IRF540中文数据手册.docx
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IRF540中文数据手册
IRF540N沟道MOS管
特性
‘Thrench'工艺
低的导通内阻
快速开关
低热敏电阻
综述
使用沟渠工艺封装的N通道增强型场效应功率晶体管应用：
DC到DC转换器
开关电源
电视及电脑显示器电源
IRF540中提供的是SOT78（TO220AB）常规铅的包裹。
IRF540S中提供的是SOT404（DPAK）表面安装的包裹。
管脚
管脚
描述
1
Gate
2
Drain
3
Source
Tab
Drain
SOT78（TO220AB）
SOT404（D3PAK）
QL
I
通匕尸，■■r
w
13
极限值
系统绝对最大值依照限制值
符号
参数
条件
最小值
最大值
单位
V_DSS
漏源极电压
Tj=25?
Cto175?
C
-
100
V
VDGR
漏门极电压
Tj=25?
Cto175?
C;
-
100
V
V_GS
门源极电压
RGS=20k?
-
士20
V
l_D
连续漏电流
-
23
A
Tmb=25?
C;VGS=10V
-
16
A
I_DM
脉冲漏电流
Tmb=100?
C;VGS=10V
-
92
A
P_D
总功耗
Tmb=25?
C
-
100
W
Tj,Tsig
操作点和存储温度
Tmb=25?
C
-55
175
C
雪崩能量极限值
符号
参数
条件
最小值
最大值
单位
E"
非重复性雪
Unclampedinductiveload,IAS=10A;
-
230
mJ
匚AS
崩能量
tp=350s;Tjpriortoavalanche=25?
C;
I
最大非重复
VDDW25V;RGS=50?
;VGS=10V;
-
23
A
IAS
性雪崩电流
refertofig:
14
热敏电阻
符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
Rthjmb
安装底座交界
处的热阻
-
-
1.5
K/W
Rhja
周围环境热阻
SOT78封装，自由空间
SOT404封装，PCB上
-
60
50
-
K/W
K/W
电特性
25C除非另有说明
符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
V（BR）DSS
漏源极崩溃电压
VGS
=0V;ID=0.25mA
100
-
-
V
Tj:
=-55?
C
89
-
-
V
VGS（TO）
门阀电压
VDS
=VGS;ID=1mA
2
3
4
V
Tj=
175?
C
1
-
-
V
Tj:
=-55?
C
-
-
6
V
RDS（ON）
漏源极导通电阻
VGS
=10V;ID=17A
-
49
77
mQ
Tj=
175?
C
132
193
mQ
gfs
1GSS
1DSS
向前跨导
Vds=25V;Id=17A
Vgs=±20V；Vds=0V
VDS=100V;VGS=0V
VDS=80V;VGS=0V;Tj=175?
C
8.7
15.5
10
0.05
100
10
250
S
nA
uA
uA
门源极泄漏电流
0门极电压漏电流「
Qg（tot）
总共门极电荷
ID=17A
-
-
65
nC
Qgs
门源极电荷
VDD=80V;
-
-
10
nC
Qgd
门漏极电荷
VGS=10V
-
-
29
nC
Tdon
开启延迟时间
Vdd=50V;Rd=2.2?
；
-
8
-
ns
Tr
开启上沿时间
Vdd=10V;Rg=5.6?
-
39
-
ns
Tdoff
关闭延迟时间
Resistiveload
-
26
-
ns
Tf
关闭卜沿时间
-
24
-
ns
Ld
内部漏电感
Measuredtabtocentreofdie
-
3.5
-
nH
Ld
内部漏电感
Measuredfromdrainleadtocentre
-
4.5
-
nH
ofdie（SOT78packageonly）
Ls
内部源极电感
Measuredfromsourceleadtosource
-
7.5
-
nH
bondpad
CiSS
输入电容
Vgs=0V;Vds=25V;f=1MHz
-
890
1187
pF
CoSS
输出电容
-
139
167
pF
CrSS
反馈电容
-
83
109
pF
反向二极管极限值及特性
符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
1S
连续源极电流
IF=28A;
-
-
23
A
1SM
脉冲源极电流
Vgs=0V
-
-
92
A
VDS
二极管正向电压
-
0.94
1.5
V
trr
反向恢复之间
If=17A;Vgs=OV;
-
61
-
ns
Qrr
反向恢复命令
-dIF/dt=100A/us;Vr=25V
-
200
-
nC
NormalisedPowerDerating,PD（%}
Fig.1.Normalisedpowerdissipation.PD%"OOF』P*"（g）
底座温度-自然功率降低百分比
图1：
自然功率损耗
0255075100125150175
MountingBasetemperature,Tmb（C）
Fig2Normalisedcontinuousdraincurrent
ID%=f（T她）;conditions:
VGS>10V
底座温度-漏电流降低百分比
Fig3Safeoperatingarea.=25"C
怙&d二f%）；dsinglepMse;p白怡mata右
漏源极电压-脉冲漏极电流峰值
图3:
安全操作区域
15
1
0J
Transientthermali
Fig.4.Transientthermalimpedance.乙=f（t）；parameterD=t/T
脉宽-瞬态热阻抗
Drain-SourceVoltage,VDS（V）
Fig,5,Typicaloutputcharacteristics,T,=25C咕=Wds）
漏源极电压-漏极电流
图5:
典型输出特性
□rsin-SOLrceUnResistance,RCS（on）（Ohms）
Fig.6.Typicalon-stateresistance,T-=25C^ds（on）=f（h）
漏极电流-漏源极导通阻抗
Draincurrent.ID（A）
Fig.7Typicaltransfercharactenstics.Id=f（VGS）
图7:
典型传递特性
20
18
16
14
12
10
1
VDS>IDXRDS^ON}
T
5C
■
7
1751
*
/
L--*
L--J
F-—
■■■-
7
//
j
/
r
Transconductance,gfs（S）
0
024币31012141618202224262330
Draincurrent,ID（A）
Fig.&TypicaltranscondudancetT=25C
图&典型跨导
NormalisedOri・stateResistance
Fig.9.Normaliseddrain-sourceon-stateresistance.^ds（on/^ds（on）25c=f（T）
图9:
漏源极导通阻抗
JunctionTomporaturo,Tj（C）
Fig.10.Gatethresholdvoltage.^gs（to）=conditions:
iD=1mA;VDS=VGS
Fig.1fSub-thresholddraincurrentID=f（VGSi;conditions:
Ti=25C:
VDS=
Fig.12.Typicalcapacitances,C“CsstCfSS.C=f（VDS）;conditions:
VGS=OV;f=1MHz
Fvrtsi
Qv
~7
T~
~7
f
r
二
1
i
T5（
'/
r
/
/
Ji=
?
5f
/
/
J
j
厂
―
—
/
1
二
/
/
/■
/
j
7
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