MLCC基础知识解读.docx

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MLCC基础知识解读

行业介绍MLCC多层陶瓷电容器的起源可追逆到二战期间玻璃釉电容器的诞生，由于性能优异的高频发射电容器对云母介质的需求巨大，而云母矿产资源缺以及战争的影响，美国陆军通信部门资助陶瓷实验开展了喷涂下班釉介质和丝网刷银电极经叠层层共烧，再烧附端电极的独石化工艺研究在战后得到进一步推广。

并逐渐变为今天的二后美1943---1945种型湿法工艺，干法工艺要追到二战期间诞生的流延工艺技术，在年获得专1952国开始流延工艺技术的研究并组装一台流延机为钢带流延机，并在利。

二战后苏联与美国电容器技术似入我国并形成一定的生产规模，为了改进性能，扩年代我国产业界开始尝试用陶瓷介质进行轧膜成型，印刷叠层工艺60大生产规模，制造独石结构的瓷介电容器。

的高比容介质薄层化趋势突破专统MLC与技术的发展，MLC在80年代随着SMT年代以来MLC生产厂家普通使用，80厚度范围，二种干法流延方式被世界大多类制造工我国引进了干法流延和湿法印刷成膜及相关生产技术，有效地改善了MLC艺水平。

代表了—25MM年日本引入了随后92---96SLOT-DIE流延头的新技术实现厚度为2流延技术的最高水平（先后有康井、平野、横山生产的流延机）。

独石电容器是由涂有电极的陶瓷膜素坯，以一定的方式叠全起来最后经过一次焙烧）MLCC“独石”也称多层陶瓷电容器（成一整体，故称为独石电容器的特点是具有体积小、比容大、内电感小、耐湿、寿命长、可靠性高的优点；独石电容器的发展取决于材料（包括介质材料、电极浆料、粘合剂）和工艺技术的发展，其中陶瓷介质有差决定性作用。

独石瓷介电容器有两种类型：

一种为TIO2和或以这些为基础再加入稀土氧化物、温度补偿型（是MGTTD3、CATIO3氧化铋、粘土等配制成的瓷料；而加一种是高介电系数型，以BATTO3主要成分高温烧成。

料，电导率大、焊接方便、价格不高、工艺性好，但银电极在高温、高湿、强直流电场作用下银离子易迁移，造成电容器失效的主要原因，故目前沿用低温烧结用银钯结合（950---1100度）

材料的用途是由其性能所决定的，而材料的性能异不是一成不变的，可以通过改变厚材料的纯度，粒度或各种添加剂和各工艺因素等进行改性。

由于BATIO3（烧温高一般在1300度以上烧成）制作独石电容器需高熔点的贵金属，铂、钯、银、铜作电极（但内电极成本为30%---80%）其次是烧成时为避免内电极氧化，熔融、必需用。

NI在空气中会氧化，因而用NI电极的MLC应低氧分压下烧结，否则NI电极将氧化并向陶瓷内扩散，（用NI厚子迁移速度较银、钯都小，其外电极用NI与内电极同时烧成，电极联接的可靠性高）

独石电容器的可靠性，在长期使用过程中，在高温和直流电场作用下电性能逐渐变劣，表现损耗增加，绝缘下降以至短路，（主要由于介质存在缺陷如微气孔、裂纹以陶瓷片薄的区域或由内电极靠得较紧的部分其属增加导致发热从而降低了绝缘电阻。

