湖南大学材料考研知识删减版Word格式.docx
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尺寸：
（0.1-0.072）/0.1=28%>
15%,不符合休姆-罗瑟里规则；
电负性：
Ca的电负性分别为1.0和Mg的电负性分别1.2，同一周期上下，接近。
晶体结构：
MgO和CaO，都为FCCNaCl结构。
电子浓度：
价电子数相同。
综上所述，根据形成无限固溶体的条件知，MgO-CaO不能形成无限固溶体，可以形成有限固溶体。
补充试题：
1.比较固溶体和金属间化合物在成分、结构和性能方面的差异。
类别
成分
结构特点
力学性能特点
固溶体
溶质浓度可在固溶度围变化
保持溶剂的点阵类型
强度、硬度比溶剂高，但总体看强度硬度依然很低，而塑性、韧性较好
金属间化合物
成分固定或在一定围波动，可用化学分子式表示
其点阵类型不同于组成它的任一组元
熔点较高、硬度高，而塑性、韧性差
第一章原子结构与键合
金属键
一次键离子键
共价键
原子键（结合键）德瓦尔键
二次键氢键
所有的一次键都涉及到或者电子从一个原子向另一个原子的转移，或者电子在原子间的共用。
金属键的本质：
金属正离子与自由电子之间的相互吸引。
离子键的本质：
正电性原子和负电性原子之间的相互吸引。
共价键的本质：
共价电子对的结合。
二次键与一次键的根本区别就是二次键既不涉及电子的转移，也不涉及电子的共用，二次键是来源于某些原子或分子中形成的电偶极子。
一次键通常比二次键强一至两个数量级。
金属健：
金属正离子与自由电子之间的相互作用构成的金属原子间的结合力称为金属键。
离子键：
电子由正电性原子向负电性原子的转移形成离子键，离子键无方向性和饱和性。
（影响因素：
原子间的高电负性差值有利于离子键的形成）
共价键：
相邻原子由于共享电子对所形成的价键，具有饱和性和方向性。
键-能曲线：
将一对原子或离子有关的能量描述为两原子或离子之间距离的函数的关系曲线称为键能曲线，它是键-力曲线的积分。
利用键-能曲线，可以估算键能、平均键长、弹性模量和线膨胀系数等。
其他外力或能源（如：
施加外载荷、电磁场或温度变化）作用于系统，键长和有效键能就有可能改变，从而改变键能曲线图。
在X0处U（x）的大小，即能量势阱的深度，就是键的固有强度，即键能的度量；
另，平衡间距X0（原子之间中心到中心的平均距离）对应于键长。
键能曲线在X0处的曲率正比例弹性模量，曲率半径越小，弹性模量越大，刚度越大。
物理解释：
能量势阱的两壁越陡，将原子从平衡位置移动所需的能量越大。
线膨胀系数αth随键能曲线的不对称的增大而增大。
2009年简答题（10分）1.一次键的种类及其本质是什么？
2009年论述题（15分）1.什么是键能曲线？
利用键能曲线可以得到材料的哪些特性参量。
采用哪些方法可以改变键能曲线的形状？
解：
略；
2010年简答题（10分）1.说明离子晶体、共价晶体和金属晶体中原子间的键合特征。
影响原子间成键类型的重要因素有哪些？
离子晶体一定含有离子键，可能含有共价键；
共价晶体只含有共价键；
金属晶体：
简单金属晶体只含有金属键，过渡族金属晶体含有金属键和共价键，以金属键为主。
键合特征
①离子键：
以离子而不是以原子为结构单元，无方向性和饱和性。
②共价键：
共用电子对，有饱和性和方向性。
③金属键：
电子共有化，无饱和性和方向性。
影响原子间成键类型的重要因素：
①电负性②价电子数。
电负性相差大、价电子数相差很小容易形成离子键，电负性相差小、价电子数相差很大容易形成共价键，电负性相差不大不小、价电子数相差很小容易形成金属键。
2010年简答题（10分）2.如何根据材料的键能曲线来判断材料的弹性模量、膨胀系数的大小？
弹性模量：
曲率半径越小，弹性模量越大，刚度越大。
线膨胀系数αth：
随键能曲线的不对称的增大而增大。
2011年论述题（15分）1.定性比较瓷材料、金属材料和高分子材料的弹性模量高低，并从材料中结合键的角度分析存在差异的原因。
