电子技术基础试题库完整Word下载.docx
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结电流为零。
2.
二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。
3.
二极管在工作频率大于最高工作频率fM时会损坏。
4.
二极管在反向电压超过最高反向工作电压URM时会损坏。
5.
在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为
P型半导体。
（）
6.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
7.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。
三、填空题
1.当温度升高时，由于二极管部少数载流子浓度，因而少子漂移而形成的反向电流，二极
管反向伏安特性曲线移。
2.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。
3.二极管P区接电位端，N区接电位端，称正向偏置，二极管导通；
反之，称反向偏置，二
极管截止，所以二极管具有性。
4.在本征半导体中掺入价元素得N型半导体，掺入价元素则得P型半导体。
5.PN结在时导通，时截止，这种特性称为。
6.光电二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。
7.发光二极管能将信号转换为信号，它工作时需加偏置电压。
8.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，型二极管适用于高频、小电流的场合，型二极管适用于低频、大电流的场合。
9.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中是可逆的，而会损坏二极管。
10.半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。
11.本征半导体掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子为。
12.PN结正偏是指P区电位N区电位。
13.温度升高时，二极管的导通电压，反向饱和电流。
14.普通二极管工作时通常要避免工作于，而稳压管通常工作于。
15.构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的方能实现稳压。
16.纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。
17.在PN结形成过程中，载流子扩散运动是作用下产生的，漂移运动是作用下产生的。
18.PN结的电场对载流子的扩散运动起作用，对漂移运动起作用。
19.发光二极管通以就会发光。
光电二极管的随光照强度的增加而上升。
20.硅管的导通电压比锗管的，反向饱和电流比锗管的。
四、计算分析题
R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。
电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ＝4V，试分别画出uO1和uO2的波形。
IZmin＝3mA，最大值IZM＝20mA，试问下面电路中的
2.已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳压管能否正常稳压工作，
稳定电流的最小值UO1和UO2各为多少伏。
R
500Ω
10V
VZ
RL
2kΩ
UO1
（a）
3.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，通压降为0.7V。
12V
V1
V2
（c）
Uo
9V
（d）
4.已知稳压管的稳定电压UZ=6V，稳定电流的最小值
IZmin=5mA，最大功耗PZM=150mW。
试求稳压管正
常工作时电阻R的取值围。
5.如图所示电路中，发光二极管导通电压UD＝1V，正常工作时要求正向电流为5～15mA。
试问：
1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？
2）R的取值围是多少？
+VDD
（+5V）
S
6.二极管双向限幅电路如图所示，设ui10sintV，二极管为理想器件，试画出输出ui和uo的波形。
7.电路如图所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；
ui为
正弦波，有效值为10mV，试问二极管中流过的交流电流有效值是多少？
8.
Uo。
设二极管的导
二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压通压降为0.7V。
6V
（b）
9.电路如图（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b）所示，设二极管导通电压可忽略。
试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。
uI1/V
+5V
a）
uo
t
uI2/V
5
0.3
图中电压表流过的电流忽略不计，试求：
10.下图所示电路中，稳压管的稳定电压
Uz=12V，
1）当开关
S闭合时，电压表V
和电流表A1、
A2的读数分别为多少？
2）当开关
S断开时，电压表V
11.电路如图所示，
0.7V。
12.电路如图所示，
试估算流过二极管的电流和
A点的电位。
设二极管的正向压降为
第二章
半导体三极管
1.（）具有不同的低频小信号电路模型。
A.NPN管和PNP管
C.N沟道场效应管和P沟道场效应管
B.
D.
增强型场效应管和耗尽型场效应管
三极管和二极管
放大电路如图所示，已知三极管的
50，
则该电路中三极管的工作状态为（
）。
A.截止B.饱和C.放大D.无法确定
3.已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（）。
A.增强型PMOSB.增强型NMOSC.耗尽型PMOSD.耗尽型NMOS
4.硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压UCE=0.3V，则此时三极管工作于（）
状态。
A.饱和B.截止C.放大D.无法确定
6.三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（）状态。
A.放大B.截止C.饱和D.无法确定
7.某三极管的PCM100mW,ICM20mA,U（BR）CEO15V，则下列状态下三极管能正常工作的是（）。
A.UCE3V,IC
10mA
UCE
2V,IC
40mA
C.UCE6V,IC
20mA
20V,IC
2mA
下面的电路符号代表（
）管。
A.
