第二章晶体结构缺点.docx

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第二章晶体结构缺点

第二章晶体结构缺点

咱们在讨论晶体结构时，是将晶体看成无穷大，而且组成晶体的每一个粒子（原子、分子或离子）都是在自己应有的位置上，如此的理想结构中，每一个结点上都有相应的粒子，没有空着的结点，也没有多余的粒子，超级规则地呈周期性排列。

实际晶体是如此的吗？

测试表明，与理想晶体相较，实际晶体中会有正常位置空着或间隙位置填进一个额外质点，或杂质进入晶体结构中等等不正常情形，热力学计算表明，这些结构中对理想晶体偏离的晶体才是稳固的，而理想晶体实际上是不存在的。

结构上对理想晶体的偏移被称为晶体缺点。

实际晶体或多或少地存在着缺点，这些缺点的存在自然会对晶体的性质产生或大或小的影响。

晶体缺点不仅会影响晶体的物理和化学性质，而且还会影响发生在晶体中的进程，如扩散、烧结、化学反映性等。

因此掌握晶体缺点的知识是掌握材料科学的基础。

晶体的结构缺点主要类型如表2—1所示。

这些缺点类型，在无机非金属材料中最大体和最重要的是点缺点，也是本章的重点。

表2—1晶体结构缺点的主要类型

2.1

缺陷种类

名称

点缺陷

瞬变缺陷

声子

电子缺陷

电子、空穴

原子缺陷

空位

填隙原子

取代原子

缔合中心

广泛缺陷

缺陷簇

切变结构

块结构

线缺陷

位错

面缺陷

晶体表面

晶粒晶界

体缺陷

孔洞和包裹物

点缺点

研究晶体的缺点，就是要讨论缺点的产生、缺点类型、浓度大小及对各类性质的影响。

60年代，F．A．Kroger和H．J．Vink成立了比较完整的缺点研究理论——缺点化学理论，主要用于研究晶体内的点缺点。

点缺点是一种热力学可逆缺点，即它在晶体中的浓度是热力学参数（温度、压力等）的函数，因此能够用化学热力学的方式来研究晶体中点缺点的平衡问题，这就是缺点化学的理论基础。

点缺点理论的适用范围有必然限度，当缺点浓度超过某一临界值（大约在0．1原子％左右）时，由于缺点的彼此作用，会致使普遍缺点（缺点簇等）的生成，乃至会形成超结构和分离的中间相。

但大多数情形下，对许多无机晶体，即便在高温下点缺点的浓度也不会超过上述极限。

缺点化学的大体假设：

将晶体看做稀溶液，将缺点看成溶质，用热力学的方式研究各类缺点在必然条件下的平衡。

也就是将缺点看做是一种化学物质，它们能够参与化学反映——准化学反映，必然条件下，这种反映达到平衡状态。

点缺点的类型

点缺点主如果原子缺点和电子缺点，其中原子缺点能够分为三种类型：

（1）空位：

在有序的理想晶体中应该被原子占据的格点，此刻却空着。

（2）填隙原子：

在理想晶体中原子不该占有的那些位置叫做填隙（或间隙）位置，处于填隙（或间隙）位置上的原子就叫填隙（或间隙）原子。

（3）取代原子：

一种晶体魄点上占据的是另一种原子。

如AB化合物晶体中，A原子占据了B格点的位置，或B原子占据了A格点位置（也称错位原子）；或外来原子（杂质原子）占据在A格点或B格点上。

晶体中产生以上各类原子缺点的大体进程有以下三种：

（1）热缺点进程：

当晶体的温度高于绝对0K时，由于晶格内原子热振动，原子的能量是涨落的，总会有一部份原子取得足够的能量离开平衡位置，造成原子缺点，这种缺点称为热缺点．显然，温度越高，能离开平衡位置的原子数也越多。

晶体中常见的热缺点有两种大体形式：

弗伦克尔（Frenkel）缺点和肖特基（Schottky）缺点。

为简便起见，咱们考虑—个二元化合物MX，具有所对应的晶体结构，在此晶体结构中，M的位置数和X的位置数之比为1:

