IN2108规格书Word下载.docx

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当Vin=3.0V且Vout=5.0V时Iout=400mA;

•输出电压范围:

2.0V~7.0V(步长0.1V);

•输出电压高精度:

±

2.5%;

•低启动电压:

最高值为0.9V(输出电流为1mA时);

•最大工作频率:

180KHz(典型值);

•高效率:

典型值为85%;

•封装尺寸:

SOT23,SOT89。

 

用途

选型指南

•电池供电设备的电源部分;

•无线鼠标、无线键盘、照相机、摄象机、VCR、PDA、手持电话、电动玩具等便携式设备的电源部分;

•要求提供电压比电池所能提供电压高的设备的电源部分。

型号

后缀

封装

开关

晶体管

CE端

Vdd端

FB端

IN5303Axx

M3

SOT23-3

内置

No

标准型

P

SOT89-3

IN5303Bxx

外置

扩流型

IN5303Cxx

M5

SOT23-5

Yes

标准使能型

SOT89-5

IN5303Dxx

扩流使能型

IN5303F

扩流可调输出型

引脚排列图

引脚分配

引脚号

符号

引脚描述

1

Vss

接地引脚

3

2

Vout

升压输出引脚

Lx

开关引脚

Ext

扩流引脚

4

5

CE

使能端

NC

IN5303Fxx

FB

反馈端

Vdd

输入电压引脚

EXT

功能块框图

极限参数

参数

极限值

单位

VIN脚电压

VIN

6.5

V

Lx脚电压

VLX

EXT脚电压

VEXT

-0.3~Vout+0.3

CE脚电压

VCE

Lx脚输出电流

ILX

600

mA

EXT脚输出电流

IEXT

30

允许最大功耗

SOT23

Pd

300

mW

SOT89

500

工作温度

TOpr

-25~+85

存贮温度

Tstg

-40~+125

焊接温度和时间

Tsolder

260℃,10s

主要参数及工作特性

测试条件:

VIN=Vout*0.6,VSS=0V,IOUT=10mA,Topt=25℃。

有特殊说明除外。

IN5303Axx/CxxFosc=180kHz

含义

测试条件

数值

最小

典型

最大

VOUT

输出电压

Vout*0.975

vout

Vout*1.025

Vstart

启动电压

IOUT=1mA,

VIN:

0→2V

0.8

0.9

Vhold

保持电压

2→0V

0.45

IDD1

输入电流1

无外部元件

Vout=Vout*0.95

80

µ

A

IDD2

输入电流2

Vout=Vout+0.5V

10

开关管合闸电流

VLX=0.4V,Vout=Vout*0.95

360

ILXleak

开关管漏电流

Vout=VLX=6V

0.5

Fosc

振荡频率

Vout=setVout*0.95

180

kHz

Maxdty

占空比

on(VLX“L”)side

84

%

η

效率

85

IN5303Bxx/DxxFosc=180kHz

IN5303FVFB=3.3V,Fosc=180kHz

Vfb

反馈电压

3.22

3.30

3.38

注意:

1、Diode采用肖特基二极管(正向压降约0.2V),如IN5817,IN5819

2、电感采用:

33μH(r<

0.1Ω)

3、电容采用钽电容,100μF。

工作原理

IN5303系列升压转换器利用电感对能量的存储,并通过其与输入端电源共同的泄放作用,从而获得高于输入电压的输出电压。

如下图:

开关式DC/DC升压转换器工作原理图

外部器件的选择及注意事项

外围电路对IN5303性能影响很大,需合理选择外部器件:

(1)外接电容值不宜小于10μF(电容值过小将导致输出纹波过大),同时要有良好的频率特性(最好使用钽电容)。

此外,由于LX开关驱动晶体管关断时会产生一尖峰电压,电容的容压值至少为设计输出电压的3倍;

(普通的铝电解电容ESR值过高,所以可选购专门应用于开关式DC/DC转换器的铝电解电容,如OS-CON电容。

(2)外接电感值要足够小以便即使在最低输入电压和最短的LX开关时间内能够存储足够的能量,同时,电感值又要足够大从而防止在最高输入电压和最长的LX开关时间时ILXMAX超出最大额定值。

此外,外接电感的直流阻抗要小、容流值要高且工作时不至于达到磁饱和;

(3)外接二极管宜选择具有较高切换速度的肖特基二极管。

PCBLayout注意事项:

(1)外部元器件与芯片距离越小越好,连线越短越好。

特别是接到VOUT端的元器件应尽量减短与电容的连线长度;

建议在芯片VOUT和Vss两端并接一0.1μF的陶瓷电容。

(2)Vss端应充分接地,否则芯片内部的零电位会随开关电流而变化,造成工作状态不稳定;

典型应用

元件:

电感:

33uH二极管:

IN5817、IN5819

电容:

100uF/16V(钽电容)三极管:

2SD1628G、2SD3279

NMOS:

AAT9460、XP151、XP161基极电阻:

1KΩ

基极电容:

2200pF

RFB:

RFB1/RFB2=Vout/VFB-1(Vout=规定输出电压),RFB1+RFB2≤2MΩ

CFB:

调整L,CL.,使得Fzfb=1/(2×

π×

CFB×

RFB1)

Topr=25℃

工作特性曲线:

(1)输出电压-输出电流:

(2)效率-输出电流:

(3)静态电流-输入电压:

(4)空载输入电流-输出电压:

(L=47uH,Cout=47uF,Vout=100uF,SD:

1N5717/5819)

(5)输入电流1-输出电压:

(VDD=VOUT*0.95)

(6)输入电流2-输出电压:

(VDD=VOUT+0.5)

(7)最大振荡频率-输出电压:

(VDD=VOUT*95%)

(8)占空比-输出电压:

(VDD=VOUT*95%)Topr=25℃

封装尺寸

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•本资料所记载设计图等因第三者的工业所有权而引发之诸问题,本公司不承担其责任。

另外,应用电路示例为产品之代表性应用说明,非保证批量生产之设计。

•本资料内容未经本公司许可,严禁以其他目的加以转载或复制等。

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•尽管本公司一向致力于提高质量与可靠性,但是半导体产品有可能按照某种概率

发生故障或错误工作。

为防止因故障或错误动作而产生人身事故、火灾事故、社会性

损害等,请充分留心冗余设计、火势蔓延对策设计、防止错误动作设计等安全设计

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