电磁干扰的屏蔽方法知识Word文档格式.docx
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而信号传导则通过耦合到电源、信号和控制线上离开外壳，在开放的空间中自由辐射，从而产生滋扰。
许多EMI抑制都采取外壳屏蔽和漏洞屏蔽结合的方法来实现，大多数时候下面这些简单原则可以有助于实现EMI屏蔽：
从源头处低落滋扰；
通过屏蔽、过滤或接地将滋扰产生电路断绝以及增强敏感电路的抗滋扰能力等。
EMI抑制性、断绝性和低敏感性应该作为所有电路设计人员的目标，这些性能在设计阶段的早期就应完成。
对设计工程师而言，采取屏蔽质料是一种有效低落EMI的要领。
如今已有多种外壳屏蔽质料得到遍及使用，从金属罐、薄金属片和箔带到在导电织物或卷带上喷射涂层及镀层（如导电漆及锌线喷涂等）。
无论是金属照旧涂有导电层的塑料，一旦设计人员确定作为外壳质料之后，就可着手开始选择衬垫。
金属屏蔽效率
可用屏蔽效率（SE）对屏蔽罩的适用性进行评估，其单位是分贝，盘算公式为
SEdB=A+R+B
其中A：
吸收损耗（dB）R：
反射损耗（dB）B：
校正因子（dB）（适用于薄屏蔽罩内存在多个反射的情况）
一个简单的屏蔽罩会使所产生的电磁场强度降至最初的十分之一，即SE便是20dB；
而有些场合可能会要求将场强降至为最初的十万分之一，即SE要便是100dB。
吸收损耗是指电磁波穿过屏蔽罩时能量损耗的数量，吸收损耗盘算式为
AdB=1.314（f×
σ×
μ）1/2×
t
其中f：
频率（MHz）μ：
铜的导磁率σ：
铜的导电率t：
屏蔽罩厚度
反射损耗（近场）的巨细取决于电磁波产生源的性质以及与波源的距离。
对付杆状或直线形发射天线而言，离波源越近波阻越高，然后随着与波源距离的增加而下降，但平面波阻则无变革（恒为377）。
相反，如果波源是一个小型线圈，则此时将以磁场为主，离波源越近波阻越低。
波阻随着与波源距离的增加而增加，但当距离凌驾波长的六分之一时，波阻不再变革，恒定在377处。
反射损耗随波阻与屏蔽阻抗的比率变革，因此它不但取决于波的类型，并且取决于屏蔽罩与波源之间的距离。
这种情况适用于小型带屏蔽的设备。
近场反射损耗可按下式盘算
R（电）dB=321.8-（20×
lgr）-（30×
lgf）-[10×
lg（μ/σ）]R（磁）dB=14.6+（20×
lgr）+（10×
lgf）+[10×
lg（μ/σ）]
其中r：
波源与屏蔽之间的距离。
SE算式最后一项是校正因子B，其盘算公式为
B=20lg[-exp（-2t/σ）]
此式仅适用于近磁场情况并且吸收损耗小于10dB的情况。
由于屏蔽物吸收效率不高，其内部的再反射会使穿过屏蔽层另一面的能量增加，所以校正因子是个负数，体现屏蔽效率的下降情况。
EMI抑制战略
只有如金属和铁之类导磁率高的质料才华在极低频率下到达较高屏蔽效率。
这些质料的导磁率会随着频率增加而低落，另外如果初始磁场较强也会使导磁率低落，另有就是采取机器要领将屏蔽罩作成规定形状同样会低落导磁率。
综上所述，选择用于屏蔽的高导磁性质料非常庞大，通常要向EMI屏蔽质料供给商以及有关咨询机构寻求解决方案。
在高频电场下，采取薄层金属作为外壳或内衬质料可到达良好的屏蔽效果，但条件是屏蔽必须连续，并将敏感部分完全遮挡住，没有缺口或漏洞（形成一个法拉第笼）。
