史上的pcb封装命名规范Word文档格式.docx
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SOP类封装命名30
SOIC封装命名31
SOJ封装命名31
SON封装命名31
SOT封装命名32
TO封装命名33
连接器封装命名34
其它封装命名34
1范围
本规范适用于主流EDA软件在PCB设计前的封装建库命名。
2引用
IPC-7351B:
GenericRequirementsforSurfaceMountDesignandLandPatternStandard.PCBlibrariesFootprintNamingConvention.
3约束
①本规范中所有的命名只能采用占一个字节(即半角输入)的数字(0-9)、字母(a-z无大小写限制)、下划线(_)、中横线(-)四种字符,其它符号均属于非法字符。
②命名中所使用的尺寸单位只能采用公制单位毫米(mm)或者英制单位毫英寸(mil)。
③命名中的所有尺寸(如长、宽、高等),如果采用公制,数字的后两位表示小数位(如果实际小数位不止两位则四舍五入到两位数),整数位长度无限制。
例如:
r160_50s15mm中的长度160表示,宽度50表示。
④命名中的所有尺寸(如长、宽、高等),如果采用英制,那么数字全都是整数,没有小数位,整个数字的长度无限制。
r210_90s6mil中的长度210表示210mil,宽度90表示90mil。
⑤规范中大括号{}以及它包含的内容表示参数。
capae{BodySize}x{Height}{Level}mm(mil)假设对应的封装名为capae240x310nmm,那么{BodySize}就是240,{Height}就是310,{Level}就是n,如果单位用的毫米,后缀就是mm,否则就是mil。
⑥参数解释。
{Level}:
密度等级。
见节。
{}:
器件厂家。
可用完整英文或者英文缩写或者汉语拼音。
{PartNumber}:
厂家完整型号。
如果包含非法字符,须删除或者用下划线替代。
{Length}:
器件长度。
取典型值,若无典型值则取平均值,若仅有一个值,则取该值。
{Width}:
器件宽度。
取典型值。
{Height}:
器件高度。
取最大。
{LeadSpacing}:
两引脚插装器件的引脚间距。
{Pitch}:
相邻引脚的间距。
{LeadDiameter}:
插装器件引脚的直径。
取最大值。
{BodyLength}:
封装体长度。
{BodyWidth}:
封装体宽度。
{BodyHeight}:
封装体高度。
{BodyThickness}:
封装体厚度。
{BodyDiameter}:
圆柱形器件封装体的直径。
{LeadSpan}:
排距。
两排引脚外沿的距离,取典型值。
{LeadSpanL1}:
排距1。
矩形四边引脚的器件其中较小的排距。
{LeadSpanL2}:
排距2。
矩形四边引脚的器件其中较大的排距。
{PinQty}:
引脚数量。
此数量包含功能引脚数量和散热盘的数量。
{Columns}:
引脚的列数。
{Rows}:
引脚的行数。
说明:
根据实际数据手册(datasheet)的描述,如果手册没有给出典型值,则计算平均值;
如果手册只给出了唯一值(无论是最小值还是最大值),则取该值。
4焊盘的命名
焊盘是组成封装的单元,本节所讲的焊盘包括表贴焊盘、通孔焊盘,以及组成特殊表贴焊盘的shape和组成通孔焊盘的flash。
表贴焊盘命名规范
标准表贴焊盘标准表贴焊盘包含正方形、长方形、圆形和椭圆形焊盘。
例:
W=,H=,D=40mil
命名格式:
长方形/椭圆形:
正方形/圆形:
①焊盘形状。
r表示矩形(rectangle);
c表示圆形(circle);
s表示方形(square);
b表示椭圆形(oblong)
②W:
焊盘的长度(长边)。
③H:
焊盘的宽度(短边)
④s:
固定字符,表示阻焊(soldermask)。
⑤阻焊增量。
阻焊长度(宽度)减去焊盘长度(宽度)的尺寸。
⑥创建焊盘使用的单位。
只采用mm(公制)和mil(英制)两种。
D形表贴焊盘
W=,H=
①d表示焊盘形状为D形。
非标准表贴焊盘
非标准表贴焊盘是指不能直接制作,只能用shape组成的除标准焊盘和D形焊盘外的其它任
意形状焊盘。
smd_{}_{Number}其中为这个焊盘适用的封装名,Number为数字,如果此封装只包含一个非标准焊盘,那么Number可忽略,如果封装包含两个非标准焊盘,那么Number就分别表示1和2,以此类推。
封装sot230p700x180-4nmm包含两个非标准焊盘,那么这两个焊盘名分别为
smd_sot230p700x180-4nmm_1和smd_sot230p700x180-4nmm_2。
通孔焊盘命名规范
