数字集成电路设计实验报告.docx
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数字集成电路设计实验报告
哈尔滨理工大学
数字集成电路设计实验报告
学院：
应用科学学院
专业班级：
电科12-1班
学号：
1207010132
姓名：
周龙
指导教师：
刘倩
2015年5月20日
实验一、反相器版图设计
1.实验目的
1）、熟悉mos晶体管版图结构及绘制步骤；
2）、熟悉反相器版图结构及版图仿真；
2.实验内容
1）绘制PMOS布局图；
2）绘制NMOS布局图；
3）绘制反相器布局图并仿真；
3.实验步骤
1、绘制PMOS布局图：
（1）绘制NWell图层；
（2）绘制Active图层；（3）绘制PSelect图层；（4）绘制Poly图层；（5）绘制ActiveContact图层；（6）绘制Metal1图层；（7）设计规则检查；（8）检查错误；（9）修改错误；（10）截面观察；
2、绘制NMOS布局图：
（1）新增NMOS组件；
（2）编辑NMOS组件；（3）设计导览；
3、绘制反相器布局图：
（1）取代设定；
（2）编辑组件；（3）坐标设定；（4）复制组件；（5）引用nmos组件；（6）引用pmos组件；（7）设计规则检查；（8）新增PMOS基板节点组件；（9）编辑PMOS基板节点组件；（10）新增NMOS基板接触点；（11）编辑NMOS基板节点组件；（12）引用Basecontactp组件；（13）引用Basecontactn组件；（14）连接闸极Poly；（15）连接汲极；（16）绘制电源线；（17）标出Vdd与GND节点；（18）连接电源与接触点；（19）加入输入端口；（20）加入输出端口；（21）更改组件名称；（22）将布局图转化成T-Spice文件；（23）T-Spice模拟；
4.实验结果
4.1nmos版图
4.2pmos版图
4.3反相器的版图
4.4反相器的spice文件
4.5反相器的仿真曲线
5.实验结论
通过对仿真曲线的分析，当输入为高电平时，输出为低电平；当输入为低电平时，输出为高电平。
所以通过版图仿真曲线的分析，我们所绘制的版图具有反相器的功能。
实验二、反相器的电路设计
1.实验目的：
1、熟悉静态互补反相器电路；
2、掌握反相器静态及瞬态测试方法；
3、了解晶体管尺寸大小对反相器性能的影响。
2.实验内容：
1、绘制反相器电路图；
2、反相器瞬时分析；
3、反相器直流分析；
4、观察晶体管宽长比对VTC曲线的影响；
5、观察电源电压比对VTC曲线的影响。
3.实验步骤：
1、绘制反相器电路图：
（1）编辑模块；
（2）从组件库引用模块；（3）编辑反相器；（4）加入联机；（5）加入输入端口与输出端口；（6）建立反相器符号；（7）加入输入端口与输出端口；（8）更改模块名称；（9）输出成SPICE文件；
2、反相器瞬时分析：
（l）复制inv模块；
（2）打开inv模块；（3）加入工作电源；（4）加入输入信号；（5）更改模块名称；（6）输出成SPICE文件（7）加载包含文件；（8）分析设定（9）输出设定；（10）进行模拟；（11）观看结果；（12）分析结果；（13）时间分析；（14）进行模拟；（15）观看时间分析结果；
（16）测试上升时间（tr）、从输入到输出的延迟（tpHL，tpLH），并手工计算反相器的门延迟tp。
（17）选中反相器当中的nmos或者pmos晶体管，选择Edit---EditObject命令，按（18）中的要求修改Properties中晶体管的宽度W，保存后重新进行反相器的瞬态分析，并测量输出的下降延迟（tf）、上升时间（tr）、从输入到输出的延迟（tpHL，tpLH），并计算反相器的门延迟tp。
观察晶体管大小改变后对延迟的影响。
另：
晶体管的宽度W也可以在inv_tran.sp文件中直接改变M1或者M2描述语句中W后的数值。
（18）晶体管宽度W修改要求：
示例中nmos晶体管M1和pmos晶体管M2大小相同，长L=2，宽W=22。
修改时要求（I）修改pmos晶体管M2的宽度，nmos晶体管M1大小保持不变，使得M1M2。
3、反相器直流分析：
（1）复制inv模块；
（2）打开inv模块；（3）加入工作电源；（4）加入输入信号（5）更改模块名称；（6）编辑Sourcevdc对象；（7）输出成SPICE文件；（8）加载包含文件；（9）分析设定；（10）输出设定；（11）进行模拟；（12）观看结果；
4、观察晶体管宽长比对VTC曲线的影响：
选中反相器当中的nmos或者pmos晶体管，选择Edit---EditObject命令，按要求修改Properties中晶体管的宽度W，保存后重新进行反相器的扫描分析，观察晶体管大小改变后对VTC曲线的影响。
另：
晶体管的宽度W也可以在inv_tran.sp文件中直接改变M1或者M2描述语句中W后的数值。
晶体管宽度W修改要求：
示例中nmos晶体管M1和pmos晶体管M2大小相同，长L=2，宽W=22。
修改时要求（I）修改pmos晶体管M2的宽度，nmos晶体管M1大小保持不变，使得M1M2。
5、观察电源电压比对VTC曲线的影响：
修改电源电压vvdd的电压值，查看电源电压改变对VTC曲线的影响。
4.实验结果
4.1反相器的电路图
4.2加入输入电压信号及反相器的spicce文件
4.3反相器的仿真曲线
分析：