1，而且该化合物晶体是电中性的。

这是咱们以往所学习的化学物理知识所成立的。

在这里，咱们要重申：

①由于晶体结构的特性，在缺点形成的进程中，必需维持位置比不变，不然晶体的构造就被破坏了；②晶体是电中性的。

若是在晶格热振动时，一些能量足够大的原子离开平衡位置后，挤到晶格的间隙中，形成间隙原子，而原来位置上形成空位，这种缺点称为弗伦克尔缺点，如图2—1所示．

图2—1Frenkel缺点图2—2Schottky缺点

Frenkel缺点的特点是：

①间隙原子和空位成对出现；②缺点产生前后，晶体体积不变。

若是正常格点上的原子，在热起伏进程中取得能量离开平衡位且迁移到晶体的表面，在晶体内正常格点上留下一套空位，这就是肖特基缺点，如图2—1所示。

Schottky缺点的特点是：

①空位成套出现；②晶体的体积增加。

例如NaCl晶体中，产生一个Na+空位时，同时要产生一个Cl-空位。

这两种缺点的产生都是由于原子的热运动，所以缺点浓度与温度有关。

（2）杂质缺点进程：

由于外来原子进入晶体而产生缺点。

如此形成的固体称为固溶体。

杂质原子进入晶体后，因与原有的原子性质不同，故它不仅破坏了原有晶体的规则排列，而且在杂质原子周围的周期势场引发改变，因此形成一种缺点。

按照杂质原子在晶体中的位置可分为间隙杂质原子及置换（或称取代）杂质原子两种。

杂质原子在晶体中的溶解度主要受杂质原子与被取代原子之间性质不同控制，固然也受温度的影响，但受温度的影响要比热缺点小。

若杂质原子的价数不同，则由于晶体电中性的要求，杂质的进入会同时产生补偿缺点。

这种补偿缺点可能是带有效电荷的原子缺点，也可能是电子缺点。

（3）非化学计量进程：

咱们在无机化学等学科中学习过很多化学计量的化合物，如NaCl、KCl、CaCO3等。

一个化学计量的晶体是如何的呢？

晶体的组成与其位置比正好相符的就是化学计量晶体，反之，若是晶体的组成与其位置比不符（即有偏离）的晶体就是非化学计量晶体。

如TiO2晶体中Ti格点数与O格点数之比为1:

2，且晶体中Ti原子数与O原子数之比也是1:

2，则符合化学计量关系。

而对来讲，其化学组成Ti:

O=1:

，的结构仍为TiO2结构，格点数之比仍为1:

2，所以，是非化学计量晶体。

非化学计量晶体的化学组成会明显地随周围气氛的性质和压力大小的转变而转变，但当周围条件转变专门大以后，这种晶体结构就会随之瓦解，而成为另一种晶体结构。

非化学计量的结果往往使晶体产生原子缺点的同时产生电子缺点，从而使晶体的物理性质发生庞大的转变。

如Ti02是绝缘体，但却具有半导性质。

电子缺点包括晶体中的准自由电子（简称电子）和空穴。

电子缺点能够通过本征进程（晶体价带中的电子跃迁到导带中去）或原子缺点的电离进程产生。

在无机晶体中原子按必然晶体结构周期性地排列在格点位置上，晶体中每一个电子都在带正电的原子核及其他电子所形成的周期势场中运动，电子再也不束缚于某一特定原子，而是整个晶体共有的，专门是价电子的共有化是很显著的。

依照固体能带理论，晶体中所有电子的能量处在不同的能带中，能带中每一个能级能够容纳二个自旋相反的电子。

相邻两个能带之间的一些能量值，电子是不允许有的，因此相邻二个能带间的能量范围称为“禁带”。

对于无机晶体，由于低能级到高能级，能带中都占满了电子，这些能带称为“满带”。

能带最高的满带是由价电子能级组成的，叫做“价带”。

价带上面的能带没有电子，称为“空带”。

当晶体处于绝对零度时，满带中没有空能级（空的电子态），空带中也没有电子。

这对应于晶体电子的有序状态。

当温度升高时，价带中一些热运动能量高的电子有可能越过禁带跃迁到上面的空带中。

这就偏离了电子的有序态，因此称其为电子缺点：

空带中的电子叫作自由电子，而价带中空出来的电子能级（电子态）则叫作空穴。

具有自由电子的空带又叫导带。

通过电子从价带跃迁到导带产生电子缺点的进程称为本征进程。

电子缺点也能够通过原子缺点的电离而产生。

原子缺点（包括空位、填隙原子和杂质原子、错位原子）处的电子态不同于无缺点处的电子态，原子缺点的电子能级往往会落在价带和导带之间的禁带中。

若原子缺点能级上有电子能够跃迁到导带从而产生自由电子，则这种原子缺点称为施主，施主给出电子的进程就是施主电离进程；若原子缺点有空的能级，能够容纳从价带跃迁上来的电子，则此原子缺点叫作受主，受主同意从价带跃迁的不电子，同时在价带中产生空穴的进程就是受主电离进程。

