ICT 入门培训流程规范Word格式文档下载.docx

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（1）单个R（Mode0,1）

利用Vx=IsRx（欧姆定律），则Rx=Vx/Is.

信号源Is取恒流（0.1uA—5mA）,量回Vx.即可算出Rx值.

Ra=R1+R2

Rb=R3+R4

Rc=R1+Rx+R4

Rd=R2+Rx+R3

Rx=（Rc+Rd-Ra-Rb）/2

（2）小电阻（50欧姆以内）四线量测：

小电阻两端各下两支探针，1-4号探针的接触阻抗分别R1-R4,Ra,Rb,Rc,Rd分别为四次测试之量测值.

（3）R//C（mode2）信号源Vs取恒压（0.2V），量回Ix，Rx=Vs/Ix=0.2V/Ix，算出Rx值.

（4）R//L（mode3,4,5）:

信号源取交流电压源Vs，用相位法辅助.

|Y’|Cosθ=YRx=1/Rx,

并|Y’|=I’x/Vs,故：

Rx=1/|Y’|Cosθ

2.电容及电感量测

（1）

单个C,L（Mode0,1,2,3）：

信号源

取恒定交流压源Vs,Vs/Ix=Zc=1/2лfCx

求得：

Cx=Ix/2лfVs

Vs/Ix=Zl=2лfLx,求得：

Lx=Vs/2лfIx

（2）C//R或L//R（Mode5,6,7）：

用相位法辅助，|Y’|Sinθ=|Ycx|,

即ωCx’Sinθ=ωCx

Cx=Cx’Sinθ，（Cx’=Ix’/2лfVs）

|Y’|Sinθ=|Ycx|,

即Sinθ/ωCx’=1/ωCx

Lx=Lx’/Sinθ，（Lx’=Vs/2лfIx’）

電容極性測試的另一方法是三端測試,須在上方加一探針觸及殼體.在電容的正負極加載直流電壓,至充飽后測量殼體電壓.由于正負極與殼體間的阻抗差異,故對于插反的電容所測量到的殼體電壓會與正確時不同.據此可判別電容的極性.（详见附页一）

3.跳线测试：

（UMPER,FUSE,WIRE,CONNECTOR,SWITCH,etc）

4.量测PN结：

（D,Q,IC,FET）

（1）信号源0-10V/3mAor30mA可程式电压源,量PN结导通电压;

（2）ZenerD的测试原理是量测其崩溃电压，与二极体的差异是在测试电压源不同,其电压源为0V-10V及0V-48V可程式电压源.

（3）电晶体测试需要三步骤测试，其中

（1）B-E和

（2）B-C脚是使用二极体的测试方法,（3）E-C使用Vcc的饱和电压值及截止值的不同，来测试电晶体是否插反.电晶体反插测试方法：

在B-E及E-C

脚两端各提供一个可程式电压源，量测出电晶体E-C正向的饱和电压为Vce=0.2V左右，若该电晶体反插时，则Vce电压将会变成截止电压，并大于0.2V，即可测出电晶体反插的错误.

5.量测Open/Short：

即以阻抗判定,先对待测板上所有Pin点进行学习,R<

25Ω即归为ShortGroup，然后Test时进行比较，R<

5Ω判定为Short，R>

55Ω判为Open.

6.Guarding（隔离）的实现：

以电流源当信号源输入时，則在相接元件一的另一腳加上一等高電位能（GuardingPoint），以防止電流流入與被測元件相接的旁路元件，確保量測的精準性。

此時隔離點的選擇必須以和被測元件高電位能腳（Hi-Pin）相接之旁路元件為參考範圍.

以电压源当信号源输入时，則在相接元件二的另一腳加上一等底電位能（GuardingPoint），以防止與被測元件相接之元件所產生的電流流入，而增加量測的電流，影響量測的精準性。

此時隔離點的選擇必須以和被測元件低電位能腳（Low-Pin）相接之旁路元件為參考範圍.