通过上图的仿真曲线，我们可以看到，当输入为高电平时，其输出为低电平，当输入为低电平的时候，其输出为高电平，显然满足我们所要求的反相器功能。
4.4反相器的瞬时分析
4.4.1spice文件中加入时间分析语句以及其仿真曲线
4.4.2out文件分析
分析：
下降时间falltime为1.7102e-009;上升时间risetime为1.6705e-009;
TPHL=1.2326e-009;TPLH=-4.5352e-010;
TP=（TPHL+TPLH）=7.7927e-10
4.4.3修改pmos晶体管M2（w=45u），nmos晶体管M1大小保持不变，使得M1
1）spice文件和out文件分析
分析：
下降时间falltime为1.6949e-009;上升时间risetime为1.8146e-009;
TPHL=4.5976e-010;TPLH=2.4134e-010;
TP=（TPHL+TPLH）=3.5055e-10
4.4.4修改nmos晶体管M1（W=45u），pmos晶体管M2大小保持不变，使得M1>M2。
1）pice文件和out文件分析
分析：
下降时间falltime为1.3795e-009;上升时间risetime为1.3060e-009;
TPHL=1.8695e-010;TPLH=-1.1460e-010;
TP=（TPHL+TPLH）=3.6175e-10
总结：
通过对比上面对nmos和pmos的宽度修改的对比，我们显然发现其门延迟TP明显的减小，即增大其某一晶体的宽度，能够减小电路的门延迟。
4.5反相器的直流分析
反相器的电路图和spice文件
仿真曲线：
4.5.1修改nmos晶体管M1（W=100u），pmos晶体管M2大小保持不变，使得M1>M2
4.5.2修改pmos晶体管M2（w=100u），nmos晶体管M1大小保持不变，使得M1分析：
通过对比上面三个VTC曲线，我们发现通过改变mos晶体管的宽度，可以改变VTC曲线的形状，我们发现增大Nmos的宽度，VTC曲线的线性区域左移，增大pmos的宽度，VTC曲线的线性区域右移。
所以可以通过设计mos晶体管的尺寸可以得到我们所要的VTC曲线，进而设计我们的电路。
4.5.3观察电源电压比对VTC曲线的影响：
1）修改电源电压vvdd=1v时：
2）修改电源电压vvdd=10v
分析：
通过对比电源电压的改变对VTC曲线的影响，我们发现，当电源电压vvdd较小时，其线性区域左移，相反，当电源电压vvdd较大时，其线性区域右移。
所以，我们可以通过改变和设计电源电压同样可以得到我们所需要的VTC曲线，进而设计我们所需要的电路。
5.实验结论
通过本次实验，我们可以分别对反相器做瞬时分析和直流分析，并绘制电路的VTC曲线，通过改变某一mos晶体管的宽度，我们发现其线性区域会发生变化，而且改变电源电压的大小，同样可以影响VTC曲线的形状。
实验三、静态组合电路设计
1.实验目的：
1、熟悉静态互补组合电路设计方法；
2、掌握静态组合电路测试方法；
3、了解不同实现方式对静态组合电路性能的影响。
2.实验内容：
1、自行选择一个静态逻辑表达式，例如；
2、绘制静态互补方式逻辑电路图；
3、采用有比逻辑实现逻辑电路；
4、对静态逻辑电路分别进行瞬时分析；
5、观察不同实现方式对电路性能的影响；
6、观察电源电压对电路性能的影响。
3.实验步骤
1、绘制与非门电路图
2、与非门瞬时分析
（1）加入测试上升时间（tr）、从输入到输出的延迟（tpHL，tpLH），并手工计算与非门的门延迟tp。
（2）在nand_tran.sp文件中直接改变晶体管描述语句中W后的数值，修改晶体管的宽度W，保存后重新进行与非门的瞬态分析，并测量输出的下降延迟（tf）、上升时间（tr）、从输入到输出的延迟（tpHL，tpLH），并计算与非门的门延迟tp。
观察晶体管大小改变后对延迟的影响。
3、采用有比逻辑实现相同功能电路，并对其进行瞬态分析。
4、分析不同实现方式对电路性能的影响。
5、修改电源电压vvdd的电压值，查看电源电压改变对VTC曲线的影响。
4.实验结果
4.1与非门电路图
Spice文件：
与非门的仿真曲线：
功能分析：
通过仿真曲线的分析，当输入A、B同时为高电平时，输出F为低电平；当输入A为低电平时，B为高电平时，输出F为高电平；当输入A为高电平时，输入B为低电平时，其输出F为高电平。
所以通过上面的功能分析，我们可以发现我们所设计的电路实现了与非门的功能。
4.2与非门的瞬时分析
1）在spice文件中加入时间分析语句及out文件的分析
分析：
下降时间falltime为1.8274e-009;上升时间risetime为2.1371e-009;
TPHL=1.0552e-009;TPLH=-1.1383e-009;
TP=（TPHL+TPLH）=1.09675e-009
4.2.1修改nmos的宽度W=45u的out结果文件分析
分析：
下降时间falltime为1.5066e-009;上升时间risetime为2.0545e-009;
TPHL=1.7249e-009;TPLH=-3.0750e-010;
TP=（TPHL+TPLH）=1.0162e-009
4.2.2修改pmos的宽度W=45u的结果文件分析
分析：
下降时间falltime为1.8214e-009;上升时间risetime为1.6748e-009;
TP
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