`

点缺点化学反映表示法

既然将点缺点看成是化学物质，点缺点之间会发生一系列类似化学反映的缺点化学反映。

因此，咱们第一要熟悉参与反映的缺点符号。

为讨论方便起见，目前采用得最普遍的表示方式是Kroger—Vink符号，它由三部份组成，如下所示：

1区写缺点种类

右上角写缺点有效电荷

右下角写缺陷在晶体中的位置

如Ai表示：

A原子在填隙位置上；VA表示：

A格点位置空着；

MA表示：

M原子在A格点位置上；Mi表示：

M原子在填隙位置上。

关于有效电荷，Kroger方式规定：

一个处在正常位置上的离子，当它的价数与化合物的化学计量式相一致时，则它相对于晶格来讲，所带电荷为零。

“”表示有效正电荷；“×”表示有效零电荷；“′”表示有效负电荷。

如NiO晶格中，Ni2+和O2-相对于晶格的有效电荷为零。

如NiO中有部份Ni2+氧化成Ni3+，则这些Ni3+的有效电荷为+l；若A13+、Cr3+取代了Ni2+，则这些杂质离子的有效电荷也是+1；若是是一价阳离子取代Ni2+，如Li+，则该缺点的有效电荷为-1，所以该缺点记为：

。

下面列举NiO晶体中的几种缺点及其相应表示方式：

Ni2+在Ni格点位置上记为；

O2-在O格点位置上记为；

Al3+在Ni格点位置上记为；

Cr3+在Ni格点位置上记为；

Li+在Ni格点位置上记为。

下面再以MX离子晶体（M为二价阳离子、X为二价阴离子）为例来讲明缺点化学符号的表示方式：

（1）晶格中的空位：

用VM和Vx别离表示M原子空位和X原子空位，V表示空位缺点类型，下标M、X表示原子空位所在的位置。

必需注意，这种不带电的空位是表示原子空位。

若MX是离子晶体，当M2+离开其原来格点位置时，晶体中的这一点就少了两个正电荷，因此M空位相对于晶格来讲带两个有效负电荷，缺点符号记为。

（2）填隙原子：

Mi和Xi别离表示M及X原子处在间隙位置上。

（3）错位原子：

Mx表示M原子占据在X位置上。

（4）杂质原子：

表示杂质L处在M位置上，Sx表示S杂质处在X位置。

例如Ca取代了MgO晶格中的Mg写作。

Ca若填隙在MgO晶格中写作。

（5）自由电子及电子空穴：

导带中的自由电子带一个有效负电荷，记作e´，价带中的空穴带一个有效正电荷，记作。

（6）缔合中心：

一个带电的点缺点也可能与另一个带有相反符号的点缺点彼此缔合成一组或一群，一般把发生缔合的缺点放在括号内来表示。

例如和发生缔合可记作：

（）。

点缺点产生和消灭的进程能够用化学反映式来表示，这种反映式的写法必需知足：

（1）质量守衡：

反映式左侧出现的原子、离子，也必需以一样数量出此刻反映式右边。

注意空位的质量为零；电子缺点也要维持质量守衡。

（2）电荷守衡：

反映式两边的有效电荷代数和必需相等。

（3）位置关系：

晶体中各类格点数的固有比例关系必需维持不变。

由于晶体结构要求各类位置数有固定比例，因此反映前后，都必需维持这种比例。

例如在α—Al203中，A1格点与O格点数之比在反映前后，都必需是2:

3。

只要维持比例不变，每一种类型的位置总数能够改变。

对一些常常表现为非化学计量的化合物如Ti02-δ（δ很小）也必需维持固定比例，即Ti格点数与O格点数之比为1:

2。

缺点化学反映式在描述材料的搀杂、固溶体的生成和非化学计量化合物的反映中都是很重要的。

为了掌握上述规则在缺点反映中的应用，现举例说明如下（对于二元化合物MX，假定为M2+X2-）：

（1）Schottky缺点：

生成等量的阴离子空位和阳离子空位（相当于等量的阴、阳离子从其正常格点扩散到晶体表面），对于二元化合物M2+X2-可写成：

（0表示无缺点状态）

进一步电离有：

或

（2）Frenkel缺点：

或

（3）MX变成非化学计量MX1-y，X进入气相中，相应X格点上产生空位：

（气）

或（气