耗尽型PMOS
耗尽型
NMOS
C.
增强型PMOS
增强型
9.关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（）。
A.U（BR）CEOU（BR）CBOU（BR）EBOB.U（BR）CBOU（BR）CEOU（BR）EBO
C.U（BR）CBOU（BR）EBOU（BR）CEOD.U（BR）EBOU（BR）CEOU（BR）CBO
10.在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（）。
A.IEIBICB.ICIBC.ICBO
（1）ICEOD.
11.（）情况下，可以用H参数小信号模型分析放大电路。
A.正弦小信号B.低频大信号C.低频小信号D.高频小信号
12.场效应管本质上是一个（）。
A、电流控制电流源器件B、电流控制电压源器件
C、电压控制电流源器件D、电压控制电压源器件
二、判断题
1.三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。
2.IDSS表示工作于饱和区的增强型场效应管在uGS=0时的漏极电流。
3.结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
4.三极管工作在放大区时，若iB为常数，则uCE增大时，iC几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。
5.对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H参数小信号模型替代。
6.三极管的C、E两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C、E两个电极互换使用。
7.开启电压是耗尽型场效应管的参数；
夹断电压是增强型场效应管的参数。
8.双极型三极管由两个PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。
9.双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。
10.分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而
简化计算。
11.三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交流分析时可视为开路。
12.场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。
1.双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别和
2.反映态时集电极电流与基极电流之比；
反映态时的电流放大特性。
3.当温度升高时，三极管的参数β会，ICBO会，导通电压会
4.某放大电路中，三极管三个电极的电流如图所示，测得IA=2mA，IB=0.04mA，IC=2.04mA，则电极为基
极，为集电极，为发射极；
为型管；
。
5.硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于状态。
6.场效应管是利用效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。
7.某三极管的极限参数ICM20mA、PCM100mW、U（BR）CEO20V。
当工作电压UCE10V时，工作电流IC不得超过mA；
当工作电压UCE1V时，IC不得超过mA；
当工作电流IC2mA时，UCE
不得超过V。
8.三极管工作在放大区时，发射结为偏置，集电结为偏置。
9.对三极管放大电路进行直流分析时，工程上常采用法或法。
10.工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安时，集电极电流从1毫安变为2.1毫安，则该三极管的β约为；
α约为。
11.通路常用以确定静态工作点；
通路提供了信号传输的途径。
12.场效应管是利用电压来控制电流大小的半导体器件。
13.用于构成放大电路时，双极型三极管工作于区；
场效应管工作于区。
14.当ugs=0时，漏源间存在导电沟道的称为型场效应管；
漏源间不存在导电沟道的称为型场效应
管。
