电子科学与技术专业英语复习过程.docx
《电子科学与技术专业英语复习过程.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《电子科学与技术专业英语复习过程.docx(9页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。
![电子科学与技术专业英语复习过程.docx](https://file1.bdocx.com/fileroot1/2022-10/26/a14bb65e-d665-4e72-8809-5df5127634af/a14bb65e-d665-4e72-8809-5df5127634af1.gif)
电子科学与技术专业英语复习过程
电子科学与技术专业英语
1.1Energybandsandcarrierconcentration
1.1.1semiconductormaterials
Newwords:
Semiconductorn.半导体;conductivityn.导电性;
Resistivityn.电阻率;impurityn.杂质;
Bipolartransistor双极型晶体管;rectifiern.整流器;
Photodiode光电二极管;devicen.装置;策略;图案;
leakagecurrents泄漏电流magneticadj.有吸引力的;有磁性的;
Quartzn.石英;aluminumn.铝;
illuminationn.照明;[光]照度;siliconn.硅;硅元素;galliumn.[化学]镓galliumnitride氮化镓;磷化镓
germaniumn.锗(32号元素,符号Ge);
galliumarsenide砷化镓;arseniden.[无化]砷化物;
carbonn.碳;复写纸adj.碳的;boronn.[化]硼;
nitrogenn.[化]氮;phosphorusn.磷;
sulfurvt.用硫磺处理n.硫磺;硫磺色;silicondioxide[无化]二氧化硅
Comprehension
Theconductivitiesofasemiconductorisgenerallysensitivetotemperature,illumination,magneticfield,andminuteamountofimpurityatoms.
半导体的导电性一般对温度敏感、照明、磁场与少量的杂质原子存在引起的。
Germaniumprovedunsuitableinmanyapplicationbecausegermaniumdevicesexhibitedhighleakagecurrentsatonlymoderatelyelevatedtemperatures.
锗被证明不适合许多应用,因为锗器件在只有轻度升高的温度时展出很高的泄漏电流。
1.1.2CrystalStructure
Newwords:
Diagonaln.对角线;斜线adj.斜的;
Latticen.格子;格架;晶格vt.使成格子状;
unitcell[晶体]晶胞,[晶体]单胞;[晶体]单位晶格;
reciprocaln.[数]倒数;adj.相互的;倒数的,彼此相反的
cubic-crystal立方晶体;latticeconstant晶格常数;点阵常数;
body-centeredcubic体心立方;Face-centeredcubic;
diamondlattice金刚石点阵钻石格子金刚石晶格;tetrahedronn.[晶体]四面体;zincblendelattice闪锌矿晶格;tungstenn.[化学]钨;
Cartesiancoordinates笛卡儿坐标Equidistantadj.等距的;距离相等的;
Sodiumn.[化学]钠(11号元素,符号Na);Millerindices密勒指数;
Comprehension
Thisstructurealsobelongstothecubic-crystalfamilyandcanbeseenastwointerpenetratingfccsublatticeswithonesublatticedisplacedfromtheotherbyonequarterofthedistancealongadiagonalofthecube.
该结构也属于立方晶体家庭和可以被看作是两个面心立方晶格,其中一个子晶格沿另一个的对角线平移四分之一距离而构成的立方。
Allatomsareidenticalinadiamondlattice,andeachatominthediamondlatticeissurroundedbyfourequidistantnearestneighborsthatlieatthecornersofatetrahedron.
所有的原子都是相同的金刚石晶格,每一个原子在晶格中都有四个等距的最近邻居,处在四面体的四个角上。
ExtracurricularReading
Asemiconductorisamaterialwithelectricalconductivityduetoelectronflow(asopposedtoionicconductivity)intermediateinmagnitudebetweenthatofaconductorandaninsulator.Thismeansconductivityroughlyintherangeof103to10−8Siemenspercentimeter.Semiconductormaterialsarethefoundationofmodernelectronics,includingradio,computers,telephones,andmanyotherdevices.Suchdevicesincludetransistors,solarcells,manykindsofdiodesincludingthelight-emittingdiode,thesiliconcontrolledrectifier,anddigitalandanalogintegratedcircuits.Similarly,semiconductorsolarphotovoltaicpanelsdirectlyconvertlightenergyintoelectricalenergy.
半导体是一种物质,它由于电子流动而产生的电导率(相对于离子电导率)在导体和绝缘体之间的中间级。
这意味着电导率大致范围为103到108西门子每厘米。
半导体材料是现代的电子产品,其中包括收音机,计算机,电话,和许多其他的设备的基础。
这样的设备包括晶体管、太阳能电池、多种二极管包括发光二极管,硅可控整流器、数字和模拟集成电路。
同样,半导体太阳能光伏板直接转换光能为电能。
1.1.3ValenceBonds
Newwords:
holen.洞,孔;洞穴,穴;突破口vt.凿洞vi.凿洞,穿孔;
valenceelectron价电子;covalentbonding共价键;共价键结;共价结合;
positivecharge[物]正电荷;deficiencyn.缺陷,缺点;缺乏;;
fictitiousadj.虚构的;假想的;编造的;假装的;
analogousadj.类似的;[昆]同功的;可比拟的
Comprehension
Eachelectronspendmostoftheirtimebetweenthetwonuclei.However,bothelectronsspendmostoftheirtimebetweenthetwonuclei.
每一个电子把大部分时间花在两个细胞核之间。
不管怎样,两位电子把大部分时间花在两个细胞核之间的。
GaAshasaslightionicbondingforcethatisanelectrostaticattractiveforcebetweeneachGa-ionanditsforneighboringAs+ions,orbetweeneachAs+ionanditsfourneighboringGa-ions.
砷化镓有轻微的离子键合力,是Ga-离子及其附近的As+离子之间的静电吸引力,或者是每个Ga+离子及其四个邻国Ga-离子之间的静电吸引力。
Thisdeficiencymaybefilledbyoneoftheneighboringelectrons,whichresultsinashiftofthedeficiencylocation,asfromlocationAtolocationB.
这个缺陷是由一个充满相邻的电子,有电子位置转移如从地点A移到地点B而产生的缺陷。
1.16IntrinsicCarrierConcentration
1.17DonorsandAcceptors
Intrinsicadj.本质的,固有的;impuritiesn.杂质(impurity的复数);
effectivedensityofstates有态密度;incrementaladj.增加的,增值的;
donor施者;acceptor受者;
extrinsicadj.外在的;外来的;非固有的;massactionlaw质量作用定律;
agitationn.激动;搅动;煽动;烦乱;excitationn.激发,刺激;激励;激动;
integratingn.集成化;综合化v.整合;积分;集成化(integrate的ing形式);
Comprehension
Thisdensityn(E)isgivenbytheproductofdensityofallowedenergystatesperunitvolumeN(E)andbytheprobabilityofoccupyingthatenergyrangeF(E).
这样的密度n(E)是由能量状态单位体积内所允许的浓度N(E)和占领能量范围的概率F(E)所得到的。
TheelectrondensityintheconductionbandisgivenbyintegratingN(E)F(E)dEfromthebottomoftheconductionbandtothetopoftheconductionband.
导带的电子密度是通过整合了N(E)F(E)dE从导带的底部到导带的顶部。
Bycontrastmostofthoseareoccupiedbyelectrons.Thus,theprobabilityofanelectronoccupyingoneofthesestatesinthevalencebandisnearlyunity.
与此形成鲜明对比的是他们大多数都是由电子所占用。
因此,一个电子占领这些位置的其中一个的概率在价带中几乎是一致的。
Forshallowdonors