．

沿着小型化、高频化、多功能化方向发展。

广泛应用于飞行仪器运载火箭、MLCC星定位、导航、雷达、电子对抗等微型电子。

MLCC片或多层陶瓷电容器的结构特点：

（片状、多层次结构、平行排列使印刷有效面积增大）

产要求孔洞越少越好，故此每个工序都能使MLCC陶瓷本身为多孔性，而MLCC生致命的欠缺，严格控制每道工艺环节非常重要。

的生产工艺过程MLCC前道工序生产工艺过程1节MLCC第配料从事种厚材料的来料”MLCC生产工艺的第一道工序，故语云：

“万事开头难配料是到瓷浆的形成都需经过科学的试验反复验证并通过摘优先取的下面我们介绍配料工序的生产工艺。

--------------成浆------------按工艺配方配制------------球磨厚材料来料配料术语

配料将陶瓷粉和粘合剂及溶剂等按一定比例经过球磨一定时间，形成陶瓷浆料。

配料所用的陶瓷材料

1、按材料特性分类可分为：

NPO（COG）、X7R、Y5V三种

2、按材料类型可分为：

BME、NME两种类型同

3、时均包括NPO（COG）、X7R、Y5V特性材料

4、我公司目前所用的陶瓷材料，

5、材料如下：

BME类：

（1）NPO（COG）-------------CG---33C（CG---32）

（2）X7R---------------AD342NAD352NX7R-NI

（3）Y5V------------AD143NYF123BAD173BAD163N

NME类：

（1）NPO（COG）--------------CG800LCCG300LCOG150LCGL400

VLF-220B

（2）X7R----------AD302J

（3）Y5V

瓷粉的作用是：

瓷介电容的主要材料，烧成后成为持硬性脆，多晶多相结构的瓷体

配瓷浆所用的粘合剂

6、我司目前用于配瓷浆所用的粘合剂是PVB树脂系列粘合剂，7、主要有福州粘合剂（F518N、F518NC）、宇阳粘合剂（EYBP-C01）、美国粘合剂（B74001）。

8、粘合剂的作用是：

通过分散过程，9、粘合剂均匀地包围着每一粒瓷粉即每一粒瓷粉具有粘性，10、以便制作合格膜片。

四、配瓷浆所用的添加剂：

我司目前配制的瓷浆所用到的添加剂主要有：

消泡剂（DC350）、增塑剂（DOP）、分散剂（KD-1、AKM0531）

2、消泡剂作用是：

消泡、抑泡

3、增塑剂作用是：

使膜片增加塑性和柔韧，不易断裂

使瓷粉容易分散在粘合湿润及粘合剂新和力，分散可增强瓷粉和分散剂作用是：

、4．

剂中，并使体系稳定不易破坏。

瓷浆所用的溶剂：

我司目前用于配制瓷浆所用的溶剂有甲苯、无水乙醇两种，其作用是：

使瓷粉与粘合剂更好地均合均匀，使之具有合适的粘度（即有调整瓷浆粘度的作用）。

瓷浆配方的组成：

瓷浆配方由瓷粉、粘合剂、溶剂、添加剂各组份按一比例组成，瓷浆的配方工艺是由工程技术人员通过科学试验收集数据总结经验后所定的，故对配方中所需的材料，数量必须准确无误。

瓷浆球磨（目的是使瓷浆分散好）

1、球磨工艺参数主要有球磨罐的转速（球磨机电机转速）、球磨的时间

2、球磨罐的分类：

球磨罐分为小罐（10L以下）、中罐（10L—25L）、大罐（25L以上）三种，又分别用字母DG、ZG、XG来表示，小罐一般用于试验中，中罐也可以用地试验也可以实行中批生产，大罐一般用于正常生产。