15.某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U1=-9V，U2=-6V，U3=-6.2V，则电极为基极，
为集电极，为发射极，为型管。
16.三极管电流放大系数β反映了放大电路中极电流对极电流的控制能力。
17.场效应管具有输入电阻很、抗干扰能力等特点。
1.三极管电路如图所示，已知三极管的80，UBE（on）=0.7V，rbb′=200Ω，输入信号us20sint（mV）,
电容C对交流的容抗近似为零。
试：
（1）计算电路的静态工作点参数IBQ、ICQ、UCEQ；
（2）画出电路的微变等效电路，求uBE、iB、iC和uCE。
UGS
场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；
对于耗尽型管求出（off）、IDSS；
对于增强型管求出UGS（th）。
三极管电路如图所示，已知β=100，UBE（on）=0.7V，试求电路中IC、UCE的值。
4.图中三极管为硅管，β=100，试求电路中IB、IC、UCE的值，判断三极管工作在什么状态。
5.场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；
对于耗尽型管求出（off）、IDSS；
对于增强型管求出UGS（th）。
6.图中三极管为硅管，β=100，试求电路中IB、IC、UCE的值，判断三极管工作在什么状态。
7.场效应管电路如图所示，已知ui20sint（mV），场效应管的gm0.58mS试求该电路的交流输出电压uo的大小。
8.图中三极管均为硅管，试求各电路中的IC、UCE及集电极对地电压UO。
9.图中三极管为硅管，β=100，试求电路中IB、IC、UCE的值，判断三极管工作在什么状态。
10.场效应管的输出特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；
对于耗尽型管求出UGS（off）、IDSS；
摸拟电子技术（第2版）第三章选择A
第三章放大电路基础
B．等效为NPN管
D．三极管连接错误，不能构成复合管
1.图示电路（）
A．等效为PNP管
C．为复合管，其等效类型不能确定
图号3401
2.关于BJT放大电路中的静态工作点（简称A．Q点过高会产生饱和失真
C．导致Q点不稳定的主要原因是温度变化
Q点），下列说法中不正确的是（）。
B．Q点过低会产生截止失真
D．Q点可采用微变等效电路法求得
3.把差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以（）A．增大差模输入电阻B．提高共模增益
C．提高差模增益D．提高共模抑制比
4.对恒流源而言，下列说法不正确的为（）。
A．可以用作偏置电路B．可以用作有源负载
C．交流电阻很大D．直流电阻很大
5.图示电路中，为共发射极放大电路的是（）。
RC
100
6.差分放大电路由双端输入改为单端输入，则差模电压放大倍数（
A．不变
B．提高一倍C．提高两倍
D．
减小为原来的一半
7.图示电路（）
A．等效为PNP管，电流放大倍数约为β1
B．等效为NPN管，电流放大倍数约为β2
C．连接错误，不能构成复合管
D．等效为PNP管，电流放大倍数约为
β1β2
8.乙类互补对称功率放大电路会产生交越失真的原因是（）A．输入电压信号过大B．三极管电流放大倍数太大C．晶体管输入特性的非线性D．三极管电流放大倍数太小
9.直接耦合电路中存在零点漂移主要是因为（）。
A.晶体管的非线性B.电阻阻值有误差
C.晶体管参数受温度影响D.静态工作点设计不当
10.关于复合管，下述正确的是（）
A．复合管的管型取决于第一只三极管
B．复合管的输入电阻比单管的输入电阻大
C．只要将任意两个三极管相连，就可构成复合管
D．复合管的管型取决于最后一只三极管
11.图示电路中，出现下列哪种故障必使三极管截止（）。
A.RB1开路
B.RB2开路
C.RC短路D.
CE短路
12.选用差分放大电路的主要原因是（
A．减小温漂B．提高输入电阻
C．稳定放大倍数
D．减小失真
13.放大电路A、B的放大倍数相同，但输入电阻、输出电阻不同，用它们对同一个具有阻的信号源电压进行放大，在负载开路条件下测得A的输出电压小，这说明A的（）。
A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小
14.
