518系列ICT培训教材解读Word下载.docx
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4.ICT与ATE有何差异?
ICT只做静态测试，而ATE可做动态测试。
即ICT对被测机板不通电（不加Vcc/GND）,而ATE则通电。
板上有一颗反向器要测，则ATE可测其反向特性，而ICT不能测。
ICT量测原理
奥姆定律：
R=V/I
请各位仔细透彻的理解奥姆定律，即：
R既可认为是电阻，也可认为
1.量测R:
单个R（modeO,1）:
+Vx=?
-
IsRx
——
是其它阻抗，如：
Zc容抗、ZI感抗。
而V有交流、直流之分。
I也一样，有交流、直流之分。
这样才可以在学习ICT测试原理时，把握其主脉，因为奥姆定律贯穿其始终，可称得上万能定律！
利用Vx=IsRx（奥姆定律），则Rx=Vx/Is.信号源Is取恒流
（0.1uA—5mA），量回Vx即可算出Rx值.
信号源Is与Rx关系表
Rx（标准值）
Is（常电流源）
Is/10（低档电流源）
0<
Rx<
300Q
5Am
5.5Am
300<
Rx<
3KQ
55Am
3KQ<
30KQ
30KQ<
300KQ
300KQ<
3MD
5.0Am
Rx>
3MQ
注：
系统测量电压Vx=lsRx=0.15V---1.5V
大电流应用：
R//C时，为测R,可以适当修改其Std_V（标准值），以便获得系统提供更大测试电流，条件是R接近上表的下限值，如330Q〃100uF，则改Std_V为299Q，可提供5mA大电流，从而使测试更准确。
小电流应用：
R//D时，为测R,可以将ModeO改为Model，从而电流小一档，R两端压降小于D导通电压，使测试更准确。
）
信号源取恒压0.2V，是因为：
1电压越小，贝S电容充电到饱和的时间就越短，电容充电饱和后其相当于开路，测Rx就会准确。
2ICT量测放大器侦测电压线性区间为
0.15V—1.5V，不宜取低于此范围的电压。
R//L（mode3,4,5）:
信号源取交流电压源Vs,籍相位法辅助.
Vs
|Y'
|Cofe=YRx=1/Rx,并Y'
=I'
x/Vs
故：
Rx=1/|Y'
|C（®
s
根据Zl=2jifL，若R=20Zl，贝SR无法测试
2.量测C/L:
单个C/L（Mode0,1,2,3）:
信号源取恒定交流压源Vs
Vs/lx二Zc=1/2jifCx,求得：
Cx=lx/2jifVs
Vs/lx=ZI=2jfLx,求得：
Lx=Vs/2jflx
电容:
范围
信号源
说明
1pF〜
-2.99pF
2
100K-AC
AC100KHZ
3
1M-AC
AC1MHz
3pF〜
-2.99nF
1K-AC
AC1KHz
1
10K-AC
AC10KHz
AC100KHz
5
1K-相位
AC1KHz相位分离量测
6
10K-相位
AC10KHz相位分离量
测，用以测量与电感并联的电容
7
100K-相
AC100KHZ相位分离量
位
测
3nF
299.99nF
AC10KHz相位分离量测
AC100KHz相位分离量
9
100-AC
AC100Hz
300nF〜0:
1K-ACAC1KHz
2.999lF
1:
10K-ACAC10KHz
5:
1K-相位AC1KHz相位分离量测
6:
10K-相位AC10KHz相位分离量测
9:
100-ACAC100Hz
F
29.99卩
0:
1K-AC
4:
C-DC
1K-相位
100-AC
固定电流源量测
30卩
F〜
149.99吓
8:
C-DC（10mA）
150吓
〜40mF
固定电流源量测固定电流源量测
电感:
WH〜
79.99PH
80uH〜
2799.99
PH
AC10KHz相位分离量测
100K-相位
AC100KHz相位分离量测
8004H
〜7.99mH
8mH〜79.99mH0:
10K-AC100K-AC1K-相位10K-相位
80mH~
799.99mH
AC10KH相位分离量测
800mH〜7.99H
AC1Khz
AC1KHzi位分离量测
AC10KHz相位分离量
8H〜60.0H
7:
100K-相位
测试C或L时，取信号频率⑴的原则：
因为，Zc=1/2jifC,在实际测试时，我们希望Zc最好是在一定范围内，太大或
太小，测试精度都会降低。
我们假设Zc二常数，贝卩得到：
fC二常数，也即：
fx1/C,
可见f与C互为反比，这样我们得到一个重要的结论：
大电容以低频、小电容以高频进行测试，效果最好。
同理，我们也可推出：
fx1/L,f与L互为反比。
C//R或L//R:
籍相位法辅助
Cx
4
|Y'
|Sin0=|Ycx|,即3Cx'
Sin0=3Cx
求得：
Cx=CxSin0（Cx'
=Ix'
12jifVs）
LxIx
|Sin0=|Ycx|,即Sin0/3Cx=0/3Cx求得：
Lx二Lx'
/Sin0（Lx'
=Vs/2jfix'
3.量测PN结：
（DQIC）
信号源0-10V/3mAor25mA可程序电压源，量PN结导通电压
4.量测Open/Short:
即以阻抗判定：
先对待测板上所有Pin点进行学习，R<
25Q即归为ShortGroup，然
后Test时进行比较，R<
5Q判定为Short,R>
55Q判为Open.