7、三端電容極性測試：

7.1测试点

7.2试程式

測試原理為從HiP送sourcevoltage，然後從G-P1讀回量測值，由於缺件或反插，其量測值很低（接近0），所以只比較下限，上限Don’tcare。

✧Act_V：

Sourcevoltage，建議值為0.2V

✧Std_V：

SenseVoltage（Threshold），依實際Debug後決定

✧Hlim：

固定為–1（Don,tcare）

✧Llim：

建議值為20，可依實際Debug後決定

✧Mode:

固定為8或18（適用於防爆電容）

✧Type：

固定為PX

✧Hip：

電容負端（sourcepin）

✧Lop：

電容正端

✧Dly：

依實際Debug後決定

✧G-P1：

SensePin

7.3除错规则

將Hip/Lop相同的電容放在一起，例如CE1,CE2,CE3的HiP及LoP都是1及3，所以測試程式如下：

✧Debug時可交換HiP及Lop比較量測值，以決定較佳之Threshold（Std_V）

✧若交換HiP及Lop量測值差異不大可調整Delaytime或Sourcevoltage（Act_v）

✧若交換HiP及Lop量測值皆很低，可能是第三端接觸問題，可先檢查第三端是否接觸正常或待測電容有歪斜，可用換針或扶正待測電容方式解決

✧治具製作時第三端選用測試針，需考慮相同位置待用料的高度差異，以免造成接觸不良或刺穿待測物的問題

✧三端電容量測是用來檢測缺件及反向，無法檢測錯件

✧可利用量測分析工具（HotKeyF12）決定較佳标准值,Delaytime.

8、IC空焊测试：

六、ICT调试（Debug）流程：

1、固定治具：

将ICT治具架在压床上，将治具天板固定在压床蜂窝板上，锁紧治具固定螺丝，使其不会松动，将压床点动调整治具上探针行程，使之达到其行程的1/2-2/3左右，然后用排线依顺序将治具与开关板连接起来；

2、程序登录计算机：

将治具的测试程序COPY入计算机，并调出；

将测试程序检查一遍，未经过排序的，要先排序。

要按JP-电阻-电容-电感-二极管-IC的顺序（即按实际值排序）；

然后存盘。

3、Open/Short学习：

学习之前，将状态参数里面的测试时基改为50，OPSDELAY更改为120-200；

置良品板于治具上，将压床压下即可开始学习；

学习完毕后要存盘。

七、ICTDebug技巧与方法：

1、先将待测板测试一遍，然后可进入“EDIT”DEBUG；

2、对于JP的DEBUG则比较简单，只要判定其有无点号，有无零件，点号正确无误即可OK。

一般“JP”我们把ACT-VAL定为“2JP”上限为“+10%”，下限为“-60%”；

3、电阻的DEBUG，则会比较复难，可按以下几步调试：

1）于小电阻，如零欧姆电阻，ACT-VAL可用2欧姆，然后上限为“+10%”下限为“99%”即可，对于几欧姆或零点欧姆小电阻，若客户要求用四线测试，则需做四线测试，未做要求的就可将线阻及机器内阻加零件值作为标准值，上限可放宽；

2）于小电阻：

（0Ω-1KΩ）要用定电流的测试方法（D1、D2）；

3）电阻DEBUG一般有几种方法：

变换测量模式文件位元的变化，更改延迟时间，高低PIN对调，加隔离点等几种方法，可结合实际情况，具体分析处理；

4）GUARDING点对于电阻的DEBUG尤为重要，一般有这样一个原则：

电阻的两个点，其中一点所连组件较少，则该点所连组件另外一点作GUARDING点；

隔离点所连的组件阻抗须为20欧姆以上，电阻的隔离，加GND点很有效果；

5）电阻隔离的目的是将量测到的较少的值隔离成大的，使之更接近于实际值，若该电阻量测的结果很大，超出实际值，则要提出疑问，看看是否针点的问题，还是零件值的错误，或者是由于针点的不准引起的，等待。