EDA软件能创建的通孔焊盘,其通孔部分的形状包含圆形、矩形和椭圆形,焊接部分的焊盘形状有圆形、矩形、椭圆形、正方形、八边形。
圆形/方形焊盘命名
H=,D=1mm命名格式:
带自定义flash的金属孔:
不带自定义flash的金属孔:
非金属孔:
⑴t:
固定字符,表示通孔焊盘(through)。
⑵焊盘的形状,c为圆形(circle),s为方形(square)。
⑶焊盘的边长。
⑷表示钻孔形状,c为圆形(circle),s为方形(square)。
⑸钻孔直径。
⑹钻孔类型。
p表示钻孔内壁上锡(plated),为金属孔;
n为非金属孔(non-plated)。
⑺花焊盘(thermalrelief)的外径。
⑻花焊盘(thermalrelief)的内径。
⑼花焊盘的辐宽。
⑽s:
⑾阻焊增量。
⑿创建焊盘使用的单位。
椭圆形/矩形焊盘命名
W1=,W2=,H1=,H2=
带自定义flash的金属孔:
⑵焊盘的形状,b为椭圆形(oblong),r为矩形(rectangle)。
⑶焊盘的长度。
⑷焊盘的宽度。
⑸表示钻孔形状,b为椭圆形(oblong),r为矩形(rectangle)。
⑹钻孔的长度。
⑺钻孔的宽度。
⑻钻孔类型。
⑼花焊盘(thermalrelief)的外圈长度。
⑽花焊盘(thermalrelief)的内圈长度。
⑾花焊盘的辐宽。
⑿s:
⒀阻焊增量。
⒁创建焊盘使用的单位。
花焊盘命名
D=,d=1mm,w=,b=90°
,H1=,H2=1mm,W1=,W2=。
命名格式:
矩形/椭圆形花焊盘:
方形/圆形花焊盘:
⑴f:
固定字母,代表花焊盘(flash)。
⑵花焊盘外圈长度。
⑶花焊盘外圈宽度。
⑷x:
分隔符号。
⑸花焊盘内圈长度。
⑹花焊盘内圈宽度。
⑺花焊盘形状。
c表示圆形(circle),b表示椭圆形(oblong),s表示方形(square),
r表示矩形(rectangle)。
⑻花焊盘的辐宽。
⑼花焊盘开口方向与水平线的夹角(锐角)。
⑽命名的单位。
Shape命名
要制作特殊形状的焊盘,需要事先在软件中制作焊盘的形状shape,下面是特殊形状焊盘的例子,如键盘按键的焊盘、SON封装的散热焊盘等。
sh_{}_{Number}说明:
⑴sh:
固定字符,表示特殊形状焊盘(shape)。
⑵表示此shape适用的封装名。
⑶Number是数字后缀。
如果封装只包含一个shape,那么Number可忽略;
如果封装有两个shape,Number分别是1和2,以此类推。
封装sot230p700x180-4nmm包含两个非标准焊盘,每个非标准焊盘对应的shape分别是
sh_sot230p700x180-4nmm_1和sh_sot230p700x180-4nmm_2。
5PCB封装命名
封装命名要求
①由于PCB分为高密度板,中等密度板,低密度板,因此制作的封装也分高中低三个等级。
M(A)——低密度(most)。
后缀M(A)表示低密度封装,封装尺寸较大。
N(B)——中等密度(nominal)。
后缀N(B)表示中等密度封装,封装尺寸适中。
L(C)——高密度(least)。
后缀L(C)表示高密度封装,封装尺寸较小。
表贴封装使用M,N,L;
插件封装使用A,B,C。
SOIC127P1041X419_8NMM,DIP762W46P254L1918H533Q7_14BMM。
②某些器件,尺寸的典型值完全一样,但偏差不一样。
例如8pin的SOIC封装,对于引脚跨距,有些厂家是6±
,有些厂家是6±
。
对于这种情况,需要在封装名称最后加上数字1,2,3,4……来区分。
SOIC127P1041X419_8N_1NMM。
③有些器件尺寸完全一样,但引脚排列顺序相反,如下图:
这种情况需要在封装名称后面加字母R区分。
例如上图右边的引脚排序与常规的逆时针排序相反,那么它的命名就是:
PLCC127P990X990X457_20RNMM。
④某些datasheet上的器件引脚最大编号大于引脚总数,如下图:
引脚最大编号14,但实际引脚数是4。
对于这种情况,命名中需要先体现出实际引脚数,然后列出引脚最大编号。
DIP762W46P254L1918H533Q_4_14BMM。
⑤某些器件实际引脚数大于datasheet上的引脚编号,如下图:
有编号的引脚数是48个,而实际引脚数是56个。
此时命名也需要体现出两者的数值。
BGA48C75P6X8_800X1200X120_56_48NMM。
⑥不同厂家的晶体管和场效应管,三个极的位置可能排列不一样,如下图:
命名时,可在封装名后面加上pinnumber1,2,3所对应的极。
例如1,2,3对应的极是B,C,E,那么封
装名称就是SOT95P237X117_BCE_3NMM。
电阻类命名
表贴电阻
表贴电阻常见类型:
片状电阻Resistorchip(RESC),模制电阻Resistormolded(RESM),柱状电阻