弹性模量是表征材料在发生弹性变形时所需要施加力的大小。
在给定应力下，弹性模量大的材料只发生很小的弹性应变，而弹性模量小的材料则发生比较大的弹性应变。
结合键能是影响弹性模量的主要因素，结合键之间的结合键能越大，则弹性模量越大。
由于瓷材料主要含有离子键和共价键，金属材料主要含有金属键，而高分子材料分子之间主要是二次键起作用，而结合键能的大小顺序是离子键最高，共价键次之，金属键第三，二次键最弱，所以这三种材料的弹性模量由高到低依次是：
瓷材料、金属材料、高分子材料。
实际上，常见的瓷的弹性模量为250～600GPa，常见的金属材料的弹性模量为70～350GPa，而高分子材料的弹性模量为0.7～3.5GPa。
2012年简答题（10分）1.简述一次键和二次键的本质特点，并从结合键的角度讨论金属的力学性能。
金属材料的结合键主要以金属键为主，而金属键是金属正离子与自由电子之间的相互作用，金属键无饱和性和方向性，因此金属对外力响应时无需考虑电荷的性质，因而原子间可以相对滑动，并且吸收冲击能量而不至于破坏金属键，所以金属材料的强韧性好，塑形变形能力强。
第二章晶体学基础
空间点阵：
组成晶体的粒子（原子、离子或分子）在三维空间中形成有规律的某种对称排列，如果我们用点来代表组成晶体的粒子，这些点的空间排列就称为空间点阵。
单胞：
完全描述空间点阵的最小重复单元称为单胞。
阵点：
单胞的顶点称为阵点
点阵常数：
晶胞的大小取决于其三条棱的长度a，b和c，而晶胞的形状则取决于这些棱之间的夹角α，β，γ，我们把a，b，c，α，β，γ这六个参量称为点阵常数。
基元：
处在一个阵点的“物质群”称为基元。
组成晶体的结构基元（分子、原子、离子、原子集团）依靠一定的结合键结合后，在三维空间做有规律的周期性的重复排列方式。
简单的讲就是：
空间点阵+结构基元=晶体结构
若晶体的性质和测量方向无关，则称晶体称为各向同性的；
若晶体的性质和测量方向有关，则称晶体是各向异性的。
配位数（CN）：
晶体结构中任一原子周围最近邻且等距离的原子数。
致密度：
晶体结构中原子体积占总体积的百分数。
原子堆垛因子（APF）：
在晶体结构中原子占据的体积与可利用的总体积的比率定义为原子堆垛因子。
APF=在单胞中原子体积/单胞体积
影响配位数的因素：
①中心原子的大小。
中心原子的最高配位数决定于它在周期表中的周次。
②中心原子的电荷。
中心原子的电荷高，配位数就大。
③中心原子的成键轨道性质和电子构型。
从价键理论的观点来说，中心原子成键轨道的性质决定配位数，而中心原子的电子构型对参与成键的杂化轨道的形成很重要。
④配体的性质。
同一氧化态的金属离子的配位数不是固定不变的,还取决于配体的性质。
配合物的中心原子与配体间键合的性质，对决定配位数也很重要。
晶向族：
晶体中的原子排列情况相同，空间位向不同的一组晶向，称一个晶向族，用<
uvw>
表示。
晶面族：
晶体中具有相同的条件（这些晶面上的原子排列情况和晶面间距分别完全相同），只是空间位向不同（即不平行）的各个晶面，总称为晶面族，用{hkl}表示。
线密度：
在晶体方向单位长度上有原子中心的数目。
ρL=在一个单胞沿方向上原子中心的数目/包含在一个单胞线的长度
面密度：
在晶体学面单位面积上的原子或离子中心的数目。
ρP=在一个单胞中心原子一个面上的原子数目/包含在一个单胞中的面的面积。
金刚石：
金刚石晶体结构的空间点阵就是一个面心立方点阵，但决不能说金刚石晶体结构是由两个面心立方点阵穿插而成。
因为这样说，就把只有抽象几何意义的空间点阵看成了由具体的碳原子构成了图形。
常见的几个晶体类型的参数（务必牢记）
晶体结构
每个晶胞的原子数n
配位数CN
密排面
原子堆垛因子
密排面间距
密排方向
密排方向最小原子间距
每个晶胞中四面体间隙个数
每个晶胞中八面体间隙个数
BCC
2
8
{110}
0.68
<
111>
12
6
FCC
4
{111}
0.74
