ic版图面试文档格式.docx

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（威盛Via20xx.11.06上海笔试试题）

　　10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。

（威盛）

　　11、集成电路前段设计流程，写出相关的工具。

（扬智电子笔试）

　　先介绍下ic开发流程：

　　1.）代码输入（designinput）

　　用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述，生成hdl代码

　　语言输入工具：

summitVisualhdl

　　mentoRRenioR

　　图形输入:

composer（cadence）;

　　viewlogic（viewdraw）

　　2.）电路仿真（circuitsimulation）

　　将vhd代码进行先前逻辑仿真，验证功能描述是否正确

　　数字电路仿真工具：

　　Verolog：

cadenceVerolig-xl

　　synopsysVcs

　　mentoRmodle-sim

　　Vhdl:

cadencenc-vhdl

　　synopsysVss

　　模拟电路仿真工具：

　　***antihspicepspice，spectremicromicrowave:

eesoft:

hp

　　3.）逻辑综合（synthesistools）

　　逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路；

将初级

　　仿真

　　中所没有考虑的门沿（gatesdelay）反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再仿真。

最终仿真结果生成的网表称为物理网表。

　　12、请简述一下设计后端的整个流程？

　　13、是否接触过自动布局布线？

请说出一两种工具软件。

自动布局布线需要哪些基

　　本元素？

　　14、描述你对集成电路工艺的认识。

　　15、列举几种集成电路典型工艺。

工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？

（仕兰微面

　　试题目）

　　16、请描述一下国内的工艺现状。

　　17、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？

　　18、描述cmos电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？

　　19、解释latch-up现象和antennaeffect和其预防措施.（未知）

　　20、什么叫latchup（科广试题）

　　21、什么叫窄沟效应（科广试题）

　　22、什么是nmos、pmos、cmos？

什么是增强型、耗尽型？

什么是pnp、npn？

他们有什么差别？

　　23、硅栅coms工艺中n阱中做的是p管还是n管，n阱的阱电位的连接有什么要求？

　　24、画出cmos晶体管的cRoss-oVeR图（应该是纵剖面图），给出所有可能的传输特性和转移特性。

（infineon笔试试题）

　　25、以interver为例,写出n阱cmos的process流程,并画出剖面图。

（科广试题）

　　26、paretheresistanceofametal,polyanddiffusionintranditionalcmosprocess.（威盛笔试题circuitdesign-beijing-03.11.09）

　　27、说明mos一半工作在什么区。

（凹凸的题目和面试）

　　28、画p-bulk的nmos截面图。

　　29、写schematicnote（？

），越多越好。

　　30、寄生效应在ic设计中怎样加以克服和利用。

　　31、太底层的mos管物理特性感觉一般不大会作为笔试面试题，因为全是微电子物理

　　，公式推导太罗索，除非面试出题的是个老学究。

ic设计的话需要熟悉的软件:

cadenc

　　e,synopsys,avant，unix当然也要大概会操作。

　　32、unix命令cp-r,rm,uname。

　　篇二：

ic笔试面试基础题目集合

　　ic笔试面试题目集合

　　1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、cmos、mcu、Risc、cisc、dsp、asic、Fpg等的概念）。

　　Fpga是可编程asic。

根据一个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。

与门阵列等其它asic（applicationspecificic）相比，它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点

　　模拟电路

　　3、基尔霍夫定律的内容是什么？

（仕兰微电子）

　　基尔霍夫定律（kirchhofflaw）

　　基尔霍夫电流定律（kcl）：

对任一集总参数电路中的任一节点，在任一瞬间，流出该节点的所有电流的代数和恒为零。

　　基尔霍夫电压定律（kVl）：

对任一集总参数电路中的任一回路，在任一瞬间，沿此回路的各段电压的代数和恒为零。

　　4、平板电容公式c=εs/4πkd

　　5、三极管曲线特性。

　　6、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。

　　反馈是将放大器输出信号（电压或电流）的一部分或全部,回授到放大器输入端与输入信号进行比较（相加或相减）,并用比较所得的有效输入信号去控制输出,这就是放大器的反馈过程.凡是回授到放大器输入端的反馈信号起加强输入原输入信号的,使输入信号增加的称正反馈.反之则反.按其电路结构又分为:

电流反馈电路和电压反馈电路.正反馈电路多应用在电子振荡电路上,而负反馈电路则多应用在各种高低频放大电路上.因应用较广,所以我们在这里就负反馈电路加以论述.负反馈对放大器性能有四种影响:

1.负反馈能提高放大器增益的稳定性.（温度稳定性）2.负反馈能使放大器的通频带展宽.3.负反馈能减少放大器的失真.4.负反馈能提高放大器的信噪比.5.负反馈对放大器的输出输入电阻有影响。

　　7、负反馈种类

　　电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈

　　8、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？

　　补偿后的波特图。

（凹凸）

　　频率补偿是采用一定的手段改变集成运放的频率响应，产生相位和频率差的消除。

　　使反馈系统稳定的主要方法就是频率补偿.