ResistorMelf(RESMELF)。
片状电阻:
resc_e{Type}_{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}x{PinLength}{Level}mm(mil)
模制电阻:
resm{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}{Level}mm(mil)
柱状电阻:
resmelf{BodyLength}x{BodyDiameter}{Level}mm(mil)
resc_e2010_500x250x65x60nmm表示片状电阻通用尺寸是英制的2010,实际长宽高分别是5mm、、,引脚长度是。
resmelf260x76nmm表示圆柱形电阻长度和直径分别是和。
⑴e{Type}中的e表示EIA(采用英制单位),Type表示片状电阻的通用尺寸,例如0402,0603,0805
等等,下面是通用尺寸的公制英制对照表,本规范命名采用英制Type。
英制(inch)
0201
0402
0603
0805
1206
1210
1812
2010
2512
公制(mm)
1005
1608
2012
3216
3225
4832
5025
6432
英制0805的长宽分别是和,对应的公制分别是2mm和。
⑵res(resistor)后面的c表示片状(chip),m表示模制(molded),melf(MetalElectricalFace)表示圆柱。
表贴排阻贴片排阻有下列几种类型:
引脚凹陷的排阻:
rescav{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}_{PinQty}{Level}mm(mil)
引脚凸出并且引脚尺寸都一样的排阻:
rescaxe{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}_{PinQty}{Level}mm(mil)
引脚凸出并且同一侧引脚尺寸不一样的排阻:
rescaxs{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}_{PinQty}{Level}mm(mil)
引脚平滑的排阻:
rescaf{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}_{PinQty}{Level}mm(mil)
rescav50p160x100x55_8nmm表示引脚凹陷的排阻相邻引脚间距是,长宽高分别是
、1mm和,引脚总数是8,以公制为单位制作的中等密度封装。
引脚在侧面而非底部的排阻命名:
rescav_{}_{PartNumber}{Level}mm(mil)rescaxe_{}_{PartNumber}{Level}mm(mil)rescaxs_{}_{PartNumber}{Level}mm(mil)rescaf_{}_{PartNumber}{Level}mm(mil)
res(resistor)后面的cav表示引脚凹陷的片状阵列(ChipArray,Concave),caxe表示引脚凸出并且引脚尺寸都一样的片状阵列(ChipArray,Convex,EvenPinSize),caxs表示引脚凸出并且同一侧引脚尺寸不一样的片状阵列(ChipArray,Convex,SidePinsDiff),caf表示引脚平滑的片状阵列(Chip,Array,Flat)。
轴向电阻
插装轴向电阻(横向安装):
resadh{LeadSpacing}w{LeadDiameter}l{BodyLength}d{BodyDiameter}{Level}mm(mil);
插装轴向电阻(纵向安装):
resadv{LeadSpacing}w{LeadDiameter}l{BodyLength}d{BodyDiameter}{Level}mm(mil);
RESADH0800W0052L0600D0150BMM表示轴向电阻水平安装,引脚间距8mm,引脚直径,电阻长度6mm,电阻直径,封装采用公制按照中等密度制作。
res(resistor)后面的adh表示轴向水平安装(AxialDiameterHorizontalMounting),adv表示轴向垂直安装(AxialDiameterVerticalMounting)。
非标准电阻非标准电阻是指上述电阻以外的电阻类型,例如封装为椭圆形,矩形等。
res_{}_{PartNumber}{Level}mm(mil);
res_zenithsun_sqp5w100jnmm表示厂家zenithsun生产的型号为sqp5w100j的水泥电阻封装以公制为单位制作的中等密度封装。
电位器命名