110>
HCP
{0001}
0.74
11-20>
a
2010年简答题（10分5.简要说明晶体结构与空间点阵的关系。
空间点阵是把晶体的质点抽象为阵点，用来描述和分析晶体结构的周期性和对称性，要求各个阵点的周围环境相同，它只有14种类型。
而晶体结构是指具体的物质粒子排列分布，由于结构基元可以是无穷多种，因而构成的具体的晶体结构也有无穷多种。
两者之间的关系可用“空间点阵+结构基元=晶体结构”来描述。
（后面可以不用写，只是帮助理解：
在实际晶体中，有晶体结构不同但属于同一种晶体点阵的情况，例如Cu，NaCl和CaF2的晶体结构不同，但它们都属于面心立方点阵。
另外，类似的晶体结构也可能属于不同的空间点阵，如W和电子化合物CuZn都是体心立方结构，但CuZn属于简单立方点阵，W属于体心立方点阵。
）
2010年简答题（10分）9.什么是晶体中原子的配位数？
影响配位数多少的因素是什么？
晶体中原子的配位数是反映原子排列紧密程度的物理量之一，指晶格中任一原子周围与其最近邻且等距离的原子数目。
一般配位数越大，晶体排列结构越紧密。
因素：
略。
2012简答题（10分）2.NaCl的晶体结构是否属于布拉菲点阵？
为什么？
如果不是，则其点阵为哪种类型？
不属于布拉维点阵。
如果把NaCl的晶体结构看成14种布拉维点阵任何一种，则它的每个阵点不可能都具有完全相同的物理环境和几何环境，这不符合空间点阵的定义，所以NaCl的晶体结构不属于布拉菲点阵。
但如果把组元看成质点，则其满足其中一种空间点阵，空间点阵为：
面心立方点阵。
2012简答题（10分）4.面心立方和密排六方结构中原子的堆垛方式和致密度是否有差异？
请加以说明。
面心立方结构式以密排面{111}按ABCABC...顺序堆垛而成的，密排六方结构是以密排面{0001}按ABAB...顺序堆垛起来的。
面心立方结构的致密度为0.74，密排六方结构的致密度也为0.74。
2012简答题（10分）8.画出立方晶系的[100]、[101]晶向和（111）（1-11）晶面。
第三章晶体的性形变（塑性变形）
塑性变形：
在外载力作用下引起晶体中原子的永久位移称为塑性变形。
（滑移）临界分切应力：
使塑性变形开始发生的切应力称为临界分切应力，用τCR表示。
它是一个定值，与材料本身性质有关，与外力取向无关。
Schmid（施密特）定律：
对不同晶体取向的正应力与发生塑性变形的切应力之间的关系的方程，即
σc=τCR/COSθ*COSφ,其中θ为拉力与滑移方向的夹角，φ为拉力与滑移面法线的夹角，μ=COSθ*COSφ称为施密特因子。
滑移系：
晶体通过滑移产生塑性变形时，由一个滑移面和位于该滑移面上的一个滑移方向所构成的系统称为一个滑移系。
用{hkl}<
来表示。
例如，在FCC金属，（111）[110]是滑移系，相应的滑移族是{111}<
。
关于滑移系请注意：
（l）滑移面总是晶体的密排面,而滑移方向也总是密排方向。
这是因为密排面之间的面间距离最大,面与面之间的结合力较小,滑移的阻力小,故易滑动。
而沿密排方向原子密度大,原子从原始位置达到新的平衡位置所需要移动的距离小,阻力也小。
（2）每一种晶格类型的金属都具有特定的滑移。
一般来说,滑移系的多少在一定程度上决定了金属塑性的好坏。
然而,在其它条件相同时,金属塑性的好坏不只取决于滑移系的多少,还与滑移面原子密排程度及滑移方向的数目等因素有关。
常见的几种晶体的滑移系（和P8表格一起记忆）：
滑移面
滑移方向
滑移系数目
{110}{112}{123}
48
{111}
{0001}{10-10}
<
3
2009年名词解释（5分）8.临界分切应力：
晶体中的某个滑移系是否发生滑移，决定于力在滑移面沿滑移方向的分切应力，当分切应力达到某一临界值时，滑移才能开始，此应力即为临界分切应力，它是滑移系开动的最小分切应力。
材料的临界分切应力取决于材料的本身性质，但和温度以及材料的纯度等也有关系。