　　常用的办法是在基本电路或反馈网络中添加一些元件来改变反馈放大电路的开环频率特性（主要是把高频时最小极点频率与其相近的极点频率的间距拉大）,破坏自激振荡条件,经保证闭环稳定工作,并满足要求的稳定裕度,实际工作中常采用的方法是在基本放大器中接入由电容或Rc元件组成的补偿电路,来消去自激振荡.

　　9、怎样的频率响应算是稳定的，如何改变频响曲线。

　　右半平面无极点，虚轴无二阶以上极点。

　　10、基本放大电路种类，优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。

　　①共射放大电路

　　具有较高的放大倍数；

　　输入和输出信号相位相反；

　　输入电阻不高；

　　输出电阻取决于Rc的数值。

若要减小输出电阻，需要减小Rc的阻值，这将影响电路的放大倍数。

　　②共集电极电路

　　电压放大倍数小于1；

　　输入和输出信号同相；

　　输入电阻较高，信号源内阻不很低时仍可获取较大输入信号；

　　输出电阻较小，所以带负载能力较强。

因此，它多用于输入级或输出级。

　　对由于衬底耦合产生的输入共模噪声有着抑制作用

　　11、给出一差分电路，告诉其输出电压y+和y-,求共模分量和差模分量。

　　11、画差放的两个输入管。

　　12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。

并画出一个晶体管级的运放电路。

　　13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。

　　14、给出一个简单电路，让你分析输出电压的特性（就是个积分电路），并求输出端某点的rise/fall时间。

　　15、电阻R和电容c串联，输入电压为R和c之间的电压，输出电压分别为c上电压和R上电压，要求绘制这两种电路输入电压的频谱，判断这两种电路

　　8、给出一个差分运放，如何相位补偿，并画补为高通滤波器，何为低通滤波器。

当Rc　　17、有一时域信号s=V0sin（2pif0t）+V1cos（2pif1t）+V2sin（2pif3t+90）,当其通过低通、带通、高通滤波器后的信号表示方式。

　　18、选择电阻时要考虑什么？

（东信笔试题）

　　19、在cmos电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用p管还是n管，为什么？

　　20、给出多个mos管组成的电路求5个点的电压。

　　21、电压源、电流源是集成电路中经常用到的模块，请画出你知道的线路结构，简单描述其优缺点。

　　22、画电流偏置的产生电路，并解释。

　　23、史密斯特电路,求回差电压。

（华为面试题）

　　24、晶体振荡器,好像是给出振荡频率让你求周期（应该是单片机的,12分之一周期....）（华为面试题）

　　25、lc正弦波振荡器有哪几种三点式振荡电路，分别画出其原理图。

　　26、Vco是什么,什么参数（压控振荡器）（华为面试题）

　　27、锁相环有哪几部分组成？

　　28、锁相环电路组成，振荡器（比如用d触发器如何搭）。

　　29、求锁相环的输出频率，给了一个锁相环的结构图。

　　30、如果公司做高频电子的，可能还要RF知识，调频，鉴频鉴相之类，不一一列举。

　　31、一电源和一段传输线相连（长度为l,传输时间为t），画出终端处波形，考虑传输线无损耗。

给出电源电压波形图，要求绘制终端波形图。

　　32、微波电路的匹配电阻。

　　33、dac和adc的实现各有哪些方法？

　　34、a/d电路组成、工作原理。

　　35、实际工作所需要的一些技术知识（面试容易问到）。

如电路的低（ic版图面试）功耗，稳定，高速如何做到，调运放，布版图注意的地方等等,一般会针对简历上你所写做过的东西具体问，肯定会问得很细（所以别把什么都写上，精通之类的词也别用太多了），这个东西各个人就不一样了，不好说什么了。

　　数字电路

　　1、同步电路和异步电路的区别是什么？

　　2、什么是同步逻辑和异步逻辑？

（汉王笔试）

　　同步逻辑是时钟之间有固定的因果关系。

异步逻辑是各时钟之间没有固定的因果关系。

　　3、什么是"

线与"

