性，并提供更高水平的可管理性、安全性、隔离性和I/O性能，从而帮助VMM更好地利用硬件。
通过使用构建在英特尔芯片组内部的VT-d硬件辅助，VMM能够获得更出色的性能、可用性、可靠性、安全性和可信度。
电源技术设置
设置项有关闭（Disable）/能效（EnergyEfficient）/自选（Custom），默认是自选
C1E支持
开启/关闭C1E支持，默认关闭。
C1E的全称是C1Eenhancedhaltstat，由操作系统HLT命令触发，通过调节倍频降低处理器的主频，同时还可以降低电压。
超频保护
开启/关闭超频保护，默认是开启
C-State
开启/关闭C-State，默认是开启。
C-State是ACPI定义的处理器的电源状态。
处理器电源状态被设计为C0,C1,C2,C3...Cn。
C0电源状态是活跃状态，即CPU执行指令。
C1到Cn都是处理器睡眠状态，即和C0状态相比，处理器消耗更少的能源并且释放更少的热量。
但在这睡眠状态下，处理器都有一个恢复到C0的唤醒时间，不同的C-State要耗费不同的唤醒时间。
C-State与C1E的区别：
C-State是ACPI控制的休眠机制，C1E是HLT指令控制的降低CPU频率节能。
C1E是C0状态下的节能。
PackageCStateLimit
这是设置C状态限制。
如果限制到C0，C1E就不起作用，如果限制到C2，就不能进入C3更节能的状态，默认是自动，超频时也可以设置为NoLimit（不限制）。
功耗设置
LongDurationpowerlimit（W）：
长时间TDP限制（瓦）。
从功耗角度设定TDP，设置范围0-255W。
想超频解开TDP限制就得靠它，设为200已经足够。
LongDurationmaintained（ms）：
长时间TDP限制（毫秒）。
从时间角度设定TDP，设置范围0-32000毫秒（32秒）。
ShortDurationpowerlimit（W）：
短时间TDP限制（瓦）。
从功耗角度设定短时间TDP，设置范围0-255W。
这是设置TurboBoost可以在短时间内超出TDP限制，但是不能超过这个功耗。
以上三项设置对于H61没有意义。
PrimaryPlaneTurboPowerLimit（W）：
第一平台Turbo功耗限制（瓦），设置范围0-255W。
这是集显作为主显的Turbo超频功耗限制。
SecondaryPlaneTurboPowerLimit（W）：
第二平台Turbo功耗限制（瓦）设置范围0-255W。
这是集显作为副显的Turbo超频功耗限制。
M-Flash
M-Flash是微星独有的使用U盘保存BIOS副本，更新BIOS和从U盘里的BIOS启动等三项功能总称。
从UBIOS启动
开启/关闭从U盘BIOS启动功能，默认是关闭
如果要从U盘BIOS启动，请先把带有BIOS的U盘插入USB口，开机进入BIOS的M-Flash选项。
设置BIOSBootFunction为Enabled。
开启BIOSBootFunction后，SelectonefiletoBoot（选择启动的BIOS文件）变为可操作项，回车就弹出检测到的U盘。
回车就可以看到U盘里的BIOS文件，选择你要启动用的一个
然后F10保存并重启，就可以从U盘BIOS启动了。
如果不能启动则有2声提示音，反复3次后出现提示文字。
可以敲Del进BIOS关闭从U盘BIOS启动功能。
也可以清CMOS
保存BIOS到U盘
在SaveBIOStoStorage回车，就弹出检测到的U盘信息。
回车弹出BIOS文件名。
再回车就开始保存
用U盘的BIOS更新
在SelectonefiletoUpdateBIOS处回车，弹出检测到的U盘。
回车弹出U盘的BIOS文件，供你选择更新用的BIOS文件。
选定文件后回车就开始更新。
安全设置
上边2行显示密码设置状态，当前显示的是没有设置。
设置管理员密码
回车弹出密码输入框，在框内键入密码
再输入一次验证。
回车即可
设置用户密码
机箱入侵设置
该项设置是防止开启机箱，需要有防开机
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