2010年名词解释（5分）施密特（Schmid）因子：
拉伸变形时，能够引起晶体滑移的分切应力t的大小取决于该滑移面和晶向的空间位置（φ和θ）。
t与拉伸应力σ间的关系为：
τCR=σc*COSθ*COSφ，其中COSθ*COSφ被称为取向因子，或称施密特因子，取向因子越大，则分切应力越大。
2011简答题（10分）3.在面心立方（FCC）晶胞中画出（101）和[110],并分析他们能否构成滑移系？
图略。
不能构成滑移系，因为（101）和[110]不在一个平面上。
第四章晶体中的缺陷
弗仑克尔空位：
离位原子进入晶体间隙而形成的空位。
空位
点缺陷（零维缺陷）肖特基空位：
离位原子进入其他空位或迁移至晶界或
表面而形成的空位。
间隙原子：
位于原子点阵间隙的原子
置换原子：
位于晶体点阵位置的异类原子
刃型位错
线缺陷（一维缺陷）
缺陷（表现为各种位错）螺型位错
混合位错
表面
孪晶界
面缺陷晶界小角度晶界：
晶粒位相差小于10°
的晶界。
（二维缺陷）界面大角度晶界：
晶粒位相差大于10°
亚晶界
相界：
相邻两个相之间的界面。
堆垛层错：
是指在密排晶体结构中的整层密排面上的原子发生了错排，它是
实际晶体在滑移过程中造成的一种面缺陷，例如，在FCC晶体的
正常堆垛顺序为ABCABC...,如果在晶体的某个区域的堆垛是
ABCBCAABC...，那么在这个区域就认为含有堆垛层错。
等等
弗仑克尔缺陷：
离位原子进入点阵的间隙位置，而在晶体中同时形成数目相等的空位和间隙原子，这种点缺陷称为弗仑克尔缺陷，出于尺寸的考虑，大多数的弗仑克尔缺陷都涉及正离子。
（注意与弗仑克尔空位的区别）
肖特基缺陷：
在离子固体中形成的小的正离子和负离子空位的丛集。
在这些丛集中正离子：
负离子的比率要调整维持电的中性。
位错：
晶体中普遍存在的线缺陷，是晶体中某处一列或若干列原子有规律的错排。
位错是引起塑性变形的主要原因。
位错滑移：
指在外力作用下，位错线在自身的滑移面（即位错线与伯氏矢量b构成的晶面）上的移动，结果导致晶体永久变形，位错的这种运动不涉及物质的输运。
位错攀移：
当空位迁到刃型位错多余半原子面的边缘时，刃型位错发生的移动，称为位错攀移，攀移导致位错转移到临近的平行滑移面上，攀移要求物质运输。
柏氏回路：
绕着位错通过无缺陷材料的回路称为柏氏回路，如果在回路中没有位错，它通常是闭合的。
柏氏矢量b:
用来描述位错引起晶格畸变的物理量,它是连接柏氏回路终点到开始点的矢量。
该矢量的模是层错的强度，表示晶格总畸变的大小，其方向表示晶格点畸变的方向。
一般情况下，该矢量越大，晶体畸变的程度越大。
柏氏矢量是位错的一个不变的性质。
全位错：
柏氏矢量等于单位点阵矢量或其整数倍的位错称为全位错。
（其中
实际晶体中的位错柏氏矢量恰好等于单位点阵矢量的位错称为单位位错）
不全位错：
柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错称为不全位错。
（其中柏
氏矢量小于点阵矢量的位错称为部分位错或者分位错）
晶界：
当两个任意取向的晶粒，沿一个任意表面接合时发生的界面称为晶界。
晶界是一种面缺陷。
共格界面：
所谓共格界面，是指界面上的原子同时位于两相晶格的结点上，即两相的晶格是彼此的，界面上的原子为两者共有。
2008年名词解释（5分）全位错；
共格界面
2009年名词解释（5分）1.位错3.晶界4.柏氏矢量
2010年名词解释（5分）3.位错滑移6肖特基（Schttky）空位
2010论述题（15分）3.位错有哪些类型？
其位错线与柏氏矢量间的关系如何？
请分析下图中AB、BC、CD、DA位错线的位错类型。
2010论述题（15分）4.论述面缺陷的种类及对材料力学性能的影响。
面缺陷包括：
表面、晶界、相界、堆垛层错等。
影响：
界面阻碍为错的运动，引起界面强化，从而提高了材料的强度。
界面阻碍变形，使变形分布均匀，提高了材料的塑性。