然而在实际中要制造一个无接缝及缺口的屏蔽罩是不可能的，由于屏蔽罩要分成多个部分进行制作，因此就会有漏洞需要接合，另外通常还得在屏蔽罩上打孔以便安装与插卡或装配组件的连线。
设计屏蔽罩的困难在于制造历程中不可制止会产生孔隙，并且设备运行历程中还会需要用到这些孔隙。
制造、面板连线、通风口、外部监测窗口以及面板安装组件等都需要在屏蔽罩上打孔，从而大大低落了屏蔽性能。
尽管沟槽和漏洞不可制止，但在屏蔽设计中对与电路事情频率波长有关的沟槽长度作仔细考虑是很有利益的。
任一频率电磁波的波长为:
波长（λ）=光速（C）/频率（Hz）
当漏洞长度为波长（截止频率）的一半时,RF波开始以20dB/10倍频（1/10截止频率）或6dB/8倍频（1/2截止频率）的速率衰减。
通常RF发射频率越高衰减越严重，因为它的波长越短。
当涉及到最高频率时，必须要考虑可能会出现的任何谐波，不外实际上只需考虑一次及二次谐波即可。
一旦知道了屏蔽罩内RF辐射的频率及强度，就可盘算出屏蔽罩的最大允许漏洞和沟槽。
例如如果需要对1GHz（波长为300mm）的辐射衰减26dB,则150mm的漏洞将会开始产生衰减，因此当存在小于150mm的漏洞时，1GHz辐射就会被衰减。
所以对1GHz频率来讲，若需要衰减20dB，则漏洞应小于15mm（150mm的1/10），需要衰减26dB时，漏洞应小于7.5mm（15mm的1/2以上），需要衰减32dB时，漏洞应小于3.75mm（7.5mm的1/2以上）。
可采取符合的导电衬垫使漏洞巨细限定在规定尺寸内，从而实现这种衰减效果。
屏蔽设计难点
由于接缝会导致屏蔽罩导通率下降，因此屏蔽效率也会低落。
要注意低于截止频率的辐射其衰减只取决于漏洞的长度直径比，例如长度直径比为3时可得到100dB的衰减。
在需要穿孔时，可利用厚屏蔽罩上面小孔的波导特性；
另一种实现较高长度直径比的要领是附加一个小型金属屏蔽物，如一个巨细符合的衬垫。
上述原理及其在多缝情况下的推广组成多孔屏蔽罩设计底子。
多孔薄型屏蔽层：
多孔的例子许多，比如薄金属片上的通风孔等等，当各孔间距较近时设计上必须要仔细考虑。
下面是此类情况下屏蔽效率盘算公式
SE=[20lg（fc/o/σ）]-10lgn其中fc/o：
截止频率n：
孔洞数目
注意此公式仅适用于孔间距小于孔直径的情况，也可用于盘算金属编织网的相关屏蔽效率。
接缝和接点：
电焊、铜焊或锡焊是薄片之间进行永久性牢固的常用方法，接合部位金属外貌必须清理洁净，以使接合处能完全用导电的金属填满。
不发起用螺钉或铆钉进行牢固，因为紧固件之间接合处的低阻打仗状态不容易长期保持。
导电衬垫的作用是淘汰接缝或接合处的槽、孔或漏洞，使RF辐射不会散发出去。
EMI衬垫是一种导电介质，用于填补屏蔽罩内的空隙并提供连续低阻抗接点。
通常EMI衬垫可在两个导体之间提供一种灵活的连接，使一个导体上的电流传至另一导体。
封孔EMI衬垫的选用可参照以下性能参数：
·
特定频率范畴的屏蔽效率·
安装要领和密封强度·
与外罩电流兼容性以及对外部情况的抗腐化能力。
事情温度范畴·
本钱
大多数商用衬垫都具有足够的屏蔽性能以使设备满足EMC标准，要害是在屏蔽罩内正确地对垫片进行设计。
垫片系统：
一个需要考虑的重要因素是压缩，压缩能在衬垫和垫片之间产生较高导电率。
衬垫和垫片之间导电性太差会低落屏蔽效率，另外接合处如果少了一块则会出现细缝而形成槽状天线，其辐射波长比漏洞长度小约4倍。