6）对于并联的电阻，若两电阻阻抗相差不是很大，则用并联值作标准值，若相差很大，则大电阻不可测；

电阻没有针点的？

电阻没有针点的注明“NP”，没有组件的注明“NC”

7）电阻并联大电容的情况，用定电流的方法测试会不稳定且测试时间长，可用定电压的方法量测，并加长延迟时间，必要时可采用放电；

8）对于单项测试稳定，整页测试不稳定的组件可移到程序的最前面测试，电阻的上下限一般设为10%，大电阻可适当放大一些。

八、具体元件程式Debug方法：

因编写好的程式在实测时，因测试信号的选择，或被测元件线路影响，有些Step会Fail（即量测值超出±

%限），必须经过Debug.

1.电阻

在E[编辑]下，ALT-X查串联元件，ALT-P查并联元件。

据此选好“信号”（Mode）和串联最少元件的Hi-P/Lo-P，并ALT-F7选择GuardingPin。

R//C：

Mode2及Dly加大.

R//D（orIC、Q）：

Mode1.

R//R：

Std-V取并联阻值.

R//L：

Mode3、4、5，根据Zl=2πfL，故L一定时，若f越高，则Zl越大，则对R影响越小.

2.电容

在[编缉]下一般根据电容值大小，选择相应的Mode。

如小电容（pF级），可选高频信号（Mode2、3），大电容（nF级）可选低频信号（Mode0、1），然后ALT-F7选择隔离。

3uF以上大电容，可以Mode4、8直流测试。

C//C：

Std-V取并联容值

C//R：

Mode5、6、7，由Zc=1/2лfC,故C一定时，f越高，Zc越小，则R的影响越小。

C//L：

Mode5、6、7，并且f越高效果越好。

3.电感

F8测试，选择Mode0、1、2中测试值最接近Std-V.

L//R：

Mode5、6、7。

4.PN结

F7自动调整，一般PN正向0.7V（Si），反向（2V以上）。

D//C：

Mode1及加Delay。

D//D（正向）：

除正向导通测试，还须测反向截止（2V以上）以

免D反插时误判。

Zener：

Nat-V选不低于Zener崩溃电压，若仍无法测出崩溃电压，可选Mode1（30mA），另10-48Vzener管，可以HV模式测试。

5.电晶体

be、bc之PN结电压两步测试可判断Q之类型（PNPorNPN），Hi-P一样（NPN），Lo-P一样（PNP），并可Debugce饱和电压（0.2V以下），注意Nat-V为be偏置电压,越大Q越易进入饱和，但须做ce反向判断（须为截止0.2V以上），否则应调小Nat-V。

八、常见ICT误判及维护：

1、ICT盲点：

①特殊IC（个别IC对GND、VCC无保护二极体）

②单点测试（如排插、插座、个别单个测试点的元件）

③并联10个以上的电容并联（示电容的精密度作调整）

④并联15倍以上小电阻的大电阻

⑤D/L或D/25Ω以下，D不可测

⑥跳线并联

⑦IC内部功能测试

2．压床行程不足，探针压入量程为2/3

3．PCB板定位柱松动，造成探针偏离焊盘

4．PCB上测试点或过穿孔绿油未打开、吃锡不良

5．PCB制程不良：

如未洗板导致PCB上松香过多探针接触不良

6．探针不良（如针头钝化、老化、阻抗过高……

7、元件厂商变更（如小电容、IC之TESTJET）可加大±

%，更改TESTJET值

8、未Debug良好

9、ICT自身故障

10、硬体问题：

10.1开关板：

诊断（D）----切换电路板（B）----系统自我诊断（S）----切换电路板诊断（S）

若有B*C*表示SWB有Fail，请记录并通知TRI。

C*有可能为治具针点有Short造成。

10.2系统自我检测：

诊断（D）----硬体诊断（S）---系统自我检测（S）

有R、D项Fail可能为DC板故障.