pot_{}_{PartNumber}{Level}mm(mil);
pot_bourns_pda241srt01504a2nmm表示电位器厂家是Bourns,型号是pda241srt01504a2,封装以公制为单位,中等密度封装。
说明:
pot(potentiometer)指电位器、电位计、可变电阻器。
电容器命名
表贴电容
无极性片状电容:
capc_e{Type}_{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}x{PinLength}{Level}mm(mil)
有极性片状电容:
capcp_e{Type}_{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}x{PinLength}{Level}mm(mil)线绕矩形片状电容:
capcwr{BodyLength}x{Diameter}{Level}mm(mil)模制有极性电容:
capmp{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}{Level}mm(mil)
模制无极性电容:
capm{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}{Level}mm(mil)
表贴铝电解电容:
capae{BodySize}x{Height}{Level}mm(mil)
⑵cap(capacitor)后面的c表示片状(chip),p表示有极性(polarized),cwr表示片状矩形(WireRectangle),m表示模制(molded),mp表示模制有极性(Molded,Polarized),ae(AluminumElectrolytic)表示铝电解。
表贴电容阵列
引脚凹陷的电容阵列:
capcav{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}-{PinQty}{Level}mm(mil)
引脚平滑的电容阵列:
capcaf{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}-{PinQty}{Level}mm(mil)
引脚凸出的电容阵列:
capcax{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}-{PinQty}{Level}mm(mil)
capcav50p160x100x55_8nmm表示引脚凹陷的电容阵列相邻引脚间距是,长宽高分别是、1mm和,引脚总数是8,以公制为单位制作的中等密度封装。
引脚在侧面而非底部的电容阵列:
capcav_{}_{PartNumber}{Level}mm(mil)capcaf_{}_{PartNumber}{Level}mm(mil)capcax_{}_{PartNumber}{Level}mm(mil)
cap(capacitor)后面的cav表示引脚凹陷的片状阵列(ChipArray,Concave),caf表示引脚平滑的片状阵列(Chip,Array,Flat)。
cax表示引脚凸出的片状阵列(ChipArray,Convex)。
插装电容
无极性轴向圆柱形电容(横向安装):
capadh{LeadSpacing}w{LeadDiameter}l{BodyLength}d{BodyDiameter}{Level}mm(mil)
无极性轴向圆柱形电容(纵向安装):
capadv{LeadSpacing}w{LeadDiameter}l{BodyLength}d{BodyDiameter}{Level}mm(mil)
有极性轴向圆柱形电容(横向安装):
cappadh{LeadSpacing}w{LeadDiameter}l{BodyLength}d{BodyDiameter}{Level}mm(mil)
无极性轴向矩形电容(横向安装):
caparh{LeadSpacing}w{LeadDiameter}l{BodyLength}t{Bodythickness}h{BodyHeight}{Level}mm(mil)
无极性轴向矩形电容(纵向安装):
caparv{LeadSpacing}w{LeadDiameter}l{BodyLength}t{Bodythickness}h{BodyHeight}{Level}
mm(mil)
有极性轴向矩形电容(横向安装):
capparh{LeadSpacing}w{LeadDiameter}l{BodyLength}t{Bodythickness}h{BodyHeight}{Level}mm(mil)
无极性径向圆柱形电容:
caprd{LeadSpacing}w{LeadDia