5.
Guarding（隔离）的实现:
当Rx有旁路（R1）时,Ix=ls-I1工Is,
Vx/Is工Rx
此时取A点电位Va,送至C点，令Vc=Va,
则：
I1=（Va-Vc）/R1=0,ls=lx
从而：
Vx/Is=Rx
程序的编写
1、在T［测试］下，设定P“测试参数
测试参数
电路板名称：
DEBUGBOX
测试数据文件名称：
DEBUGBOX.DAT
治具上第一支测试针号码：
治具上最后一支测试针号码：
64
测试顺序：
开路/短路/零件测试:
每几次测试即自动储存数据：
50「
开路/短路不良时中断测试：
不要
开路/零件不良时重测次数：
双色打印机的厂牌：
VFI1
VFI打印机是接到PC的：
COM1：
测试不良时自动或手动打印：
手动打印
测试不良时最多打印行数：
10
开/短路不良测试点位置打
不良零件位置图的横行数：
不良零件位置图的纵列数：
删略的针：
2、在E［编辑］下，编写程序:
步骤
零件名称
头际值位置
高点低点
隔点1
34
删略
量测值
标准值上限%下限%延迟
信号
类别重测
中停
补偿值
偏差%
R3
47K
A1
21
1010
0R
D
C22
100n
D2
52
30
C
L1
22u
B2
87
00
22u30
4L
4
D5
0.7V
C1
16
19
20
0D
Q1CE
1.8VA2
11
75
42
0000
0.2V
20-1
Q0
3、进入L［学习］,做ShortGroup学习.若有IC,还需做ICClampingDiode学习。
4、在主画面在下测试，检验程序及开始Debug。
程序的Debug
编写好的程序在实测时，因测试信号的选择，或被测组件线路影响，有些Step会Fail（即量测值超出±
%限），必须经过Debug。
R:
在E［编辑］下，ALT-X查串联组件，ALT-P查并联组件。
据此选好“信号”（Mode和串联最少组件的Hi-P/Lo-P，并ALT-F7选择GuardingPin。
R//C:
Mode2及Dly加大（参考：
T=5RC
R//D（orIC、Q）：
Mode1
R//R:
Std-V取并联阻值
R//L:
Mode34、5;
根据Zl=2nfL,故L一定时，若f越高，则Zl越大，则对
R影响越小
C:
在［编缉］下一般根据电容值大小，选择相应的Mod©
如小电容（pF级），可选高
频信号（Mode23），大电容（nF级）可选低频信号（Mode01），然后ALT-F7选择隔离。
3uF以上大电容，可以Mode48直流测试。
C//C:
Std-V取并联容值
C//R:
Mode56、7,由Zc=1/2刀fC,故C一定时，f越高，Zc越小，则R的影响越小。
C//L:
Mode5、6、7，并且f越高效果越好。
L:
F8测试，选择ModeQ1、2中测试值最接近Std-V，然后Offset修正至准确。
L//R:
Mode5、6、7。
PN结：
F7自动调整，一般PN正向Q.7V（Si）,反向（2V以上）
D//C:
Model及加Delay。
D//D（正向）：
除正向导通测试，还须测反向截止（2V以上）以免D反插时误判。
Zener:
Nat-V选不低于Zener崩溃电压，若仍无法测出崩溃电压，可选Mode（13QmA），另外1Q-48Vzener管，可以HV模式测试。
Qbe、bc之PN结电压两步测试可判断Q之类型（PNPorNPN）,Hi-P一样（NPN,
Lo-P一样（PNP,并可Debugce饱和电压（Q.2V以下），注意Nat-V为be偏置电压，越大Q越易进入饱和，但须做ce反向判断（须为截止Q.2V以上），否则应调小Nat-V。
不良报表的阅读
不良零件位置图:
以HO代有上限值（标准值，L0代表下限值:
不良记录:
******OpenFail******
（48）（4548）表示48点与短路组（4548）断开，可能是探针未接触到PCB旱盘,
或板上有断路。
******ShortFail******
（20）（23）表示20点与23点短路（R<
5Q）,可能是板上有锡渣造成Short，装错零件
造成Short，零件脚过长造成Short等。
******ComponentFail******
1R3M-V：
52.06K，Dev：
+10.7%
Act-V=47KStd-V=47KLoc:
Hi-P=21L0-P=101+LM：
+10%-LM：
-10%
表示：
R3偏差+10.7%,可能为零件变值，或接触不良。
若偏差+999.9%或很大，可能为缺件、错件超出标准值所在量程上限，（如47K在30K—300K量程内）；
若偏差0.00%或很小,可能为短路,错件超出其标准值所在量程下限。
ICT误判分析
1.ICT无法测试部分：
