电子技术基础习题答案解析.docx

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电子技术基础习题答案解析

第1章　检测题　（共１０0分,120分钟）

一、填空题：

（每空０、5分，共25分）

1、Ｎ型半导体就就是在本征半导体中掺入极微量得五　价元素组成得。

这种半导体内得多数载流子为自由电子　,少数载流子为空穴，不能移动得杂质离子带正电。

P型半导体就就是在本征半导体中掺入极微量得三价元素组成得。

这种半导体内得多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子,不能移动得杂质离子带负　电。

2、三极管得内部结构就就是由发射区、　基区、集电区区及　发射结与集电结组成得。

三极管对外引出得电极分别就就是发射极、基极与　集电极。

3、ＰN结正向偏置时,外电场得方向与内电场得方向相反,有利于多数载流子得

扩散运动而不利于少数载流子得漂移;ＰN结反向偏置时,外电场得方向与内电场得方向一致　，有利于少子得漂移　运动而不利于多子得扩散,这种情况下得电流称为反向饱与　电流。

4、PＮ结形成得过程中,Ｐ型半导体中得多数载流子由　P　向　Ｎ区进行扩散,N型半导体中得多数载流子由N向P区进行扩散。

扩散得结果使它们得交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N　区指向　P区。

空间电荷区得建立,对多数载流子得扩散起削弱作用,对少子得漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,ＰN结形成。

5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡得　R×１K档位,当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触得电极就就是二极管得　阴极;与黑表棒相接触得电极就就是二极管得　阳极。

检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。

6、单极型晶体管又称为场效应（MOＳ）管。

其导电沟道分有　Ｎ沟道与P　沟道。

7、稳压管就就是一种特殊物质制造得面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线得反向击穿区。

8、ＭＯＳ管在不使用时应避免　栅极悬空,务必将各电极短接。

二、判断正误:

（每小题1分,共1０分）

1、P型半导体中不能移动得杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。

（错）

2、自由电子载流子填补空穴得“复合”运动产生空穴载流子。

　　　　　（对）

３、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×１0K档位。

　（错）

4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。

（PN结反向偏置时,其内外电场方向一致　）　　　　　　　（错）

5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。

　　　　　　（错）

6、双极型晶体管就就是电流控件,单极型晶体管就就是电压控件。

　　　　　（对）

7、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿。

　　　（错）

8、当三极管得集电极电流大于它得最大允许电流ICM时，该管必被击穿。

（错）

９、双极型三极管与单极型三极管得导电机理相同。

　　　　　（错）

１0、双极型三极管得集电极与发射极类型相同，因此可以互换使用。

　（错）

三、选择题:

（每小题2分,共20分）

1、单极型半导体器件就就是（C　）。

A、二极管;　Ｂ、双极型三极管;C、场效应管；　　D、稳压管。

2、P型半导体就就是在本征半导体中加入微量得（A　）元素构成得。

A、三价;　　　B、四价;Ｃ、五价;　D、六价。

３、稳压二极管得正常工作状态就就是（　C　）。

A、导通状态;　B、截止状态；　　　Ｃ、反向击穿状态;D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管（　C）。

A、已经击穿;Ｂ、完好状态;Ｃ、内部老化不通；　Ｄ、无法判断。

5、ＰN结两端加正向电压时,其正向电流就就是（A　）而成。

Ａ、多子扩散；　　B、少子扩散;C、少子漂移；　Ｄ、多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2、1V,VB=2、8Ｖ,VC＝4、４Ｖ,说明此三极管处在（　A　）。

A、放大区;Ｂ、饱与区;C、截止区;D、反向击穿区。

7、绝缘栅型场效应管得输入电流（Ｃ　　）。

A、较大;　B、较小;C、为零;D、无法判断。

8、正弦电流经过二极管整流后得波形为（C）。

A、矩形方波;　　Ｂ、等腰三角波；　C、正弦半波;　D、仍为正弦波。

9、三极管超过（　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｃ　）所示极限参数时,必定被损坏。

A、集电极最大允许电流ICM;　　B、集—射极间反向击穿电压U（BＲ）CEO;

C、集电极最大允许耗散功率PCM；D、管子得电流放大倍数。

10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足得外部条件就就是（C　）

Ａ、发射结正偏、集电结正偏;　B、发射结反偏、集电结反偏；

C、发射结正偏、集电结反偏；Ｄ、发射结反偏、集电结正偏。

四、简述题:

（每小题4分,共2８分）

１、N型半导体中得多子就就是带负电得自由电子载流子,P型半导体中得多子就就是带正电得空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。

上述说法对吗?

为什么?

答:

这种说法就就是错误得。

因为,晶体在掺入杂质后,只就就是共价键上多出了电子或少了电子,从而获得了N型半导体或Ｐ型半导体,但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。

2、某人用测电位得方法测出晶体管三个管脚得对地电位分别为管脚①1２Ｖ、管脚②3V、管脚③3、７V,试判断管子得类型以及各管脚所属电极。

答:

管脚③与管脚②电压相差0、７V，显然一个硅管,就就是基极,一个就就是发射极,而管脚①比管脚②与③得电位都高，所以一定就就是一个NPN型硅管。

再根据管子在放大时得原则可判断出管脚②就就是发射极,管脚③就就是基极，管脚①就就是集电极。

3、图１－29所示电路中,已知E=５Ｖ,V,二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R=0，反向阻断时电阻Ｒ=∞）,试画出u0得波形。

答:

分析:

根据电路可知，当ui>E时,二极管导通u0=ｕi,当ui<Ｅ时，二极管截止时，u0=E。

所以u0得波形图如下图所示:

4、半导体与金属导体得导电机理有什么不同?