C．线性失真
D．非线性失真
交越失真是（）A．饱和失真B．频率失真
15.复合管的优点之一是（）
A．电流放大倍数大B．电压放大倍数大
C．输出电阻增大D．输入电阻减小
16.已知两共射极放大电路空载时电压放大倍数绝对值分别为Au1和Au2，若将它们接成两级放大电路，
则其放大倍数绝对值（）。
A.Au1Au2B.Au1+Au2
C.大于Au1Au2
D.小于Au1Au2
17.设图示电路工作于放大状态，当温度降低时，（）。
A．三极管的增大B．三极管的ICBO增大
C．ICQ增大
D．UCQ增大
18.某放大器的中频电压增益为
40dB，则在上限频率
fH处的电压放大倍数约为（
）倍。
+VCC
A.43B.100C.37
D.70
RB
C2
ui
C1
+
图号3238
19.某放大器输入电压为10mv时,输出电压为7V；
输入电压为15mv时,输出电压为6.5V，则该放大器的电压放大倍数为（）。
A.100B.700C.-100D.433
20.某共射极放大电路空载时输出电压有截止失真，在输入信号不变的情况下，经耦合电容接上负载电阻
时，失真消失，这时由于（
A.Q点上移
C.三极管交流负载电阻减小
B.Q点下移
D.三极管输出电阻减小
、判断题
（）
）
电容耦合的放大电路中三极管的参数不随温
放大电路只要静态工作点合理，就可以放大电压信号。
2.乙类放大电路中若出现失真现象一定是交越失真。
（
3.放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作（
4.只有直接耦合的放大电路中三极管的参数才随温度而变化，度而变化，因此只有直接耦合放大电路存在零点漂移。
6.图示电路中Au
uoui
IBQ（RC//RL）
IBQrbe
功率放大电路中，输出功率越大，三极管的管耗也越大。
（RC//RL）
rbe
7.单端输出的电流源差分放大电路，主要靠电流源的恒流特性来抑制温漂。
8.多级放大电路的输入电阻等于第一级的输入电阻，输出电阻等于末级的输出电阻。
9.频率失真是由于线性的电抗元件引起的，它不会产生新的频率分量，因此是一种线性失真。
10.结构完全对称的差分放大电路，空载时单端输出电压放大倍数为双端输出时的一半。
11.差分放大电路单端输出时，主要靠电路的对称性来抑制温漂。
12.将乙类双电源互补对称功率放大电路去掉一个电源，就构成乙类单电源互补对称功率放大电路。
（）
13.负载电阻所获得的能量取自于直流电源，而不是信号源或有源器件。
14.放大电路的输出电阻等于负载电阻RL。
15.直接耦合的多级放大电路，各级之间的静态工作点相互影响；
电容耦合的多级放大电路，各级之间的静态工作点相互独立。
16.恒流源电路具有输出电流稳定，交流阻非常大的特点，因此常用作偏置电路和有源负载。
17.输入电阻反映了放大电路带负载的能力。
18.三极管放大电路中，设ub、ue分别表示基极和发射极的信号电位，则ub=UBEQ+ue。
19.差分放大电路中单端输出与双端输出相比，差模输出电压减小，共模输出电压增大，共模抑制比下降。
20.乙类双电源互补对称功率放大电路中，正负电源轮流供电。
21.
ib的流向确定。
双极型三极管的小信号模型中，受控电流源流向不能任意假定，它由基极电流
22.产生交越失真的原因是因为输入正弦波信号的有效值太小。
23.直接耦合放大电路存在零点漂移主要是由于晶体管参数受温度影响。
24.乙类互补对称功率放大电路中，输入信号越大，交越失真也越大。
25.集成放大电路采用直接耦合方式的主要原因之一是不易制作大容量电容。
26.与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。
27.单端输出的长尾式差分放大电路，主要靠公共发射极电阻引入负反馈来抑制温漂。
28.场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。
（）三、填空题
1.放大器的静态工作点过高可能引起失真，过低则可能引起__失真。
分压式偏置电路具有自
动稳定__的优点。
2.当差分放大电路输入端加入大小相等、极性相反的信号时，称为输入；
当加入大小和极性都相
同的信号时，称为输入。
3.放大电路中采用有源负载可以电压放大倍数。
4.场效应管放大电路中，共极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反相；
共极电
路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。
5.三种基本组态双极型三极管放大电路中，若希望源电压放大倍数大，宜选用共__极电路，若希望带负载能力强，宜选用共极电路，若希望从信号源索取的电流小，宜选用共极电路，若希望用作高频电压放大器，宜选用共极电路。
6.若信号带宽大于放大电路的通频带，则会产生失真
7.电阻反映了放大电路对信号源或前级电路的影响；
电阻反映了放大电路带负载的能力。
8.单级双极型三极管放大电路中，输出电压与输入电压反相的为共极电路，输出电压与输入电压同相的有共
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