确保导通性首先要包管垫片外貌平滑、洁净并经过须要处理惩罚以具有良好导电性，这些外貌在接合之前必须先遮住；
另外屏蔽衬垫质料对这种垫片具有连续良好的粘合性也非常重要。
导电衬垫的可压缩特性可以弥补垫片的任何不规矩情况。
所有衬垫都有一个有效事情最小打仗电阻，设计人员可以加大对衬垫的压缩力度以低落多个衬垫的打仗电阻，虽然这将增加密封强度，会使屏蔽罩变得更为弯曲。
大多数衬垫在压缩到原来厚度的30%至70%时效果比力好。
因此在发起的最小打仗面范畴内，两个相向凹点之间的压力应足以确保衬垫和垫片之间具有良好的导电性。
另一方面，对衬垫的压力不应大到使衬垫处于非正常压缩状态，因为此时会导致衬垫打仗失效，并可能产生电磁泄漏。
与垫片疏散的要求对付将衬垫压缩控制在制造商发起范畴非常重要，这种设计需要确保垫片具有足够的硬度，以免在垫片紧固件之间产生较大弯曲。
在某些情况下，可能需要另外一些紧固件以防备外壳结构弯曲。
压缩性也是转动接合处的一个重要特性，如在门或插板等位置。
若衬垫易于压缩，那么屏蔽性能会随着门的每次转动而下降，此时衬垫需要更高的压缩力才华到达与新衬垫相同的屏蔽性能。
在大多数情况下这不太可能做得到，因此需要一个长期EMI解决方案。
如果屏蔽罩或垫片由涂有导电层的塑料制成，则添加一个EMI衬垫不会产生太多问题，但是设计人员必须考虑许多衬垫在导电外貌上都市有磨损，通常金属衬垫的镀层外貌更易磨损。
随着时间增长这种磨损会低落衬垫接合处的屏蔽效率，并给背面的制造商带来麻烦。
如果屏蔽罩或垫片结构是金属的，那么在喷涂抛光质料之前可加一个衬垫把垫片外貌包住，只需用导电膜和卷带即可。
若在接合垫片的两边都使用卷带，则可用机器固件对EMI衬垫进行紧固，例如带有塑料铆钉或压敏粘结剂（PSA）的“C型”衬垫。
衬垫安装在垫片的一边，以完成对EMI的屏蔽。
衬垫及附件
目前可用的屏蔽和衬垫产物非常多，包罗铍-铜讨论、金属网线（带弹性内芯或不带）、嵌入橡胶中的金属网和定向线、导电橡胶以及具有金属镀层的聚氨酯泡沫衬垫等。
大多数屏蔽质料制造商都可提供种种衬垫能到达的SE预计值，但要记取SE是个相对数值，还取决于孔隙、衬垫尺寸、衬垫压缩比以及质料身分等。
衬垫有多种形状，可用于种种特定应用，包罗有磨损、滑动以及带铰链的场合。
目前许多衬垫带有粘胶或在衬垫上面就有牢固装置，如挤压插入、管脚插入或倒钩装置等。
种种衬垫中，涂层泡沫衬垫是最新也是市面上用途最广的产物之一。
这类衬垫可做成多种形状，厚度大于0.5mm，也可淘汰厚度以满足UL燃烧及情况密封标准。
另有另一种新型衬垫即情况/EMI殽杂衬垫，有了它就可以无需再使用单独的密封质料，从而低落屏蔽罩本钱和庞大水平。
这些衬垫的外部覆层对紫外线稳定，可防潮、防风、防清洗溶剂，内部涂层则进行金属化处理惩罚并具有较高导电性。
最近的另外一项改造是在EMI衬垫上装了一个塑料夹，同传统压制型金属衬垫相比，它的重量较轻，装配时间短，并且本钱更低，因此更具市场吸引力。
结论
设备一般都需要进行屏蔽，这是因为结构自己存在一些槽和漏洞。
所需屏蔽可通过一些根本原则确定，但是理论与现实之间照旧有差别。
例如在盘算某个频率下衬垫的巨细和间距时还必须考虑信号的强度，如同在一个设备中使用了多个处理惩罚器时的情形。
外貌处理惩罚及垫片设计是保持长期屏蔽以实现EMC性能的要害因素。
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