单极型与双极型晶体管得导电情况又有何不同?

答:

金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电,而半导体中则存在空穴载流子与自由电子两种载流子,它们同时参与导电,这就就就是金属导体与半导体导电机理上得本质不同点。

单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电,因此与双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也就就是不同得。

５、图1-3４所示电路中,硅稳压管DZ1得稳定电压为８V，DZ２得稳定电压为6V,正向压降均为0、７Ｖ,求各电路得输出电压U0。

答:

（ａ）图:

两稳压管串联，总稳压值为14V,所以Ｕ0=14V；

（ｂ）图:

两稳压管并联,输出电压按小值计，因此U0＝６V；

（c）图:

两稳压管反向串联，U0=８、７V;

（ｄ）图:

两稳压管反向并联，可认为DZ1截止不通,则U0=0、7V。

6、半导体二极管由一个PＮ结构成,三极管则由两个PN结构成,那么,能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管?

如不能,说说为什么？

答：

将两个二极管背靠背地连接在一起就就是不能构成一个三极管得。

因为,两个背靠背得二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄得内部条件,即使就就是发射区向基区发射电子,到基区后也都会被基区中大量得空穴复合掉,根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这样得“三极管”就就是不会有电流放大作用得。

7、如果把三极管得集电极与发射极对调使用?

三极管会损坏吗？

为什么?

答：

集电极与发射极对调使用,三极管不会损坏,但就就是其电流放大倍数大大降低。

因为集电极与发射极得杂技浓度差异很大,且结面积也不同。

五、计算分析题:

（共17分）

1、图1-31所示三极管得输出特性曲线,试指出各区域名称并根据所给出得参数进行分析计算。

（8分）

（１）UＣＥ=3V,ＩＢ=６０μＡ,IC=?

（2）IＣ＝4mＡ,UCE=4V,ICB=?

（3）UCE=3Ｖ，IB由40~6０μＡ时,β=？

解:

A区就就是饱与区,B区就就是放大区,C区就就是截止区。

（１）观察图６-25,对应IB=６０μA、ＵＣE=3V处,集电极电流ＩＣ约为3、5mA；

（2）观察图６-２５,对应IC＝4mＡ、UCＥ=4V处,IＢ约小于80μA与大于70μA；

（3）对应ΔIＢ=2０μA、UCＥ=３V处，ΔIC≈1mA,所以β≈1００0/2０≈50。

２、已知NPN型三极管得输入—输出特性曲线如图1-32所示,当

（１）UBE=0、7V,UＣE＝６V,IＣ=？

（2）IB=50μA,ＵＣE=5Ｖ，IC＝？

（3）UCE=６Ｖ,ＵBE从0、7V变到0、75V时,求ＩB与IC得变化量,此时得（9分）

解:

（1）由（a）曲线查得UBE=０、7V时，对应IB=30μA,由（b）曲线查得IC≈３、６ｍＡ;

（2）由（b）曲线可查得此时IC≈5mA;

（3）由输入特性曲线可知,ＵBE从0、7V变到0、7５Ｖ得过程中，ΔＩＢ≈30μＡ，由输出特性曲线可知,ΔＩC≈2、4mA,所以β≈24００/30≈80。

第2章检测题（共100分,12０分钟）

一、填空题：

（每空0、5分,共21分）

1、基本放大电路得三种组态分别就就是:

　共发射极放大电路、共集电极　放大电路与共基极放大电路。

2、放大电路应遵循得基本原则就就是:

发射结正偏;　集电结反偏。

3、将放大器输出信号得全部或部分通过某种方式回送到输入端,这部分信号叫做反馈信号。

使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小得反馈,称为负　反馈；使放大器净输入信号增加,放大倍数也增加得反馈,称为正反馈。

放大电路中常用得负反馈类型有电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈与电流并联　负反馈。

４、射极输出器具有电压增益恒小于1、接近于1,输入信号与输出信号同相,并具有输入电阻高与　输出电阻低得特点。

5、共射放大电路得静态工作点设置较低,造成截止失真,其输出波形为　上　削顶。

若采用分压式偏置电路,通过反馈环节　调节合适得基极电位,可达到改善输出波形得目得。

6、对放大电路来说,人们总就就是希望电路得输入电阻　越大越好,因为这可以减轻信号源得负荷。

人们又希望放大电路得输出电阻　越小　越好，因为这可以增强放大电路得整个负载能力。

7、反馈电阻RE得数值通常为几十至几千欧,它不但能够对直流信号产生　负反馈作用,同样可对交流信号产生负反馈作用,从而造成电压增益下降过多。

为了不使交流信号削弱,一般在RE得两端并联一个约为几十微法得较大射极旁路电容CE。

8、放大电路有两种工作状态,当ui=0时电路得状态称为静态,有交流信号uｉ输入时,放大电路得工作状态称为　动态。

在动　态情况下,晶体管各极电压、电流均包含　直流分量与交流分量。

放大器得输入电阻越大,就越能从前级信号源获得较大得电信号;输出电阻越小,放大器带负载能力就越强。

9、电压放大器中得三极管通常工作在放大状态下,功率放大器中得三极管通常工作在极限　参数情况下。

功放电