有C、L项Fail可能AC板Fail.

有Power项Fail可能PowerFail，也请记录并通知供应商。

●日常维护

1一般GUARD点不超过3个，最好1、2个即可

2无用之GUARD点需去除

3可GUARDING的元件为电阻、电容，一般大电容GUARDING无效

4电阻GUARDING一般对地70%有效

5电容GUARDING一般对VCC70%有效

6GUARDING一般找串联小电阻（大于20Ω）、串联大电容

7若GUARDING元件时，串联跳线或电感可视为同点

8大电容并联测试偏大解决方式：

ACTUALΧ70%>

STANDARDΧ下限值

九、注意事项：

1、小电容的测试通常用“A4”或“A5”模式，若量测结果过大，则需加GUARDING点使OFFSET值不要太大，否则量测没有意义另外电容隔离VCC效果明显。

倘若小电容与大电空并联，则小电容可SKIP掉，不需测试，即便测试也会不稳定，又找不出问题；

2、大电容的量测，若用“DC”模式不稳定，可考虑用RANGE“+1”去试，或加长延迟时间；

3、电容的上下限一般为30%，小电容的上限可适当放宽，下限要小一些；

4、电容极性测试可用两种方法：

其一，二端测试法即用漏电流的方法，实际值送0-9.9V电压,标准值送电流,则模式会变为CM,适当加长DELAY,并调整实际值电压,使正反电流偏差较大;

其二,三端测试法,即在电解电容顶部加多一根针,高PIN为顶部针点,低PIN为负极针点,隔离点为正极针点.实际值送0.2V电压,标准值为0.05V左右,并适当加长DELAY,使反向时接近于0.2V;

5、电感的测试最好用两种方法：

其一,当作跳线测试,其二测其感量,这样既可测出电感的缺件错件,也可测到短路,上下限可放宽；

6、二极管除了用“DT”（2.2V,20MA）模式外,还可用”LV”（0-10V）模式。

当二极管并联大电容时可将RANGE“+1”，加延迟时间，还可将实际值电容提高，直到可测出反插及漏件；

二极管并联的情况，可加做电流的测试，即用“CM”模式，实际值可送0.7V-1V左右电压，并适当加长延迟时间，上下限可为20%；

7、三极管除了测两个PN结外，要加做饱和电压测试，即三端测试法，要注意是NPN型的还是PNP型，分别用N模式和P模式；

尤其是基点要找正确，否则饱和电压测不出，一般NPN型实际值电压送0.7V-1V左右，PNP型送3.5V-4.5V，若饱和电压测不出，可往下调整电压；

8、IC的测试首先要找准该IC的VCC及GND，并在IC编辑里分别注明（可按F4键），若IC做HPTESTJET测试的，还要注明该IC的PORT埠（可按F10键）这些设定工作做完后，可进入零件编辑，根据需要进行IC的学习。

注意：

1）ICSCAN学习后，可能会有些IC脚的量测结果很低，可将低PIN针点取消，只留高PIN即IC脚对应针号，然后将量测值做为标准值：

上下限为±

40%；

2）、HPTESTJET的学习可只做SHORT学习，然后将上限定为±

150%，下限定为-50%，这样可测IC的OPEN/SHORT；

9、DEBUG完成后，要连续测试多少遍，然后利用EDIT里面的F6功能，查看组件的稳定与否，对于那些不稳定的组件则需再做调试，使之稳定。

通过以上几大项即可将治具调试好，若要使程序做得更为完美，则需更为细心，对照BOM检查，查看程序里面组件是否都有测试。

最后希望各位技术员、工程师严格按以上条例DEBUG工作，并在工作中探索经验，使所做程序既快捷又稳定。

产品工程部raop2005-6-30

THANKS

沟通无极限，一切构造源自创造……