逻辑，要实现它，在硬件特性上有什么具体要求？

　　线与逻辑是两个输出信号相连可以实现与的功能。

在硬件上，要用oc门来实现，由于不用oc门可能使灌电流过大，而烧坏逻辑门。

同时在输出端口应加一个上拉电阻。

　　4、什么是setup和holdup时间？

　　5、setup和holdup时间,区别.（南山之桥）

　　6、解释setuptime和holdtime的定义和在时钟信号延迟时的变化。

　　7、解释setup和holdtimeviolation，画图说明，并说明解决办法。

　　setup/holdtime是测试芯片对输入信号和时钟信号之间的时间要求。

建立时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以前，数据稳定不变的时间。

输入信号应提前时钟上升沿（如上升沿有效）t时间到达芯片，这个t就是建立时间-setuptime.如不满足setuptime,这个数据就不能被这一时钟打入触发器，只有在下一个时钟上升沿，数据才能被打入触发器。

保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以后，数据稳定不变的时间。

如果holdtime不够，数据同样不能被打入触发器。

建立时间（setuptime）和保持时间（holdtime）。

建立时间是指在时钟边沿前，数据信号需要保持不变的时间。

保持时间是指时钟跳变边沿后数据信号需要保持不变的时间。

如果不满足建立和保持时间的话，那么dFF将不能正确地采样到数据，将会出现metastability的情况。

如果数据信号在时钟沿触发前后持续的时间均超过建立和保持时间，那么超过量就分别被称为建立时间裕量和保持时间裕量。

　　8、说说对数字逻辑中的竞争和冒险的理解，并举例说明竞争和冒险怎样消除。

　　9、什么是竞争与冒险现象？

怎样判断？

如何消除？

　　在组合逻辑中，由于门的输入信号通路中经过了不同的延时，导致到达该门的时间不一致叫竞争。

产生毛刺叫冒险。

如果布尔式中有相反的信号则可能产生竞争和冒险现象。

解决方法：

一是添加布尔式的消去项，二是在芯片外部加电容。

　　10、你知道那些常用逻辑电平？

ttl与coms电平可以直接互连吗？

　　常用逻辑电平：

12V，5V，3.3V；

ttl和cmos不可以直接互连，由于ttl是在0.3-3.6V之间，而cmos则是有在12V的有在5V的。

cmos输出接到ttl是可以直接互连。

ttl接cmos需要在输出端口加一上拉电阻接到5V或者12V。

　　11、如何解决亚稳态。

（飞利浦－大唐笔试）

　　亚稳态是指触发器无法在某个规定时间段内达到一个可确认的状态。

当一个触发器进入亚稳态时，既无法预测该单元的输出电平，也无法预测何时输出才能稳定在某个正确的电平上。

在这个稳定期间，触发器输出一些中间级电平，或者可能处于振荡状态，并且这种无用的输出电平可以沿信号通道上的各个触发器级联式传播下去。

　　12、ic设计中同步复位与异步复位的区别。

（南山之桥）

　　13、mooRe与meeley状态机的特征。

　　14、多时域设计中,如何处理信号跨时域。

　　15、给了reg的setup,hold时间，求中间组合逻辑的delay范围。

（飞利浦－大唐笔试）delay　　　　16、时钟周期为t,触发器d1的建立时间最大为t1max，最小为t1min。

组合逻辑电路最大延迟为t2max,最小为t2min。

问，触发器d2的建立时间t3和保持时间应满足什么条件。

（华为）

　　17、给出某个一般时序电路的图，有tsetup,tdelay,tck->

q,还有clock的delay,写出决定最大时钟的因素，同时给出表达式。

　　18、说说静态、动态时序模拟的优缺点。

　　19、一个四级的mux,其中第二级信号为关键信号如何改善timing。

　　20、给出一个门级的图，又给了各个门的传输延时，问关键路径是什么，还问给出输入，使得输出依赖于关键路径。

　　21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简，时序（同步异步差异），触发器有几种（区别，优点），全加器等等。

　　22、卡诺图写出逻辑表达使。

　　23、化简F（a,b,c,d）=m（1,3,4,5,10,11,12,13,14,15）的和。

　　24、pleaseshowthecmosinverterschmatic,layoutanditscrosssectionwithp-wellprocess.plotitstransfercurve（Vout-Vin）andalsoexplaintheoperationregionofpmosandnmosforeachsegmentofthetransfercurve（威盛笔试题circuitdesign-beijing-03.11.09）

　　25、todesignacmosinvertorwithbalanceriseandfalltime,pleasedefinetherationofchannelwidthofpmosandnmosandexplain

　　26、为什么一个标准的倒相器中p管的宽长比要比n管的宽长比大？

　　un×

cox×

w/l

　　27、用mos管搭出一个二输入与非门。

　　28、pleasedrawthetransistorlevelschematicofacmos2inputandgateandexplainwhichinputhasfasterresponseforoutputrisingedge.（lessdelay

　　篇三：

ic版图和pcb版图的区别

　　ic版图和pcb版图的区别：

pcb版图：

　　pcb是器件级（电阻，电容等的安放）ic版图：

　　ic版图是芯片级的（cmos）