⑴.内存IC（EPROM/ISRAMDRmM）
⑵．并联大10倍以上大电容的小电容
⑶.并联小20倍以上小电阻的大电阻
⑷.单端点之线路断线
（5）.D//L,D无法量测
⑹.IC之功能测试
2.PCB之测点或过孔绿油未打开，或PCB吃锡不好
3.压床压入量不足。
探针压入量应以1/2-2/3为佳
4.经过免洗制程的PCB板上松香致探针接触不良
5.PCB板定位柱松动，造成探针触位偏离焊盘
7.零件厂牌变化（可放宽+-%,IC可重新Learning）
8.治具未Debug好（再进行Debug）
9.ICT本身故障
硬件检测
1、开关板：
诊断（D）----切换电路板（B）----系统自我诊断（S）----切换电路板诊
断（S）
若有B*C*表示SWBTFail，请记录并通知TRI°
C*有可能为治具针点有Short造成。
进入切换电路板诊断功能时，屏幕上显示如下的画面:
切换电路板自我检测
（治具上不要放置组装电路板，维修盒不要接到待测的切换电路板）
第几片插槽
8
测试点数
128
测试结果
N/A
OK
22
18
17
15
14
13
12
DC
AC
OT7
有RD项Fail可能为DC板故障，有C、L项Fail可能AC板Fail,
有Power项Fail可能Power板Fail。
也请记录并通知TRI。
电阻
电容
系统电源
Value
Meas-V
Dev%
50
100p
5V
100
1n
10V
1K
10n
12V
10K
100n
15V
100K
1u
24V
1M
10u
-5V
10M
1n-G
-15V
1K-G
10VFunction
电感
D0.6
100u
ZD3V
1m
ZD6V
10m
DAC-5V
/DAC-5V
100m
开路/短路测试线路：
<
0>
1>
2>
3>
TheEnd
附录
1.指令树状结构图（CommandTree）
Level0Level1Level2Level3
测试
（TEST）
开始测试（Testing）
测试参数（Test-Par）
—设定新参数（SetUp）
—拷贝参数（Copy）
—删除参数（Delete）
修改参数（Update）
选择板号（Board-Sei）
系统参数（System-Par）
—压床型式（Test-Fixture）——网络设定（Network）——延迟时间（Delay-Time）打印机（Printer）
统计基底（Report-Base）
编辑（EDIT）
广短路点数据（Short/Open）
—IC保护二极管（Clamping-D）
学习
（LEARN）
—短路学习（Learning）
—编辑（Edit）
__打印（Print）
—短路测试（Short-T）
—开路测试（Open-T）—IC脚（IC-Pins）
-—学习（Learning）
'
—显示（Display）
—打印（Print）
—删除（Delete）
■—并联测试（DiodeCheck）
—测试点数据（Pin-Information）
报表（Total）-
分布表（Histo）
分布图（Statis）报告排行榜（Worst）
（REPORT）存盘（Store）
读入（Load）
——清除（Clear）
硬件诊断（Self-Check）
单体测试（Test-Exers）诊断切换电路板（Switch-Brd）
（DEBUG）测试针（Pin-Search）
压床（Fixture）
REMOTE
|—IC脚（IC-Pins）
学习（Learning）
-显示（Display）
-打印（Print）
删除（Delete）
二测试点资料（Test-Pins）
—日报表显示（Day-Display）
日报表打印（Day-Print）
——月报表显示（Month-Display）
—月报表打印（Month-Print）
屏幕显示不良零件排行（Disp_Comp）
—屏幕显示不良测试针排行（Disp_Pin）
—打印不良零件排行（Print_Comp）
—打印不良测试针排行（Print_Pin）
—系统自我检测（System-Check）
切换电路板诊断（Switch-Board）一使用维修盒诊断（Debug-Box）
——功能编辑（Function-Edit）
功能稳定性测试（Stability-Check）
（FUNC）
~一"
脚位编辑（IC-Pins）
—空焊自动学习（OT-Learn）
IC空焊测试空焊数据编辑（OT-Edit）
（IC-OPEN）分布表（Histo）
删除（Delete）
自我诊断（Debug）TestJet配置（TestJet-Config）
•■-稳定度测试（Stability-Check）
VIEW
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