电子科学与技术专业英语复习过程.docx

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电子科学与技术专业英语复习过程

电子科学与技术专业英语

1.1Energybandsandcarrierconcentration

1.1.1semiconductormaterials

Newwords:

Semiconductorn.半导体;conductivityn.导电性;

Resistivityn.电阻率;impurityn.杂质;

Bipolartransistor双极型晶体管;rectifiern.整流器;

Photodiode光电二极管;devicen.装置；策略；图案;

leakagecurrents泄漏电流magneticadj.有吸引力的；有磁性的；

Quartzn.石英;aluminumn.铝;

illuminationn.照明；[光]照度;siliconn.硅；硅元素;galliumn.[化学]镓galliumnitride氮化镓；磷化镓

germaniumn.锗（32号元素，符号Ge）;

galliumarsenide砷化镓;arseniden.[无化]砷化物;

carbonn.碳；复写纸adj.碳的；boronn.[化]硼;

nitrogenn.[化]氮;phosphorusn.磷;

sulfurvt.用硫磺处理n.硫磺；硫磺色;silicondioxide[无化]二氧化硅

Comprehension

Theconductivitiesofasemiconductorisgenerallysensitivetotemperature,illumination,magneticfield,andminuteamountofimpurityatoms.

半导体的导电性一般对温度敏感、照明、磁场与少量的杂质原子存在引起的。

Germaniumprovedunsuitableinmanyapplicationbecausegermaniumdevicesexhibitedhighleakagecurrentsatonlymoderatelyelevatedtemperatures.

锗被证明不适合许多应用,因为锗器件在只有轻度升高的温度时展出很高的泄漏电流。

1.1.2CrystalStructure

Newwords:

Diagonaln.对角线；斜线adj.斜的;

Latticen.格子；格架；晶格vt.使成格子状;

unitcell[晶体]晶胞，[晶体]单胞；[晶体]单位晶格;

reciprocaln.[数]倒数；adj.相互的；倒数的，彼此相反的

cubic-crystal立方晶体;latticeconstant晶格常数；点阵常数;

body-centeredcubic体心立方;Face-centeredcubic;

diamondlattice金刚石点阵钻石格子金刚石晶格;tetrahedronn.[晶体]四面体;zincblendelattice闪锌矿晶格;tungstenn.[化学]钨;

Cartesiancoordinates笛卡儿坐标Equidistantadj.等距的；距离相等的;

Sodiumn.[化学]钠（11号元素，符号Na）;Millerindices密勒指数;

Comprehension

Thisstructurealsobelongstothecubic-crystalfamilyandcanbeseenastwointerpenetratingfccsublatticeswithonesublatticedisplacedfromtheotherbyonequarterofthedistancealongadiagonalofthecube.

该结构也属于立方晶体家庭和可以被看作是两个面心立方晶格，其中一个子晶格沿另一个的对角线平移四分之一距离而构成的立方。

Allatomsareidenticalinadiamondlattice,andeachatominthediamondlatticeissurroundedbyfourequidistantnearestneighborsthatlieatthecornersofatetrahedron.

所有的原子都是相同的金刚石晶格,每一个原子在晶格中都有四个等距的最近邻居,处在四面体的四个角上。

ExtracurricularReading

Asemiconductorisamaterialwithelectricalconductivityduetoelectronflow（asopposedtoionicconductivity）intermediateinmagnitudebetweenthatofaconductorandaninsulator.Thismeansconductivityroughlyintherangeof103to10−8Siemenspercentimeter.Semiconductormaterialsarethefoundationofmodernelectronics,includingradio,computers,telephones,andmanyotherdevices.Suchdevicesincludetransistors,solarcells,manykindsofdiodesincludingthelight-emittingdiode,thesiliconcontrolledrectifier,anddigitalandanalogintegratedcircuits.Similarly,semiconductorsolarphotovoltaicpanelsdirectlyconvertlightenergyintoelectricalenergy.

半导体是一种物质,它由于电子流动而产生的电导率（相对于离子电导率）在导体和绝缘体之间的中间级。

这意味着电导率大致范围为103到108西门子每厘米。

半导体材料是现代的电子产品,其中包括收音机,计算机,电话,和许多其他的设备的基础。

这样的设备包括晶体管、太阳能电池、多种二极管包括发光二极管,硅可控整流器、数字和模拟集成电路。

同样,半导体太阳能光伏板直接转换光能为电能。

1.1.3ValenceBonds

Newwords:

holen.洞，孔；洞穴，穴；突破口vt.凿洞vi.凿洞，穿孔;

valenceelectron价电子;covalentbonding共价键；共价键结；共价结合;

positivecharge[物]正电荷;deficiencyn.缺陷，缺点；缺乏；;

fictitiousadj.虚构的；假想的；编造的；假装的;

analogousadj.类似的；[昆]同功的；可比拟的

Comprehension

Eachelectronspendmostoftheirtimebetweenthetwonuclei.However,bothelectronsspendmostoftheirtimebetweenthetwonuclei.

每一个电子把大部分时间花在两个细胞核之间。

不管怎样,两位电子把大部分时间花在两个细胞核之间的。

GaAshasaslightionicbondingforcethatisanelectrostaticattractiveforcebetweeneachGa-ionanditsforneighboringAs+ions,orbetweeneachAs+ionanditsfourneighboringGa-ions.

砷化镓有轻微的离子键合力,是Ga-离子及其附近的As+离子之间的静电吸引力,或者是每个Ga+离子及其四个邻国Ga-离子之间的静电吸引力。

Thisdeficiencymaybefilledbyoneoftheneighboringelectrons,whichresultsinashiftofthedeficiencylocation,asfromlocationAtolocationB.

这个缺陷是由一个充满相邻的电子,有电子位置转移如从地点A移到地点B而产生的缺陷。

1.16IntrinsicCarrierConcentration

1.17DonorsandAcceptors

Intrinsicadj.本质的，固有的;impuritiesn.杂质（impurity的复数）;

effectivedensityofstates有态密度;incrementaladj.增加的，增值的;

donor施者;acceptor受者;

extrinsicadj.外在的；外来的；非固有的;massactionlaw质量作用定律；

agitationn.激动；搅动；煽动；烦乱;excitationn.激发，刺激；激励；激动;

integratingn.集成化；综合化v.整合；积分；集成化（integrate的ing形式）;

Comprehension

Thisdensityn（E）isgivenbytheproductofdensityofallowedenergystatesperunitvolumeN（E）andbytheprobabilityofoccupyingthatenergyrangeF（E）.

这样的密度n（E）是由能量状态单位体积内所允许的浓度N（E）和占领能量范围的概率F（E）所得到的。

TheelectrondensityintheconductionbandisgivenbyintegratingN（E）F（E）dEfromthebottomoftheconductionbandtothetopoftheconductionband.

导带的电子密度是通过整合了N（E）F（E）dE从导带的底部到导带的顶部。

Bycontrastmostofthoseareoccupiedbyelectrons.Thus,theprobabilityofanelectronoccupyingoneofthesestatesinthevalencebandisnearlyunity.

与此形成鲜明对比的是他们大多数都是由电子所占用。

因此,一个电子占领这些位置的其中一个的概率在价带中几乎是一致的。

Forshallowdonors