3、磨介（锆球）

目前我司使用的磨介（锆球）直径为5MM、3MM，目前大多数有5MM的磨介一研磨浆料。

4、瓷浆分散机理

通过球磨作旋转运动使罐内介质补提起后呈倾流状态滚边滑下，球体裁

MLCC基础知识

一、电容器基础

电容器基本模型是一种中间被电介质材料隔开的双层导体电极所构成的单片器件，如图1所示。

这种介质必须是纯绝缘材料，它的特性在很大程度上决定了器件的电性能。

介质特性取决于电介质材料对电荷的储存能力（介电常数）和对外电场的本征响应，也就是电容量，损耗特性、绝缘电阻、介质抗电强度、老化速率以及上述性能的温度特性。

图1单层平板电容器

通常，电容器采用的介质材料见表1，主要包括：

空气（介电常数K几乎与真空相；合成材料：

如陶瓷，8～4）为K；天然介质：

如云母，介电常数（）1同，定义为

K值范围由9～1500。

电容器所用陶瓷介质是以钛酸盐为主要成份，可以通过配方调整制成具有极高介电常数和其他适当电特性的介质材料。

这是陶瓷电容器，尤其是片式多层陶瓷电容器（MLCC）技术的基础。

MLCC制造过程中的所有工艺和其它材料的确定原则都趋向于实现其介电性能的最优化。

表1各种材料的介电常数

材料0.8L0.9

介电常数-1000

材料±1202

介电常数K

真空A1.0

1.0-10000

玻璃±2503

3.7～19L

空气M1.5

1.004+1

氧化铝±5004±1000

9M

聚酯（PET膜）P2.2R3.3

3+10+100+1000

氧化钛（TiO2）5±25006

85～170（随晶轴方向变化）N

纸S4.7T

4～6+10000

钛酸钡（BaTiO3）78

1500

云母7.5U

4～8

陶瓷（综合各种特性配制的复合体）9

20～15000

二、电容量

电容器的基本特性是能够储存电荷（Q）。

储存电荷量Q与电容量（C）和外加电压（V）成正比。

Q=CV

因此，充电电流被定义为：

I=dQ/dt=QdV/dt

当电容器外加电压为1伏特，充电电流为1安培，充电时间为1秒时，电容量定义为1法拉。

C=Q/V=库仑/伏特=法拉

由于法拉是一个很大的测量单位，在实用中不会遇到，常用的是法拉的分数，即：

微法（μF）=10-6F

毫微法，又称为：

纳法（nF）=10-9F

微微法，又称为：

皮法（pF）=10-12F

三、影响电容量的因素

施加电压的单片电容器如图1，其电容量正比于器件的几何尺寸和相对介电常数：

C=KA/ft

在这里C=电容量；K=相对介电常数，简称介电常数；A=电极层面积；t=介质厚度；f=换算因子（在基础科学领域：

相对介电常数用εr表示。

在工程应用中以K表示，简称为介电常数）

在英制度量单位体系中，f=4.452，尺寸A和t用英寸，电容量值用微微法表示。

例如：

图1所示器件，面积1.0英寸×1.0英寸，介质厚度为0.056英寸，介电常数为2500。

（1.0）

×1.0×2500．

C==10027pF

4.452×0.056

对于同一电容器，采用公制体系，换算因子f=11.31，尺寸用cm，容值也用微微法（pF）表示,，则：

2500×2.54×2.54

C==10028pF

11.31×0.1422

可见，电容量和几何尺寸的关系是很明确的，增大电极面积和减少介质厚度，均可获得较大容量值。

然而，无休止地增大单层电容器的面积或减少介质的厚度是不切合实际的。

因此，提出了平行阵列式迭层型电容器的新概念，按这种方式可以制造比体积电容很大的单个器件，如图2所示。

在这种“多层”结构中，由于平行地排列了多层电极，使电极有效面积A'得以增大，而在电极间的介质厚度t'则有可能进一步减薄，因此，电容量C随介质层数N的增大和介质厚度t'的减小而增大。

这里，A'是两两相对的交错电极重合面积：

图2MLCC结构图

KA'N

C=

4.452t'

用同样的介质材料，过去在1.0英寸×1.0英寸×0.056英寸单层电容器上所获得的容量，现在以30层介质厚度为0.001英寸的多层电容器即可获得。

迭层结构所需尺寸仅为0.050英寸×0.040英寸×0.040英寸，电极重合面积A'为0.030英寸×0.020

英寸。

2500×0.030×0.020

C==10107pF

4.452×0.001

这一实例表明多层结构在提供同样大容量的情况下，体积较单层器件缩小700倍。

因此，通过优化几何尺寸，选择具有优良电性能的介质材料，设计制造的片式多层．

电容器即可具有极大的比体积电容。

对介质材料的要求是，具有高介电常数，并且在制成薄层结构后仍保持良好的绝缘电阻和介质抗电强度等。

四、电容量的分类

在工业生产中，介质材料是根据电容量温度系数来进行区别和分类的。

片式多层陶瓷电容器通常采用两大类别