强度和塑性的提高相应使材料的韧性得到改善，因此界面的增加得到细晶组织，可大大改善材料的力学性能。
2011年名词解释（5分）位错滑移，共格界面
2011年简答题（10分）6.比较说明刃型位错与螺型位错的异同点
刃型位错和螺型位错的异同点：
①刃型位错位错线垂直于柏氏矢量，螺型位错位错线平行于柏氏矢量；
②刃型位错柏氏矢量平行于滑移运动方向，螺型位错柏氏矢量垂直于滑移运动方向；
③刃型位错可作攀移运动且只有一个滑移面，螺型位错只可作滑移运动但有无数个滑移面；
④两者都可以用柏氏矢量表示。
2012年名词解释（5分）4.堆垛层错9.弗仑克尔点缺陷
2012年简答题（10分）6.在位错滑移运动时，请分析刃型位错、螺型位错、混合位错的位错线l与柏氏矢量b，位错运动方向与位错线l及柏氏矢量b之间的关系。
（备注：
画位错环）
位错
类型
l与b的关系
位错运动方向与l关系
位错运动方向与b关系
刃型位错
垂直
平行
螺型位错
混合位错
成一定角度，既不垂直又不平行
第五章材料强化机制
应变硬化：
金属在冷加工过程中流变应力随应变的增加而增加的现象称为应变硬化。
其机理是：
金属在形变过程中位错密度不管增加，使强性应力场不断增大，位错间的交互作用不断增强，因而位错的运动越来越困难。
应变硬化在生产实际中有何意义？
在生产实际中，应变硬化有不利方面，也有有利方面。
不利方面是：
（1）由于金属在加工过程中塑性变形抗力不断增加，使金属的冷加工需要消耗更多的功率；
（2）由于应变硬化使金属变脆，因而在冷加工过程中需要多次中间退火，使金属软化，能够继续加工而不致裂开；
（3）有些金属尽管某些性能很好，但由于解决不了加工问题，其应用受到很大限制。
有利方面：
（1）有些加工方法要求金属必须有一定的加工硬化；
（2）可以通过冷加工控制产品的最后性能；
（3）有些零部件在工作条件表面会不断硬化，以达到表面耐冲击、耐磨损的要求。
材料的主要强化机制有哪几种？
其强化机制是什么？
固溶强化、细晶强化、第二相强化、形变强化。
其机理均是通过在金属中引入大量的缺陷，阻碍位错的运动来提高材料的强度。
不同的强化方法的机理有其特殊性。
固溶强化：
利用点缺陷对位错的阻力使金属基体获得强化的一种方法。
具体方法是通过在金属基体中融入一种或数种溶质元素形成固溶体而使金属强度、硬度升高。
溶质元素可以使材料得到强化的微观机制在于：
无论是间隙式固溶原子还是置换式固溶原子都会使溶剂金属的晶格产生畸变，从而产生一应力，位错在此应力场中运动会受到阻力。
细晶强化：
又称晶界强化，是指细化晶粒来提高金属的强度。
其原理在于晶界对位错滑移的阻滞效应。
细晶强化的微观机制在于：
对于多晶体来说，位错运动必须克服晶界的阻力。
这是由于晶界两侧位错的取向不同，所以在某一个晶粒中滑移的位错不能直接穿越晶界进入相邻的晶粒，只有在晶界处塞集了大量位错后引起应力集中，才能激发相邻晶粒中已有位错的运动产生滑移。
所以晶粒越细，晶界越多，材料的强度就越高。
第二相强化：
指在金属基体（通常是固溶体）中还存在另外一个或者几个相，这些相的存在使金属的强度得到提高。
因获得第二相的工艺不同，第二相强化分为①沉淀强化：
通过相变热处理获得第二相②弥散强化：
通过粉末烧结或氧化获得。
第二相强化的微观机制是：
位错在运动过程中遇到第二相，需要切过（沉淀强化的小颗粒和弥散强化的颗粒；
强度低，有一定塑性）或者绕过（沉淀强化的大颗粒；
颗粒硬，不宜变形）第二相，从而第二相（沉淀相和弥散相）阻碍了位错的运动。
形变强化：
材料屈服以后，随着形变量的增加，所需的应力是不断增加的，这种现象叫形变强化，也叫加工强化。
2008年论述题（15分）1.介绍合金强化的四种主要机制及其强化原因。
2009名词解释（5分）应变硬化
2009年论述题（15分）3.材料的主要强化机制有哪几种？
2010年简答题（10分）10.何谓应变硬化？
在实际生
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